【課題】主にＭＥＭＳ技術を利用してダイアフラムを形成したセンサーの機能を有する半導体チップ構造の小型化を行う。
【解決手段】半導体チップは、平面視形状が多角形状をし、外周部のスクライブライン領域の内側に存在する有効領域１７の中央にセンサー機能を有し、有効領域１７内の２つの頂角の内側に電極パッド２１，２３が設けられており、ボンディング可能な大きさの正方形状の仮想電極パッドを頂角に最も近づけて形成すると仮想し、頂角の頂点３１と、仮想電極パッドにおける頂点３１から最も離れた位置との距離をＬｓとし、頂角の角度を２θとするとき、電極パッド２１，２３は、半径Ｒの円形状をし、半径Ｒは、Ｒ＜Ｌｓ／（１＋（１／ｓｉｎθ））である。 （もっと読む）

【課題】 製造工程に新たな工程を追加することなく、スティクションが発生し難い静電容量型加速度センサを提供する。
【解決手段】 支持基板１０９と、支持基板１０９上の固定電極１０４、１０５と、ばね性を有し、支持基板１０９に固定アンカ１０６、１０６を介して固定される梁部１０２、１０２と、２つの梁部１０２の間にあって、可動電極１０３を有する質量部１１１とを含み、２つの固定アンカ１０６同士を結ぶ仮想的な直線を質量部１１１に平行移動させた直線ｒによって質量部１１１を第１質量部１１０と第２質量部１２０とに分けた場合、第１質量部１１０と第２質量部１２０の質量とが異なるように加速度センサを構成する。 （もっと読む）

【課題】温度依存性を小さくできるとともに、製造が容易なピエゾ抵抗体等を提供する。
【解決手段】半導体材料に外力が作用したときの抵抗値の変化を利用するピエゾ抵抗体である。半導体材料として、表面の終端の少なくとも一部が水素終端とされたｐ型半導体特性を持つダイヤモンドを用いることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高精度にかつ安価に製造することができる振動式トランスデューサを実現する。
【解決手段】真空室３３内に設けられ基板３１に対して引張の応力が付与され基板面に平行方向より垂直方向の断面厚さが長い断面形状を有し基板に平行に且つ互いに平行に設けられた第１，第２のシリコン単結晶の振動梁３２ａ、３２ｂと、基板面に平行に設けられ第１，第２の振動梁の一端に接続される板状の第１の電極板３４ａと、基板面に平行に設けられ第１，第２の振動梁の間に設けられた第２の電極板３４ｂと、第１，第２の振動梁の両側に第１，第２の振動梁を挟んで且つ第１，第２の振動梁と第１，第２の電極板と共に基板面に平行な一平面状をなす板状の第３，第４の電極板３４ｃ、３４ｄと、振動梁と第２、第３，第４の電極板との対向する側壁部面に設けられ相互の付着を防止する凸凹部３７とを具備した。 （もっと読む）

【課題】回路部の一部をキャップ基板のデッドスペースに形成することで、体格が低減された半導体センサ、及び、その製造方法を提供する。
【解決手段】センサ基板１０とキャップ基板５０が絶縁膜５１を介して接合された半導体センサであって、キャップ基板５０の裏面５０ｂから絶縁膜５１までが除去されて、外部に露出したキャップ基板５０の壁面に絶縁膜６０が形成され、絶縁膜６０を側壁、外部に露出した絶縁膜５１を底部とする凹部５６ａが、センサ基板１０の内部配線１３ｂにおける裏面５０ｂ側への射影位置に形成され、凹部５６ａ上の外部配線５３ａ及び内部配線１３ｂによってコンデンサＣ１、キャップ基板５０に形成された貫通電極５２ａと凹部５６ａとの間の外部配線５３ａによって抵抗Ｒ１が形成されている。 （もっと読む）

【課題】可動電極と固定電極が同一層に形成され、可動部の変位が支持基板の厚さ方向に対して生じるセンサの場合、可動部の変位の大きさを検出することができても、変位の方向を検出することができない。
【解決手段】半導体物理量検出センサに、(1) 可動電極と、前記可動電極と共通の第一の導電層に形成された第一の固定電極とで形成される第一の静電容量と、(2) 可動電極と、前記可動電極とは基板面上からの高さが異なる第二の導電層に形成された第二の固定電極とで形成される第二の静電容量と、(3) 物理量が印加されたときに生じる第一及び第二の静電容量の変化に基づいて物理量を算出する演算回路とを設ける。ここで、第一の静電容量からの電気信号と第二の静電容量からの電気信号が、それぞれ演算回路に入力される。 （もっと読む）

【課題】樹脂封止型の半導体装置の信頼性低下を抑制する。
【解決手段】キャップ（部材）２とキャビティ部（空間形成部）５ｄを備えるキャップ（部材）５を重ね合わせて接合することで、密封された空間８が形成され、空間８内にセンサチップ（半導体チップ）１および複数のワイヤ４を配置する半導体装置を以下のように製造する。キャップ２とキャップ５の接合部を封止する封止工程において、キャップ５の上面５ａ全体と、キャップ２の下面２ｂ全体がそれぞれ露出するように樹脂から成る封止体９を形成する。これにより、封止工程において、キャップ５を押し潰す方向に作用する圧力を低減することができる。 （もっと読む）

【課題】ＭＥＭＳ技術をベースとして加速度センサを製造する場合、複雑構成の加速度センサを得ることができるものの、ＭＥＭＳ特有の製造プロセスを経る必要があり、通常の半導体製造プロセスとの親和性は低い。
【解決手段】半導体装置１００は、凹状のガス流路２２が設けられた積層体１０と、積層体１０に対して設けられると共に、ガス流路２２の底面にて露出するヒータ４０と、積層体１０に対して設けられると共に、ガス流路２２の底面にて露出し、かつガス流路２２の延在方向においてヒータ４０を挟み込むように配置された複数の熱センサ３０、５０と、を有する。通常の半導体製造プロセスに対して親和性が高い加速度センサを提供することができる。 （もっと読む）

【課題】従来技術を改善する装置および方法を提供することである。
【解決手段】半導体本体（８０）の上側の面で垂直ベクトル方向に、プラスチック部材（３０）が開口部（２０）の外の領域では壁（１１０）よりも大きな高さを有し、壁（１１０）の基面と半導体本体（８０）の上側との間に固定層（１０５）が形成されており、壁（１１０）は開口部（２０）内に形成されたセンサ面から離間している。 （もっと読む）

【課題】絶対圧力センサの全体厚みを小さくし得る絶対圧力センサを提供する。
【解決手段】絶対圧力センサ１は、ダイアフラム１１の周縁に複数のピエゾ抵抗１２・１２子を形成し、該ピエゾ抵抗１２・１２の形成面とは反対側の面にキャビティ１３を形成したセンサ基板１０に、キャビティ１３を閉じるようにキャップ基板２０を接合してなる。キャビティ１３の厚みＴ２は、キャップ基板２０の厚みＴ３以上となっている。 （もっと読む）

【課題】ウェハ貫通ビア（ＴＷＶ）を使用した相互接続において、ダイ区域の消費を低減し、ダイ区域を利用可能とする、バッチ製作された３Ｄ相互接続を提供する。
【解決手段】１つまたは複数の垂直相互接続を製作する。ウェハ積層体を形成するために複数のウェハをパターニングおよび積層するステップを含む。ウェハ積層体の１つまたは複数の切断刃の通り道内でウェハ積層体に複数の開口を形成し、導電性材料を複数の開口の側壁に堆積させる。ウェハ積層体は、側壁の導電性材料が、結果として得られる積層ダイの縁部部分に露出されるように、１つまたは複数の切断刃の通り道に沿い、複数の開口を通ってダイシングする。 （もっと読む）

【課題】基板を貫通するトレンチによって複数の部分領域に分割されてなる領域分割基板およびそれを用いた半導体装置ならびにそれらの製造方法であって、部分領域の側壁に導電層を形成するメリットだけを享受して、該導電層の形成に伴う悪影響を排除することのできる領域分割基板およびそれを用いた半導体装置ならびにそれらの製造方法を提供する。
【解決手段】基板３０の第１表面Ｓ１から第２表面Ｓ２に亘って、当該基板３０を貫通するように形成されたトレンチ３１ａによって、当該基板３０が複数の部分領域Ｃｅ，Ｃｅａ〜Ｃｅｄ，Ｃｅｋ，Ｃｅｌに分割され、前記複数の部分領域のうち、一部の部分領域Ｃｅａ〜Ｃｅｄの側壁に、第１表面Ｓ１の側から第２表面Ｓ２の側に亘って、当該基板３０より高い導電率を有する導電層３５が形成され、トレンチ３１ａに絶縁体３１ｂが埋め込まれてなる領域分割基板Ａ２０とする。 （もっと読む）

【課題】 積層構造を有する可動質量体に固定された可動電極における反りの発生を抑制する技術を提供する。
【解決手段】 本明細書が開示するＭＥＭＳデバイスは、基板と、第１導電領域に第１絶縁領域を介して第２導電領域が積層されて形成されており、基板に対して相対的に移動可動な可動質量体と、基板と可動質量体を連結する弾性支持部材と、基板に固定された固定電極と、可動質量体に固定されており、固定電極に対向して配置された可動電極と、第１導電補強領域に絶縁補強領域を介して第２導電補強領域が積層されて形成されており、可動質量体に固定されており、可動電極を少なくとも両側から支持する補強部材を備えている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、湿気の多い外気によるセンサの金属電極の腐食を防止し、かつセンサの樹脂封止によるセンサの反りの発生を防止してセンサ特性への影響を低減するセンサデバイスの製造方法及びセンサデバイスを提供する。
【解決手段】センサデバイスの製造方法は、固定部、固定部の内側に位置する可動部、固定部と可動部を接続する可撓部、及び複数の金属電極、及び可動部及び可撓部を覆い、且つ、金属電極を露出するセンサキャップを備えるセンサを基板上に配置し、センサの複数の金属電極及び基板の複数の端子をボンディングワイヤにより電気的に接続し、複数の金属電極と複数の端子の間にあるボンディングワイヤの一部が露出するように、センサキャップ上を除き、センサの複数の金属電極のボンディングワイヤと接続された部位を樹脂により覆う。 （もっと読む）

【課題】基板から半導体素子への応力を十分に吸収することが可能な半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の一態様にかかる半導体装置１０は、基板１１と、基板１１の表面に形成された第１弾性体１４と、第１弾性体１４の表面に形成された第２弾性体１３であって、第１弾性体１４よりも弾性率が小さい第２弾性体１３と、第２弾性体１３により第１弾性体１４に固着された半導体素子１２とを備える。 （もっと読む）

【課題】絶縁体層において基板の一方の面と同じ側の面に電極層を形成した際に基板と電極層との間（絶縁体層）で発生する寄生容量を従来よりも低減できるセンサ用構造体、該センサ構造体を用いたセンサ及びアクチュエータを得る。
【解決手段】基板１は、ケイ素などの半導体からなるものであり、一方の面に形成された矩形状の凹部１ａと、他方の面において、絶縁体層２における基板１の一方の面と同じ側の面と反対側の面が露出するように形成された開口部１ｂと、を有したものである。絶縁体層２は、二酸化ケイ素などの絶縁体からなる層であり、基板１の凹部１ａの内部に形成されているものである。また、絶縁体層２の厚さは、２μｍより大きい寸法を有したものである。このような構成のセンサ構造体は、センサ及びアクチュエータに用いることができる。 （もっと読む）

【課題】犠牲層の改質度をさらに上げて、犠牲層のエッチングレートを向上させることができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】犠牲層領域１７に対応する支持基板１１にレーザ光の焦点５４ａを合わせ、半導体層１３側からレーザ光を照射する。これにより、レーザ光の焦点５４ａからレーザ光の入射側に伝達する熱応力によって犠牲層領域１７に位置する犠牲層１２にマイクロクラック１２ａを形成する。この後、半導体層１３の開口部１５からエッチング媒体を導入し、マイクロクラック１２ａが形成された犠牲層１２をエッチングして除去することにより、支持基板１１に対して構造体２２〜２４を浮遊させる。このように、犠牲層１２にマイクロクラック１２ａを形成して改質度を向上させているので、犠牲層１２の深部にエッチング媒体が入り込みやすくなり、犠牲層１２のエッチングレートがさらに向上する。 （もっと読む）

【課題】測定精度の高い物理量センサーを提供する。
【解決手段】本発明の物理量センサーは、支持基板２０と、前記支持基板に固定された固定電極指３８、３９と、前記固定電極指と対向し、印加される物理量に応じて変位する可動電極指３６、３７とを含む静電容量検出型の物理量センサーであって、固定電極指３８、３９の一面が支持基板２０に固定されている。 （もっと読む）

【課題】センサの小型化を妨げることなくセンサのＳ／Ｎ比を向上させることのできる音響センサを提供する。
【解決手段】シリコン基板４２にバックチャンバ４５を上下に開口する。当該基板４２の上面には、バックチャンバ４５を覆うようにして、可動電極板となる薄膜状のダイアフラム４３を形成する。基板４２の上面には、ダイアフラム４３を覆うようにしてバックプレート４８を固定し、バックプレート４８の下面に固定電極板４９を設ける。さらに、スリット４７によってダイアフラム４３を複数領域に分割し、複数に分割された各ダイアフラム４３ａ、４３ｂと固定電極板４９によって複数個の並列に接続されたキャパシタ（音響センシング部６０ａ、６０ｂ）を構成している。 （もっと読む）

【課題】直線加速度の影響及び検出軸以外の他軸の角速度の影響の少なくとも一方を受けることがない物理量センサーを提供する。
【解決手段】物理量センサー１０は、基板と、基板上の空間平面に配置され、回転軸２２，３２を有した第１変位部及び第２変位部２１，３１と、基板の第１変位部及び第２変位部２１，３１の各々に対向する位置に設けられた固定電極部と、第１変位部及び第２変位部の各々の回転軸を支持する支持部４０と、バネ部６０を介して支持部４０を支持する固定部５０と、支持部４０を振動方向に振動させる駆動部７０と、を備え、第１変位部及び第２変位部は、回転軸を軸として空間平面に対して垂直方向に変位可能であり、回転軸の各々は、第１変位部又は第２変位部の重心からずれて設けられ、第１変位部２１の回転軸２２と第２変位部３１の回転軸３２とは、重心からのずれの方向が互いに反対である。 （もっと読む）