説明

Fターム[4M113AD36]の内容

超電導デバイスとその製造方法 (1,906) | 超電導回路 (453) | 回路構造 (353) | 基板 (266) | 材料 (194)

Fターム[4M113AD36]の下位に属するFターム

MgO (63)
ZrO2 (3)
YSZ (18)

Fターム[4M113AD36]に分類される特許

101 - 110 / 110


【課題】複数のLn系超電導体の原料溶液を混合することによって得られる混合超電導体膜の格子定数を調整することができ、基板上に厚膜を形成したときにc軸配向粒子を高い比率で含み、高い特性を示す酸化物超電導体を提供することにある。
【解決手段】主成分が一般式LnBa2Cu37-x(ここで、LnはGd,Tb,Dy,Ho,Er,TmおよびYからなる群より選択される2種以上であり、各々の元素の含有率は10〜90モル%である)で表され、モル比で銅の10-2〜10-6のフッ素を含む酸化物超電導体。 (もっと読む)


【課題】 単純な構造でかつ被処理膜内のエッチング量の均一性およびエッチングの異方性を向上させたエッチング処理装置を提供する。
【解決手段】 エッチング液11が満たされたエッチング槽12と、エッチング槽12の底部12aに設けられたホットプレート13と、液面11a付近に設けられた冷却器14と、被処理面15aを下方に向けてエッチング液11に浸漬された基板15を保持する基板保持具16等から構成される。ホットプレートによりエッチング液を第1液温に加熱し、冷却器14により液面11a付近のエッチング液11を第1液温よりも低い第2液温に設定することで、エッチング液11の対流を生ぜしめ、上昇する一様なエッチング液の流れを被処理面15aに接触させる。 (もっと読む)


本発明の目的は、叙上の従来の問題を解消し、優れた性能を示す酸化物超伝導体を低い基板温度で成膜した酸化物超伝導体薄膜素子を提供することである。本発明は、少なくとも基板と酸化物超伝導体薄膜から構成され、該酸化物超伝導体薄膜が、Yb1−xNdBaCu7−yであって、xが0.01〜0.30、yが0.00〜0.20である組成を有し、結晶粒のc軸が基板に垂直に配向された酸化物超伝導体薄膜素子に関する。
(もっと読む)


【課題】REScO3(REは、La,Ce,Pr,Nd,Sm,Eu,Gd,Tb,Dy,Ho,Yの少なくとも1つ)からなる単結晶基板の、最適な表面処理方法を提供する。
【解決手段】DyScO3の単結晶基板を用意し、用意した単結晶基板を空気中もしくは酸素ガスを流している雰囲気で800〜1300℃に加熱する。加熱処理の時間は、1〜100時間であればよい。次に、加熱処理したDyScO3単結晶基板をメタノールを溶媒とした硝酸溶液に浸漬してエッチング処理がされた状態とする。 (もっと読む)


【解決手段】基本周波数f0の、準周期的源から来る信号(Sin)の位相ノイズを低減するための装置が、磁束量子φ0を移動することによって電圧パルスを伝送するためのアクティブ線路を備えた超伝導回路を含む。この回路は、0.3fcが、入力として印加される準周期的信号(Sin)の基本周波数f0以下であるような特性周波数fcを有するように定義され、かつ基本周波数f0の電圧パルス信号を出力として送出する。
(もっと読む)


【課題】フルオロカルボン酸を用いたMOD法により、Y系超電導体のTcを超える実用的なTcを示すLa、Nd、Sm系超電導体を製造することができる方法を提供する。
【解決手段】ランタン、ネオジウムおよびサマリウムからなる群より選択される金属Mを含む金属酢酸塩を炭素数3以上のフルオロカルボン酸と、酢酸バリウムを炭素数2のフルオロカルボン酸と、酢酸銅を炭素数2以上のフルオロカルボン酸と、それぞれ反応させて精製し、反応生成物を前記金属M、バリウムおよび銅のモル比が1:2:3となるようにメタノール中に溶解してコーティング液を調製し、前記コーティング溶液を基板上に成膜してゲル膜を形成し、仮焼および本焼を行い、酸化物超電導体を得る。 (もっと読む)


高温超伝導体フィルムが基板上のCeO層上に堆積された高温超伝導体(HTS)ミニフィルタまたはコイルを製造するための方法が、ミニフィルタまたはコイルのより高い収率をもたらす。

(もっと読む)


それぞれのエネルギー状態E0およびE1(ただし、常にE0<E1)に関連する2つの状態|>0および|1>を有する量子ビット再初期化装置は、量子ビット装置に隣接して配置され、一定量のエネルギーをこの一定量がある値ΔEenvに等しいときにのみ吸収することが可能である散逸手段(21)と、エネルギー差ΔE01=E1−E0を、散逸手段が吸収できない初期値ΔE01から散逸手段により吸収されることが可能な値ΔE′01=ΔEenvに一時的に変調することが可能な第2の結合手段(21、32)を備える。 (もっと読む)


高温超伝導体RFコイルを使用する核四重極共鳴検出システム。

(もっと読む)


コーティングされるべき基板(116)上に照射するイオン源(132)或いは(218)が、MOCVD、PVD或いは超伝導体素材の調整のためのその他の処理を強化するのに用いられる。
(もっと読む)


101 - 110 / 110