【課題】低コストで簡単な方法により、固定電極および可動電極を保護する層を形成できるＭＥＭＳセンサの製造方法およびこの製造方法で得られるＭＥＭＳセンサを提供する。
【解決手段】センサ領域１０およびパッド領域を有するベース基板９をエッチングすることにより、露出空間３８を形成し、同時にＺ固定電極８１およびＺ可動電極８２を形成する。次に、センサ領域１０を覆うように第１犠牲層３９および第２犠牲層４０を形成する。次に、底部がパッド領域に対して接着するように、かつ頂部１８が第２犠牲層４０を覆うようにＳｉＯ_２からなる保護層１６を形成する。次に、保護層１６の直下の犠牲層３９，４０を除去して、保護層１６とセンサ領域１０との間に空間を形成する。犠牲層３９，４０の除去後、等方性エッチングにより、Ｚ固定電極８１およびＺ可動電極８２の下方部を連続させて空洞を形成する。 （もっと読む）

【課題】検出精度をより向上させることのできる静電容量式センサを得る。
【解決手段】可動電極４の中央部に、一対のビーム６ａ、６ｂを結ぶ境界線Ｂに対して対称に窪み５０を設けることで、可動電極４と固定電極２０ａ、２０ｂとの相対的なアライメントがｍだけずれた場合であっても、それら可動電極４と固定電極２０ａ、２０ｂとの対向面積が変化するのを抑制できるようにした。 （もっと読む）

【課題】高感度を維持しつつエアダンピング効果を低減することのできる物理量センサを提供する。
【解決手段】加速度センサは、外部から与えられた物理量に応じて可動する可動電極４と、可動電極４の上面に対向して配置された上部固定板２ａと、可動電極４の下面に対向して配置された下部固定板２ｂとを備え、可動電極４の下面に形成された凹部１１ｂ，１１ｄ，１２を塞いだことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】空洞内に位置する可動部を品質良く作動できる電子装置を提供する。
【解決手段】基板２上の側壁部２３及び第１封止層３０に覆われた空洞部３３内に位置する可動部７ｂと、空洞部３３内に設置され空洞部３３内の気体を吸着する第１ゲッター部３４及び第２ゲッター部３５と、基板２と対向する場所に位置する第１封止層３０及び第２封止層３２と、を備え、第１封止層３０は第１孔３０ａ及び第２孔３０ｂを有し、第２封止層３２は第１孔３０ａ及び第２孔３０ｂを封止する。 （もっと読む）

【課題】高感度を維持しつつエアダンピング効果を低減することのできる物理量センサを提供する。
【解決手段】加速度センサは、外部から与えられた物理量に応じて可動する可動電極４と、可動電極４の上面に対向して配置された上部固定板２ａと、可動電極４の下面に対向して配置された下部固定板２ｂとを備え、可動電極４の上面のエアダンピング効果が高い領域４ａ，４ｂに掘り込みを形成したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＭＥＭＳ素子の耐衝撃性、気密性、信頼性を向上させ、低背化することができるＭＥＭＳデバイス及びその製造方法を提供する。
【解決手段】固定部、固定部に対して変位する可動部、及び固定部に配置された端子を有するＭＥＭＳ素子と、可動部に対向して配置され、貫通電極を有する貫通電極基板と、端子及び貫通電極との間に配置され、端子及び貫通電極を電気的に接続する導電性部材と、少なくとも導電性部材の配置位置の周囲の一部に導電性部材と接して配置された樹脂層、を備え、導電性部材及び樹脂層の高さは、それぞれ、可動部の変位を貫通電極基板で規制する高さであり、導電性部材及び／又は樹脂層は、可動部と前記貫通電極基板とを封止することを特徴とするＭＥＭＳデバイス。 （もっと読む）

【課題】 特に、従来に比べてスティッキング抑制効果の高いストッパ構造を有する物理量センサ及びその製造方法を提供することを目的としている。
【解決手段】 高さ方向に変位可能に支持された可動部２を有する機能層９と、前記機能層と高さ方向に間隔を空けて対向配置された対向部材３０と、を有し、前記対向部材３０には前記可動部と対向する位置に、前記可動部の高さ方向への変位を規制するストッパ部４６，４７が設けられており、前記ストッパ部は、突起基部４２，４３、前記突起基部の表面に形成された金属下地層４４、及び前記金属下地層の表面に形成された絶縁層４５の積層構造により形成されている。 （もっと読む）

【課題】高感度化、製造効率の改善、低コスト化、高信頼性化の少なくとも１つを実現した機能素子、機能素子の製造方法、物理量センサー、および、この物理量センサーを備える電子機器を提供すること。
【解決手段】本発明の機能素子１は、絶縁基板２と、可動部３３と、可動部３３に設けられた可動電極指３６１〜３６５と、絶縁基板２上に設けられ、且つ、可動電極指３６１〜３６５に対向して配置された固定電極指３８１〜３８８と、を含み、固定電極指３８１〜３８８は、可動電極指３６１〜３６５の一方の側に配置された第１固定電極指３８２、３８４、３８６、３８８と、他方の側に配置された第２固定電極指３８１、３８３、３８５、３８７と、を含み、第１固定電極指と第２固定電極指とは、互いに離間して配置されている。 （もっと読む）

【課題】電気機械変換エレメントの可動領域以外の部分からの反射波を抑制する事で、測定対象から発生した音響波の検出性能を向上させる事が可能な電気機械変換装置を提供する。
【解決手段】静電容量型超音波変換装置などの電気機械変換装置は、被検体から放出される音響波を受信するための可動領域１６を有する電気機械変換エレメント１０と、エレメント１０と電気的接続を取る電気配線基板１３と、反射抑制層１２を有する。反射抑制層１２は、被検体側に面する面のうちの、可動領域以外の少なくとも一部に設けられ、可動領域以外に到達する音響波が音響波源側に反射する事を抑制する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、Ｘ軸周り、Ｙ軸周りおよびＺ軸周りの３軸方向の角速度を検出することが出来る３軸検出角速度センサを提供することを目的とするものである。
【解決手段】この目的を達成するために、本発明の３軸検出角速度センサは、Ｙ軸およびＺ軸検出用角速度センサ素子２０と別体に設けられるとともにＸ軸方向に延出された音叉型のＸ軸検出用角速度センサ素子７０とを設けたため、Ｘ軸周り、Ｙ軸周りおよびＺ軸周りの３軸方向の角速度を検出することができる。 （もっと読む）

【課題】良好な真空封入を維持しかつできるだけ変らない外側のチップ寸法を維持して、ボンディングされた表面マイクロメカニック構成部分の安定性を高める。
【解決手段】マイクロメカニック式のキャップ構造はサブストレート１０を有し、サブストレート１０には空洞Ｋが設けられている。空洞Ｋは方形の基面と互いに向き合った平行な側壁区分から成る２つの側壁区分対とを有する。空洞Ｋの基面に相応するダイヤフラムの局部的な補強は安定化ビームＳＫ１，ＳＫ２を有する安定化クロスによって達成される。 （もっと読む）

【課題】センシング部を複数の基板で封止した半導体装置において、基板の平面方向に配線を設けたとしても、配線のレイアウトを簡略化することができる構造、およびその製造方法を提供する。
【解決手段】キャップ部３００は、センサ部１００に設けられた第１固定部と第２固定部とを電気的に接続したクロス配線部３２３を備え、クロス配線部３２３はキャップ部３００の一面３０１に配置されたクロス配線３２２を備えている。また、キャップ部３００は、キャップ部３００を貫通し、一端がクロス配線３２２に電気的に接続され、他端がキャップ部３００の他面３０２に配置された貫通電極３４４を備えている。これにより、貫通電極３４４を介してクロス配線３２２の電位、すなわち、センサ部１００の第１固定部および第２固定部の電位をキャップ部３００の他面３０２に取り出すことができる。 （もっと読む）

【課題】Ｑ値が高く、高い検出感度を有する小型の物理量センサーおよびそれを用いた電子機器を提供すること。
【解決手段】物理量センサー１は、円環振動可能なリング部３１と、４つの支持部６１〜６４と、支持部６１〜６４とリング部３１の円環振動の節となる部位とを連結する４つの梁７１〜７２と、可動部を有しリング部３１を介してＸ１軸向に対向配置された一対の第１質量部５１、５２と、可動部を有しリング部３１を介してＹ軸方向に対向配置された一対の第２質量部５３、５４と、一対の第１質量部５１、５２および一対の第２質量部５３、５４のうちの少なくとも一方を第１の周波数で互いに逆位相となるように振動させる振動手段４とを有し、リング部３１は、前記第１の周波数に応じて、Ｘ軸方向およびＹ軸方向に対して円環振動する。 （もっと読む）

【課題】ＭＥＭＳ素子への応力を緩和しながらＭＥＭＳデバイスのパッケージ全体の厚さを低背化できるＭＥＭＳデバイス、その製造方法、及びそれを有する半導体装置を提供する。
【解決手段】少なくとも一方の面側に第１電極部を有する基板１０２と、基板の第１電極部１０８ａが配置された側に配置された制御素子であるＩＣ１１０と、可動部１３３と、基板の第１電極部に対向し、可動部の変位を検出又は制御するための電極パッド１３６とを備え、電極パッドを露出させて制御素子上に配置されたＭＥＭＳ素子と、基板の第１電極部とＭＥＭＳ素子の電極パッドとを電気的に接続する接続部材１４２と、を具備し、可動部は、制御素子に覆われたＭＥＭＳデバイス。 （もっと読む）

【課題】高感度化を図ることができる物理量センサー素子および物理量センサー、および、この物理量センサーを備える電子機器を提供すること。
【解決手段】本発明の物理量センサー素子１は、支持基板３と、支持基板３上に互いに離間して設けられた第１固定電極４１および第２固定電極４２と、第１固定電極４１に対して第１間隙を介して対向するとともに、第２固定電極４２に対して第２間隙を介して対向する可動電極２２と、支持基板３に対して固定的に設けられた固定部２１と、固定部２１に対して可動電極２２を回動可能に連結する連結部２３、２４とを有し、可動電極２２には、可動電極２２の回動に際し第１間隙および第２間隙のうちの少なくとも一方の間隙に存在する気体の流動抵抗を低減する複数の流路が形成されている。 （もっと読む）

【課題】簡単な構造で、かつ検出感度に優れる静電容量型加速度センサを提供すること。
【解決手段】内部に空洞１０を有する半導体基板２の表面部（上壁１１）に、互いに間隔を空けて噛み合うＺ固定電極６１とＺ可動電極６２とを形成する。そして、各Ｚ可動電極６２の電極部６６において、半導体基板２の表面から空洞１０へ向かう厚さ方向途中部まで、誘電層７０を埋め込む。これにより、Ｚ固定電極６１の電極部６４とＺ可動電極６２の電極部６６とが対向することによって構成されるキャパシタに、電極間距離ｄ１に基づく容量と、電極間距離ｄ２に基づく容量とを付与することによって、同一キャパシタ内において、静電容量の差を設けることができる。 （もっと読む）

【課題】エアダンピング効果の影響を低減でき、さらに効率よく製造することができるＭＥＭＳセンサおよびその製造方法を提供すること。
【解決手段】表面２１および裏面２２を有し、振動膜７と、当該振動膜７を支持し、当該振動膜７の直下に空間６を区画するフレーム部８と、振動膜７に保持された錘９とを有するＳＯＩ基板２において、フレーム部８の底面（底壁）８３に、そのフレーム部８の内側面８２から外側面８１に至る溝１０を形成する。 （もっと読む）

【課題】製造コストの増加を抑制しながら、互いに絶縁すべき複数の配線を交差させることができ、しかも物理量検出を良好に維持することができるＭＥＭＳセンサを提供する。
【解決手段】表面２１に一対のＸ−検出素子Ｄ_Ｘが設けられたＳＯＩ基板２上の第２層間膜２０上に、これらＸ−検出素子Ｄ_Ｘ間を接続する素子間配線４３を敷設する。一方、第２層間膜２０上において、素子間配線４３を横切る方向にＸ−ブリッジ配線３１の主配線３６およびＺ−検出上部電極配線３３の主配線３６が敷設されている。これらの主配線３６との接触を避けるために、Ｘ−検出素子Ｄ_Ｘの下部電極２５と同一層に中継配線４５を形成し、この中継配線４５を利用して素子間配線４３が構成する回路を第２層間膜２０内に迂回させる。 （もっと読む）

【課題】測定圧に対する感度を落とすことなく、高静圧下においても座屈せずに機能できる振動式圧力センサを実現する。
【解決手段】シリコン基板に設けられた板状のダイアフラムと、このダイアフラムに設けられた振動梁とを具備する振動式圧力センサにおいて、前記ダイアフラムの少なくとも一方の面に一方の面が接し前記ダイアフラムの周縁に沿って配置されリング状をなし前記シリコン基板よりヤング率が大で高静圧下での前記振動梁の座屈を防止する座屈防止部材を具備したことを特徴とする振動式圧力センサである。 （もっと読む）

【課題】優れた検出感度を有する物理量センサー素子および物理量センサー、および、この物理量センサーを備える電子機器を提供すること。
【解決手段】本発明の物理量センサー素子１は、基部３１と、基部３１からＹ軸方向に延出し、Ｚ軸方向を法線とする板面を有する梁部３４と、梁部３４の先端部に設けられた質量部３５と、梁部３４の板面上に第１電極層４２１、圧電体層４２２および第２電極層４２３がこの順で積層され、梁部３４のＺ軸方向での曲げ変形を検出する検出素子４２とを有し、梁部３４は、Ｚ軸方向からみたときに、基端側から先端側に向けて幅が漸減する形状をなす。 （もっと読む）