【課題】基板におけるチップ面積の確保を容易に行うことができ、基板の保持方法による影響を受けることなく、また、高価な計測機器を用いることなく、高精度かつ簡便に、基板の歪みを測定することができる基板の歪み測定装置を提供する。
【解決手段】基板２０を保持する保持面に、前記基板２０に設けられた位置ズレ測定用のマーク４０の比較対象となる基準マーク５０を有する基板保持部３１と、前記基板２０を透過する光を照射する光源部３２と、前記光源部３２により前記光が前記基板２０に照射されることで得られる前記位置ズレ測定用のマーク４０と前記基準マーク５０との重なりを観察する観察部３３と、前記観察部３３により観察された前記重なりから、前記基準マーク５０に対する前記位置ズレ測定用のマーク４０のズレ量を算出する算出部３６と、前記算出部３６により算出された前記ズレ量から、前記基板の歪みを測定する測定部３７とを備える測定装置。 （もっと読む）

【課題】 欠陥画素をより精度良く検出するためには撮像素子の温度上昇や信号電荷の蓄積時間を必要とするため、工場出荷前の調整時間に時間が掛かり、生産効率性の点などにおいて問題があった。
【解決手段】 欠陥画素検出時に、撮像素子内の読み出しゲート部に存在する読み出し電極に印加する電位を読み出しゲート部における半導体基板の界面が空乏状態となるような電位を与えるように撮像素子の駆動方法を変更することにより、温度依存及び露光時間依存しているキズの発生頻度を上げ、欠陥画素検出時間の短縮及び検出精度を高めることができる。 （もっと読む）

【課題】裏面照射型の固体撮像素子を備えたチップ領域が複数配列された固体撮像素子ウエハにおいて、個片化されるチップ領域のサイズを縮小し、これにより固体撮像素子の小型化を図る。
【解決手段】複数のチップ領域２００と、チップ領域２００を囲んで配置された分割領域３００と、各チップ領域２００に設けられた光電変換部２０と、各チップ領域２００において光電変換部２０に対する受光面Ａとは逆の表面側に設けられた駆動回路と、駆動回路に接続され各チップ領域２００において表面側に引き出されたデバイス用端子３３と、駆動回路に接続され分割領域３００において受光面Ａ側に露出された検査用端子４００とを備えた固体撮像素子ウエハ１００−１である。 （もっと読む）

【課題】 高い測定精度を有しつつ、測定時間の短縮が可能なマイクロレンズのモニタ用構造体及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体装置は、画素領域に設けられたマイクロレンズと、画素領域の他の領域である周辺領域の上に設けられ、マイクロレンズの形状と相関があり、基板に垂直な面に含まれる断面の形状が同一のモニタ用構造体を有する。 （もっと読む）

【課題】従来に比べて、検査が行い易く、かつ精度よく放射線を検知することができる、放射線検出器、放射線画像撮影装置、及び放射線画像撮影システムを提供する。
【解決手段】画素２０は、センサ部１０３Ａとセンサ部１０３Ｂとを備えている。画像取得用画素２０Ａでは、センサ部１０３Ａとセンサ部１０３Ｂとが接続配線３２により接続されており、センサ部１０３Ａで発生した電荷及びセンサ部１０３Ｂで発生した電荷がＴＦＴスイッチ４により読み出されて信号配線３に出力される。放射線検知用画素２０Ｂでは、センサ部１０３Ａで発生した電荷がＴＦＴスイッチ４により読み出されて信号配線３に出力される。また、放射線検知用画素２０Ｂでは、センサ部１０３Ｂと信号配線３とが直接、接続配線３４により接続されており、センサ部１０３Ｂで発生した電荷はそのまま信号配線３に出力される。 （もっと読む）

【課題】一画素から出力される電荷量が少ない場合でも、特定信号配線の断線を検出することができる、放射線検出器、放射線画像撮影システム、断線検出プログラム、及び断線検出方法を提供する。
【解決手段】画素２０にバイアス電圧を印加して画素２０のセンサ部（フォトダイオード）１０３のリーク電流によるオフセット電荷を蓄積させ、順次、画素２０のＴＦＴスイッチ４のゲートをオンさせて蓄積されているオフセット電荷に応じた電気信号を出力させる。当該電気信号に基づいて、オフセット電荷量の累積値を検出し、制御部１０６は、検出した累積値と断線検出用に予め定められた閾値とを比較し、累積値が閾値未満の場合は信号配線３が断線していることを検出する。 （もっと読む）

【課題】ウェハ１枚当たりの赤外線センサの取れ数の減少を抑えつつ、ウェハごとに２種類の熱電要素のゼーベック係数を管理することが可能な赤外線センサの製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１の基礎となるウェハ２００の一表面側へのｎ形ポリシリコン層３４（第１の熱電要素）の形成と同時に第１シート抵抗モニタ部２３４を形成し、且つ、ウェハ２００の上記一表面側へのｐ形ポリシリコン層３５（第２の熱電要素）の形成と同時に第２シート抵抗モニタ部２３５を形成するようにし、第１シート抵抗モニタ部２３４のシート抵抗および第２シート抵抗モニタ部２３５のシート抵抗それぞれを測定し、予めデータベース化されているシート抵抗とゼーベック係数との関係に基づいて、第１シート抵抗モニタ部２３４および第２シート抵抗モニタ部２３５のゼーベック係数がそれぞれの管理規格範囲内にある良品か管理規格範囲外にある不良品かを判定する。 （もっと読む）

【課題】 プローバーテストの製品への影響をさらに軽減して、より一層信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】 半導体装置１００を、半導体基板１０ａと、半導体基板１０ａの一方の面上に形成された絶縁膜１０ｂと、縦孔配線部３０と、金属膜１１と、導電性保護膜１２とを備える構成とする。金属膜１１は、絶縁膜１０ｂ内に形成され、縦孔配線部３０と電気的に接続される。そして、導電性保護膜１２は、絶縁膜１０ｂ内において金属膜１１に接して形成され、かつ、金属膜１１の膜面において製造途中で行うプローバーテスト時のプローブの接触領域を含む領域に形成される。 （もっと読む）

【課題】シリコン界面からの暗電流の発生を防止するために、基板裏面側にｐ＋層を形成する構造を採った場合に種々の問題が発生する。
【解決手段】シリコン基板３１の裏面上に絶縁膜３９を設け、さらにその上に透明電極４０を設け、電圧源４１から透明電極４０を介して絶縁膜３９にシリコン基板３１のポテンシャルに対して負の電圧を印加することにより、基板裏面側シリコン界面に正孔を貯めて当該シリコン界面に正孔蓄積層が存在しているのと等価な構造を作り出す。 （もっと読む）

【課題】基板上に配置された光検出器のバイアス条件が改良された検出行列を備える電磁放射検出装置およびこの製造方法を提供する。
【解決手段】検出装置は、第１の導電型の半導体基板（１）を備えている。第１の組織軸に沿って組織化されたフォトダイオード行列が基板（１）上に形成される。各フォトダイオードが基板（１）に少なくとも部分的に形成される。周辺バイアスリングがフォトダイオード行列（１）の周辺に形成される。バイアスリングはバイアス電圧生成器（３）に接続される。導電性コンタクトが基板に接続され、かつ、第１の組織軸上の２つのフォトダイオード間に配置される。コンタクトを２つのフォトダイオードの各々から分離する距離は、第１の組織軸に沿って２つの隣接するフォトダイオードを分離する距離に等しい。コンタクトはバイアス電圧生成器に接続される。 （もっと読む）

【課題】正孔注入阻止層などにキズや膜厚ムラが発生した場合でも、それによる白キズの出現を抑えることができるＸ線センサを提供する。
【解決手段】本発明にかかるＸ線センサは、透光性基板１７と、前記透光性基板１７の一方の面上に形成された透光性電極２１と、前記透光性基板１７の前記透光性電極２１が形成された一方の面上に順次設けられた正孔注入阻止層２２と、電界緩和層２３と、正孔トラップ層２４と、電荷増倍機能を持つ光導電性の感度層２５と、電子注入阻止層２６とを含む光導電性膜１８と、を備え、前記電界緩和層２３の厚みが、前記透光性電極２１と前記正孔注入阻止層２２とからなる層の厚みよりも厚いことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ｐｎ接合ダイオードの接合面積を大きくし、かつコストダウンを可能とすること。
【解決手段】半導体基板１０とｐｎ接合を形成する第１拡散領域３２を含む第１ｐｎダイオード３３を含み、前記半導体基板上に形成された電子回路２０と、前記電子回路とスクライブライン２６との間の前記半導体基板内に設けられ前記電子回路を囲み前記第１拡散領域と同じ導電型であり前記半導体基板とｐｎ接合を形成する第２拡散領域２４を、含む第２ｐｎダイオード２３と、前記電子回路と前記スクライブラインとの間の前記半導体基板上に、前記第２拡散領域と重なるように設けられ、前記電子回路を囲む金属層１８と、を具備する半導体装置。 （もっと読む）

【課題】静電気等に対する耐久性を向上するとともに、検査精度を向上し、かつ、検査時間を短縮した積分アンプを提供する。
【解決手段】演算増幅器OP、および、演算増幅器OPの反転入力端子と出力端子との間に接続したサンプリングキャパシタCfを備えた積分回路41を有する。入力端子部INと演算増幅器OPの反転入力端子との電気的接続の開閉を切り換え可能なモードスイッチSWtestを有する。移送キャパシタCT、および、移送キャパシタCTを充放電させるスイッチSW1〜SW4を備えた検査用回路42を有する。検査用回路42は、移送キャパシタCTの放電により、充電した電荷の一部をサンプリングキャパシタCfに送り込む。スイッチSW1〜SW4により移送キャパシタCTを充電させている状態でサンプリングキャパシタCfを放電させる放電スイッチSWinitを有する。 （もっと読む）

【課題】走査線に断線が生じたとしても、読み出される画像データが異常な値になることを的確に防止することが可能な放射線画像撮影装置を提供する。
【解決手段】放射線画像撮影装置１は、各放射線検出素子７から画像データＤを読み出す読み出し処理の際に、各走査線５にオン電圧を順次印加して、各走査線５に接続された各スイッチ手段８にオン電圧を順次印加する走査駆動手段１５を備え、走査駆動手段１５は、走査線５に断線がある場合には、放射線が照射されて行われた放射線画像撮影後の画像データＤの読み出し処理において、放射線検出素子７が接続された各走査線５にオン電圧を順次印加して行う画像データＤの読み出し処理を開始するタイミングを、走査線５に断線がない場合よりも遅らせる。 （もっと読む）

【課題】プローブ痕による動作の不具合を低減し、かつ、小型化を実現する固体撮像装置を提供する。
【解決手段】固体撮像装置１００は、半導体基板１に形成された、受光部を有する複数の画素２と、複数の画素２で生じた電気信号を転送するためのシフトレジスタ部３、４と、シフトレジスタ部３、４に接続され、シフトレジスタ部３、４から転送された電気信号を出力する出力部５と、シフトレジスタ部３、４および出力部５のそれぞれに接続された複数のボンディングパッド６とを備え、複数のボンディングパッド６のそれぞれは、ウェハテストを行うためのプローブ針を接触させるための凹部８を有している。 （もっと読む）

【課題】 電子増倍率を正確に測定可能な電子増倍率の測定方法を提供する。
【解決手段】 固体撮像素子１０を備える電子増倍型撮像装置１において、予め設定された所定の電子増倍率で、第１光量の入射光による第１増倍画像と、第２の光量の入射光による第２増倍画像と、を取得し、第１増倍画像に含まれる画素の輝度平均値及び輝度分散平均値と、第２増倍画像に含まれる画素の輝度平均値及び輝度分散平均値と、を算出する。そして、算出した輝度平均値及び輝度分散平均値を用いて、第１及び第２増倍画像の変換係数を算出し、算出した変換係数と、予め保持する基準電子増倍率における変換係数と、を用いて固体撮像素子１０の実際の電子増倍率を算出する。 （もっと読む）

【課題】
画素毎に固定した増幅器が割り当てられる撮像素子において、MOSFETの特性バラつきによる各増幅器の特性差を測定する際に、光を均一に当てるテスタを用いずに測定する手段を提供する。
【解決手段】
フォトダイオード1に蓄積された電荷をキャパシタ3に蓄積する代わりに、電荷注入スイッチ8を用いてキャパシタ3に電荷を蓄積する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、電気的画素欠陥検査と、画像分析による画素欠陥検査を行うことができ、歩留まりを向上させる固体撮像素子の検査装置及び検査方法を提供する。
【解決手段】本発明の固体撮像素子検査装置は、複数の画素が形成された固体撮像素子２に対して電気的欠陥検査を行う接触型のプローブ１２１ｂを備えるテスタ１１と、テスタ１１による欠陥画素の検出結果に基づき、欠陥画素が検出された固体撮像素子を撮像する撮像部１２３、及び、撮像部１２３からの出力画像を基に異物の有無を検出する画像分析部（例えば、画像分析部１１２）を備えるプローバ１２とを含む。 （もっと読む）

【課題】温度測定手段を容易に配設して、ダーク信号量を正確に求めて撮像を行うことができる撮像装置を提供することを目的とする。
【解決手段】Ｘ線変換層２３などを保持するベース板４１に温度センサ１０を配設し、Ｘ線変換層２３周辺の温度を複数に測定して、Ｘ線変換層２３周辺の温度に関する面内分布情報を温度センサ１０は得る。したがって、温度センサ１０が設けられた箇所から離れた領域においても温度を正確に求めることができ、ダーク信号量とそのダーク信号量が得られたときのＸ線変換層２３周辺の温度に関する面内分布情報との相関関係、および温度センサ１０で測定されたＸ線変換層２３周辺の温度に関する面内分布情報に基づいて、ダーク信号量算出の機能はダーク信号量を正確に求めることができる。 （もっと読む）

【課題】周辺部から生じる異常による画素劣化及び異常の発生位置を適切に検出する。
【解決手段】放射線検出器６０は、放射線が照射されることにより電荷を発生する光電変換部７２及び光電変換部７２に発生した電荷を読み出すためのＴＦＴを備えた画素部７４がマトリクス状に複数設けられた検出領域８４を有しており、検出領域８４が、放射線画像を示す画像情報を生成する放射線画像領域８４Ａと放射線画像領域の外周部に設けられた状態検出領域８４Ｂとに区画されている。制御部９２により、状態検出領域８４Ｂの画素の情報と予め定めた基準値とを比較して、割れや封止不良などにより放射線検出器６０の周辺部から生じる異常を検出する。 （もっと読む）