【課題】検出精度などの検出特性の向上が可能な物理量センサーの提供。
【解決手段】物理量センサー１は、ベース基板２と、ベース基板２の主面２ａに設けられた固定部３１，３２と、連結部３４，３５と、可動部３３と、可動部３３に設けられた可動電極指３６１〜３６５と、ベース基板２の主面２ａに設けられ、且つ、可動電極指３６１〜３６５に対向して配置された固定電極指３８１〜３８８と、を備え、固定電極指３８１〜３８８は、可動電極指３６１〜３６５の一方の側に配置された第１固定電極指３８２，３８４，３８６，３８８と、他方の側に配置された第２固定電極指３８１，３８３，３８５，３８７と、を有し、第１固定電極指（３８２など）は、ベース基板２の主面２ａ側に設けられた配線４１に接続され、第２固定電極指（３８１など）は、配線４２に接続され、配線４１，４２間には、配線４１と配線４２とを隔てるシールド部４が設けられている。 （もっと読む）

【課題】検出感度を向上させることが可能な物理量センサーの提供。
【解決手段】加速度センサー１は、第１凹部１１が設けられたベース基板１０と、第１凹部１１の上方に配置され、支持部２３ａ，２３ｂにより第１凹部１１の深さ方向に揺動可能に支持されたセンサー部２１と、を備え、センサー部２１は、支持部２３ａ，２３ｂを境に第１部分２１Ａと第２部分２１Ｂとに区分され、第１部分２１Ａ及び第２部分２１Ｂに可動電極部を有し、且つ、第１部分２１Ａよりも質量が大きい第２部分２１Ｂには、少なくとも先端側に貫通孔２４が形成され、ベース基板１０は、第１凹部１１における可動電極部に対向する位置に固定電極部１２，１３を有し、且つ、固定電極部１２，１３よりもセンサー部２１の先端寄りであって、センサー部２１の先端側に対向する部分に、第１凹部１１よりも深い第２凹部１４が設けられている。 （もっと読む）

【課題】素子の変形により電気的変化を生じるセンサであって、時間が経過しても感度が低下しないセンサを提供する。
【解決手段】電歪素子の変形により静電容量変化を生じる電歪センサ（４０）において、第１の電歪材料層（１）およびその両面に各々配置された一対の電極（３ａ、３ｂ）より構成される第１の電歪素子（１０）と、第２の電歪材料層（１１）およびその両面に各々配置された一対の電極（１３ａ、１３ｂ）より構成される第２の電歪素子（２０）と、これら電歪素子間に挟持された基材（２５）とを含む受感部（３０）を設ける。受感部（３０）は、外力の作用を受けることにより変形である。第１および第２の電歪材料層（１、１１）の静電容量をそれぞれ測定可能なように、各電極に引出し線（５ａ、５ｂ、１５ａ、１５ｂ）が接続される。第１および第２の電歪材料層（１、１１）は、１０μｍ以下の厚みおよび２０以上の比誘電率を各々有するものとする。 （もっと読む）

【課題】加速度に応じて感度を変化させることができる信頼性の高い加速度センサを得る。
【解決手段】質量部５に可動電極６の一端が連結されている。質量部５及び可動電極６は、加速度に応じてシリコン基板１に対して変位可能である。固定電極７ａ，８ａは、可動電極６の側面に対向して配置され、シリコン基板１に固定されている。容量・電圧変換回路１２は、可動電極６と固定電極７ａとの間の容量Ｃ１１の変化と、可動電極６と固定電極８ａとの間の容量Ｃ１２の変化とを電気信号に変換する。固定電極７ａは、固定電極８ａよりも可動電極６に近く、可動電極６の変位量を規制するストッパとして機能する。固定電極７ａと質量部５との距離は、固定電極８ａと質量部５との距離とは異なる。 （もっと読む）

【課題】全体の大形化を抑えながらも、外部応力に起因する可動電極部の変形を効果的に防止する。
【解決手段】支持基板２上に絶縁層３を介して設けられた単結晶シリコン層４に溝を形成することにより、可動電極部６及び固定電極部７，８からなるセンサエレメント５を設ける。可動電極部６は、錘部６ａから櫛歯状に延びる可動電極６ｄを有し、錘部６ａの前後両端部に梁部６ｂを有すると共に、前端側に第１のアンカ部６ｃを有している。アンカ部６ｃの上面に、アルミ製の電極パッド９を設ける。アンカ部６ｃに、応力遮断用の２本のスリット１２を単結晶シリコン層４全体が除去される深さで形成する。各スリット１２は、アンカ部６ｃの左右の両側縁部から、電極パッド９の左右両端縁部を延ばした仮想延長線を横切る位置まで内側に延びている。スリット幅寸法ｃを５μｍ以上とする。 （もっと読む）

【課題】信頼性を向上させることが可能な物理量センサーの製造方法の提供。
【解決手段】物理量センサーの製造方法は、ベース基板に溝部を形成し、溝部内に配線を設けるベース基板配線形成工程Ｓ１と、センサー基板に導電性を有する突起部を設けるセンサー基板突起部形成工程Ｓ２と、配線と突起部とが、平面視において、互いに重なるようにベース基板とセンサー基板とを位置合わせする位置合わせ工程Ｓ３と、ベース基板とセンサー基板とを接合し、配線と突起部とを接続する接合工程Ｓ４と、センサー基板をエッチングしてセンサー素子を形成するセンサー素子形成工程Ｓ５と、を含み、配線の厚さ寸法ｔ１を溝部の深さ寸法ｄよりも小さく、且つ、配線の厚さ寸法ｔ１と突起部の厚さ寸法ｔ２との和を、溝部の深さ寸法ｄよりも大きくすることを特徴とする（ｄ＞ｔ１、且つ、ｄ＜（ｔ１＋ｔ２））。 （もっと読む）

【課題】本発明は、薄膜トランジスタ及びそれを利用した圧力センサーに関する。
ものである。
【解決手段】本発明の薄膜トランジスタは、ソース電極と、ドレイン電極と、半導体層と、ゲート電極と、絶縁層と、を含む。前記ソース電極は、前記ドレイン電極と間隔をあけて設置される。前記半導体層は、前記ソース電極及び前記ドレイン電極にそれぞれ電気的に接続される。前記半導体層は、弾性率が０．１ＭＰａ〜１０ＭＰａである高分子複合材料層である。前記高分子複合材料層は、高分子基材及び該高分子基材に分散された複数のカーボンナノチューブからなる。前記ゲート電極は、前記絶縁層により、前記半導体層、前記ソース電極及び前記ドレイン電極と絶縁状態で設置される。 （もっと読む）

【課題】センサチップの一端側をモールド樹脂で封止してモールド樹脂で片持ち支持するようにしたモールドパッケージの製造方法において、モールド樹脂による封止前におけるセンサチップのぐらつきを防止して、工程中のワークの取り扱い性に優れた製造方法を実現する。
【解決手段】センサチップ２０の一端２３側をモールド樹脂５０で封止してモールド樹脂５０で片持ち支持するようにしたモールドパッケージＳ１の製造方法においてリードフレーム３０として、センサチップ２０の他端２４側を支持する支持部３３を有するものを用意し、センサチップ２０の他端２３側を支持部３３で受けて支持するようにし、支持部３３による支持を維持した状態にてモールド樹脂５０による封止を行った後に、リードフレーム３０から支持部３３をカットして、センサチップ２０の他端２４側から支持部３３を除去する。 （もっと読む）

【課題】小型化及び検出精度の向上が可能な物理量センサーの提供。
【解決手段】物理量センサー１は、ベース基板２と、ベース基板２の第１主面２ａに設けられた固定部３１，３２と、連結部３４，３５と、可動部３３と、可動部３３に設けられた可動電極指３６１〜３６５と、ベース基板２の第１主面２ａに設けられ、且つ、可動電極指３６１〜３６５に対向して配置された固定電極指３８１〜３８８と、を備え、固定電極指３８１〜３８８は、可動電極指３６１〜３６５の一方の側に配置された第１固定電極指３８２，３８４，３８６，３８８と、他方の側に配置された第２固定電極指３８１，３８３，３８５，３８７と、を有し、第１固定電極指（３８２など）は、ベース基板２の第１主面２ａに設けられた配線４１に接続され、第２固定電極指（３８１など）は、貫通電極４７１を介してベース基板２の第２主面２ｂに設けられた配線４２に接続されている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、薄膜トランジスタ及びそれを利用した圧力センサーに関する。
ものである。
【解決手段】本発明の薄膜トランジスタは、ソース電極と、ドレイン電極と、半導体層と、ゲート電極と、絶縁層と、を含む。前記ソース電極は、前記ドレイン電極と間隔をあけて設置される。前記半導体層は、前記ソース電極及び前記ドレイン電極にそれぞれ電気的に接続される。前記半導体層は一つのチャネルを有し、該チャネルは前記ソース電極及び前記ドレイン電極の間に位置する。前記ゲート電極は、前記絶縁層により、前記ソース電極、前記ドレイン電極及び前記半導体層と絶縁状態で設置される。前記絶縁層は、弾性率が０．１ＭＰａ〜１０ＭＰａである高分子材料からなる。 （もっと読む）

【課題】本発明に係る静電容量型の物理量センサは、センサ特性の低下を招くことなく、小型化あるいはセンサの感度を向上させる物理量センサ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】物理量センサは、フレーム部と、フレーム部の内側に配置された錘部と、錘部とフレーム部とを接続する可撓部と、を備えた半導体基板と、フレーム部の一方の側に接合された第１支持基板と、フレーム部の他方の側に接合された第２支持基板と、第１支持基板と第２支持基板の少なくとも一方に設けられ、第１支持基板又は第２支持基板の一方の側と他方の側を導通する配線用端子と、第１支持基板の面上に設けられ、錘部と対向する第１電極と、第２支持基板の面上に設けられ、錘部と対向する第２電極と、を備え、フレーム部には前記フレーム部の一方の側と他方の側を導通する貫通配線部が配設され、貫通配線部と前記配線用端子とは電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】圧力センサと高精度の力学量センサとが最適にモジュール化されて、各力学量センサの性能がモジュール化に伴い低下することのない安価な力学量センサ装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】圧力を検出する第１力学量センサＲ１の第１力学量検出部Ｍ１と第２力学量センサＲ２の第２力学量検出部Ｍ２とが、第１の基板１０に変位可能な状態に形成され、第２の基板２０が貼り合わされて第１空間Ｋ１と第２空間Ｋ２が互いに連通せずに形成されてなり、第１の基板１０がＳＯＩ基板からなり、ＳＯＩ層３からなる一部の半導体領域Ｓで第１力学量検出部Ｍ１と第２力学量検出部Ｍ２がそれぞれ構成されてなり、第２力学量検出部Ｍ２が、第２可動半導体領域Ｓ２ａと第２固定半導体領域Ｓ２ｂの対向する面の静電容量の変化を測定して、第２力学量を検出する力学量センサ装置１００とする。 （もっと読む）

【課題】圧電板に加わる外力を高精度にかつ容易に検出することができる外力検出装置を提供すること。
【解決手段】容器１内に片持ちで支持された水晶板２の中央部にて両面に夫々励振電極３１、４１を形成する。水晶板２の先端部の両面側に、励振電極４１に電気的に接続される可動電極５１、５２を夫々設ける。容器１側に可動電極５１、５２に夫々対向する固定電極６１、６２を設ける。上面側の励振電極３１を発振回路１４の一端側に接続し、固定電極６１、６２をスイッチ部８により発振回路１４の他端側に切り替え接続できるようにする。水晶板２が外力により撓むと、固定電極６１、６２のいずれに切り替えたときにも発振周波数が変化する。固定電極６１側に切り替えたときの発振周波数の変化分と、固定電極６２側に切り替えたときの発振周波数の変化分との差分を求めて外力を評価する。 （もっと読む）

【課題】センサー部やベース基板の損傷を抑制しつつ、製造時などにおけるベース基板とセンサー部との貼り付きを回避可能な物理量センサー、および物理量センサーの製造方法の提供。
【解決手段】物理量センサー１は、肉薄部６ａおよび肉厚部６ｂが設けられたベース基板６と、ベース基板６の肉薄部６ａの上方に揺動可能に配置されたセンサー部４と、を有し、ベース基板６には、平面視でセンサー部４の端部と重複する肉薄部６ａの少なくとも一部に導電膜９，１０が設けられ、導電膜９，１０が、肉厚部６ｂの表面の少なくとも一部まで延びていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】比較的簡単な方法で、電子デバイスを構成する部材間の接合強度をより高めることが可能な電子デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基体２と、半導体基体２を実装する基体１と、半導体基体２を基体１側に接合する接合部３とを備えた電子デバイス１０の製造方法であって、接合部３がＡｕを含む接合材料からなり、半導体基体２の接合部３側が接合材料を構成する元素以外から構成される母材材料からなり、基体１に設けた接合部３を溶融する温度以上に加熱して液相状態にした接合材料と固相状態の母材材料とを接触させる接触工程と、接触工程後に、Ａｕと母材材料を構成する元素との合金の融点の温度以上に加熱して、半導体基体２を基体１側に接合する接合工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、測定誤差が小さいと共に気密性に優れる物理量センサを提供することを目的とする。
【解決手段】第１の基材２１と、第２の基材３１と、可動部３及び枠体部５を備える機能部と、可動部３の変位を検出する検知部とを有し、第１の枠体部５ａが第１の封止層２３を有し、第２の基材３１の第１の封止層２３と対向する位置に第２の封止層３３が形成され、第１の封止層２３が第２の封止層３３と対向する面に第１の接合面と第２の接合面とを有し、前記第１の接合面が前記第２の接合面よりも第２の基材３１側に位置するように第１の封止層２３と第２の封止層３３とが接合されてなる物理量センサ１。 （もっと読む）

【課題】絶縁性の基板の一面に設けられた基板側電極と、該基板側電極に対向配置された対向電極を有する対向板とを備える振動素子であって、インピーダンスの低減及びキャパシタンス変換、信号増幅などの機能を行うと共に、素子自体のコンパクト化を図ることが出来る振動素子、及び該振動素子を製造する製造方法を提供する。
【解決手段】基板側電極２に対向するように、シリコン単結晶からなる上部板１を配置し、上部板１に、例えば、熱拡散法又はイオン注入法によって形成される、ＩＣ回路の不純物領域である集積回路部５を設け、振動素子１０にて変換効率の向上及び生産性向上、実装システムのコンパクト化を実現する。 （もっと読む）

【課題】 従来に比べて、小型で且つ、高い感度を得ることが可能なＭＥＭＳセンサを提供することを目的としている。
【解決手段】 可動電極部は、Ｘ１−Ｘ２方向に間隔を空けて配置された複数本の可動支持部５０と、各可動支持部５０の側部から延出し、各可動支持部５０にてＹ１−Ｙ２方向に間隔を空けて配置された複数本の可動電極子６０と、を有する。固定電極部は、Ｘ１−Ｘ２方向に間隔を空けて配置された複数本の可動支持部５０と、各固定支持部５１の側部から延出し、各固定支持部５１にてＹ１−Ｙ２方向に間隔を空けて配置された複数本の固定電極子６２と、を有する。複数本の可動支持部と複数本の固定支持部とがＸ１−Ｘ２方向に交互に配列されており、隣り合う可動支持部と固定支持部とが組６６にされて、各組の可動支持部と固定支持部の間にて可動電極子６０と固定電極子６２とが交互に配列されている。 （もっと読む）

【課題】絶縁性の基板の一面に設けられた基板側電極と、該基板側電極に対向配置された対向電極を有する対向板とを備える振動素子であって、インピーダンスの低減及びキャパシタンス変換、信号増幅などの機能を行うと共に、素子自体のコンパクト化を図ることが出来る振動素子、及び該振動素子を製造する製造方法を提供する。
【解決手段】基板側電極２に対向するように、シリコン単結晶からなる上部板１を配置し、基板３と上部板１との間に、上部板１を保持する保持部３１を介在させる。保持部３１に、例えば、熱拡散法又はイオン注入法によって形成される、ＩＣ回路の不純物領域である集積回路部５を設け、振動素子１０にて変換効率の向上及び生産性向上、実装システムのコンパクト化を実現する。 （もっと読む）

【課題】小型で信頼性の高いセンサーデバイス、及び、その製造方法を提供する。
【解決手段】センサーデバイス１は、第１の面１０ａに第１の電極１１を有する半導体装置としてのＩＣチップ１０と、基部２１、前記基部２１から延伸された振動部を有し、第１の面１０ａと対向する第２の面２０ａに第２の電極としての引き出し電極２９を有する振動片としての振動ジャイロ素子２０と、を備えている。第１の面１０ａには、絶縁樹脂からなり第１の電極１１と配線３６を介して電気的に接続された第３の電極３７の少なくとも一部を露出させる開口部３２ａを有する筒状支持部３２が設けられ、第１の面１０ａおよび開口部３２ａにより形成された凹部に導電性接着剤９８が埋設され、引き出し電極２９に設けられたバンプ１２が凹部内に配置されている。 （もっと読む）