【課題】回路規模を抑えつつ任意画素ごとに加算処理ができ、かつデジタル変換処理期間の短縮を可能にした撮像素子、撮像装置を提供する。
【解決手段】入射光を電荷に変換する光電変換素子を含み、電荷に応じたアナログ信号を生成する単位画素が２次元配置された画素部と、画素部において生成されたアナログ信号を列方向に出力するための列信号線と、列信号線に出力された複数行のアナログ信号を列方向において加算する第１の加算部と、列アンプ回路により増幅されたアナログ信号を列ごとにデジタル信号に変換するＡ／Ｄ変換器と、Ａ／Ｄ変換器により変換されたデジタル信号を行方向に出力するための行信号線と、行信号線に出力された複数列のデジタル信号を行方向において加算する第２の加算部と、任意の行の画素部において生成されたアナログ信号を列信号線に読み出す第１の走査部とを備える。 （もっと読む）

【課題】入射光の反射防止のための微細凹凸構造を画素毎に作り分けるに際し、半導体基板にダメージを与えることなく、低コストで高い信頼性と再現性を得る。
【解決手段】単結晶からなる半導体基板の表面に、半導体基板に対してエッチング選択比を有する保護膜を形成する第１の工程と、保護膜上に、所定のピッチで配置されるドット形状のレジストパターンを形成する第２の工程と、第２の工程により形成されたレジストパターンをマスクとするウェットエッチングにより、保護膜を選択的に除去する第３の工程と、第３の工程により選択的に除去された後に残存する保護膜をマスクとするウェットエッチングにより、半導体基板をエッチング加工することで、半導体基板の表面に所定のピッチで配列される凹凸構造を形成する第４の工程と、第４の工程により凹凸構造を形成した後、半導体基板上に残存する保護膜を除去する第５の工程とを含む固体撮像素子の製造方法。 （もっと読む）

【課題】データ出力部への転送線上の配線遅延による影響を低減でき、データ出力部におけるデータの取り込みを的確かつ高精度に行うことが可能で、ひいては走査の高速化を図ることが可能なデータ転送回路、固体撮像素子、およびカメラシステムを提供する。
【解決手段】基本的に、列走査回路１３は、クロック供給回路２１から供給されるマスタクロックＭＣＫを所定の配線を通してシフトレジスタ１３１を構成するラッチ１３１−０〜１３１−ｎに、たとえば最遠端側のラッチ１３１−０から順番に供給し、データ出力回路１７−０〜１７−ｎは、マスタクロックＭＣＫを基準とするクロックが位相調整された取り込みクロックＳＡＣＫによりセンスアンプ回路１７１−０〜１７１−ｎの出力データを取り込む。 （もっと読む）

【課題】 より信頼性の高い接合界面を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】 半導体装置１を、接合界面Ｓｊ側の表面に形成された第１金属膜１６を有する第１半導体部１０と、接合界面Ｓｊで第１金属膜１６と接合された第２金属膜２６を有する第２半導体部２０と、界面バリア部２８とを備える構成とする。第２金属膜２６の接合界面Ｓｊ側の表面面積は第１金属膜１６の接合界面Ｓｊ側の表面面積より小さくする。そして、第１金属膜１６の接合界面Ｓｊ側の面領域のうち第２金属膜２６と接合しない面領域を含む領域に界面バリア部２８を設ける。 （もっと読む）

【課題】２枚の基板の貼り合わせによって電極間接合がなされた構成において、電極材料の拡散を防止しつつも貼り合わせ強度が確保され、これによって信頼性の向上が図られた三次元構造の半導体装置を提供する。
【解決手段】第１電極３３、および第１電極３３の拡散防止材料で構成され第１電極３３の周囲を覆う第１絶縁膜３５を含むと共に、第１電極３３と第１絶縁膜３５とで貼合せ面４１が構成された第１基板２と、第１基板２に貼り合わせて設けられ、第１電極３３に接合された第２電極６７、および第２電極６７の拡散防止材料で構成され第２電極６７の周囲を覆う第２絶縁膜６９を含むと共に、第２電極６７と第２絶縁膜６９とで第１基板２に対する貼合せ面７１が構成された第２基板７とを備えた。 （もっと読む）

【課題】 薄くて、耐熱性および分光特性に優れた近赤外線カットフィルターを提供する。
【解決手段】 ポリイミド樹脂フィルムと誘電体多層膜からなる近赤外線反射膜を有し、かつ、前記ポリイミド樹脂フィルムの厚みが、８０μｍ以下である、近赤外線カットフィルター。 （もっと読む）

【課題】固体ＣＭＯＳイメージセンサに関し、更に具体的には、１つのピクセルに２つの
ロウラインのみを有し、光を感知するためのピンフォトダイオード、及び１つ又は２つの
カラムラインを有するＣＭＯＳイメージセンサピクセル並びにそのアレイに関する。
【解決手段】ピクセルは、アドレッシングトランジスタを有さず、感知トランジスタとリ
セットトランジスタは、何れもｐチャネル型ＭＯＳトランジスタである。結果的に、この
ような構造は、極めて低いノイズ動作をもたらす。そして、この新たなピクセル構造は、
標準ＣＤＳ信号処理動作を許容し、ピクセル−ピクセルの不均一性を減少させて、ｋＴＣ
リセットノイズを最小化する。ピクセルは、高感度、高い変換利得、高い応答均一性及び
低ノイズを有し、これは効率的な３Ｔピクセルレイアウトによって可能になる。 （もっと読む）

【課題】固体撮像素子に設けるマイクロレンズを、隣接するマイクロレンズとのギャップを狭くして高い集光性能を与えるとともに、各マイクロレンズの形状が均一になるように形成する製造方法を提供すること。
【解決手段】固体撮像素子１０におけるマイクロレンズ７の製造方法であって、マイクロレンズを構成する第一の層８１を設けた後に、マイクロレンズを構成する第二の層８５を、第一の層とは異なる形状で第一の層に積層して設け、その後両層を熱処理して一体化することにより、所望の形状のマイクロレンズを形成する工程を含み、第一の層の形状が、各画素の中央から画素境界に向かう放射状パターンを含み、第二の層の形状が、多角形状の各画素の形状に近く、画素境界を越えない凸図形パターンである。 （もっと読む）

【課題】フレアやゴーストの発生を抑制する。
【解決手段】固体撮像装置は、開口部を有する基板と、基板の開口部の周囲の下面にフリップチップ実装され、基板の上面に配設されるレンズにより取り込まれ、開口部から入射される光を受光し、光電変換する固体撮像素子とを備え、基板の開口部の周囲の厚さは、基板の他の部分の厚さより薄く形成されている。本技術は、例えば、カメラ付き携帯電話機に搭載されるカメラモジュールに適用することができる。 （もっと読む）

【課題】微小な傾斜構造体を製造する。
【解決手段】基板の上方に犠牲膜を形成する工程（ａ）と、犠牲膜の上方に第１の膜を形成する工程（ｂ）と、第２の膜であって、基板に接続された第１の部分と、第１の膜に接続された第２の部分と、上記第１の部分及び上記第２の部分の間に位置する第３の部分と、を含む第２の膜を形成する工程（ｃ）と、犠牲膜を除去する工程（ｄ）と、工程（ｄ）の後に第２の膜の上記第３の部分を曲げて、第１の膜を基板に対して傾斜させる工程（ｅ）と、を含む。 （もっと読む）

【課題】光照射時のＴＦＴ特性を安定化する。
【解決手段】ゲート電極１４上に配置されたゲート絶縁層１６上に、第一の酸化物半導体膜２４を成膜する第一工程と、第一の酸化物半導体膜２４とカチオン組成が異なり、且つ第一の酸化物半導体膜２４より低い電気伝導度を有する第二の酸化物半導体膜２６を成膜する第二工程と、酸化性雰囲気の下３００℃超で熱処理する第三工程と、第一の酸化物半導体膜２４とカチオン組成が異なり、且つ第一の酸化物半導体膜２４より低い電気伝導度を有する第三の酸化物半導体膜２８を成膜する第四工程と、酸化性雰囲気の下３００℃超で熱処理する第五工程と、第三の酸化物半導体膜２８上に、ソース電極２０及びドレイン電極２２を形成する電極形成工程と、を有している。 （もっと読む）

【課題】十分な感度を有し、かつ低いコストで実現することが可能な構成の光電変換素子を提供する。
【解決手段】チオインジゴ誘導体を含んで成る光電変換層１２を有する、光電変換素子１０を構成する。 （もっと読む）

【課題】装置の信頼性や、製品の歩留まりなどを向上させる。
【解決手段】第１の開口と第２の開口との内部に金属材料を埋め込んで第１プラグと第２プラグとを設けると共に、第１プラグと第２プラグとの間を接続する接続配線を設けることで、接続導電層を形成する。そして、接続導電層において接続配線の上面を被覆するようにパッシベーション膜を形成する。このパッシベーション膜の形成工程では、高密度プラズマＣＶＤ法などのように埋め込み性に優れた成膜法で、ＳｉＯ_２などの絶縁膜を成膜することによって、パッシベーション膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】ブルーミング特性の向上が可能は固体撮像素子を提供する。
【解決手段】半導体基体表面に形成されているフォトダイオード１４と、平面型及び縦型のゲート電極１６とフローティングディフュージョン１８を備える固体撮像素子３０を構成する。そして、縦型ゲート電極１６Ｂは、電荷蓄積時にゲート電極１６に電圧を印加した際に、実効ゲート幅Ｗ_ｅｆｆ方向で縦型ゲート電極１６Ｂを挟んだ両側の平面ゲート電極１６Ａ下の領域で、ポテンシャルの高さに差が発生する位置に形成されている。 （もっと読む）

【課題】一部のゲートのみを順次スキャンして光電変換素子の信号を読み出した後に残りのゲートのスキャン動作を短時間で行っても、オフセットレベルの差がない画像を得る。
【解決手段】Ｘ線平面検出器は、光電変換素子とスイッチング素子と含む画素を正方格子に配列したＴＦＴアレーと、正方格子の行のそれぞれに対して設けられてスイッチング素子に接続されたゲート線３１と、ゲート線３１に接続されてスイッチング素子をスイッチするパルス状の制御信号を出力するゲート制御回路３７とを有する。ゲート制御回路３７は、全画素領域２９のうち有効画素領域２０内の画素に接続された複数のゲート線３１にＴＦＴをＯＮ状態にするパルス状信号を順次出力するスキャン動作と、無効画素領域２１内の画素に接続された複数のゲート線３１に複数のパルス状信号を順次出力するリフレッシュ動作とを行う。 （もっと読む）

【課題】 駆動回路をＴＦＴプロセスで基板上に一体形成した検出装置において、駆動配線の電位変動に起因するＳ／Ｎ比の低下を抑制する。
【解決手段】 検出装置は、開始信号に応じてクロック信号に含まれる電圧に基づく画素１１０のスイッチ素子１１２の導通電圧を駆動配線１６０に供給する第１回路と、終了信号に応じてスイッチ素子１１２の非導通電圧を駆動配線１６０に供給する第２回路と、を含む単位回路１２１が、複数の駆動配線１６０の夫々に対をなして複数配置された駆動回路部１２０と、クロック信号を駆動回路部１２０に供給する制御部１５０と、を含み、制御部１５０は制御電圧を複数の単位回路１２１に供給し、単位回路１２１は制御電圧に応じて駆動配線１６０への非導通電圧の供給を維持する第３回路を更に含む。 （もっと読む）

【課題】読み出し部の構造の複雑化を抑制しながら、読み出し電圧の低減や読み出し時間の短縮を実現する撮像素子を提供する。
【解決手段】アレイ状に配置される各受光センサ部１０１が、読み出し用電極１０３側が長く、対向する側が短い非対称形状を有し、前記アレイ状の配置において、各行は、互いに同一の方向を向く前記受光センサ部１０１により構成され、前記受光センサ部１０１の向きが互いに逆の２種類の行が垂直方向に交互に配置される。 （もっと読む）

【課題】２波長赤外線イメージセンサにおいて、同じ画素ピッチにおける画素面積を広くする。
【解決手段】共通コンタクト層の一方の面に積層形成された第１の赤外光吸収層及び第１のコンタクト層と、前記共通コンタクト層の他方の面に積層形成された第２の赤外光吸収層及び第２のコンタクト層と、前記第２の赤外光吸収層及び前記第２のコンタクト層を分離する上側画素分離溝と、前記共通コンタクト層を介し、前記上側画素分離溝に対応する位置に形成された前記第１の赤外光吸収層及び前記第１のコンタクト層を分離する下側画素分離溝と、前記上側画素分離溝及び前記下側画素分離溝により分離された各々の画素ごとに、前記第２のコンタクト層、前記第２の赤外光吸収層、前記共通コンタクト層、前記第１の赤外光吸収層を除去することにより形成されたコンタクト穴と、を有することを特徴とする赤外線検知器により上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】光電変換効率が高く、光電流／暗電流のＳ／Ｎ比の良好であり、且つ、応答速度の速い光電変換素子を提供する
【解決手段】一対の電極（２０，４０）と、一対の電極（２０，４０）に挟持された少なくとも光電変換層３２を含む受光層３０を有する光電変換素子１は、受光層３０の少なくとも一部の層が、フラーレン又はフラーレン誘導体を主成分とする複数の粒子又は該複数の粒子が成形されてなる成形体であり、複数の粒子のＤ５０％で表される平均粒径が５０μm〜３００μmであるの光電変換素子用蒸着材料を用いて蒸着されたフラーレン又はフラーレン誘導体を含むものである。 （もっと読む）

【課題】複数枚のチップを接続して構成される固体撮像装置において、接続部を複数の画素で共有した場合でも、グローバル露光方式の画像を取得することができる固体撮像装置、固体撮像装置の制御方法、および撮像装置を提供する。
【解決手段】画素を構成する回路要素が配置された第１の基板と第２の基板とが接続部によって電気的に接続されている固体撮像装置であって、当該固体撮像装置が有する画素は複数あり、それぞれの画素は１以上のグループのいずれかに分類されており、複数の画素で１つの接続部を共有しており、画素は、第１の基板に配置された光電変換素子と、光電変換素子で発生した信号を第１の蓄積部に転送する第１の転送部と、第１の蓄積部に蓄積された信号を、同一グループに含まれる複数の画素で共有される第２の蓄積部に転送する第２の転送部と、第２の基板に配置され、第２の蓄積部に蓄積された信号を、画素から出力する出力部と、を備える。 （もっと読む）