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Fターム[4M112FA20]の内容

圧力センサ (26,807) | 目的、効果 (2,451) | その他の目的、効果 (1,477)

Fターム[4M112FA20]に分類される特許

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【課題】クロストークを低減して高品位の画像を取得し得るプローブ及び超音波診断装置を提供する。
【解決手段】基板11と、基板11上に固定配置される下部電極12と、下部電極12上に設けられる空洞13と、空洞13上に設けられる上部電極14と、上部電極14を含みコルゲート15を有するダイヤフラム16と、からなる超音波振動子1が複数互いに隣接して配置されてなるプローブ10において、超音波振動子1のそれぞれは、一の超音波振動子1のコルゲート15内領域の面積と、一の超音波振動子1に隣接する周辺の超音波振動子1のコルゲート15内領域の面積と、が互いに異なるように配置されたプローブ10。 (もっと読む)


【課題】気密性の高い貫通電極及びこれを用いた微小構造体、並びにそれらの製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】導電性を有する基板10の所定領域11を貫通トレンチ20で囲み、周囲から絶縁分離した貫通電極100において、
前記貫通トレンチ内の深さ方向における所定部分を塞ぐように充填された第1の成長膜40と、
前記貫通トレンチの両側面の間を横断する横断部55を含み、該横断部の底面部が前記第1の成長膜の内側に接触するように充填された第2の成長膜50と、を有することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】表面保護膜として窒化膜を形成しつつ、モールド樹脂の剥離を抑制できる。半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、基板18と、該基板18上に形成された素子と、該基板18上に形成された窒化膜20と、該窒化膜20上に形成された剥離防止膜22と、該剥離防止膜22と該素子を覆うように形成されたモールド樹脂36と、を備える。そして、該剥離防止膜22は圧縮応力が残留した膜であることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】センサデバイスをパッケージ化する際に、製造コストを低減し、他の素子の仕様に合わせて接続関係を容易に変更でき、基板とパッケージとの接合の信頼性を向上させ、パッケージ化されたセンサデバイス全体の低背化を可能にするセンサデバイス及びその製造方法を提供する。
【解決手段】第1基板と、第1基板上に配置され、可動部を有するMEMS素子と、MEMS素子の可動部の周辺に非連続に配置された第1支持部と、第1支持部に固定されて少なくとも可動部を覆う第2基板と、第1支持部よりも外側に配置された第1端子と、第1端子に電気的に接続されて、可動部の変位に基づく電気信号を伝達する第1配線と、を具備し、第1配線は、第1支持部の非連続な部位を通ることを特徴とするセンサデバイス。 (もっと読む)


【課題】キャビティ形成用の犠牲層の除去を比較的高速に且つ残渣を低減させて行うことができる容量型電気機械変換装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板4と所定の間隔を保って可動に保持される振動膜3により形成されるキャビティ9と、キャビティに面する表面が露出する電極8と、キャビティに面する表面が絶縁膜で覆われる電極1を有する容量型電気機械変換装置の製造方法である。基板上に犠牲層6を形成し、犠牲層の上に振動膜3を含む層を形成し、外部から犠牲層に通じるエッチング孔10を形成する。その後、キャビティに面する表面が露出する電極8を電解エッチング用の一方の電極として、外部に設けた電解エッチング液に接している他方の電極12との間で通電し、犠牲層を電解エッチングしてキャビティ9を形成する。エッチング孔10から犠牲層除去剤を導入し、電解エッチングによる犠牲層の残渣17を低減する。 (もっと読む)


【課題】マイクチップの特性を維持しながらマイクロフォンを小型化し、特に実装面積の小面積化を図る。
【解決手段】カバー14と基板15によってパッケージが構成される。基板15の上面には回路素子13が実装され、回路素子13の上にマイクチップ12が設置されている。マイクチップ12に設けたマイク端子23と回路素子13に設けた入出力端子24はボンディングワイヤ27によって接続され、回路素子13に設けた入出力端子25a及びグランド端子25bと基板15のパッド部26a、26bはボンディングワイヤ28によって接続される。カバー14には、パッケージ内に音響振動を伝えるための音響孔16が開口されている。 (もっと読む)


【課題】基台が有する凹部の表面を被覆することのできるセンサ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係るセンサの例によるフローセンサは、一方の面にキャビティ25を有する基台20と、基台20の一方の面の上に設けられるセンサ薄膜30と、を備える。センサ薄膜30は、キャビティ25に通ずるスリット36を有している。キャビティ25の断面形状は、例えば舟形凹状であり、キャビティ25の表面Aは、原子層堆積法により形成された膜Xで被覆されている。 (もっと読む)


【課題】ストッパと相手側の対向壁部の接触面積を減少させて、スティッキングの発生をより抑制可能な半導体物理量センサを得る。
【解決手段】ストッパ64aと可動部5の対向壁部64b、5cを、間隙部δ5の深さ方向に沿う断面視で、互いに対向する仮想的な垂直面Sw、Twの各上端部Su、Tuおよび下端部Sd、Tdから、当該上端部Su、Tuおよび下端部Sd、Tdの範囲内で相手側に接近する位置に設けた頂点Sp、Tpをそれぞれ結ぶ線対称形状となるように形成する。 (もっと読む)


【課題】可動電極と固定電極の間隙部が形成される部位の加工精度を高めることのできるMEMS構造体を得る。
【解決手段】半導体基板3の一方の面を少なくとも一部が当接しない状態で支持基板3に接合するとともに、当該半導体基板3の支持基板2と当接しない部位にエッチングにより複数の異なる幅の間隙部δ1〜δ5を形成することで、物理量の入力により相対変位する可動部5と固定部6とを形成する。前記可動部5および固定部6は、第1の間隙部δ1、δ2をもって対向配置される可動電極(櫛歯状可動電極)51および固定電極(櫛歯状固定電極)61を備えており、半導体基板3の一方の面(図2中下面)に、第1の間隙部δ1、δ2が形成される通常面30よりも支持基板2側に突出する段差面10を設ける。 (もっと読む)


【課題】従来のセンサとは別の動作原理に基づくMEMS技術を応用した新たな高感度センサを提供する。
【解決手段】磁性膜センサは、磁気歪を発生する矩形状の磁性膜を有し、磁性膜に磁気歪を発生させる磁気歪構造を有している。磁気歪構造は、例えば磁性膜を湾曲させて磁気歪を発生させるように構成されている。また、磁気歪構造は、例えば表面に凹部が形成された凹部付絶縁層を設け、その凹部を跨ぐようにして磁性膜を形成することによって得られる。磁性膜は、GMR膜等に永久磁石バイアス層が積層され、その永久磁石バイアス層によって磁性膜の短手辺に沿った方向の磁界がGMR膜に加えられている。 (もっと読む)


【課題】 2以上のセンサー素子を含む素子構造体の製造を容易化すること。
【解決手段】 素子構造体は、第1支持層100と、第1支持層100の上方に設けられる第1センサー素子SE1と、を有する第1基板BS1と、第2支持層200と、第2支持層200の上方に設けられる第2センサー素子SE2と、を有する第2基板BS2と、を含み、第2基板BS2は、第1センサー素子SE1と第2センサー素子SE2とが互いに対向した状態で、第1基板BS1上にスペーサー300を介して配置されている。 (もっと読む)


【課題】動作部位へのダストの混入を防止しつつ、アライメント等の問題点を少なくとも部分的に解消すること。
【解決手段】本発明は、MEMS素子を搭載した素子基板にキャップ基板が接合されたMEMSデバイスの製造方法であって、キャップ基板50の原料基板に素子基板の切断パターンに沿って非貫通のトレンチ300を形成する工程と、素子基板の原料基板に、トレンチが形成されたキャップ基板の原料基板を接合する接合工程と、少なくとも非貫通のトレンチが貫通するまで、接合されたキャップ基板の原料基板をエッチングするエッチング工程とを含むことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】 容量素子を含む素子構造体の製造を容易化すること。
【解決手段】 素子構造体は、第1支持層100と、該第1支持層の上方に一端部が支持され他端部の周囲に空隙部が形成された第1可動梁800aと、を有する第1基板BS1と、第2支持層200と、該第2支持層に形成された第1固定電極900aと、を有し、且つ、前記第1基板に対向して配置された第2基板BS2と、を含み、前記第1可動梁80aには、第1可動電極が形成され、前記第1固定電極と前記第1可動電極とが間隙を介して対向して配置されて構成される。 (もっと読む)


【課題】加速度センサ等の電子部品のリーク検査を高速且つ安価に行うことが可能な電子部品用リーク検査装置および電子部品用リーク検査方法を提供する。
【解決手段】筺体内部の慣性体が偏倚することで所定の電気的信号を出力する電子部品200のリーク検査装置であって、前記電子部品200に所定の周波数を有する変動成分を含んだ作動電圧を印加する電源装置140と、前記電子部品の出力を検出する検出装置130と、前記検出装置によって得られた出力値と基準値を比較して前記電子部品の気密性を判断する評価装置160と、を備えた電子部品用リーク検査装置とした。 (もっと読む)


【課題】気密性の高い封止構造で密閉空隙を封止して信頼性を向上させた電気機械変換装置及びその作製方法を提供する。
【解決手段】電気機械変換装置は、犠牲層を除去後に封止を行って形成された密閉空隙13を挟んで対向して設けられた電極などの第1の電磁要素12と第2の電磁要素15を有する。封止部は、常温で流動性を持たない第1の封止材16の上に、硬化された常温で流動性を持つ第2の封止材17を重ねることで形成される。 (もっと読む)


【課題】外力の大きさ及び方向、並びに加速度を検出することができ、低コストに製造することのできる力学量センサ及び力学量センサの製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の一実施形態に係る力学量センサは、基板と、前記基板上に配置された複数の固定部と、前記複数の固定部にそれぞれ一端部が支持されて前記基板から離隔して各々が所定の間隙を空けて配置された複数の可動電極と、前記複数の可動電極の他端部に各々隣接して力学量の検出方向に配置された固定電極と、前記複数の固定部に各々電気的に接続された複数の第1端子と、前記固定電極に電気的に接続された第2端子と、を備えることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】ダイアフラムのスティックを防止することができ、しかも、センサ落下時の衝撃によってダイアフラムが破損しにくい音響センサを提供する。
【解決手段】音圧に感応するダイアフラム33が、プレート部39と固定電極膜40からなるバックプレート34に対向し、静電容量型の音響センサ31を構成する。バックプレート34には、振動を通過させるためのアコースティックホール38が開口し、またダイアフラム33と対向する面には複数のストッパ42a、42bが突設している。バックプレート34の外周エリアに設けたストッパ42bは直径が小さく、内部エリアに設けたストッパ42aは直径が大きくなっている。 (もっと読む)


【課題】装置全体が小型でありながら、検出感度の高いセンサを製造することが可能な技術を提供する。
【解決手段】本発明は基板上に形成される可動体として具現化される。その可動体は、第1枠体と、前記第1枠体に対して、互いに対向して、かつ部分的にあるいは完全に重なり合うように配置されている第2枠体と、第1ばね部を介して前記第1枠体と接続しており、かつ第2ばね部を介して前記第2枠体と接続している結合部と、第3ばね部を介して前記結合部と接続している、前記基板に固定された固定部を備えている。前記第1ばね部、前記第2ばね部および前記第3ばね部は、一方向のばね定数が他の方向のばね定数に比べて顕著に低く、実質的に当該一方向のみの相対変位を許容する。前記第1ばね部、前記第2ばね部および前記第3ばね部が相対変位を許容する方向は、互いに直交している。 (もっと読む)


【課題】梁部の強度やダイアフラムの支持強度を低下させることなく、梁部のアンカーで固定されていない部分の長さを長くすることのできる音響センサを提供する。
【解決手段】シリコン基板32の上面において、ポリシリコンからなる第1犠牲層48の延出部48aの上に、シリコン酸化膜からなる第2犠牲層47を介してポリシリコンからなるダイアフラム33の梁部36aを形成する。延出部48aは、梁部36aの先端部を除く領域の下に形成されている。シリコン基板32に設けたバックチャンバ35から延出部48aをエッチング除去して梁部36aの下面の先端部を除く領域に空洞部50を形成した後、さらに第2犠牲層47をエッチングにより除去する。このとき、梁部36aの先端部下面に第2犠牲層47を残してアンカー37とする。 (もっと読む)


【課題】センサを密封する、MEMSセンサ・パッケージを提供する。
【解決手段】MEMSセンサ・パッケージは、MEMSセンサと、第1のリーク・レートでガスリークに浸透するセンサボディと、埋め戻し圧力までセンサボディに加圧する埋め戻しガスと、を有し、埋め戻し圧力は、MEMSセンサの減衰を提供し、埋め戻し圧力は、ガスリークのためのセンサボディ内の圧力の増加が、MEMSセンサ・パッケージに関する少なくとも特定の設計サービス寿命に関する所定の範囲を越えて、MEMSセンサのQ値の偏差に生じさせないようにセットされる。 (もっと読む)


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