【課題】基板間の接合性を改善してボイドの発生を抑制することにより、信頼性の向上が図られた３次元構造の半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置１を、第１電極３３および第１絶縁膜３５を含むと共に、これらの第１電極３３および第１絶縁膜３５を露出させた貼合せ面４１を有する第１基板２と、第１電極３３に電気的に接続された第２電極６７および第２絶縁膜６９を含むと共に、これらの第２電極６７および第２絶縁膜６９を露出させた貼合せ面７１を有し、第１基板２に貼り合わされて設けられた第２基板７と、各基板の貼合せ面４１，７１の間に狭持された絶縁性薄膜１２とを備えた構成とする。 （もっと読む）

【課題】回路基板への撮像素子の実装面積を低減して小型化を図るとともに、低背化しても撮像素子の外力に対する強度を確保できる。また、発熱による影響を受けにくく、ノイズに強い固体撮像装置及びカメラモジュールを提供する。
【解決手段】固体撮像装置１００は、受光領域１１の外側に外部接続用のパッドが配置されたボンディングパッド領域１３を有する撮像素子１５と、少なくとも撮像素子１５の受光領域１１とボンディングパッド領域１３との間に配置され、ボンディングパッド領域１３に対応するパッドが配置された第１のパッド領域１７を有する配線部材と、を備える。撮像素子１５のボンディングパッド領域１３と配線部材１９の第１のパッド領域における対応するパッド同士をワイヤーボンディング接続した。 （もっと読む）

【課題】焦点検出の精度、画質などを損なわずに、低コストで自由度の高い撮像素子を提供することができるようにする。
【解決手段】フォトダイオードおよび画素内トランジスタを含んで構成される画素であって、金属製の遮光膜を有する複数の第１の画素と、フォトダイオードおよび画素内トランジスタを含んで構成される画素であって、前記遮光膜を有しない複数の第２の画素とを備え、前記第１の画素および前記第２の画素に含まれるフォトダイオードの周囲が金属製の枠により覆われている。 （もっと読む）

【課題】大容量なメモリ用シフトレジスタを提供する。
【解決手段】メモリ用シフトレジスタは、基板１０１と、基板１０１上に形成され、基板１０１の主面に垂直な軸Ｌの周りを回転する螺旋形状を有するチャネル層１１１とを備える。さらに、メモリ用シフトレジスタは、基板１０１上に形成され、軸Ｌに平行な方向に延びており、チャネル層１１１内の電荷を転送するために使用される３本以上の制御電極１１２１，１１２２，１１２３を備える。 （もっと読む）

【課題】端部（胸壁側）においても解像度の高い画像を撮影できる放射線検出素子等を提供する。
【解決手段】平面視したとき長方形の放射線検出素子１０にマトリックス配置された複数の画素２０各々の形状を、胸壁側に平行する方向において長く、それと交差する方向である奥行き方向において短い画素形状（長方形）とする。また、放射線検出素子１０の一方の長辺側にスキャン信号制御部、信号増幅部等の外部回路を設けず、その長辺側が被検者の胸壁側となるように構成することで、胸壁側での撮像欠損をなくすとともに、奥行き方向の分解能を向上させる。 （もっと読む）

【課題】より汎用性のあるピクセルアクセス性能を有するイメージングデバイスを提供する。
【解決手段】イメージセンサは、構成可能な相互接続回路を介してアナログ回路へと結合されたイメージセンサピクセルを含む。アナログ回路は、多数のアナログ回路ブロックを含み、関連付けられたイメージセンサピクセルを制御し、そこからの信号を読み出す。構成可能な相互接続回路は、アナログ回路ブロックと、イメージセンサピクセルのうちの特定のグループとの間の接続を再度確立するために制御される。デジタル回路は、アナログ回路へと結合される。デジタル回路は少数のアナログ回路ブロックによって制御される有意に多くのイメージピクセルが存在し、同様に、少数のアナログ回路ブロックは、さらに少数のデジタル回路ブロックによって制御される。イメージセンサピクセルアレイ、構成可能な相互接続回路、アナログ回路およびデジタル回路は、垂直に積層される。 （もっと読む）

【課題】被写体の動きを容易に検知することができる固体撮像装置を提供する。
【解決手段】第１の画素１３ａ、第２の画素１３ｂ、および単位セルの出力回路１７を有する。第１の画素１３ａは、第１の信号電荷を発生させる第１のフォトダイオード１１ａ、および第１のフォトダイオード１１ａ上に形成された第１のマイクロレンズ１２ａを有する。第２の画素１３ｂは、第２の信号電荷を発生させる第２のフォトダイオード１１ｂ、および第２のフォトダイオード１１ｂ上に形成された、第１のマイクロレンズ１２ａより小さい第２のマイクロレンズ１２ｂを有する。第２の画素１３ｂは、第１の画素１３ａに対して１／ｎ倍の感度と、ｎ倍の光電変換期間とを有する。単位セルの出力回路１７は、第１の信号電荷の電荷量に基づく第１の検出信号と、第２の信号電荷の電荷量に基づく第２の検出信号との差分信号を出力する。 （もっと読む）

【課題】黒レベルの基準値の検出をより正確に行うことができるようにする。
【解決手段】本開示の撮像素子は、有効画素領域の画素値の黒レベルの基準値を検出するための領域であり、半導体基板外部からの光が遮光膜により遮光されるオプティカルブラック画素領域に、前記オプティカルブラック画素領域の前記半導体基板内部に存在する電荷を、前記オプティカルブラック画素領域の外部に伝送する伝送路領域を備える。本開示は撮像素子、撮像装置、並びに、製造装置および方法に適用することができる。 （もっと読む）

【課題】イメージセンサの画質を改善する
【解決手段】本実施形態の固体撮像装置は、半導体基板１１０の画素アレイ１２０内に設けられた単位セル形成領域ＵＡと、単位セル形成領域ＵＡ内に設けられ、被写体からの光信号に基づいた信号電荷を生成する画素１Ａと、単位セル形成領域ＵＡ内に設けられ、画素１Ａからフローティングディフュージョン６に転送された信号電荷に対応した電位を増幅するアンプトランジスタ５と、を含む。アンプトランジスタ５のゲート電極５０は、半導体基板１１０の溝内にゲート絶縁膜を介して埋め込まれた第１の埋め込み部１５１を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】より良好な画素信号を得る。
【解決手段】固体撮像素子は、入射する光を電荷に変換する光電変換素子、および、光電変換素子により光電変換された電荷を一時的に保持する電荷保持部が形成された半導体基板と、少なくとも半導体基板の光電変換素子および電荷保持部の間の領域に延在するように埋め込まれる埋め込み部を有する遮光部とを備える。さらに、遮光部は、光電変換素子に光が入射する側である半導体基板の裏面側において、少なくとも電荷保持部を覆うように配置される蓋部をさらに有する。本技術は、例えば、裏面照射型のCMOSセンサに適用できる。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、高信頼性化する。信頼性の高い半導体装置を歩留まり良く作製する。
【解決手段】酸化物半導体膜を有するトップゲート構造のスタガ型トランジスタにおいて、酸化物半導体膜と接する第１のゲート絶縁膜を、プラズマＣＶＤ法によりフッ化珪素及び酸素を含む成膜ガスを用いた酸化シリコン膜で形成し、該第１のゲート絶縁膜上に積層する第２のゲート絶縁膜を、プラズマＣＶＤ法により水素化珪素及び酸素を含む成膜ガスを用いた酸化シリコン膜で形成する。 （もっと読む）

【課題】分割出力されたセンサ信号の合成を行う際の処理を容易とするイメージセンサユニットを提供する。
【解決手段】光電変換部ＰＤからのセンサ信号をシフトレジスタＳＲにより２以上に分割して転送する光電変換素子１３を複数個備え、それらの光電変換素子１３_ｋからのセンサ信号を２以上のチャンネルで出力すると共に、光電変換素子１３_ｋより出力される転送終了の制御信号Ｓを分割された２回目以降のセンサ信号の転送開始の制御信号とするイメージセンサユニット４であって、光電変換素子１３_ｋを最大数備えたチャンネルにおける終端に位置する光電変換素子１３_ｋより出力される転送終了の制御信号Ｓを、光電変換素子１３_ｋの全てに入力する。 （もっと読む）

【課題】犠牲膜をエッチングして形成された空隙を備えるセンサーにおいて、犠牲膜のみをエッチングして空隙を形成する方法を提供する。
【解決手段】基板２上に絶縁膜１４を形成する絶縁膜形成工程と、絶縁膜１４に凹部１５を形成する凹部形成工程と、凹部１５に酸化シリコンからなる犠牲膜を形成する犠牲膜形成工程と、犠牲膜上に支持部２３を形成する支持部形成工程と、支持部２３上に赤外線検出部４を形成する検出部形成工程と、エッチング液を用いて犠牲膜をエッチングして空隙１６を形成するエッチング工程と、を有し、絶縁膜はエッチング液に対して耐食性を有する。 （もっと読む）

【課題】電源のオン／オフ時に過大な電圧が外部へ出力されることを防止することのできる固体撮像装置およびその駆動方法を提供する。
【解決手段】実施形態の固体撮像装置は、キャパシタ１が、ＣＣＤから出力された信号の交流成分を通過させて、アンプ２へ入力し、クランプパルスにより導通が制御されるクランプゲート３が、導通時に、アンプ２の動作基準点となる直流基準電圧ＶＲＥＦをアンプ２へ出力する。この固体撮像装置は、クランプゲート３へ、ＣＣＤの有効信号出力期間は、第１の直流基準電圧が入力され、電源電圧の立ち上り期間および／または立ち下り期間は、第２の直流基準電圧が入力される。 （もっと読む）

【課題】感度を向上させつつ混色を抑制するために有利な技術を提供する。
【解決手段】固体撮像装置は、複数の画素を含み、前記複数の画素は、第１種類の画素および第２種類の画素を含み、前記第１種類の画素は、第１カラーフィルタと、半導体層に形成された第１光電変換部と、前記第１カラーフィルタを透過して前記第１光電変換部に入射し前記第１光電変換部を透過した光を前記第１光電変換部に向けて反射する第１反射領域とを含み、前記第２種類の画素は、第２カラーフィルタと、前記半導体層に形成された第２光電変換部と、前記第２カラーフィルタを透過して前記第２光電変換部に入射し前記第２光電変換部を透過した光を前記第２光電変換部に向けて反射する第２反射領域とを含み、前記第１カラーフィルタの透過率が最大となる波長は、前記第２カラーフィルタの透過率が最大となる波長より短く、前記第１反射領域の面積は、前記第２反射領域の面積より小さい。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の性能向上を図ることができる技術を提供する。
【解決手段】層間絶縁膜を形成した後、マイクロ波アニールを実施する。このマイクロ波アニールによれば、シリコン結晶に共鳴吸収される周波数（５．８ＧＨｚ）のマイクロ波を使用することにより、シリコン結晶の格子振動を直接誘起するため、例えば、４００℃以下という低温においても、半導体基板の内部に形成されている結晶欠陥を回復させることができる。 （もっと読む）

【課題】画素密度が低くコストが低い撮像素子を用い、解像度の高い画像を得る撮像装置を提供する。
【解決手段】被写体５を撮像する撮像素子２１と、撮像素子２１の受光面に形成される遮光膜２６と、撮像素子２１を１画素より小さい単位ずつをずらした複数の撮像位置に段階的に移動させる駆動部３と、撮像素子２１の撮像によって得られる撮像情報を取得する記憶部７と、撮像位置ごとに算出した撮像情報の違いに基づき、被写体５の画素情報を１画素より小さい単位で算出する制御部４と、算出された画素情報を被写体の位置と対応付けて画像情報として記憶する記憶部７と、を備えた。 （もっと読む）

【課題】有機材料を含む受光層を有する光電変換素子において、受光層の材料の選択幅を狭めることなく、光電変換素子の耐熱性を向上させること。
【解決手段】絶縁層１０２上に複数の画素電極１０４を形成する第一の工程と、複数の画素電極１０４の上に有機材料を含む受光層１０７を形成する第二の工程と、受光層１０７上に対向電極１０８を形成する第三の工程とを備え、第一の工程は、絶縁層１０２上に画素電極材料を成膜する工程と、成膜した前記画素電極材料の膜をパターニングする工程と、前記パターニング後の前記基板を２７０℃以上で加熱する工程とで構成される。 （もっと読む）

【課題】カメラモジュールのさらなる低背化を可能にする技術を提供する。
【解決手段】半導体素子１２０が搭載された第１の素子搭載用基板１１０にはんだボール２７０を介してレンズ２９０およびチップ部品２２０が搭載された第２の素子搭載用基板２１０が積層されている。第２の素子搭載用基板２１０に、半導体素子１２０の設置領域に対応して開口部３００が設けられている。開口部３００に透明部材３１０が嵌め込まれており、透明部材３１０の外周は、開口部３００に露出する第２の素子搭載用基板２１０の内壁に接着剤３２０により固着されている。 （もっと読む）

【課題】フィルファクターの低下なしで、ピクセル縮小が可能なイメージセンサ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】イメージセンサのピクセルは、ピクセル内に互いに電気的に接続が必要なポリシリコン４０２と活性領域４０１を有するイメージセンサにおいて、前記ポリシリコン膜が、前記活性領域の上部に一部が重なるように拡張され、前記ポリシリコン膜が、前記活性領域と埋没コンタクト４０３されるようにする。 （もっと読む）