【課題】 超伝導デバイスにおいて、局所的な電流の集中を防止するとともに、安定した高周波伝送特性を実現する。
【解決手段】 超伝導フィルタ装置（１）は、所定の形状の超伝導フィルタパターン（１１）が形成されたフィルタデバイス基板（１０）と、前記超伝導フィルタパターン上に搭載される誘電体基板（２０）と、前記誘電体基板上に配置される応力分散部材（２２）と、前記応力分散部材上に配置される剛性の加圧板（２４）とを有する。 （もっと読む）

【課題】高精度のピッチで磁気測定点を設定であり且つ熱雑音を抑制可能なシングルチップ集積型マルチチャンネル磁気センサを提供する。
【解決手段】ピックアップコイル（１），ジョセフソン接合（２），シャント抵抗（３），ダンピング抵抗（４）およびフィードバックコイル（５）を含むＳＱＵＩＤセンサ（１０）を、複数個、１枚の基板（１１）上に、半導体薄膜プロセスにより、２次元配列して形成する。
【効果】小動物の脳磁や心磁の測定に好適となる。 （もっと読む）

【課題】 表面インピーダンスの増加によるマイクロ波の減衰を防止するようにしたジョセフソン接合アレー構造体、それを用いたデジタル−アナログ変換器、プログラマブルジョセフソン電圧標準用接合アレー、ジョセフソン電圧標準用チップ、ジョセフソン電圧発生装置を提供することにある。
【解決手段】 準平面導波路型ジョセフソン接合アレー構造体は、基板上に複数個の下部電極を相互に離間した状態で直列に配置し、前記下部電極の上に２個の中間層を相互に離間した状態で前記下部電極の配置方向に沿って直列に配置し、前記直列方向に隣り合わせの２個の前記中間層上にそれらを連結する上部電極を配置したジョセフソン接合を備えたジョセフソン接合アレー構造体において、前記下部電極上に、前記中間層の両側に離間してマイクロ波用配線を設け、前記マイクロ波用配線の外側に接地導体を設ける。 （もっと読む）

【課題】冷却時の熱収縮による低温のセンサの変位を補正し、センサと常温の試料を接近させる。
【解決手段】センサを冷却した場合に、銅ロッドあるいはサファイヤロッドの収縮によりセンサがサファイヤウインドウから離れる方向へ変位することを抑制するために、上記変位方向とは逆方向に、銅ロッドおよびサファイヤロッドが固定されている内槽がサファイヤウインドウ側に向けて変位する機構を用いる。 （もっと読む）

【課題】マグネシウムの酸化を引き起こしにくい緩衝膜を用いてより超伝導性のよいホウ化マグネシウムの薄膜が形成できるようにする。
【解決手段】サファイア（酸化アルミニウム）からなり主表面がＣ面とされた基板１０１の上に例えば窒化ガリウム（ＧａＮ）などのガリウムと窒素とから構成された緩衝層１０２が形成され、緩衝層１０２の上に接してホウ化マグネシウムからなる超伝導体層１０３が形成されている。緩衝層１０２は、膜厚２５０ｎｍ程度に形成され、超伝導体層１０３は、膜厚１００〜１２０ｎｍ程度に形成されている。 （もっと読む）

【課題】 本願発明は、Bi酸化物超電導体を用いて高性能な積層型ジョセフソン接合を得るために、結晶性の良いa軸（又はb軸）配向したBi系酸化物超電導薄膜を作製することを目的とする。
【解決手段】 高品質なa軸配向したBi系酸化物超電導薄膜の作製方法は、LaSrAlO4あるいはLaSrGaO4等の単結晶の(110)面から[001]方向に有限な角度θを持って切断した傾斜基板、α-Al₂O₃あるいはNdAlO₃の単結晶の(10-10)面(a面)から[0001]方向に有限な角度θを持って切断した傾斜基板を使用し、基板上に低い成膜温度T1(500〜600℃)でa軸配向したBi-2223薄膜をヘテロエピタキシャル成長させ、次にその成長した膜の上に高い成膜温度T2(650〜750℃)でホモエピタキシャル成長させる（二温度成長法）。 （もっと読む）

【課題】 本願発明は、Bi酸化物超電導体を用いて高性能な積層型ジョセフソン接合を得るために、結晶性の良いa軸（又はb軸）配向したBi系酸化物超電導薄膜を作製することを目的とする。
【解決手段】 結晶性の良いa軸配向したBi系酸化物超電導薄膜の作製方法は、初めに(110)面のLaSrAlO4の単結晶基板等を使い、基板上に低い成膜温度T1でa軸配向したBi-2223薄膜あるいはBi-2201薄膜をヘテロエピタキシャル成長させ、次にその成長した膜の上に高い成膜温度T2でホモエピタキシャル成長させる（二温度成長法）。通常、直接基板上に高い温度T2で成膜をするとc軸配向したBi-2223薄膜あるいはBi-2201薄膜が成長してしまうが、このように、あらかじめベースにa軸配向したBi-2223薄膜あるいはBi-2201薄膜を成長させておくことにより、基板温度を上げて成膜してもc軸配向膜ができることがなく、結晶性が良いa軸配向したBi-2223薄膜あるいはBi-2201薄膜が作製できる。 （もっと読む）

【課題】高い臨界温度特性を持つＭｇＢ₂を上部電極および下部電極に用いた積層型全ＭｇＢ₂ＳＩＳ接合を得ることを目的とする。
【解決手段】基板上に成膜された二硼化マグネシウム（ＭｇＢ₂）からなる下部電極と、該下部電極上に成膜された窒化アルミニウム（ＡｌＮ）からなる絶縁層と、該絶縁層上に成膜されたＭｇＢ₂からなる上部電極とを有することを特徴とする積層型全ＭｇＢ₂ＳＩＳ接合であって、下部電極としてＭｇＢ₂を成膜するステップと、絶縁層としてＡｌＮを成膜するステップと、上部電極としてＭｇＢ₂を成膜するステップとを備える。 （もっと読む）

【課題】 超伝導素子を作成に際して、例えば超伝導トランジスター等にみられる超伝導−非超伝導体の接合における非超伝導体部分に用いる場合に有用である燐化合物からなる材料を提供する。
【解決手段】 Co₂Si型結晶構造をとり、化学組成が式MIrP（M=Ti,Zr,Nb又はMoから選択した１以上の元素）で表わされる化合物であることを特徴とする燐化合物。（但し、各成分M：Ir：Pの比率は基本的には1：1：1であるが、格子欠陥等により組成変動がある場合に、その組成変動範囲を含む） （もっと読む）

【課題】超伝導ストリップにおけるバッファ層等として使用される薄膜層の形成に関し、双軸の結晶方向を持つ薄膜層の製造方法を提供する。
【解決手段】所望の薄膜層に対応する組成の原子１１をストリップの形状を持つ基板２上に複数回交互に繰り返し積層させ、この措置とは時間的及び空間的に分離した形で、この積層させた原子に、基板に対して所定の角度範囲内の角度（α）に方向を調整した高エネルギービーム１２を照射する。 （もっと読む）

【課題】 複数の水銀系超電導膜を備えた超電導積層体およびその製造方法、超電導積層体を有するジョセフソン接合素子および電子装置を提供する。
【解決手段】 超電導積層体１０は、基板１１と、基板１１上、第１超電導膜１２と、絶縁膜１３と、第２超電導膜１４が順次積層して構成され、第１超電導膜１２および第２超電導膜１４が水銀系超電導膜からなり、絶縁膜１３がＣｅＯ₂、ＳｒＴｉＯ₃、（ＬａＡｌＯ₃）_0．3−（ＳｒＡｌ_0．5Ｔａ_0．5Ｏ₃）_0．7（ＬＳＡＴ）、および（ＳｒＡｌ_0．5Ｔａ_0．5Ｏ₃）_0．7（ＳＡＴ）から選択される。第１超電導膜１２と、絶縁膜１３と、第２超電導膜１４は、それぞれ下地に対してエピタキシャル成長してなる。 （もっと読む）

【課題】基板の特定の誘電率を呈する向きの管理を簡略化し、超電導マイクロ波デバイスの生産の歩留まりの向上を実現可能とする。
【解決手段】Ｒ面サファイア基板１の矢印Ａの方向の誘電率がε１であり、これに垂直な矢印Ｂの方向の誘電率がε２とする。かかるＲ面サファイア基板１の特定の１つの辺３の両端部を夫々基準点としてマーク２ａ，２ｂを付け、辺３を基準辺とする。これにより、基準辺３に平行な方向が誘電率がε２の矢印Ｂの方向となり、これに垂直な方向が誘電率ε１の矢印Ａの方向となる。かかるＲ面サファイア基板１に所定の超電導マイクロ波デバイスを作成する場合、基準辺３をもとにして、この超電導マイクロ波デバイスの形成方向を決めることができ、これにより、このＲ面サファイア基板１毎に常に矢印ＡまたはＢの同じ方向に揃えてこのデバイスを形成することができる。 （もっと読む）

【課題】フォノンイベントによる低エネルギーのノイズを除去することができる超伝導フォトン検出器を提供する。
【解決手段】基板１４上に積層された下部超伝導電極１３、トンネルバリア１２及び上部超伝導電極１１を有する超伝導フォトン検出器であって、基板１４と下部超伝導電極１３との間に介在し、基板１４から入射する音響波の反射係数が透過係数よりも大きい材料で形成されたフォノン遮蔽層２０を備える。このフォノン遮蔽層２０は、基板１４から下部超伝導電極１３に入力するフォノンを遮断する。そのため、フォノンイベントによる低エネルギーのノイズを除去することができ、低エネルギーの可視光を正確に観測することができる。
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クラックの発生を防止し、かつ面内配向度と方位性等の結晶性並びに表面平滑性に優れた中間層の上に高い臨界電流密度（Ｊｃ）を有するＲＥ系超電導層を形成する。配向性Ｎｉ基板の上に、希土類元素の１種または２種以上を金属含有量で２０〜６０ｍｏｌ％を添加したセリウム系酸化物からなる中間層をＭＯＤ法により形成し、この酸化物層上にＭＯＤ法により高いＪｃを有するＲＥ系超電導層を形成する。上記の中間層は、Ｃｅの有機金属化合物溶液に、Ｇｄ、Ｙ及び／またはＹｂの各有機金属化合物溶液を混合した混合溶液を配向Ｎｉ基板上に塗布して塗膜を形成した後、仮焼熱処理を施し、Ａｒ−Ｈ２の雰囲気中で９５０〜１１５０℃の温度で、５０〜５００Ｐａの圧力下で焼成を行うことにより形成する。この中間層の上にＴＦＡ−ＭＯＤ法によりＹＢＣＯ超電導層を形成する。
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低損失、大電流対応可能な酸化物超伝導体を用いた伝送線路を提供する。超伝導体伝送線路は、内部導体と、該内部導体の周囲を囲み、断面が中空４角形の各角部が除去された形状を有する４つの面を有し、隣接する面間にλ／４（但し、λは伝送する高周波の波長）未満のスリットが形成されている、酸化物超伝導体で形成された外部導体と、を有する。
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【課題】ホウ化マグネシウムを用いた積層型ジョセフソントンネル接合が、より高い温度で動作できるようにする。
【解決手段】基板１０１の上に超伝導体層１０２が形成された後、アルミニウム単体を蒸着源とした蒸着法により、超伝導体層１０２の上に、膜厚１．４ｎｍ程度のアルミニウムの膜が形成された状態とし、ついで、アルミニウム膜の上に酸素ガスが供給された状態としてアルミニウム膜が酸化された状態とすることで、超伝導体層１０２の上にバリア層１０３が形成された状態とする。この後、Ｍｇ及びＢ単体各々を蒸着源とした電子ビーム共蒸着法により、バリア層１０３の上に超伝導体層１０４が形成された状態とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、小電流・小電力領域でも高性能で、大電流・大電力領域でも特性低下の小さい超電導バルク体を提供する。
【解決手段】超電導バルク体１において、該超電導バルク体１の少なくとも表面の一部の臨界電流密度が、該超電導バルク体内部の臨界電流密度よりも大きい表面超電導領域２が設けられていることを特徴とする超電導バルク体である。表面超電導領域２は、（ａ）のように、超電導バルク体１の一つの表面全面に形成しても良いし、また、（ｂ）のように、超電導バルク体１の一つの表面の一部に形成しても良い。あるいは、（ｃ）のように、超電導バルク体１の２つの表面形成しても良い。 （もっと読む）

【課題】 本願発明は、Bi酸化物超電導体を用いて高性能な積層型ジョセフソン接合を得るためには、c軸が基板面に対して平行で、a軸（又はb軸）が基板面に対して垂直に配向したBi系酸化物超電導薄膜を作製することを目的とする。
【解決手段】 a軸配向したBi系酸化物超電導薄膜の作製方法は、Bi系酸化物超電導薄膜の(100) 面と格子定数の整合性の良い（110）面のLaSrAlO₄単結晶基板又は（110）面のLaSrGaO₄単結晶基板を用いてエピタキシャル成長することにある。この方法により、通常得られやすいBi-2212ではなく、Bi系酸化物超電導体でも最も高い超電導転移温度を示すBi-2223のa軸配向膜を選択的に作製することができる。 （もっと読む）

【課題】 超伝導デバイスにおいて、局所的な電流の集中を防止するとともに、安定した高周波伝送特性を実現し、電流特性と電力特性を両立させる。
【解決手段】 超伝導デバイスは、第１の誘電体基板（１１）と、前記第１の誘電体基板上に超伝導材料で形成された２次元回路型の共振器パターン（１２）と、前記共振器パターンの上方に、好ましくは誘電体（１６）を介して位置し、前記共振器パターンに所望の帯域幅のカップリングを生じさせる導体パターン（１７）とを有する。導体パターンは、円形または楕円形であるのが好ましい。 （もっと読む）

【課題】 超伝導デバイスにおいて、局所的な電流の集中を防止するとともに、安定した高周波伝送特性を実現し、電流特性と電力特性を両立させる。
【解決手段】 超伝導デバイスは、誘電体基板（１１）と、前記誘電体基板上に超伝導材料で形成された２次元回路パターン（１２）とを備え、前記２次元回路パターンは、少なくとも一部に円弧を含むノッチ（２０）を有し、ノッチの円弧部分の曲率半径Ｒは、実効波長λの１／４以下である。 （もっと読む）