【課題】臨床における圧力センサによる接触圧力分布の測定を生体組織に対して低侵襲的に行うことができ、内視鏡視下手術において生体組織内の接触圧力分布を直接測定することができる接触圧力測定システムを提供する。
【解決手段】接触圧力測定システムは、体組織内の接触圧力を測定する圧力センサ１０と圧力センサ１０が装着された取り回し部２０と取り回し部２０を体組織内へ導入する導入部と測定システムとを有する。導入部は中空の筒内に細い棒を挿入した構造であり、細い棒の一端に保持部２２が装着され、展開部２１を保持部２２にロール状に巻き取ることにより全体として取り回し部２０が保持部２２を介して細い棒に巻き付けられている。展開部２１は操作部の回転により保持部２２から巻き出されスリットを通して測定対象へ展開される。展開部２１は操作部の逆の回転により保持部２２へ巻き取られて格納される。 （もっと読む）

【課題】電気機械変換エレメント間の静電容量を低減して、エレメント間の信号のクロストークを低減することができる電気機械変換装置を提供する。
【解決手段】電気機械変換装置１０では、絶縁部７を介して対向する位置に設けられた第１電極３と第２電極６とを含む電気機械変換エレメント２が半導体基板１の一方の面に形成された絶縁層５上に複数形成されている。第１電極３とは絶縁されて絶縁層５上のエレメント２間に配設された導体配線４と、導体配線４に電圧を印加する第１電圧印加部１２と、導体配線４とは極性の異なる電圧を第１電極３に印加する第２電圧印加部１３が設けられている。半導体基板１の他方の面の一部は接地されている。 （もっと読む）

【課題】簡単な構造で超音波送受信の性能を向上させることができる超音波トランスデューサ、超音波探触子および超音波撮像装置を提供する。
【解決手段】超音波トランスデューサは、基板１上に形成した下部電極２（第１の電極）の上に、内部に空隙４を有する内側ダイヤフラム層５ａを形成し、その上に上部電極３（第２の電極）、外側ダイヤフラム層５ｂを順に形成し、さらに外側ダイヤフラム層５ｂの上にダイヤフラムの対向する頂点間を結ぶ梁７を形成したものである。下部電極２と上部電極３とは、内部に空隙４を有する内側ダイヤフラム層５ａを介して対向し、コンデンサを構成する。 （もっと読む）

【課題】エッチングパターンの形状または大きさによらずに、正確に制御された深さの凹部を形成することができる半導体基板のエッチング方法を提供すること。
【解決手段】半導体基板３をエッチングするに際し、まず、それぞれ独立に区画されたエッチング領域８７に対向する位置に同一パターンの開口８８を多数有するレジスト５９をマスクとして、異方性の深掘り反応性イオンエッチングする。これにより、半導体基板３の表面部に、深さがほぼ等しく揃った凹部８９が多数形成される。次いで、多数の凹部８９を区画する半導体基板３の側壁９０を、半導体基板３の表面に平行な横方向にエッチングして除去する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、半導体圧力センサ及びその製造方法に係り、ダイヤフラム上でのシリコン酸化膜による段差部分への応力集中を低減することを目的とする。
【解決手段】半導体基板の開口部に形成されるダイヤフラムと、ダイヤフラム上に配置され、該ダイヤフラムの撓みに応じた検出信号を出力する歪ゲージと、を備える半導体圧力センサにおいて、ダイヤフラム上におけるシリコン酸化膜による段差部を、該段差部側面の面外方向が、該ダイヤフラムの段差部位において生じる最大応力の方向との間で垂直関係にありかつダイヤフラム面との間で平行関係にあるように形成する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、湿気の多い外気によるセンサの金属電極の腐食を防止し、かつセンサの樹脂封止によるセンサの反りの発生を防止してセンサ特性への影響を低減するセンサデバイスの製造方法及びセンサデバイスを提供する。
【解決手段】センサデバイスの製造方法は、固定部、前記固定部の内側に位置する可動部、前記固定部と前記可動部を接続する可撓部、及び複数の金属電極を有するセンサを基板上に配置し、前記センサの複数の金属電極及び前記基板の複数の端子をボンディングワイヤにより電気的に接続し、前記複数の金属電極と前記複数の端子の間にある前記ボンディングワイヤの一部が露出するように、前記センサの複数の金属電極の前記ボンディングワイヤと接続された部位を樹脂により覆う。 （もっと読む）

【課題】２方向の加速度を精度よく感知することができ、小型化及び製造コストの低減化を可能とする２軸加速度センサを提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、平板状の錘部、この錘部の側面を囲う枠部、上記錘部の側面と枠部の内面とを連結する１又は複数の梁部、及び上記梁部に付設される歪み感知手段を備える平板状の２軸加速度センサであって、上記梁部の厚さが幅より大きく、上記１又は複数の梁部が、厚さ方向と垂直な直交２方向の正負それぞれの加速度に対する撓みパターンの組合せが異なる少なくとも２つの変形領域を有し、上記歪み感知手段として、上記各変形領域の両端側かつその幅方向両側近傍に二対のピエゾ抵抗素子が配設されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 帯電による特性悪化を抑制し、信頼度の高い加速度センサを提供する。
【解決手段】 シリコン活性層、埋め込み絶縁層、支持基板からなるＳＯＩ基板から形成され、ＳＯＩ基板の上面から下面へ貫通する窓部１０を有するフレーム部１１と、ＳＯＩ基板から形成され、窓部１０の内部に配置される可動電極４と、フレーム部１１のシリコン活性層と可動電極４のシリコン活性層とを連結し、フレーム部１１に対して可動電極を揺動可能に支持するビーム部４１，４２と、可動電極４と対向する面に可動電極４と離間して配置される固定電極２１，２２とを備え、可動電極４及びフレーム部１１が、それぞれシリコン活性層と支持基板とを電気的に接続するコンタクト部６１〜６３を備える。 （もっと読む）

【課題】より検出精度の向上を図ることのできる静電容量式センサを得る。
【解決手段】静電容量式センサ１は、絶縁基板２、３と、この絶縁基板２，３に接合されたシリコン基板４と、を備えている。このシリコン基板４には、絶縁基板２，３に接合されるフレーム部４０と、一面に開口する凹部５３，６３と凹部５３，６３を除く充実部５１，６１が一体に形成された錘部５，６と、当該錘部５，６を回動自在に支持する１対のビーム部９，１０、１１，１２と、フレーム部４０から離間配置されるアンカー部７，８と、が形成されている。そして、１対のビーム部９，１０、１１，１２のうち少なくともいずれか一方のビーム部９，１１がアンカー部７，８に連結されている。 （もっと読む）

【課題】 可動電極の貼り付きを防止し、信頼度の高い加速度センサを提供する。
【解決手段】 矩形平板状の可動電極４と、可動電極４が揺動可能なように、可動電極４の対向する２辺をそれぞれ支持する一対のビーム部４１，４２と、ビーム部４１，４２を互いに結ぶ直線を境界線とした可動電極４の表面の一方側及び他方側とそれぞれ対向して離間する面に、互いに離間して配置された固定電極２１，２２と、固定電極２１，２２の表面にそれぞれ形成され、アルミニウムより硬度の大きい硬質膜８１，８２とを備える。 （もっと読む）

【課題】固体撮像装置において、ＭＥＭＳ素子を固体撮像装置と同一のチップ上に設けて装置の実装面積を縮小して装置の小型化を実現する。
【解決手段】画素ごとに区分されたフォトダイオードがマトリクス状に配置された受光面を有する固体撮像素子部（Ｒ５）を有するデバイス基板１０上に、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）素子（１６ａ，１６ｂ，１７ａ，１７ｂ，ＤＦ）を有する構成とする。 （もっと読む）

【課題】寸法が小型であるばかりでなく、実効的に大量に製造され得る高感度圧力センサを製造する方法を提供する。
【解決手段】センサ及びセンサを製造する方法が開示され、このセンサは一実施形態では、エッチングされた半導体基材ウェーハ（３００）を、シリコン積載絶縁体型ウェーハを含むエッチングされたデバイス・ウェーハ（１００）に接着して懸吊構造を形成し、この構造の曲げが、埋め込まれた感知素子（１４０）によって決定されて絶対圧を測定する。センサに埋め込まれた相互接続路（４００）によって、他のデバイスとの相互接続性を確保しつつデバイスの滑らかなパッケージ形状を容易にする。 （もっと読む）

【課題】測定感度を低下させることなく、ピエゾ抵抗素子の熱変動に起因する通電変動を抑制することにより、高感度及び高精度の圧力測定を実現できるピエゾ抵抗式圧力センサを提供すること。
【解決手段】ピエゾ抵抗部Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４はダイヤフラム３１と支持部３２との境界近傍のダイヤフラム３１上に配置されている。これにより、圧力を高感度で測定できる。各ピエゾ抵抗部Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４のピエゾ抵抗素子群配置領域の面積はすべて同じであるとともに前記領域の外形形状は同形状とされている。これにより、ピエゾ抵抗部Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４間での温度分布を均一化できるので、ピエゾ抵抗素子の熱変動に起因する通電変動を抑制できる。 （もっと読む）

【課題】クロストークを低減して高品位の画像を取得し得るプローブ及び超音波診断装置を提供する。
【解決手段】基板１１と、基板１１上に固定配置される下部電極１２と、下部電極１２上に設けられる空洞１３と、空洞１３上に設けられる上部電極１４と、上部電極１４を含みコルゲート１５を有するダイヤフラム１６と、からなる超音波振動子１が複数互いに隣接して配置されてなるプローブ１０において、超音波振動子１のそれぞれは、一の超音波振動子１のコルゲート１５内領域の面積と、一の超音波振動子１に隣接する周辺の超音波振動子１のコルゲート１５内領域の面積と、が互いに異なるように配置されたプローブ１０。 （もっと読む）

【課題】矩形の基板上に、変換体と矩形の半導体基板と有し、小型化と低コスト化可能な変換体モジュールを提供する。
【解決手段】矩形の形状を有する基板２と、鋭角の頂点を１つ以上含む多角形の形状を有する変換体３と、矩形の形状を有する半導体基板４とを備え、変換体３は、基板２の第１側辺と変換体３の一つの側辺とが実質的に平行となるように、基板２上に配置され、半導体基板４は、基板２の第１側辺と半導体基板４の１つの側辺とが実質的に平行となるように基板２に配置される。 （もっと読む）

【課題】広い範囲の慣性力を検出できる容量式慣性力センサを、可動電極の下面（又は上面）に沿う方向の体格増大を抑制しつつ、検出精度劣化を抑制して提供する。
【解決手段】可動電極に対向配置された固定電極として、可動電極の変位にともない可動電極との対向距離が変化するように、可動電極における変位方向に垂直な側面に対向配置された第１固定電極と、可動電極の変位にともない可動電極との対向面積が変化するように、第１固定電極と対向する可動電極の上面及び下面の少なくとも一方に対向配置された第２固定電極と、を備える。 （もっと読む）

【課題】気密性の高い貫通電極及びこれを用いた微小構造体、並びにそれらの製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】導電性を有する基板１０の所定領域１１を貫通トレンチ２０で囲み、周囲から絶縁分離した貫通電極１００において、
前記貫通トレンチ内の深さ方向における所定部分を塞ぐように充填された第１の成長膜４０と、
前記貫通トレンチの両側面の間を横断する横断部５５を含み、該横断部の底面部が前記第１の成長膜の内側に接触するように充填された第２の成長膜５０と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】表面保護膜として窒化膜を形成しつつ、モールド樹脂の剥離を抑制できる。半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、基板１８と、該基板１８上に形成された素子と、該基板１８上に形成された窒化膜２０と、該窒化膜２０上に形成された剥離防止膜２２と、該剥離防止膜２２と該素子を覆うように形成されたモールド樹脂３６と、を備える。そして、該剥離防止膜２２は圧縮応力が残留した膜であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】センサデバイスをパッケージ化する際に、製造コストを低減し、他の素子の仕様に合わせて接続関係を容易に変更でき、基板とパッケージとの接合の信頼性を向上させ、パッケージ化されたセンサデバイス全体の低背化を可能にするセンサデバイス及びその製造方法を提供する。
【解決手段】第１基板と、第１基板上に配置され、可動部を有するＭＥＭＳ素子と、ＭＥＭＳ素子の可動部の周辺に非連続に配置された第１支持部と、第１支持部に固定されて少なくとも可動部を覆う第２基板と、第１支持部よりも外側に配置された第１端子と、第１端子に電気的に接続されて、可動部の変位に基づく電気信号を伝達する第１配線と、を具備し、第１配線は、第１支持部の非連続な部位を通ることを特徴とするセンサデバイス。 （もっと読む）

【課題】キャビティ形成用の犠牲層の除去を比較的高速に且つ残渣を低減させて行うことができる容量型電気機械変換装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板４と所定の間隔を保って可動に保持される振動膜３により形成されるキャビティ９と、キャビティに面する表面が露出する電極８と、キャビティに面する表面が絶縁膜で覆われる電極１を有する容量型電気機械変換装置の製造方法である。基板上に犠牲層６を形成し、犠牲層の上に振動膜３を含む層を形成し、外部から犠牲層に通じるエッチング孔１０を形成する。その後、キャビティに面する表面が露出する電極８を電解エッチング用の一方の電極として、外部に設けた電解エッチング液に接している他方の電極１２との間で通電し、犠牲層を電解エッチングしてキャビティ９を形成する。エッチング孔１０から犠牲層除去剤を導入し、電解エッチングによる犠牲層の残渣１７を低減する。 （もっと読む）