【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、高信頼性化す
ることを目的の一とする。
【解決手段】第１の絶縁膜を形成し、第１の絶縁膜に酸素ドープ処理を行って、第１の絶
縁膜に酸素原子を供給し、第１の絶縁膜上に、ソース電極およびドレイン電極、ならびに
、ソース電極およびドレイン電極と電気的に接続する酸化物半導体膜を形成し、酸化物半
導体膜に熱処理を行って、酸化物半導体膜中の水素原子を除去し、水素原子が除去された
酸化物半導体膜上に、第２の絶縁膜を形成し、第２の絶縁膜上の酸化物半導体膜と重畳す
る領域にゲート電極を形成する半導体装置の作製方法である。 （もっと読む）

【課題】貼り合わせプロセス時のウェハの局所的な変形を低減する半導体製造装置及び製造方法を提供すること。
【解決手段】実施の形態によれば、第１及び第２の半導体基板の接合面同士を一点接触させて周囲に接合を進展させて第１及び第２の半導体基板を全面で接合する半導体製造装置である。半導体製造装置は、第１の半導体基板の外周部分を支持するステージと、第２の半導体基板の接合面とステージに支持された第１の半導体基板の接合面とを対向させて、第２の半導体基板を保持する基板支持装置と、接合面同士を対向させた第１及び第２の半導体基板の法線方向の同軸上に、法線方向に移動可能にそれぞれ配置された第１及び第２の圧子と、第１の圧子を第１の半導体基板の接合面と反対側の面と接触させ、その後、第２の圧子で第２の半導体基板の接合面とは反対側の面の一点を予め定められた圧力で加圧して接合開始点を形成するコントローラと、を備える。 （もっと読む）

【課題】光センサ１のフォトダイオード１０の受光強度を精度良く検出する。
【解決手段】光センサ１では、フォトダイオード１０のカソード端子とグランドとの間の電圧が一定電圧Ｖｒｅｆ１に比べて小さいとコンパレータ１２が判定してからフォトダイオード１０のカソード端子とグランドとの間の電圧が一定電圧Ｖｒｅｆ２に比べて小さいとコンパレータ１３が判定するまでの時間差を示す信号として検出信号を出力するＡＮＤ回路１４とを備える。フォトダイオード１０の容量が原因で、フォトダイオード１０のカソード端子とグランドとの間のリセット電圧が変動しても、その変動の影響が上記時間差には加わらない。 （もっと読む）

【課題】後の工程で形成される光電変換層を広く形成することができ、センサの受光面積（開口率）を上げることができる、インテリジェント化された新規な半導体装置を用いた表示装置を提供する。
【解決手段】イメージセンサは、チャネル領域、ソース領域及びドレイン領域を有するトランジスタを有し、トランジスタの上方に絶縁膜を有し、絶縁膜の上方にフォトダイオードを有する。トランジスタはフォトダイオードと重なる位置に設けられている。 （もっと読む）

【課題】光の左右比の検出精度の低下が抑制された光センサ、及び、その製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板（１０）に受光素子（２０）が形成され、受光素子（２０）の形成面（１０ａ）上に、透光膜（３０）を介して遮光膜（４０）が形成され、遮光膜（４０）に透光用の開口部（５０）が形成された光センサであって、仮想直線（ＶＬ）を介して線対称の関係にある一対の受光素子（２１，２２）及び一対の開口部（５１，５２）を有し、形成面（１０ａ）に直交する高さ方向に沿う光を、開口部（５１，５２）を介して受光素子（２１，２２）に照射した際に、一対の受光素子（２１，２２）から出力される出力信号に基づいて、高さ方向に沿う光が開口部（５１，５２）を介して受光素子（２１，２２）に入射した際に出力される一対の受光素子（２１，２２）の出力信号が互いに一致するように、各出力信号を補正する。 （もっと読む）

【課題】ＨＨ間転送、水平転送劣化の抑制と共に水平転送部の飽和低下を克服できる固体撮像装置及びそれを備えたカメラを提供することを目的とする。
【解決手段】行列状に配列された複数の画素部１を備える固体撮像装置及びそれを備えたカメラであって、複数の画素部１の各列に対応して設けられ、複数の画素部１それぞれから読み出した信号電荷を垂直方向へ転送するための垂直転送部２と、並列に配置され、垂直転送部２から受け取った信号電荷を水平方向に転送するための複数の水平転送部と、複数の水平転送部間に設けられ、複数の水平転送部間で信号電荷の転送を行うための振り分け転送部６とを備える。 （もっと読む）

【課題】高集積化に伴う、個々の光電変換部で受光される光量の減少より、光電変換部に対して、その隣の光電変換部に入射すべき光が漏れ込んできたときの混色が大きくなる。
【解決手段】撮像領域の配線層の層数が周辺回路領域の配線層の層数より少ない配線構造と、撮像領域における配線構造の上部に配置された複数のマイクロレンズと、撮像領域における最上の配線層の上部であって、隣接する光電変換部の間に配置された反射部と、を有する固体撮像装置を提供することによって、前記問題を解決する。 （もっと読む）

【課題】局所的な太陽光やスポット光などの強烈光を受光したときに起こるＯＢ画素領域の信号レベル（黒基準信号）のズレを防止する。
【解決手段】ＯＢ画素領域３，４に対応した水平転送部ＨＣＣＤのみを電荷転送することにより、太陽光などの強烈光を受光した際に起こる余剰電荷の溢れ出しによる信号レベルの変動がクリーニングされて無信号化されて電荷検出部５に検出される。即ち、強烈光に影響されない真のＯＢ画素領域信号（黒基準信号）を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】光電変換層に対して位置合わせずれの小さい色フィルタを備えた固体撮像装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１０内に形成され、入射光を電気信号に変換する光電変換層１５と、半導体基板１０の表面に形成され、光電変換層１５から出力された電気信号を処理する回路と、半導体基板１０の裏面に光電変換層１５に対応するように配置された赤、緑、青フィルタ２３Ｒ、２３Ｇ、２３Ｂとを備える。赤フィルタ２３Ｒは、半導体基板１０を通過する光を透過する。半導体基板１０の裏面に対して垂直な断面において、赤フィルタ２３Ｒの下面の長さはその上面の長さより長く、緑フィルタ２３Ｇの下面の長さはその上面の長さより短い。 （もっと読む）

【課題】イメージセンサのカラーフィルターの膜厚のばらつきを低減する。
【解決手段】イメージセンサ構造体は、シリコン基板５１上に配列で形成された複数のイメージセンサと、複数のイメージセンサをダイシングして分離するときに切断される、隣り合うイメージセンサの間のスクライブラインと、から構成される。複数のイメージセンサのそれぞれは、シリコン基板５１上に形成された拡散層５２から構成される複数の光電変換素子と、複数の光電変換素子を囲んで、イメージセンサそれぞれの外周に沿って導体で形成されたガード配線８１と、を備える。そして、スクライブライン部５３に、ガード配線８１と同一のプロセスで同層に形成されたダミー配線８２が形成される。 （もっと読む）

【課題】改良されたカラーマイクロレンズを用いることにより、レンズ自体の色分解性と集光性の適正化を図るとともに、周囲の画素からの光を遮断して、全体として色再現性の良好なカラー固体撮像素子を簡単な製造工程で提供すること。
【解決手段】半導体基板２上に複数の光電変換素子３を平面配置した固体撮像素子画素部の受光面側表面４に、光電変換素子の各々に対応して複数のマイクロレンズ６を設けた固体撮像素子１において、マイクロレンズが所定の分光透過率特性を有する複数色の内の１色の着色透明樹脂からなるカラーマイクロレンズを他の色の着色透明樹脂からなるカラーマイクロレンズと連ねて規則的に繰り返し配列してなり、隣接する異なる色のカラーマイクロレンズが、カラーマイクロレンズの高さより低い遮光性のブラックマトリクスのパターン７により隔てられる。 （もっと読む）

【課題】フォトセンサと、発光素子を有する表示素子と、の組をマトリクス状に複数有する半導体装置であって、高精細化可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】フォトセンサと、発光素子を有する表示素子と、を有し、発光素子を有する表示素子に電気的に接続される電源線と、フォトセンサに電気的に接続される電源線とを共有する半導体装置である。こうして、電源線の幅を狭くすることなく、高精細の半導体装置が得られる。そのため、電源線の電位の安定性を確保しつつ、半導体装置を高精細化することができるため、高精細な半導体装置においても、発光素子を有する表示素子の駆動電圧を安定とし、且つフォトセンサの駆動電圧も安定とすることができる。こうして、高精細化可能であり、且つ、表示品質が高く、被検出物の撮像精度や検出精度の高い半導体装置が得られる。 （もっと読む）

【課題】何れかの行選択用配線が断線している場合にも解像度が高い画像を得ることができる固体撮像装置を提供する。
【解決手段】固体撮像装置１は、受光部１０、信号読出部２０、行選択部３０、列選択部４０、溢れ出し防止部５０および制御部６０を備える。受光部１０では、入射光強度に応じた量の電荷を発生するフォトダイオードと、このフォトダイオードと接続された読出用スイッチと、を各々含むＭ×Ｎ個の画素部Ｐ_１,１〜Ｐ_Ｍ,ＮがＭ行Ｎ列に２次元配列されている。第ｍ行のＮ個の画素部Ｐ_ｍ,１〜Ｐ_ｍ,Ｎそれぞれは、第ｍ行選択用配線Ｌ_Ｖ,ｍにより行選択部３０および溢れ出し防止部５０と接続されている。 （もっと読む）

【課題】複数の基板を有する固体撮像装置の画素から複数の読み出し方式により信号を読み出すと共に、複数の読み出し方式のうち少なくとも１つの読み出し方式により１枚の基板のみを使用して信号を読み出す。
【解決手段】本発明の一態様に係る固体撮像装置は、複数の基板が接続部によって電気的に接続されている固体撮像装置であって、第１〜第ｎ（ｎは２以上の整数）の読み出し方式のそれぞれに対応して信号の読み出しを可能にする回路要素を含む第１〜第ｎの回路セットを有し、複数の基板のうちの１枚の基板のみに配置された回路要素を使用して、光電変換素子による信号の発生から、第１〜第ｎの読出し方式のうち少なくとも１つの読み出し方式による信号の読み出しまでの動作が完了するよう、光電変換素子、読み出し回路、および少なくとも１つの読み出し方式に対応した回路セットが１枚の基板に配置されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体部材同士が強固に接合された半導体装置、電子機器、及び、半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】第２配線層９に接合させる第１配線層２を、第１層間絶縁膜３と、第１層間絶縁膜３内に埋め込まれ、一方の表面が第１層間絶縁膜３の表面と同一面上に位置した第１電極パッド４と、一方の表面が第１層間絶縁膜３の表面と同一面上に位置し、第１電極パッド４の周囲に配設された第１ダミー電極５と、によって構成する。また、第２配線層９は、第１層間絶縁膜３の第１電極パッド４の表面側に位置した第２層間絶縁膜６と、一方の表面が第２層間絶縁膜６の第１層間絶縁膜３側の表面と同一表面上に位置し、かつ第１電極パッド４に接合された第２電極パッド７と、一方の表面が第２層間絶縁膜６の第１層間絶縁膜側３の表面と同一面上に位置し、第２電極パッド７の周囲に配設され、第１ダミー電極５に接合された第２ダミー電極８と、により構成する。 （もっと読む）

【課題】小型でコントラストの高い画像データを取得することができるフォトセンサを提供する。該フォトセンサを用いた半導体装置を提供する。
【解決手段】受光素子と、スイッチング素子であるトランジスタと、トランジスタを介して受光素子と電気的に接続する電荷保持ノードとを有するフォトセンサにおいて、導通状態から非導通状態とするためにトランジスタへ供給する駆動パルスの入力波形の立ち下がり時間を遅延させ、電荷保持ノードが保持する電荷の減少を抑制する。 （もっと読む）

【課題】画像の劣化を抑制する。
【解決手段】半導体基板４０内の表面にフォトダイオード４２を有する画素領域１０と、前記画素領域とその周辺に配置された周辺回路領域２０との間に配置され、前記半導体基板内の表面に前記フォトダイオードと機能が異なる画素を有する非画素領域と、を具備し、前記非画素領域における前記半導体基板内で、かつ前記画素の下方に空洞４１が形成されている。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】化学量論的組成比を超える酸素を含む領域を有する非晶質酸化物半導体層と、該非晶質酸化物半導体層上に設けられた酸化アルミニウム膜とを含んで構成される半導体装置を提供する。該非晶質酸化物半導体層は、脱水又は脱水素化処理を行った結晶性又は非晶質酸化物半導体層に対して、酸素注入処理を行い、その後、酸化アルミニウム膜を設けた状態で４５０℃以下の熱処理を行うことで形成される。 （もっと読む）

【課題】多様な特性を有する画像を同時に撮像する。
【解決手段】撮像装置は、結像レンズを含む撮像光学系であって、入射した光が通過する領域毎に異なる空間周波数特性を持つ撮像光学系と、受光素子を複数有する受光部と、複数の前記受光素子にそれぞれ対応して設けられ、前記結像レンズの射出瞳における予め定められた瞳領域を通過した被写体光を、対応する受光素子にそれぞれ受光させる複数の光学要素と、前記複数の受光素子の撮像信号から、被写体の画像を生成する画像生成部とを備え、前記複数の光学要素のうちの複数の第１光学要素は、前記結像レンズの第１の空間周波数特性を持つ領域および前記射出瞳における第１瞳領域を通過する被写体光を、対応する受光素子へ入射させ、前記複数の光学要素のうちの複数の第２光学要素は、前記結像レンズの第２の空間周波数特性を持つ領域および前記射出瞳における第２瞳領域を通過する被写体光を、対応する受光素子へ入射させる。 （もっと読む）

【課題】結露に起因する画質低下を抑制することが可能な放射線撮像装置および放射線撮像表示システムを提供する。
【解決手段】放射線撮像装置は、光電変換素子を有するセンサー基板１０と、センサー基板上に設けられた非イオン性層２０と、非イオン性層上に設けられると共に、放射線の波長を光電変換素子の感度域の波長に変換する波長変換部材３０とを備える。入射した放射線は、波長変換部材を通過後、光電変換素子１１１Ａにおいて受光され、その受光量に対応する電気信号（画像情報）が得られる。波長変換部材とセンサー基板１０との間に、結露によって水が溜まると、水に含まれるイオン成分と光電変換素子（光電変換素子の電極等）とのカップリングが生じ、暗電流が増加することがあるが、非イオン性層２０が設けられていることにより、そのようなカップリングが抑制され、暗電流が生じにくい。 （もっと読む）