【課題】カウンタ信号の配線上に設置されるバッファ及びその配線の配置により画素の峡ピッチ化に対応することを目的とする。さらに隣接コラム間誤差を減少させる固体撮像装置を提供する。
【解決手段】固体撮像装置であって、複数の画素（１１）と、参照電圧を発生する電圧発生部（２６）と、一方向に沿って並んで配置され、複数の画素からそれぞれ出力される電圧を参照電圧とそれぞれ比較する複数の比較器（３６）と、電圧発生部が発生する参照電圧の変化に連動してカウントを行うカウンタ（３４）と、カウンタに直列に接続され、各々はカウンタの出力を順次受ける複数のバッファ回路と、複数の比較器からそれぞれ出力されるトリガ信号に応じてその入力に入力される値を取り込む複数のラッチ回路（８０）と、複数のラッチ回路のそれぞれ入力に共通に接続される共通信号線と、複数のバッファ回路の出力にそれぞれ接続され、カウンタの出力を伝搬させる複数の信号線とを備える。 （もっと読む）

【課題】厚さ寸法の増大を招くことなく、保持部材に対して適切な位置に撮像素子パッケージを固定することのできる撮像素子固定構造を提供する。
【解決手段】撮像素子パッケージ５１と、撮像素子パッケージ５１の一対の素子外側面（５４）と第１間隔Ｃ１で対向する一対の第１中間対向面５６を規定しかつ第２方向への撮像素子パッケージ５１の相対的な第１距離の移動を許容する中間部材５２と、素子外側面と第１中間対向面５６とを掛け渡して接合する第１接着層６７と、中間部材５２の一対の第２中間対向面６１と第２間隔Ｃ２で対向する一対の保持内側面（６３）を規定しかつ第１方向への中間部材５２の相対的な第２距離の移動を許容する保持部材５３と、第２中間対向面６１と保持内側面とを掛け渡して接合する第２接着層６８と、を備え、第１間隔Ｃ１は、第１距離の半分の値よりも小さく設定され、第２間隔Ｃ２は、第２距離の半分の値よりも小さく設定されている。 （もっと読む）

【課題】フォトダイオードを有する半導体イメージセンサーにおいて、より高い光検出効率を実現し、光検出部以外の信号処理を行う画素トランジスタの特性を安定させることで、半導体装置の微細化を可能にする。
【解決手段】フォトダイオードＰＤを構成するＰ^＋領域１２６およびＮ型領域１１１に炭素を共注入して炭素注入層１２８ａ、１２８ｂを形成することで、フォトダイオードＰＤの容量を増大させる。また、炭素注入層１２８ｂの形成によりＮ型領域１１１を含む転送トランジスタＴｒのチャネル内のホウ素の分布を均一化し、転送トランジスタＴｒの特性を安定させることで半導体装置内の素子の特性ばらつきの発生を防ぐ。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体をチャネル形成領域に用いたトランジスタの電気特性のしきい値電圧をプラスにすることができ、所謂ノーマリーオフのスイッチング素子を実現するトランジスタ構造およびその作製方法を提供することを課題とする。
【解決手段】第１の酸化物半導体層上に、電子親和力が第１の酸化物半導体層の電子親和力よりも大きく、またはエネルギーギャップが第１の酸化物半導体層のエネルギーギャップよりも小さい第２の酸化物半導体層を形成し、さらに第２の酸化物半導体層を包むように第２の酸化物半導体層の側面及び上面を覆う第３の酸化物半導体層を形成する。 （もっと読む）

【課題】単純な構成で、波長の大きく異なる複数の帯域の電磁波に対して収差の影響を低減した電磁波素子を提供する。
【解決手段】電磁波素子を、第１の誘電体１中に前記第１の誘電体１とは誘電率の異なる第２の誘電体２を分散させて複合誘電体で構成する。電磁波素子は、所定の第１の波長の電磁波および前記第１の波長よりも長い所定の第２の波長の電磁波に対して略等しい有効誘電率を有し、第２の誘電体２の平均的な粒径および平均的な間隔は、第１の波長よりも小さい。 （もっと読む）

【課題】画素分離部の幅を縮小することや光電変換部の面積の拡大することを可能にする固体撮像装置を提供する。
【解決手段】第１導電型の電荷蓄積領域２３を含む光電変換部及び画素トランジスタＴｒ_１から成る画素３８と、画素３８が複数配列された画素領域と、この画素領域内の隣接する画素３８間の半導体層２２に設けられたトレンチ４２の内壁部に形成された、エピタキシャル成長による第１導電型の半導体層４３と、この第１導電型の半導体層４３の内部に形成され、隣接する画素３８の電荷蓄積領域２３を分離する、画素分離部４１とを含んで、固体撮像装置２１を構成する。 （もっと読む）

【課題】信号遷移速度の低下防止と、クロストーク抑制が両立された固体撮像装置と、その駆動方法を提供する。
【解決手段】入射された光を光電変換して、信号電荷を蓄積させる複数の光電変換部と、前記各光電変換部に蓄積された信号電荷をフローティングディフュージョン領域に読み出す為の転送信号が入力される複数の転送信号線と、複数の転送信号線にそれぞれ所望の信号を入力する駆動回路と、転送信号線の駆動回路が接続される側とは反対側に接続され、転送信号線のうち所望の転送信号線に転送信号が入力されるタイミングよりも前から、所望の転送信号に隣接する転送信号線を一定電圧に固定させるための制御信号が入力される終端回路とを備えた固体撮像装置である。 （もっと読む）

【課題】 小型化、薄型化を実現した半導体装置を提供する。
【解決手段】 本発明の半導体装置は、画素に表示部とセンサ部とを有し、表示部とセンサ部の各々の制御を、同一の走査線駆動回路で行う。第１の期間においては、前記走査線駆動回路は、表示部が有する第１の選択信号線の走査を行い、第２の期間においては、前記走査線駆動回路は、センサ部が有する第２の選択信号線の走査を行う。表示部にビデオ信号を入力するための第１の信号線と、センサ部から、対象物の画像情報を有する信号を出力するための第２の信号線とは、別々に設けられることで、相互の信号へのスイッチングノイズ等の影響を最小限とする。 （もっと読む）

【課題】画素部面内でのスミア比の差が抑制され、出力画像の画質が高い固体撮像素子を提供する。
【解決手段】マイクロレンズ１６と、赤色、緑色、青色の波長を選択するカラーフィルター１７とを有し、カラーフィルター１７透過後の入射光を、屈折率が周辺部よりも大きな材料を用いて画素開口部へ伝搬させる光導波路構造（光導波路１３、・・）を備える。そして、光導波路１３の開口径が、画素中心部から周辺部に行くに従って小さくなっている。具体的には、画素中心部における開口径ｄ_Ｇ１が、外周における開口径ｄ_Ｇ２よりも大きくなっている。なお、Ｒ画素およびＢ画素においても、同様の関係を以って光導波路の開口径が設定されている。 （もっと読む）

【課題】 例えばブルーミングや混色などの発生をさらに抑制することのできる固体撮像装置を提供する。
【解決手段】 本開示の固体撮像装置１００では、キャリア極性が第１の導電型である第１不純物層５を含む光電変換部１１上に、キャリア極性が第２の導電型である第２不純物層６、及び、キャリア極性が第１の導電型である第３不純物層７をこの順で形成する。さらに、第３不純物層７を不純物領域部１６と接続し、かつ、第３不純物層７を覆うようにゲート電極３を形成する。この構成により、光電変換期間中に、光電変換部１１から第２不純物層６を介して第３不純物層７に向かう方向に余剰電子のオーバーフロー経路を形成して光電変換部１１の余剰電子を排出する。 （もっと読む）

【課題】一画素から出力される電荷量が少ない場合でも、特定信号配線の断線を検出することができる、放射線検出器、放射線画像撮影システム、断線検出プログラム、及び断線検出方法を提供する。
【解決手段】画素２０にバイアス電圧を印加して画素２０のセンサ部（フォトダイオード）１０３のリーク電流によるオフセット電荷を蓄積させ、順次、画素２０のＴＦＴスイッチ４のゲートをオンさせて蓄積されているオフセット電荷に応じた電気信号を出力させる。当該電気信号に基づいて、オフセット電荷量の累積値を検出し、制御部１０６は、検出した累積値と断線検出用に予め定められた閾値とを比較し、累積値が閾値未満の場合は信号配線３が断線していることを検出する。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を含み、高速動作が可能なトランジスタ及びその作製方法を提供する。または、該トランジスタを含む信頼性の高い半導体装置及びその作製方法を提供する。
【解決手段】チャネル形成領域と、該チャネル形成領域を挟むように設けられ、チャネル形成領域よりも低抵抗な領域であるソース領域及びドレイン領域と、を含み、チャネル形成領域、ソース領域及びドレイン領域はそれぞれ結晶性領域を含む酸化物半導体層を有する半導体装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】本発明の一つの実施形態の目的は、素子分離特性を向上可能な固体撮像装置および固体撮像装置の製造方法を提供することである。
【解決手段】実施形態によれば、固体撮像装置の製造方法が提供される。固体撮像装置の製造方法は、素子分離領域形成工程と、電荷蓄積領域形成工程とを含む。素子分離領域形成工程では、第１導電型の半導体層をエピタキシャル成長させて光電変換素子間を分離する素子分離領域を形成する。電荷蓄積領域形成工程では、第２導電型の半導体層をエピタキシャル成長させて前記光電変換素子における電荷蓄積領域を形成する。 （もっと読む）

【課題】縞状フレア光の発生を抑制することのできる回折格子レンズおよびそれを用いた撮像用光学系、撮像装置を提供する。
【解決手段】
本発明の回折格子レンズは、ｑ本の輪帯から構成される回折格子を有する回折格子レンズであって、光軸側から数えて１番目、２番目、ｍ-１番目、ｍ番目の輪帯の幅をそれぞれ、Ｐ₁、Ｐ₂、Ｐ_m-1、Ｐ_mとしたとき、３<ｍ≦ｑを満たす少なくとも１つのｍが下記（数３）を満たす。
【数３】
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【課題】撮影によって得られた放射線画像の画像ムラの発生を抑制することのできる放射線検出器、放射線画像撮影装置、放射線画像撮影システムおよび配線容量調整方法を得る。
【解決手段】複数の信号配線３の少なくとも１つに接続された調整素子（コンデンサ５）により、当該複数の信号配線３の各々の配線容量の差が小さくなるように調整する。 （もっと読む）

【課題】パッケージ間の信号伝送路長を直線的に最短経路でかつ等長に配線することが可能となる積層構造を有する半導体装置の提供。
【解決手段】複数の第１の半導体パッケージそれぞれは、電極が配設された少なくとも一つの側面が同一面内に位置しかつ積層方向に隣接する２つの第１の半導体パッケージの一方の下面に配設された電極と他方の上面に配設された対応する電極が互いに接続するように基板上に積層され、第２の半導体パッケージの電極は、積層された複数の第１の半導体パッケージの少なくとも一つの側面に配設された電極が作る配列に対応する配列を有し、第２の半導体パッケージは、その電極が、積層された複数の第１の半導体パッケージの少なくとも一つの側面に配設された対応する電極と互いに接続するように、少なくとも一つの側面と平行に基板上に配置されている半導体装置。 （もっと読む）

【課題】ウェハレベル撮像モジュールに特に適合する固体撮像素子用の透明導電性膜を所定の箇所に配設する固体撮像素子の製造方法、それにより製造された前記透明導電性膜、これを有する固体撮像素子を提供する。
【解決手段】透明導電膜を内部部材表面上に有する固体撮像素子の製造方法であって、導電性金属粒子、導電性金属ナノワイヤ、導電性酸化物粒子、及び導電性ポリマーのいずれか一種を少なくとも含有する透明導電性膜を、前記内部部材に配設する固体撮像素子の製造方法。 （もっと読む）

【課題】各画素の受光部に対応して設けられるレンズ同士の境界部分に遮光部を設けるに際し、遮光部をセルフアラインで形成することができ、レンズと遮光部とのパターン合わせ精度を向上することができ、微細化や画素数の増大に容易に対応することができる固体撮像素子の製造方法を提供する。
【解決手段】本開示の固体撮像素子の製造方法は、半導体基板上の撮像領域に配列される複数の画素の各画素の前記受光部に対応して設けられ、前記受光部に対して光を集光するレンズを形成する工程と、前記レンズ上に、遮光性を有する材料により成膜することで、遮光層を形成する工程と、互いに隣り合う前記レンズの境界部分に前記遮光性を有する材料を残すように前記遮光層をエッチングすることで、前記レンズの境界部分に、前記遮光性を有する材料からなる遮光部を形成する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】 所望の回数の非破壊読み出しを行うことが出来ないフレームレート要求による動画像撮影を防止する放射線撮像装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 入射した放射線を電気信号に変換して放射線画像を取得する放射線検出手段と、前記放射線検出手段で放射線動画像を取得する際のフレームレートの設定要求を取得する取得手段と、前記放射線検出手段による単位フレームごとの非破壊読み出し回数を設定する設定手段と、前記設定要求されたフレームレートにおいて、前記非破壊読み出し回数の読み出しが可能か否かを判定する判定手段と、前記判定手段による判定結果を出力する出力手段と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ダングリングボンドに起因する暗電流を抑制しつつ、光電変換部の損傷に起因する暗電流を抑制できる固体撮像装置を提供する。
【解決手段】固体撮像装置１００は、半導体基板１０と、フォトダイオード１２と、電荷転送部１４と、ゲート絶縁膜２０と、ゲート絶縁膜２０上の前記電荷転送部１４に上方に形成された電荷転送電極２２と、電荷転送電極２２に沿って形成されフォトダイオード１２上方まで拡がる第１シリコン窒化膜３０と、フォトダイオード１２上方以外の領域における第１シリコン窒化膜３０の上面に沿って形成され電荷転送電極２２のを覆う遮光膜４０と、遮光膜４０の上面及び側面に沿って形成されると共に、フォトダイオード１２上方で第１シリコン窒化膜３０に接触している第２シリコン窒化膜５０とを備える。 （もっと読む）