【課題】 各画素が複数の光電変換部を有し、各画素からの信号を複数の読み出し系を介して読み出す撮像素子において、画素単位の加算読み出し及び光電変換部毎の独立読み出しを適切に行うこと。
【解決手段】 複数の光電変換部（２０１）と、複数の変換手段（２０２）とをそれぞれ含む単位画素が、行列状に配列された画素領域（２０）と、各列に配列された複数の単位画素それぞれに含まれる複数の変換手段の１つに共通に接続される信号線（ＶＬ、ＶＲ）を複数含み、複数の変換手段から出力された電圧信号を、複数の信号線を介してそれぞれ独立に第１の方向に転送する第１の読み出し手段と、当該電圧信号を、第２の方向に転送する複数の第２の読み出し手段とを有し、複数の信号線を、各列毎に、複数の第２の読み出し手段のいずれか１つに接続したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】従来の縦筋状のムラの補正処理では、補正と同時にランダムノイズを画像信号に足してしまい、ランダムノイズの増加の弊害を招く。
【解決手段】撮像装置は、縦筋状のムラの補正処理に用いる遮光状態での光電変換動作で生じた信号の読み出し動作において、少なくとも撮像素子の画素信号の転送手段の信号転送速度と画素信号処理の信号処理ゲインを変更するランダムノイズが低減するように変更する。 （もっと読む）

【課題】ゲート電極の不純物濃度を好適に制御する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】第２トランジスタ１７０のゲート電極１７１を半導体基板１に対するマスクとして半導体基板１へイオン注入を行うことにより、第２トランジスタのドレイン１７５を形成するとともに、第２トランジスタ１７０のゲート電極１７１へイオン注入を行う。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いたボトムゲート型のトランジスタにおいて、高いゲート電圧がゲート電極層に印加される場合、ドレイン電極層の端部近傍（及びソース電極層の端部近傍）に生じる恐れのある電界集中を緩和し、スイッチング特性の劣化を抑え、信頼性が向上された構造を提供する。
【解決手段】チャネル形成領域上に重なる絶縁層の断面形状を、テーパ形状とし、チャネル形成領域上に重なる絶縁層の膜厚は、０．３μｍ以下、好ましくは５ｎｍ以上０．１μｍ以下とする。チャネル形成領域上に重なる絶縁層の断面形状の下端部のテーパ角θを６０°以下、好ましくは４５°以下、さらに好ましくは３０°以下とする。 （もっと読む）

【課題】高画質化を図ることができる固体撮像装置、固体撮像素子及び固体撮像素子の製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態に係る固体撮像装置は、複数の画素が形成された上面が窪むように湾曲したセンサ基板と、前記上面側に設けられた結像レンズと、を備える。 （もっと読む）

【課題】半導体基板の複数の異なる領域に異なる条件でイオンを注入するために必要な工程を低減する技術を提供する。
【解決手段】形成工程で形成されるレジストパターンＲＰは、半導体基板１０１を第１方向から見た場合に、隣接する蓄積領域の間に位置する分離領域を開口から露出し、半導体基板を第１方向とは異なる方向から見た場合に、１つ以上のＭＯＳトランジスタのチャネル領域を開口から露出するとともに、分離領域を遮蔽部ＳＤにより遮る。注入工程では、第１方向に沿って照射されたイオンが分離領域に注入され、異なる方向に沿って照射されたイオンが１つ以上のＭＯＳトランジスタのチャネル領域に注入される。 （もっと読む）

【課題】ランプ信号の生成に容量帰還型アンプを用いても、良好なＡＤ変換精度でＡＤ変換を行うことができる固体撮像装置を提供することを課題とする。
【解決手段】２次元状に配列された複数の画素と、列毎に配置され画素からの信号を増幅する増幅回路と、ランプ信号を生成する参照信号発生回路と、ランプ信号及び増幅回路からの出力を用いて、画素からの信号をＡＤ変換するＡＤ変換回路とを備え、増幅回路が有する容量帰還型アンプ及び参照信号発生回路が有する容量帰還型アンプにて同じ構造の帰還容量を用い、かつ帰還容量と増幅器との接続関係を同じにするようにして、増幅回路及び参照信号発生回路のそれぞれの帰還容量のキャパシタンスの電圧依存性を等しくし、ＡＤ変換精度を向上させる。 （もっと読む）

【課題】 良好な性能を有する光電変換装置を提供する
【解決手段】 光電変換部１１０を覆うとともに、転送ゲート１２０の転送ゲート電極１２１の光電変換部１１０側の側面に沿って延在して転送ゲート電極１２１の上面１２１０を覆う第１保護膜２２０を備え、第１保護膜２２０と光電変換部１１０との間に、第１保護膜２２０の屈折率及び光電変換部１１０の屈折率よりも低い屈折率を有し、第１保護膜２２０と界面を成す第１領域１１が設けられ、第１保護膜２２０と転送ゲート電極１２１の上面１２１０との間に、転送ゲート電極１２１の屈折率及び第１保護膜２２０の屈折率よりも低い屈折率を有し、第１保護膜２２０と界面を成す第２領域２２が設けられており、第１領域１１の光学膜厚をＴ_１、第２領域２２の光学膜厚をＴ_２、光電変換部１１０へ入射する光の波長をλとして、Ｔ_１＜Ｔ_２＜λ／２−Ｔ_１を満たす。 （もっと読む）

【課題】 撮像性能の向上に適した撮像素子の新たな構造を提供する。
【解決手段】 撮像素子は、第１チップ、および第２チップを備える。この第１チップには、受光画素、および貫通配線とが形成される。複数の受光画素は、受光面に配列され、入射光に応じた電気信号を生成する。貫通配線は、受光画素の電気信号を受光面の反対面へ伝達する。一方、第２チップには、読み出し回路が形成される。読み出し回路は、貫通配線を介して電気信号を読み出して画像信号として出力する。この撮像素子は、上記の第１チップの反対面と、上記の第２チップの読み出し回路とが対向する向きに配置され、貫通配線と読み出し回路との端子間が電気的に接合される。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い半導体装置を提供する。半導体装置を歩留まりよく作製し、高生産化を達成する。
【解決手段】ゲート電極層、ゲート絶縁膜、インジウムを含む酸化物半導体膜、ゲート電極層と重畳する酸化物半導体膜上に接する絶縁層が順に積層され、酸化物半導体膜及び絶縁層に接するソース電極層及びドレイン電極層が設けられたトランジスタを有する半導体装置において、絶縁層表面における塩素濃度を１×１０^１９／ｃｍ^３以下とし、かつインジウム濃度を２×１０^１９／ｃｍ^３以下とする。 （もっと読む）

【課題】 より一層、製品の歩留まりを向上させることのできる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 本開示の半導体装置の製造方法では、まず、第１半導体部及び第２半導体部を貼り合わせた半導体部材の一方の面上に形成された絶縁膜３０上に、所定の薬液で処理された際に該所定の薬液が絶縁膜に浸透しないような耐性を有するストッパー膜３１を形成する。次いで、半導体部材のストッパー膜３１側に、第１半導体部及び第２半導体部を電気的に接続するためのＣｕ配線接合部３４を形成する。次いで、Ｃｕ配線接合部３４上にＣｕ拡散防止膜３４を形成する。次いで、Ｃｕ配線接合部３４の形成領域以外の領域のＣｕ拡散防止膜３３を除去して該領域に存在する不要なＣｕ部２１０，２１１を露出させる。そして、所定の薬液を用いて、不要なＣｕ部２１０，２１１を除去する。 （もっと読む）

【課題】撮影状況や製造課題に対応した積層型の固体撮像装置を提供する。
【解決手段】第１のリセットトランジスタを備えた第１の画素と、第２のリセットトランジスタを備えた第２の画素とが形成された半導体基板と、前記半導体基板の上に形成された配線層と、前記配線層の上に形成され、前記第１のリセットトランジスタのソースに電気的に接続された第１の下部電極と、前記配線層の上に形成され、前記第２のリセットトランジスタのソースに電気的に接続された第２の下部電極と、前記第１の下部電極および前記第２の下部電極の上に形成された光電変換膜と、前記光電変換膜の上に形成され、上部電極電位が印加される透明な上部電極とを備え、前記第１のリセットトランジスタのドレインにかける第１のリセット電位と前記第２のリセットトランジスタのドレインにかける第２のリセット電位とが異なることを特徴とする固体撮像装置。 （もっと読む）

【課題】高いスループットで製造するために有利な製造方法を提供する。
【解決手段】第１領域１０１および第２領域１０２を有する半導体基板において、第１絶縁膜１１２、第２絶縁膜１１３および第３絶縁膜１２２を貫通する第１コンタクトホール形成工程と、第４絶縁膜１２０、第５絶縁膜１２１および第６絶縁膜１２２を貫通する第２コンタクトホール形成工程とを含み、前記第１，３，４，６絶縁膜は第１組成を有し、前記第２，４絶縁膜は前記第１組成とは異なる第２組成を有し、開口工程では、前記第２絶縁膜をエッチングストッパとして前記第３絶縁膜をエッチング後に、前記第２絶縁膜および前記第１絶縁膜を互いに異なるエッチング条件で第１コンタクトホールを形成し、前記第５絶縁膜をエッチングストッパとして前記第６絶縁膜をエッチング後に、前記第５，４絶縁膜を同一のエッチング条件で連続的にエッチングして、前記第２コンタクトホールを形成する。 （もっと読む）

【課題】擬色および混色の発生を抑えて高画質のカラー画像を取得することが可能な撮像装置を提供する。
【解決手段】撮像装置は、複数の画素を含み、撮像データを取得するイメージセンサと、イメージセンサの受光面上に設けられ、選択的な波長を透過させる可変フィルタと、可変フィルタを駆動して、その透過波長を設定するフィルタ駆動部（波長選択回路およびシステム制御部）とを備える。可変フィルタにおける透過波長を時分割的に切り替えつつ、撮像データを取得することにより、可変フィルタにおける透過波長に対応する画素データを時間的に連続して取得する。 （もっと読む）

【課題】耐熱性の高い固体撮像素子を提供する。
【解決手段】本発明は、信号読出し回路を有する基板に、画素電極となる下部電極と、下部電極上に形成され、受光した光に応じて電荷を生成する有機光電変換膜と、上部透明電極とが形成された固体撮像素子である。有機光電変換膜において、下部電極が形成された画素電極領域に対応する有機光電変換膜の領域に対して、膜厚および膜質の少なくとも一方が遷移している遷移領域は、有機光電変換膜の外端から２００μｍ以下の領域である。 （もっと読む）

【課題】
読み出し回路を備えた第一基板と受光素子を備えた第二基板をバンプ接続した量子型赤外線熱感知デバイスにおいて、HgCdTe等で構成された第二基板に影響を与えることなくシリコン基板等で構成された第一基板と、第二基板の熱膨張係数の違いに起因する隣接バンプ間の接触を防止する。
【解決手段】
量子型撮像素子は、読み出し回路を備えた第一基板と、前記第一基板とフリップチップボンディング（FCB）によって電気的に接続された、受光素子を備えた第二基板と、前記第一基板と前記第二基板をFCBによって電気的に接続する導体バンプ群と、各バンプの周囲を囲むように存在し、前記第一基板側にのみ固定され、前記第二基板との間に空隙を設けた絶縁壁とを有する。 （もっと読む）

【課題】電圧保持率に優れ、コントラストの高い着色組成物を提供すること。
【解決手段】次の成分（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）；
（Ａ）シクロヘキサノンに対する溶解量が１重量％を超えて２０重量％未満である染料を含む着色剤、
（Ｂ）バインダー樹脂、及び
（Ｃ）架橋剤
を含有することを特徴とする着色組成物。
上記染料は、シクロヘキサノンに対する溶解量が１重量％を超えて２０重量％未満である限り特に限定されるものではないが、本発明においては、シクロヘキサノンに対する溶解度が好ましくは１重量％を超えて１５重量％以下、特に好ましくは３重量％以上８重量％以下である。また、上記染料はキサンテン系染料であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】複数方向の被写体を撮像することができるようにする。
【解決手段】本開示の撮像素子は、光電変換素子が形成されるシリコン基板と、前記シリコン基板の表面側に形成される配線層とを備え、前記光電変換素子が、前記表面側から前記配線層を介して入射される光を光電変換するとともに、前記シリコン基板の裏面側から前記配線層を介さずに入射される光を光電変換する。本開示は撮像素子、電子機器、並びに、製造方法に適用することができる。 （もっと読む）

【課題】基板間の接合性を改善してボイドの発生を抑制することにより、信頼性の向上が図られた３次元構造の半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置１を、第１電極３３および第１絶縁膜３５を含むと共に、これらの第１電極３３および第１絶縁膜３５を露出させた貼合せ面４１を有する第１基板２と、第１電極３３に電気的に接続された第２電極６７および第２絶縁膜６９を含むと共に、これらの第２電極６７および第２絶縁膜６９を露出させた貼合せ面７１を有し、第１基板２に貼り合わされて設けられた第２基板７と、各基板の貼合せ面４１，７１の間に狭持された絶縁性薄膜１２とを備えた構成とする。 （もっと読む）

【課題】メタルストラップ型ＣＣＤ画像センサを提供すること。
【解決手段】本発明の実施形態は、（ＶＣＣＤを通る光電荷の流れを制御するゲート導電体の上に配置された）水平ストラッピングラインと垂直ストラッピングラインとの両方の使用によってＣＣＤ画像センサにおける内部抵抗を減少させ、これら水平ストラッピングラインと垂直ストラッピングラインとは両方とも、電気的制御信号を伝えるバスラインに選択的に接続されている。選択的な電気的接続は、特定のバイアスグループに対する総抵抗が、画像センサ画素アレイのサイズから実質的に独立することを可能にする。 （もっと読む）