【課題】ＭＥＭＳ製造技術を用いた単一チップ上に作られた面内加速度計と面外加速度計の両方を含む超頑強、かつ、高性能な、３軸加速度計を提供する。
【解決手段】物体に堅固に取り付けられた基板付きの面内加速度計及び一体成形の材料からなる、基板１０４の上方に可動自在に所定の距離を離間される、プルーフマス１０２を含む。プルーフマスは１０２、プルーフマスと基板との間に異なる高さの隙間を形成するためにプルーフマスから下に伸びる複数の電極突部１１６を含む。プルーフマス１０２は、物体が加速しているときに、複数の基板電極１０８，１１０の各々の上面に平行な方向に動く構成で、隙間の領域の変化及び基板とプルーフマスとの間の容量の変更をもたらす。面内加速度計は面外加速度計の製造に使用される技術と同じ技術を用いて製造可能で高い衝撃用に適する。 （もっと読む）

【課題】製造効率の低下を抑制した機能素子、機能素子の製造方法、物理量センサー及び電子機器を提供する。
【解決手段】第１基板１２と、前記第１基板１２上に設けられ、且つ、素子部を有する第２基板５０と、を備え、前記第１基板１２と前記第２基板５０との間には内部空間６８が設けられ、前記第１基板１２および前記第２基板５０の互いに対向する面の少なくとも一方には、前記内部空間６８と外部とを連通する排気溝２４が設けられていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 特に、押圧部材と当接する受圧部表面の耐摩耗性を向上させた荷重センサを提供することを目的とする。
【解決手段】 本実施形態における荷重センサ１は、荷重を受けて厚さ方向に変位可能な変位部４と、前記変位部４での変位量を検出可能な素子部（ピエゾ抵抗素子６）と、を有し、前記変位部４の荷重を受ける側の面から突出するシリコンからなる突起部５と突起部５の表面５ａに成膜された無機絶縁層３０とからなる受圧部１７が設けられていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】音声認識に必要な振動数領域内の固体伝播音及び空気伝播音によるノイズを抑制することが可能なマイクロフォンシステムを提供する。
【解決手段】マイクロフォンシステムは、受音部２１が前面側に設けられたマイクロフォン２２、及びマイクロフォン２２の後面側に取り付けられたウェイト２３を有するマイクロフォンユニット２０と、音穴１１と連通する開口３１を有し、マイクロフォンユニット２０の前面側と頭部筐体１０とにそれぞれ密着して配置される第１柔軟部材３０と、頭部筐体１０に固定されたケーシング４０と、ケーシング４０に保持され、マイクロフォンユニット２０の後面側に密着して配置される第２柔軟部材５０とを備える。 （もっと読む）

【課題】 基板と可動構造体を備えるＭＥＭＳデバイスにおいて、長期間にわたってスティッキングを確実に防止することが可能な技術を提供する。
【解決手段】 本発明は、基板と可動構造体を備えるＭＥＭＳデバイスとして具現化される。その可動構造体は、基板の上方に間隙を隔てて配置される可動部と、絶縁膜を介して基板に固定される固定部と、可動部と固定部を連結する支持梁を備えている。そのＭＥＭＳデバイスは、可動構造体の下面側に、可動構造体から連続的に形成された第１凸部を有している。そのＭＥＭＳデバイスは、基板の上面側に、基板から連続的に形成された第２凸部を有している。そのＭＥＭＳデバイスでは、第１凸部と第２凸部がほぼ同じ大きさで、互いに対向して配置されている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、１つの加速度センサ素子で広範囲の加速度を検出できる加速度センサを提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係る加速度センサは、第一の梁３１で保持され加速度により変位可能な第一の質量体２１と、第一の質量体２１の変位を電気量に変換可能に配置された固定電極５１，５２と、第一の質量体２１の変位が所定の範囲を超えたときに、第一の質量体２１の変位容易度に変化をもたらす変位容易度変化部材２２，３２，８，９とを、備えている。 （もっと読む）

【課題】上部電極の直下に下部電極を簡単に形成でき、上部電極と下部電極との短絡を防止し、センサの検出精度を向上できるＭＥＭＳセンサおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】ベース基板７上に駆動用電極２２を選択的に形成し、駆動用電極２２を被覆するように、ＳｉＯ_２からなる電極被覆膜２３を形成する。次に、電極被覆膜２３上に、犠牲ポリシリコン層５２および犠牲酸化膜５３を順に形成する。次に、犠牲酸化膜５３上に、ポリシリコン層２６を形成し、エッチングにより、固定電極２７、可動電極２８およびコンタクト電極２９の形状に成形する。同時に、それらの間にトレンチ５６を形成する。次に、トレンチ５６の底部をさらに掘り下げて、犠牲酸化膜５３から犠牲ポリシリコン層５２を露出させる。そして、犠牲ポリシリコン層５２を完全に除去することにより、固定電極２７の櫛歯部３２および可動電極２８の櫛歯部３９の直下に空洞３７を形成する。 （もっと読む）

【課題】サイズが小さく、大量に効果的に生産できる高感度圧力センサを製造するための方法を提供する。
【解決手段】第１のデバイスウエハーをエッチングされた第２のデバイスウエハーに接合して架設された構造を作る、センサー１０を製作するための方法が、開示され、その構造のたわみは、第１のデバイスウエハーのデバイス層１１０に埋め込まれた相互接続部４００を通じてセンサー１０の外面と電気的に連通する埋め込まれた感知素子３１０によって決定される。架設された構造は、封鎖物５００によって封入される。 （もっと読む）

【課題】構成の小型化、製造工程の簡略化を達成し得る半導体圧力センサを提供することを課題とする。
【解決手段】半導体基板１３のダイヤフラム部１２に形成された複数のｎ型半導体領域２１と、各ｎ型半導体領域２１のそれぞれに対応してｎ型半導体領域２１内に形成されたピエゾ抵抗素子Ｒ１〜Ｒ４と、絶縁体薄膜層２２を介して各ピエゾ抵抗素子Ｒ１〜Ｒ４上に形成された導電性のシールド薄膜層２３とを有し、複数のピエゾ抵抗素子Ｒ１〜Ｒ４がホイートストンブリッジ回路を構成する半導体圧力センサ１１において、ｎ型半導体領域２１とピエゾ抵抗素子Ｒ１〜Ｒ４上に形成されたシールド薄膜層２３とは、ダイヤフラム部１２に形成されたコンタクト部２４によって電気的に接続されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】互いに噛み合う櫛歯状の第１電極および第２電極の大きさのばらつきを少なくでき、センサの検出精度を向上できるＭＥＭＳセンサおよびその製造方法を提供すること。
【解決手段】ベース基板７をエッチングすることにより、柱状部２９およびベース部３０を形成する。次に、当該柱状部２９およびベース部３０を熱酸化することにより、これらを絶縁膜に変質させる。これにより、柱状部２９からなる絶縁層８５およびベース部３０の表層部からなるベース絶縁層２１を形成する。次に、ベース絶縁層２１上にポリシリコン層２２を形成し、当該ポリシリコン層２２およびベース絶縁層２１の積層構造をエッチングして、Ｚ固定電極７１およびＺ可動電極７２の形状に成形する。同時に、それらの間にトレンチ５０を形成する。そして、当該トレンチ５０の底部を等方性エッチングすることにより、ベース絶縁層２１直下に凹部２０（空洞２３）を形成する。 （もっと読む）

【課題】ＳＯＮ構造の半導体装置において、フォトリソグラフィー工程で高精度の位置合わせができ、プロセスラインの汚染を防止することができて、素子特性の劣化が防止され、信頼性の高い半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ＳＯＮ構造９上部のシリコン層３２の段差１８をアライメントマーク２０として用いることによって、アライメントマーク２０の形状崩れが防止されて、フォトリソグラフィー工程で高精度の位置合わせができるようになる。また、段差１８が小さいためにフォトリソグラフィー工程で凹部へのレジストの残留やプロセス途中で発生するゴミの残留が防止され、プロセスラインの汚染が防止できる。その結果、素子特性の劣化が防止され、信頼性の高い半導体装置の製造方法を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】半導体圧力センサの小型化に伴う性能のばらつきを抑制することが可能な技術を提供することを目的とする。
【解決手段】半導体圧力センサの製造方法は、ポリシリコンダイヤフラム６と、その下方の真空室となるべき空間１３側に形成されたポリシリコンゲージ抵抗４ｂと、これらを内包し、犠牲層１６と接するエッチング液導入孔１５を有する絶縁膜群３，５，７とを含む積層構造を、犠牲層１６上に形成する。そして、エッチング液を前記エッチング液導入孔１５に通じて、犠牲層１６をエッチングすることにより積層構造を真空室上で機能するダイヤフラム体１１として形成するとともに、シリコン基板１における第１絶縁膜２の第１開口２ａ下の表面をエッチングすることにより真空室となるべき空間１３と、当該空間１３中に配置され、ダイヤフラム体１１の中央付近に向かって突出するダイヤフラムストッパー１２とを形成する。 （もっと読む）

【課題】スペーサとして従来のビーズを用いた場合と比較して、センサチップの温度特性を改善する。
【解決手段】弾性変形によって熱応力を緩和する高分子接着剤２を介して、センサチップ３が被着体４に接着された力学量センサの製造方法において、被着体４のセンサチップ３との接着予定領域の一部に、接着剤２と同じ材料を硬化させることにより、センサチップ３と被着体４との間隔を保つためのスペーサ１２を形成する。このとき、接着剤２と同じ材料の液滴の状態での塗布と硬化とを複数回繰り返す。そして、スペーサ１２によってセンサチップ３を保持しながら、センサチップ３と被着体４との間の接着剤２を硬化させる。これによると、接着剤２の硬化後においては、スペーサ１２は接着剤２と同じヤング率となるので、温度変化による接着剤の収縮時にセンサチップ３がスペーサから受ける応力を低減でき、センサチップ３の温度特性を改善できる。 （もっと読む）

【課題】低コストで簡単な方法により、固定電極および可動電極を保護する層を形成できるＭＥＭＳセンサの製造方法およびこの製造方法で得られるＭＥＭＳセンサを提供する。
【解決手段】センサ領域１０およびパッド領域を有するベース基板９をエッチングすることにより、露出空間３８を形成し、同時にＺ固定電極８１およびＺ可動電極８２を形成する。次に、センサ領域１０を覆うように第１犠牲層３９および第２犠牲層４０を形成する。次に、底部がパッド領域に対して接着するように、かつ頂部１８が第２犠牲層４０を覆うようにＳｉＯ_２からなる保護層１６を形成する。次に、保護層１６の直下の犠牲層３９，４０を除去して、保護層１６とセンサ領域１０との間に空間を形成する。犠牲層３９，４０の除去後、等方性エッチングにより、Ｚ固定電極８１およびＺ可動電極８２の下方部を連続させて空洞を形成する。 （もっと読む）

【課題】素子面積を減少させることができるとともに、製造コストを低減することができるＭＥＭＳ素子を提供する。
【解決手段】半導体基板２０と、半導体基板２０の主面２０ａに、半導体基板２０と相対変位可能に設けられた可動部３３と、半導体基板２０の主面２０ａ上に、可動部３３を覆うように設けられた蓋部５０と、半導体基板２０の主面２０ａであって、かつ、蓋部５０の外側の領域に設けられた第１の電極端子４１と、蓋部５０の半導体基板２０と対向する面に形成されており、第１の電極端子４１と可動部３３とを電気的に接続する第１の配線５１とを有する。 （もっと読む）

【課題】空洞内に位置する可動部を品質良く作動できる電子装置を提供する。
【解決手段】基板２上の側壁部２３及び第１封止層３０に覆われた空洞部３３内に位置する可動部７ｂと、空洞部３３内に設置され空洞部３３内の気体を吸着する第１ゲッター部３４及び第２ゲッター部３５と、基板２と対向する場所に位置する第１封止層３０及び第２封止層３２と、を備え、第１封止層３０は第１孔３０ａ及び第２孔３０ｂを有し、第２封止層３２は第１孔３０ａ及び第２孔３０ｂを封止する。 （もっと読む）

【課題】より確実に基板の表裏逆取付けを規制することが可能な基板取付け構造および物理量センサを提供する。
【解決手段】基板１１をコネクタハウジング１３に取り付ける基板取付け構造であって、基板１１に、正規の状態ではコネクタハウジング１３側の部材に干渉せず、かつ表裏逆の状態ではコネクタハウジング１３側の部材に干渉する干渉部を設けた。 （もっと読む）

【課題】ＭＥＭＳ素子の耐衝撃性、気密性、信頼性を向上させ、低背化することができるＭＥＭＳデバイス及びその製造方法を提供する。
【解決手段】固定部、固定部に対して変位する可動部、及び固定部に配置された端子を有するＭＥＭＳ素子と、可動部に対向して配置され、貫通電極を有する貫通電極基板と、端子及び貫通電極との間に配置され、端子及び貫通電極を電気的に接続する導電性部材と、少なくとも導電性部材の配置位置の周囲の一部に導電性部材と接して配置された樹脂層、を備え、導電性部材及び樹脂層の高さは、それぞれ、可動部の変位を貫通電極基板で規制する高さであり、導電性部材及び／又は樹脂層は、可動部と前記貫通電極基板とを封止することを特徴とするＭＥＭＳデバイス。 （もっと読む）

【課題】検出精度が被装着面の面形状の影響を受けにくい抵抗変化型センサを提供することを課題とする。
【解決手段】抵抗変化型センサ１は、樹脂またはエラストマーからなる母材と、母材中に充填される導電性フィラーと、を有し、曲がると電気抵抗が変化する複数の検出部２ａ〜２ｍと、複数の検出部２ａ〜２ｍに接続され、電気抵抗に関連する電気量を出力する複数の電極部３ａ〜３ｊ、３Ａ、３Ｂと、を備え、被装着面９０に装着される。被装着面９０は、曲面領域９００、９０１、９０２を有し、複数の検出部２ａ〜２ｍのうち、曲面領域９００、９０１、９０２に対応する検出部２ａ〜２ｍの曲率は、曲面領域９００、９０１、９０２の曲率よりも、小さい。 （もっと読む）

【課題】 特に、従来に比べてスティッキング抑制効果の高いストッパ構造を有する物理量センサ及びその製造方法を提供することを目的としている。
【解決手段】 高さ方向に変位可能に支持された可動部２を有する機能層９と、前記機能層と高さ方向に間隔を空けて対向配置された対向部材３０と、を有し、前記対向部材３０には前記可動部と対向する位置に、前記可動部の高さ方向への変位を規制するストッパ部４６，４７が設けられており、前記ストッパ部は、突起基部４２，４３、前記突起基部の表面に形成された金属下地層４４、及び前記金属下地層の表面に形成された絶縁層４５の積層構造により形成されている。 （もっと読む）