【課題】トランスデューサーの製造コストを低減する。
【解決手段】ナノシートトランスデューサ（１）は、溝（１００ａ）と前記溝によって互いに隔てられた電極支持部（１０１）と厚さ１μｍ未満のシート状の可撓電極（１０４）とが形成されたシリコンからなる基板（１００）と、前記電極支持部上に形成された導電膜からなる固定電極（１０３）と、前記固定電極と前記電極支持部との間に形成された絶縁層（１０２）と、を備え、前記可撓電極は前記基板の主面に対して垂直である。 （もっと読む）

【課題】表面実装アプリケーションのセンサパッケージを提供する。
【解決手段】センサパッケージは、上部表面（１１６）に固定された第１装置（１２２）と、下部表面（１１８）に固定された第２装置（１２４）と、ハウジングの外部の回路との電気接続を防止するリードを備える。リードは、接続パッド（１２６、１２８）が上部表面（１１６）及び下部表面（１１８）上に配置されるリードフレーム（１０４）の側部近傍の端部を有する。端部は、センサパッケージの外部接続とは独立して第１装置（１２２）と第２装置（１２４）を接続するように、接続パッド（１２６、１２８）から、ワイヤボンドなどの接続を受け入れる。 （もっと読む）

【課題】開口、該開口を開閉する開閉部材のうちの一方に設けられ、導電性を有する外部電極と、該外部電極と離間し、前記外部電極に沿って設けられ、前記外部電極と電気的に絶縁された内部電極とを有したセンサに関し、省スペースのセンサを提供することを課題とする。
【解決手段】内部電極２０７とセンサ本体（外部電極）２０１との間が、熱可塑性を有し、液体状態での流し込みにより形成される電気抵抗を有する導電性樹脂部２５１によって、電気的に接続される。 （もっと読む）

【課題】板上に慣性センサを取り付けるシステムおよび方法を提供する。
【解決手段】センサパッケージは基板層３２、３４、センサ層２４、およびセンサ層２４と基板層３２、３４との間に配置される絶縁層２６、２８を有し、基板層３２、３４の１つにＶ溝が非等方性エッチングにより形成される。基板層３２、３４は１００結晶面方位にある。センサパッケージは、その後、ウェハから分離され、エッチングにより形成された基板層３２または３４の表面は、板に取り付けられる。一例において、検出軸が互いに垂直になるように３つのセンサパッケージが板に取り付けられる。 （もっと読む）

【課題】更に多機能化した非単結晶トランジスタ集積回路を提供する。
【解決手段】非単結晶トランジスタ集積回路は、第１の高分子フィルム１１と、高分子フィルム１１に設けられた共通電極１２と、共通電極１２に設けられた誘電体１３と、誘電体１３に設けられた第２の高分子フィルム１４と、第２の高分子フィルム１４に設けられ、圧力が加えられた際に、誘電体１３の厚さの変化量を容量の変化として読み出す圧力センサ１５と、第２の高分子フィルム１４に設けられ、圧力センサ１５を読み出すための非単結晶トランジスタ１６とを具えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】圧力導入口がフラックスで塞がるのを防ぐことができる、圧力センサ装置及び該装置を備える電子機器を提供すること。
【解決手段】半導体圧力センサ素子１１と、半導体圧力センサ素子１１に流体を導く圧力導入口１８の開口部１８Ｂ及びはんだ付け可能な端子１９が設けられた取り付け面１２Ｂを有する実装基板１２とを備える圧力センサ装置であって、開口部１８Ｂと端子１９との間に段部４１が設けられていることを特徴とする、圧力センサ装置。該圧力センサ装置と、開口部１８Ｂに連通する圧力導入口２２が設けられた被取り付け面２１Ａを有し、該圧力センサ装置が端子１９で被取り付け面２１Ａにはんだ付けされた回路基板２１とを備え、開口部１８Ａ及び段部４１が、圧力導入口２２の投影範囲内に位置する、電子機器。 （もっと読む）

【課題】本発明は、する封止型デバイス及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の封止型デバイスは、固定部と前記固定部の内側に位置する可動部を有する第１基板と、前記第１基板の前記固定部及び前記可動部の上方を覆う第２基板と、前記第１基板の前記固定部と前記第２基板との間に配置され、前記第１基板と前記第２基板との間を封止する第１封止部材と、前記第１基板の前記固定部と前記第２基板との間に配置され、前記第１封止部材の外周部において前記第１基板と前記第２基板との間を封止する第２封止部材と、を備える。 （もっと読む）

【課題】 電極を保護しながら、可動部の形状精度を向上することができる製造方法を提供する。
【解決手段】 本願の半導体装置の製造方法は、まず、第３層１６の一部を除去して可動部１６ｂを形成し、次いで、可動部１６ｂを形成するために除去された部位の下方に位置する第２層と、形成された可動部１６ｂの下方に位置する第２層１４を除去する。次いで、可動部１６ｂを形成する際に除去された部位に充填材２４を埋め込む。次いで、充填材２４を埋め込んだ状態で、半導体装置の表面に電極１８を形成する。電極１８を形成した後、埋め込んだ充填材２４を除去する。 （もっと読む）

【課題】モールド成形時に押型からセンサチップに加わるモーメントを低減できる半導体センサの製造方法を提供する。
【解決手段】２個分のセンサチップがそれらの一端同士でつながり、それらの他端が両端に位置する状態の仮の半導体チップ１００の両端部を樹脂流入用の型２１０、２２０の内部に位置させ、仮の半導体チップ１００の中央部を押型２３０、２４０で上下方向から挟んだ状態として、仮の半導体チップ１００の両端部に対してモールド成形する。その後、仮の半導体チップ１００を２個のセンサチップに分割する。これによると、仮の半導体チップ１００が両持ち状態でマウント部３ｂに支持されているので、センサチップが片持ち状態でマウント部３ｂに支持される場合と比較して、センサチップにかかるモーメントを低減できる。 （もっと読む）

【課題】ＭＥＭＳトランスデューサの製造工程において、アニール処理によって生じる絶縁層の内部応力による基板の反りや破損を、新たに工程を増やすことなく防止する。
【解決手段】第一絶縁層と第一導電層と第二絶縁層と第二導電層とが形成された後に、第一導電層に到達するコンタクトホールを形成するとともに溝部Ｈ３を形成するために、第一絶縁層と第二絶縁層とをエッチングした後、第一導電層または第二導電層の応力を緩和するためのアニール処理を施す。 （もっと読む）

【課題】ＭＥＭＳ圧力センサ装置を提供する。
【解決手段】微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）圧力センサ装置２０、６２が、基板構造２２、６４に形成されたキャビティ３２、６８を有する基板構造２２、６４、基板構造２４に形成された基準素子３６を有する基板構造２４を含む。検知素子４４は、基板構造２２、２４の間に配置され、基準素子３６から離間されている。検知素子４４は、基準素子３６及び基準素子３６に形成された複数の開口３８のうちの一つを介して外部環境４８に露出される。検知素子４４は、環境４８からの圧力刺激５４に応答して、基準素子３６に対して可動である。製造方法７６が、キャビティ３２、６８を有する基板構造２２、６４を形成すること７８、検知素子４４を含む基板構造２４を製造すること８４、基板構造を結合すること９２、次いで、基板構造２４に基準素子３６を形成すること９６を含む。 （もっと読む）

【課題】拡散のプロセスやウェットエッチング液の性質、状態によらずに振動子を作製するための製造方法を提供する。
【解決手段】基板表面に高濃度不純物層を形成する工程と、高濃度不純物層上にマスクを形成する工程と、マスクを振動子の形状にパターニングする工程と、ドライエッチングによりパターニングした振動子の下方を残して少なくとも基板に達するまで高濃度不純物層を除去する工程と、ウエットエッチングにより高濃度不純物層の下方を除去して梁状の振動子を形成する工程と、高濃度不純物層上に形成したマスクを除去する工程と、
を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】封止用基板で封止されたタイプにおいて静電気の影響を小さくすることができるウエハ、ウエハの製造方法および静電容量式加速度センサの製造方法を提供する。
【解決手段】ウエハ１は、ウエハキャリア（導電性部材）１０に保持されるウエハ１であって、半導体基板２と、半導体基板２の一方表面と他方表面とを挟むように配置され、かつ絶縁性を有する１対の封止用基板３と、一方表面の側および他方表面の側の少なくともいずれかのウエハ１の外縁部１ａに配置され、半導体基板２と電気的に接続され、封止用基板３上の少なくとも一部に配置され、かつウエハキャリア（導電性部材）１０と電気的に接続するための導電層４とを備えている。 （もっと読む）

【課題】 ＳＯＩ層のシリコンウエハで形成された枠体部と対向基板とが金属結合部を介して固定されたＭＥＭＳセンサにおいて、金属結合部を覆う保護絶縁層を欠陥無く形成できるようにしたＭＥＭＳセンサを提供する。
【解決手段】 対向絶縁層２２に第１の金属層３１ａが形成され、機能層のシリコンウエハから分離された枠体部１４に第２の金属層３２ａが形成され、第１の金属層３１ａと第２の金属層３２ａとが共晶接合または拡散接合で結合されている。第１の金属層３１ａのはみ出し部３１ｃと対向する部分で、枠体部１４に凹部１８が形成され、はみ出し部３１ｃと凹部１８の底表面１８ｂとの間に空隙部１９ａが形成される。ＣＶＤ法などで成膜される保護絶縁層４１が空隙部１９ａを経て金属結合部３０ａの外側部に欠陥なく成膜されるようになり、第１の金属層３１ａまたは第２の金属層３２ａの腐食を防止しやすくなる。 （もっと読む）

【課題】突起を形成するための追加の工程を必要としない容量型ＭＥＭＳセンサおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】可動部を構成するダイアフラム膜１３上に、犠牲層１４と固定電極１５を積層形成する。固定電極には貫通孔１７を形成し、この貫通孔から等方性のエッチングを行う。その結果、貫通孔から最も遠い位置のダイアフラム膜上に、犠牲層の一部を残すことができる。この犠牲層の一部を突起２１として利用し、可動部と固定電極とが貼り付くことを防止する。 （もっと読む）

【課題】力学量を正確に検出しつつ、センサ面積が大型化しない構造の力学量センサを提供する。
【解決手段】第１力学量検出手段（例えば容量式加速度センサ２０）を有する第１基板２１（シリコン製センサ基板）と、第２力学量検出手段（例えばピエゾ式圧力センサ３０）を有するとともに、第１基板に当接する第２基板（シリコン製センサ基板）とを備え、第１基板に、第２基板が対向して当接することにより封止空間３７が形成され、この封止空間内に第１力学量検出手段を封止することで、第１力学量検出手段を保護する。 （もっと読む）

【課題】薄膜メンブレン構造体において、ヒータを含むセンサを搭載する際に、薄膜メンブレンの熱絶縁性をさらに向上させながら、薄膜メンブレンの保持性をさらに向上させることである。
【解決手段】薄膜メンブレン構造体１０は、薄膜メンブレン２０と、薄膜メンブレン２０を保持する保持基板３０とを備える。保持基板３０は、薄膜メンブレン２０の上下面のいずれか一方側の面を保持面として保持面の周縁部を保持する周壁部と、薄膜メンブレン２０の周縁部の内側である内側部の少なくとも１箇所で薄膜メンブレンの保持面を保持する内側保持部と、周壁部と内側保持部とを接続しながら薄膜メンブレンの保持面との間に空隙３１を有する接続部とを含む。 （もっと読む）

【課題】臨床における圧力センサによる接触圧力分布の測定を生体組織に対して低侵襲的に行うことができ、内視鏡視下手術において生体組織内の接触圧力分布を直接測定することができる接触圧力測定システムを提供する。
【解決手段】接触圧力測定システムは、体組織内の接触圧力を測定する圧力センサ１０と圧力センサ１０が装着された取り回し部２０と取り回し部２０を体組織内へ導入する導入部と測定システムとを有する。導入部は中空の筒内に細い棒を挿入した構造であり、細い棒の一端に保持部２２が装着され、展開部２１を保持部２２にロール状に巻き取ることにより全体として取り回し部２０が保持部２２を介して細い棒に巻き付けられている。展開部２１は操作部の回転により保持部２２から巻き出されスリットを通して測定対象へ展開される。展開部２１は操作部の逆の回転により保持部２２へ巻き取られて格納される。 （もっと読む）

【課題】光センサーの光学系において光源光の使用波長が変動しても、１／４波長板が確実に直線偏光を円偏光に変換して、良好なセンサー感度を確保維持する。
【解決手段】振動検出用光センサー１は光源２、偏光ビームスプリッター３、対物レンズ４、波長板ユニット５及び１個の受光素子６を備える。波長板ユニットは、構造性複屈折を利用した１／４波長板７と、反射面を有する振動板８との一体構造である。受光素子はその光軸ｘ2を反射光の光軸ｘ1と平行かつ僅かにずらして配置され、入射するビームスポット形状がその中心ｃを受光面６ａの中心Ｏから僅かにずらした位置に投影されるので、検出される光量が振動板の変位に対応して増減する。 （もっと読む）

【課題】簡易な製造方法により製造することができ、ＭＥＭＳ素子の特性への影響を低減できるＭＥＭＳデバイス及びＭＥＭＳデバイスの製造方法を提供すること。
【解決手段】基板と、前記基板上に配置されたＭＥＭＳ素子と、前記ＭＥＭＳ素子を覆い、前記ＭＥＭＳ素子との間に空間を確保するケースと、前記基板と前記ケースとが接触又は近接する位置に前記ケースの上面の少なくとも一部を露出させて配置される封止材と、を含むことを特徴とするＭＥＭＳデバイスを提供する。また、ＭＥＭＳ素子を基板上に配置し、ケースにより前記ＭＥＭＳ素子を覆い、前記ＭＥＭＳ素子と前記ケースとの間に空間を確保し、前記基板と前記ケースとが接触又は近接する位置に、前記ケースの上面の少なくとも一部を露出させて封止材を形成することを特徴とするＭＥＭＳデバイスの製造方法が提供される。 （もっと読む）