【課題】超電導体薄膜を多層にしてもジョセフソン接合が劣化しない超電導素子とその製造方法を提供すること。
【解決手段】 基板２と、基板２の上に形成された第１超電導体パターン３ａと、第１超電導体パターン３ａ上に形成された絶縁パターン５ａと、下面若しくは膜中にジョセフソン接合のバリア層８ｂが形成されたと共に、絶縁パターン５ａ上において回路要素を構成し、且つ多層の超電導体パターンの中で最上層に形成された第２超電導体パターン８ａとを有する超電導素子による。 （もっと読む）

【課題】広い範囲の印加磁場角度に対して高い臨界電流密度を示す二ホウ化マグネシウム（ＭｇＢ_２）超電導薄膜を提供すること。
【解決手段】高真空中において、マグネシウム（Ｍｇ）蒸気とホウ素（Ｂ）蒸気を基板法線軸に対して傾いた方向から供給することで、ＭｇＢ_２の柱状結晶粒を基板法線に対して傾けて成長させる。基板に対するマグネシウム（Ｍｇ）蒸気とホウ素（Ｂ）蒸気の供給角度を制御することで、粒界の傾き角度が互いに異なるＭｇＢ_２柱状結晶粒を含んだ複数の層から成るＭｇＢ_２超電導薄膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】高いＪ_Ｃおよび高いＩ_Ｃ等の優れた特性と、低コスト化の実現とを両立することが可能な超電導薄膜材料およびその製造方法を提供する。
【解決手段】超電導薄膜材料１は、金属配向基板１０と、金属配向基板１０上に形成された酸化物超電導膜３０とを備え、酸化物超電導膜３０は、物理蒸着法により形成された物理蒸着ＨｏＢＣＯ層３１と、物理蒸着ＨｏＢＣＯ層３１上に有機金属堆積法により形成された有機金属堆積ＨｏＢＣＯ層３２とを含んでいる。 （もっと読む）

【課題】高温超伝導体層又はフィルムの製造において、実用のための充分に高い電流容量を達成すること。
【解決手段】本発明は、基板、高温超伝導体層及び少なくとも１つのバッファー層を含む被覆された伝導体であって、前記バッファー層の少なくとも１つが高温超伝導体層を二軸配向するためのテンプレートであり、このテンプレートは公称化学式Ａ_2-xＢ_2+xＯ₇（ここで、ＢはＺｒ、Ｈｆ、Ｓｎ、Ｐｂ及びＴｉから選択される少なくとも１種であり；ＡはＬａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｙ、Ｔｍ、Ｙｂ及びＬｕから選択される少なくとも１種であり；ｘは０以外である）を有する不定比材料から成る多結晶質フィルムから構成され、前記基板が組織化されている、前記の被覆された伝導体に関する。 （もっと読む）

【課題】大量生産に適したネオジムガレート単結晶上に望ましい配向を有する希土類１２３型超電導膜の製造方法を提供する。
【解決手段】ネオジムガレート単結晶上に、セリウムの有機化合物を有機溶媒あるいは水に溶解した溶液を塗布し、加熱処理することで配向した酸化セリウム（セリア）膜を作製し、その上に希土類元素、バリウム及び銅を含有する金属有機化合物を有機溶媒に溶解させた溶液を塗布し、加熱処理することを特徴とするｃ軸配向性をもつ希土類１２３型超電導体多層膜の製造方法。
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【課題】超伝導薄膜の製造方法のひとつである塗布熱分解法において、結晶化の工程である本焼成に長時間を要するという問題を解決する。
【解決手段】塗布熱分解法において、基材１の上層に超伝導体の構成元素を含む塗布膜３を設ける。さらに塗布膜３表面側に表面側シード材層４を設け、仮焼成、本焼成を行う。本焼成時には、基材１側で表面に向けて結晶化が行われるとともに、前記表面側シード材層４からも基材側に向けて結晶化が行われる。この結果、両方向からの結晶化がなされることで結晶化に必要な時間が短縮される。また、基材１と塗布膜３との間にはバッファ層２を設けるのが望ましい。バッファ層２は、基材１と塗布膜３との化学反応を阻止するとともに、結晶化のシードとして機能する。 （もっと読む）

【課題】交流損失を低減できる超電導線材、超電導機器、超電導線材の製造方法、および超電導機器の製造方法を提供する。
【解決手段】多層構造のテープ状基板１１と、ａ面超電導層１２と、ｂ面超電導層１３とを備えている。ａ面超電導層１２は、テープ状基板１１の一方面１１ａ１上に形成されている。ｂ面超電導層１３は、テープ状基板１１の他方面１１ｂ１上に形成されている。 （もっと読む）

【課題】 熱的に安定な極微細なトンネル接合を再現性良く製作することは困難であった。
【解決手段】 耐火性金属材料であるニオブを蒸着して耐火性のニオブ金属電極を形成し、次に、酸素プラズマを照射することによって耐火性金属電極上に、当該ニオブ酸化膜（Ｎｂ_２Ｏ_５）を形成する。続いて、蒸着角度を変化させて、酸化膜上にニオブ金属電極を形成して、酸化膜と極微細なトンネル接合を実現する。 （もっと読む）

【課題】臨界電流値を向上することのできる超電導薄膜材料の製造方法、超電導機器、および超電導薄膜材料を提供する。
【解決手段】超電導薄膜材料の製造方法は、気相法により超電導層３を形成する気相工程と、超電導層３に接するように、液相法により超電導層４を形成する液相工程とを備えている。超電導層３と金属基板１との間に中間層２を形成する工程がさらに備えられていることが好ましい。金属基板１は金属よりなっており、かつ中間層２は岩石型、ペロブスカイト型、またはパイロクロア型のいずれかの結晶構造を有する酸化物よりなっており、かつ超電導層３および超電導層４はいずれもＲＥ１２３系の組成を有していることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】 各々の量子ビットの長いコヒーレンス時間を維持したまま，量子ビット間の相互作用をオンオフ制御することのできる量子演算回路を提供する。
【解決手段】 集積化された磁束量子ビット101，102と，各々の磁束量子ビットにバイアス磁束を印加するためのバイアス電流線104と、隣接する量子ビット間に配置された２つのトランスフォーマー，すなわちSQUID107でシャントされた超伝導ループからなるトランスフォーマー105と，それと同様だがループにひねり109を持つトランスフォーマー106と，各々のトランスフォーマーに付随したSQUID制御用電流線110と，各々のトランスフォーマーに付随した直流磁場相殺用の直流磁束調整用電流線111と，量子ビット読み出し用SQUID103を設ける。 （もっと読む）

【課題】基板の電解研磨時間を短縮することで生産性を向上させることができ、さらには、単位面積当たりのクラックの発生を低減させ、且つ水平度に優れている超伝導ケーブル用基板の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明による超伝導ケーブル用基板の製造方法は、ハステロイ（登録商標）（Ｈａｓｔｅｌｌｏｙ）Ｃ−２７６またはステンレス鋼を、表面粗さがＲＭＳ（Ｒｏｏｔ Ｍｅａｎ Ｓｑｕａｒｅ）値にて１０ｎｍ以下の圧延ロールで圧延し基板を形成するステップと、圧延された基板を電解研磨液に浸漬して電解研磨するステップと、電解研磨された基板上に超伝導層を蒸着するステップとを含むことを技術的特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基盤上の表面平滑性に優れた第１中間層の上に第２中間層及び特性の優れたＹＢＣＯ超電導層を形成する。
【解決手段】２軸配向させたＮｉ―Ｗ合金テープ状基板１の表面に、ＭＯＤ法により複数回の塗布および仮焼を繰り返して成膜した5ｎｍ以下の表面平滑性を有するＡ_２Ｚｒ_２Ｏ_７からなる第１中間層２、パルス蒸着法により成膜したＣｅＯ_２膜からなる第２中間層３、ＭＯＤ法により形成されたＹＢＣＯ超電導層４およびこのＹＢＣＯ超電導層の上にＡｇ安定化層５を成膜して１ＭＡ／ｃｍ^２以上の臨界電流密度（Ｊｃ）を有するＹＢＣＯ超電導体１０を製造する。 （もっと読む）

【課題】機械的強度に優れ、サブミリ波帯受信に有用な超伝導素子などの薄層デバイスの作成方法を提供する。
【解決手段】ＭｇＯ仮基板上にＮｂＮ／ＭｇＯ／ＮｂＮ−ＳＩＳ接合からなる多層構造体を形成し、該多層構造体上に基板としてＳｉＯ₂を形成し、ついでエッチングにより前記ＭｇＯ仮基板を除去することで薄層デバイスを作成する。本発明の方法により作成した超伝導素子（薄層デバイス）は、性能に優れ、かつ機械的強度が高いため、サブミリ波用導波管への導入も容易である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、分断した個々のフィラメント導体どうしの絶縁性を高めることができ、低交流損失の酸化物超電導体を得ることができる技術の提供を目的とする。
【解決手段】本発明は、基体１上に酸化物超電導層６が設けられてなる低交流損失超電導導体Ａにおいて、前記酸化物超電導層６が、前記基体１の長さ方向に沿って前記基体の幅方向に複数形成された細線化溝３により複数のフィラメント導体２に分離されてなり、前記細線化溝３に高抵抗酸化物８が形成されてなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＰＬＤ法により、長尺の金属基材上に、バッファ層を介し、ＲＥ―Ｂａ―Ｃｕ系酸化物からなる超電導層を形成した臨界電流密度特性に優れたＲＥ―Ｂａ―Ｃｕ系酸化物超電導長尺体と、その製造方法を提供する。
【解決手段】金属基材上に、バッファ層を介して、ＲＥ―Ｂａ―Ｃｕ系酸化物からなる超電導層が形成されたＲＥ―Ｂａ―Ｃｕ系酸化物超電導長尺体であって、該ＲＥ―Ｂａ―Ｃｕ系酸化物のＢａ組成が化学量論組成より小さいことを特徴とする臨界電流密度特性に優れたＲＥ―Ｂａ―Ｃｕ系酸化物超電導長尺体。ここで、ＲＥは、Ｙ、Ｌａ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅrのいずれか１種又は２種以上の元素。 （もっと読む）

【課題】臨界電流密度さらには臨界電流を高精度で制御可能な超電導接合素子および超電導接合回路を提供する。
【解決手段】超電導接合回路１０は、上部電極１８が形成するインダクタを直列に接続した複数の超電導接合素子２０₁〜２０₅からなり、超電導接合素子２０₁〜２０₅は、上部電極１８と下部電極１４とこれらに挟まれた障壁層１７からなる超電導接合部１６₁〜１６₅のゼロ電圧状態と有限電圧状態とのスイッチングにより磁束量子を伝搬する。超電導接合素子２０₁〜２０₅は、下部電極１４の面積に基づいて臨界電流密度が制御される。超電導接合素子２０₁〜２０₅の各々の下部電極１４の面積を略同等に設定することで、超電導接合素子２０₁〜２０₅間の臨界電流密度のばらつきを抑制する。さらには、下部電極１４と超電導磁気遮蔽膜とを接続する接続窓１４ａの面積を所定の範囲に設定する。 （もっと読む）

【課題】ジョセフソン接合の動作特性に優れ、かつ、絶縁体膜の表面が緻密で平坦性に優れると共に、超電体層の平坦性および結晶性に優れる超電導素子およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】酸化物基板１上に、第１酸化物超電導体薄膜２、セリアからなる第１絶縁体薄膜３、第２酸化物超電導体薄膜４、セリアからなる第２絶縁体薄膜５を順次形成する。第２酸化物超電導体薄膜４に、第１絶縁体薄膜３に対して鈍角をなす斜面を形成すると共に、第２絶縁体薄膜５に、第２酸化物超電導体薄膜４の斜面に略連続する斜面を形成する。第２酸化物超電導体薄膜４の斜面に極薄い絶縁体薄膜を形成する。第２絶縁体薄膜５上、第２絶縁体薄膜５の斜面上、上記極薄い絶縁体薄膜上、および、第１絶縁体薄膜３上に、第３酸化物超電導体膜６を形成する。 （もっと読む）

【課題】 長尺な線材と同様の効果を有する超電導テープ線材の製造方法、超電導テープ線材、および超電導機器を提供する。
【解決手段】 超電導テープ線材１０の製造方法は、テープ状基板１１を準備する工程（Ｓ１０）と、テープ状基板１１上に中間薄膜層１２を形成する工程（Ｓ２０）と、中間薄膜層１２上に超電導層１３を形成する工程（Ｓ３０）と、超電導層１３は一方端部１３ｃから他方端部１３ｄまで伸び、超電導層１３に一方端部１３ｃから他方端部１３ｄまで延在する少なくとも１つの分割領域１３ａを形成する加工工程とを備えている。分割領域１３ａは、超電導層１３の臨界温度では超電導状態とならない領域であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】
損傷が起きる可能性が小さく、容易な金属材料層等の製造方法を提供する。
【解決手段】
本発明の一つの側面は、基板上にレジスト層を形成する工程と、前記レジスト層をパターニングすることによってレジストパターンを形成する工程と、前記基板上及び前記レジストパターン上に有機金属溶液を配置する工程と、前記有機金属溶液の溶媒を除去する溶媒除去工程と、前記溶媒除去工程の後に前記レジストパターンを除去するリフトオフ工程とを有する金属材料層の製造方法にある。本構成によれば、損傷が起きる可能性が小さく、容易な金属材料層等の製造方法が得られる。 （もっと読む）

【課題】製品が77 K、ゼロ磁場で約10⁵ A/cm²より大きい、もしくはこれに等しい輸送臨界電流密度（J_c）を有する、基板上に沈着された0.8ミクロンより大きい厚さを有する酸化物超伝導体被膜を有する酸化物超伝導体製品を提供する。
【解決手段】酸化物超伝導体製品は、金属オキシフッ化物被膜が実質的に化学量論的比率で酸化物超伝導体の構成金属元素を含む、金属オキシフッ化物被膜を提供すること；および製品が77 K、ゼロ磁場で約10⁵ A/cm²より大きい、もしくはこれに等しい輸送臨界電流密度を有する酸化物超伝導体被膜が得られるように、温度、P_H2O、P_O2、及びその組み合わせからなる群より選択される反応パラメータを調節することによって選択される変換速度で、金属オキシフッ化物を酸化物超伝導体に変換すること、によって調製される。 （もっと読む）