【課題】受光量の変化にともなう温度変化を抑制できる赤外線固体撮像素子及びその駆動方法を提供する。
【解決手段】赤外線固体撮像素子２０は、赤外線を検出する複数の赤外線検出画素２１ａが２次元方向に配列された画素エリア２１と、画素エリア２１から映像信号を読み出して映像信号出力線４１に出力する読み出し回路２２，２３とを有する。読み出し回路２２，２３は、更に所定のタイミングで温度センサ１３の出力を映像信号出力線４１に出力する。 （もっと読む）

【課題】受光部を形作るスリットを設けても犠牲層が残存し、レジストマスクパターンの精度悪化も起こらない参照素子を備え、当該参照素子の遮光効果及び伝熱効果が高く、ドリフト抑制精度が高い熱型赤外線固体撮像素子及びその製造方法の提供。
【解決手段】内部に熱電変換素子を包含する絶縁膜に受光素子を形作るスリットが犠牲層に達するまで開口された参照素子において、受光部及びスリットを覆う導電性材料膜とその上に保護膜が設けられ、導電性材料膜及び保護膜は、スリットの側壁に沿ってスリット内部に入り込みスリット内部に空隙が残存している。これにより、絶縁膜の残留応力が受光素子と参照素子とで揃った状態が保たれ、焦点ズレによるレジストマスクパターン精度悪化は起こらず、入射赤外線に対する遮光効果や熱を効率良く逃がす伝熱効果も向上し、ドリフト抑制精度を高くすることができる。 （もっと読む）

【課題】撮像画像の画像品質を向上させる。
【解決手段】半導体基板１０１の表面と配線層１１１との間に、フォトダイオード２１を透過した透過光を吸収する光吸収層４０１を設ける。 （もっと読む）

【課題】グレーティング技術によりポテンシャルを形成する場合に、ポテンシャルのばらつきを抑制することを目的とする。
【解決手段】
半導体装置の製造方法は、半導体基板上にレジスト層を形成する工程と、グレーティングマスクを用いてレジスト層を露光する工程と、 露光されたレジスト層を現像し、勾配を有するレジストマスクを形成する工程と、レジストマスクを介して、半導体基板にイオンを注入することで不純物領域を形成する工程と、を具備する。イオンを注入する工程において、520keV以上でイオン注入を行う。 （もっと読む）

【課題】固体撮像装置の画質の向上を図る。
【解決手段】本実施形態の固体撮像装置は、半導体基板１０の撮像領域２１内に設けられ、少なくとも１つの光電変換素子３０を含む単位セルと、半導体基板１０の黒基準領域２９内に設けられ、少なくとも１つの光電変換素子４０を含む黒基準セルと、半導体基板１０上の絶縁膜７１を介して単位セルの上方に設けられるレンズ６０と、絶縁膜７１を介して黒基準セルの上方に設けられ、表面に凹凸部６２を有する第１の遮光膜６１と、を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】開口率を高めると共に感度を向上させることができる固体撮像装置を提供する。
【解決手段】固体撮像装置は、行列状に配置された複数の画素を備えた撮像領域が形成された半導体基板１０３と、撮像領域の上に形成された第１の配線層（撮像領域側）１０５ａおよび第２の配線層１０５ｂとを備え、前記撮像領域において、複数フォトダイオードＰＤ、転送トランジスタＴＧ、フローティングディフュージョンＦＤ、リセットトランジスタＲＳ、増幅トランジスタＳＦが形成され、隣接する画素の間を列方向に延伸する行方向配線及び隣接する画素の間を列方向に延伸する列方向配線は、第２配線層１０５ｂにおいて画素の中央部では１本以下である。 （もっと読む）

【課題】経時保存性が良好で、微細な着色パターンを露光マスクのパターンサイズ通りに形成することができ、且つ、赤緑青のカラーフィルタを形成したときに高い解像力を有する固体撮像素子用のカラーフィルタを形成しうる着色感放射性組成物を提供する。
【解決手段】（Ａ）顔料、（Ｂ）下記一般式（１）で表される化合物を共重合成分として含むバインダー、及び（Ｃ）重合性化合物を含有し、前記（Ａ）顔料がＣ．Ｉ．Ｐｉｇｍｅｎｔ Ｇｒｅｅｎ ３６と、Ｃ．Ｉ．Ｐｉｇｍｅｎｔ Ｙｅｌｌｏｗ １８５と、Ｃ．Ｉ．Ｐｉｇｍｅｎｔ Ｙｅｌｌｏｗ １５０とを含む着色感放射線性組成物。
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【課題】複数の受光素子によって単位画素を構成する撮像素子において、２つの画像信号を効率よく読み出せるようにするとともに、読み出し回路を効率良く配置できるようにする。
【解決手段】第１の画像を生成するための第１の受光素子と、第１の画像に対して視差を有する第２の画像を生成するための第２の受光素子とを含む受光素子群と、受光素子群の直上に配置されたマイクロレンズとを単位画素とし、単位画素を二次元に配置した固体撮像素子であって、第１の受光素子からの信号を第１の方向から読み出し、第２の受光素子からの信号を第２の方向から読み出すようにした。 （もっと読む）

【課題】高輝度の光入力または被写体の瞬時の明るさ上昇に対しても、画像形成不能状態を生じない受光装置を提供する。
【解決手段】受光素子アレイ１０と、信号入力部および該信号入力部を経由する信号を受ける本体部を有するマルチプレクサとを備え、受光素子アレイ１０において、受光素子Ｓの間に位置するモニタ受光部Ｍを備え、いずれも、各自ｐｉｎ型フォトダイオードを形成し、モニタ受光部および受光素子の電極は各別に信号入力部に接続され、該信号入力部において、受光素子からの直の信号は、モニタ受光部からの直の信号に基づいてゲイン制御またはオンオフ制御されて、本体部へ出力される。 （もっと読む）

【課題】開口部が数μｍ、アスペクト比が５以上のトレンチ壁面に高濃度の不純物がドーピングされた縦型ｐｎ接合を形成する技術を確立する。
【解決手段】開口部の最小寸法が１０μｍ以下、アスペクト比５以上、かつ壁面の凹凸が０．２μｍ以下のＳｉトレンチ壁面に対し不純物をドープし、さらに、不純物がドープされたトレンチ壁面を、９００℃以上の熱処理でリフローが生じるＳｉＯ₂膜により被覆し、このＳｉＯ₂膜を固体拡散源としたトレンチ壁面にｐｎ接合膜を形成する高アスペクト比のトレンチ構造を有する半導体デバイスの製造方法。前記ドープに先立ち、トレンチ壁面の熱酸化処理を行い、この熱酸化処理によって形成された熱酸化膜を除去する処理によりトレンチ壁面の凹凸を０．１μｍ以下に抑える。 （もっと読む）

【課題】マイクロレンズ基板にスペーサーを形成する工程を簡素化する。
【解決手段】工程Ｐ1および工程Ｐ2では、基板１２のうちスペーサー１６が形成される領域１３Aの周囲に反射パターン１８を形成する。工程Ｐ3では、反射パターン１８が形成された基板１２上にポジ型の感光性材料で感光層５２を形成する。工程Ｐ4では、感光層５２のうちマイクロレンズ１４およびスペーサー１６の各々に対応する領域以外の領域を露光する。工程Ｐ5では、マイクロレンズ１４に対応する第１パターン７２とスペーサー１６に対応する第２パターン７４とを感光層５２の現像により形成する。工程Ｐ6では、第１パターン７２および第２パターン７４の各々の表面を加熱により曲面状に変形させることでマイクロレンズ１４およびスペーサー１６を形成する。 （もっと読む）

【課題】接点注入電流を減らすことによって垂直方向漏洩電流を減らす高フィルファクタ画像アレイを提供することである。
【解決手段】センサが、真性アモルファス・シリコン層と、この真性アモルファス・シリコン層の第１面に結合したｐドープ・シリコン層と、このｐドープ・シリコン層に結合した透明な第１電極と、真性アモルファス層の第２面に結合した少なくとも１つの非金属のバック接点とを包含し、このバック接点が、真性アモルファス・シリコン層の１つの領域から電荷を集め、集めた電荷を検出電子装置に与えるようになっている。 （もっと読む）

【課題】縦型の転送トランジスタを備える固体撮像装置において、飽和電荷量のばらつきが低減され、歩留まりの向上が図られた固体撮像装置を提供する。また、その固体撮像装置を用いた電子機器を提供する。
【解決手段】基板３０と、基板３０に形成され、入射した光の光量に応じた信号電荷を生成、蓄積する光電変換部ＰＤを備える。また、光電変換部ＰＤの深さに応じて基板３０の一方の面側から深さ方向に形成された溝部２９に埋め込まれて形成された縦型の転送ゲート電極２０を備える。そして、縦型の転送ゲート電極２０を備える固体撮像装置において、光電変換部ＰＤに蓄積された信号電荷をオーバーフローさせるオーバーフローパス２７が、転送ゲート電極２０の底部に形成されている。 （もっと読む）

【課題】入射光の入射制限角度を高精度に制御可能な光学センサー及び電子機器等を提供すること。
【解決手段】光学センサーは、受光素子（例えばフォトダイオード３０）と、受光素子の受光領域に対する入射光の入射角度を制限する角度制限フィルター４０と、を含む。入射光の波長をλとし、角度制限フィルターの高さをＲとし、角度制限フィルターの開口の幅をｄとする場合に、ｄ^２／λＲ≧２を満たす。 （もっと読む）

【課題】基板の選択性を広げつつ、電界効果移動度が高くノーマリーオフ駆動する薄膜トランジスタ等を得る。
【解決手段】活性層の成膜工程での成膜室中の雰囲気の全圧に対する酸素分圧をＰo_２depo（％）とし、熱処理工程中の雰囲気の全圧に対する酸素分圧をＰo_２anneal（％）としたときに、熱処理工程時の酸素分圧Ｐo_２anneal（％）が、−２０／３Ｐo_２depo＋４０／３≦Ｐo_２anneal≦−８００／４３Ｐo_２depo＋５９００／４３の関係を満たすように成膜工程と熱処理工程とを行う。 （もっと読む）

【課題】製造コストの低減を図ることができる。
【解決手段】シリコンウェハ３１の上面側の内部にメタルパッド３２が形成され、シリコンウェハ３１の上面にガラスシール材３３が積層され、メタルパッド３２がシリコンウェハ３１の上面に露出するようにシリコンウェハ３１およびガラスシール材３３に加工された開口部にストッパ層３４が形成される。そして、シリコンウェハ３１の下面からストッパ層３４まで開口するように縦孔３５が形成され、縦孔３５の先端部においてストッパ層３４を介してメタルパッド３２に電気的に接続され、シリコンウェハ３１の下面まで延在するようにメタルシード層３７が形成される。本発明は、例えば、固体撮像装置に適用できる。 （もっと読む）

【課題】 ゲート電極の微細化が可能な電界効果型トランジスタを提供する。
【解決手段】 本開示に係る電界効果型トランジスタは、基板１０と、基板１０上に形成され、フィン領域１３と該フィン領域１３の両端にそれぞれ形成されるソース領域１４とドレイン領域１５とを有する半導体層と、フィン領域１３の少なくとも２面の一部と接する凸部１７１を有するゲート電極１７と、を備える。 （もっと読む）

【課題】被検体以外に起因する外部からの不要光の影響を受けることなく、良質の生体画像情報を得ることができると共に、製造歩留まりを向上させることができる低コストの撮像装置を提供する。
【解決手段】２次元配列された複数の集光レンズ３２と、複数の集光レンズ３２のそれぞれに対応して２次元配列された複数の画素ＰＸ（受光素子）とを備えた撮像装置１５０である。複数の集光レンズ３２を、透明基板３１の、複数の画素ＰＸ（受光素子）側と反対側の面上に形成する。透明基板３１の、複数の集光レンズ３２が形成された面上の、集光レンズ領域外に、集光レンズ３２を通過せずに透明基板３１の内部に入射した光を画素ＰＸ（受光素子）に到達させることなく除去するプリズム３３を設ける。 （もっと読む）

【課題】光学デバイス全体の小型化を図れるようにする。
【解決手段】光学デバイスは、第１の表面及び第１の表面とは反対側の第２の表面を有する光学素子２と、光学素子２における第１の表面の上方に配置された光学部材３と、光学素子２における第１の表面の上方に配置され、且つ、光学部材２の横側に配置された基板７とを備えている。光学部材３は、第１の表面と対向する第３の表面及び該第３の表面とは反対側の第４の表面を有し、平面視において、第２の表面の全てが第１の表面よりも内側に位置するか又は第４の表面の全てが第３の表面よりも内側に位置する。 （もっと読む）

【課題】チップサイズ・パッケージを持ち、容易に製造することができる固体イメージセンサである。
【解決手段】受光素子層（２０）の半導体基板（２１）に複数の画素領域に対応して素子形成領域を形成し、それら素子形成領域内に半導体受光素子（ＰＤ）を形成して、透光性絶縁膜（２５ａ）、（２５ｂ）、（２６）で覆う。絶縁膜（２６）上に、複数のマイクロレンズ（４３）を内蔵した光導入用キャビティ（４２）と、それを閉鎖する石英キャップ（５１）を持つ光導入層（４０）を形成する。半導体受光素子（ＰＤ）の出力電気信号は、半導体基板（２１）の埋込配線を介してその底面に取り出し、出力層（１０）またはインターポーザ（１０Ａ）を介して固体イメージセンサの外部に取り出す。 （もっと読む）