【課題】転送トランジスタのカットオフ特性を向上する。
【解決手段】固体撮像装置は、半導体基板１１と、半導体基板１１に設けられ、かつＮ型領域及びＰ型領域から構成されるフォトダイオード１７と、半導体基板１１に設けられ、かつフォトダイオード１７から転送された電荷を保持する浮遊拡散層２５と、半導体基板１１に設けられ、かつフォトダイオード１７に蓄積された電荷を浮遊拡散層２５に転送する転送トランジスタとを含む。フォトダイオード１７のＮ型領域は、第１の半導体領域１４と、第１の半導体領域１４より浅い第２の半導体領域１５とから構成される。第１の半導体領域１４の端部は、転送トランジスタのゲート電極２０の端部よりも浮遊拡散層２５側に位置し、第２の半導体領域１５の端部は、転送トランジスタのゲート電極２０の端部と略同じ位置である。 （もっと読む）

【課題】昇華精製に適さない有機材料を、純度を低下させることなく、長時間安定して連続蒸着させる方法を提供すること。
【解決手段】昇華精製による精製ができない有機材料を蒸着製膜して得られる膜であって、該有機材料と該有機材料の蒸着温度Ｔ_３より低い沸点又は昇華点Ｔ_１を有する化合物（Ａ）とを含有する蒸着用材料を用い、前記蒸着用材料を、第１加熱により、前記化合物（Ａ）の沸点又は昇華点Ｔ_１より高く、かつ前記有機材料の蒸着温度Ｔ_３より低い温度Ｔ_２まで昇温後、該温度Ｔ_２に維持し、該第１加熱の後に、第２加熱により、前記有機材料の蒸着温度Ｔ_３以上、前記有機材料の分解温度以下の温度まで昇温後、該温度に維持して前記有機材料の蒸着製膜を行うことにより得られる膜。 （もっと読む）

【課題】より高品質の画像を得ることができ、信号品質の劣化を低減すると共にチップ面積の増大を抑制することができる。
【解決手段】画素に含まれる光電変換素子が複数配置された第１基板に設けられた第１電極パッドと、画素の信号を読み出す読出し部を有する第２基板に設けられた第２電極パッドと、一端を第１電極パッドに接合し、他端を第２電極パッドに接合することで、第１電極パッドと第２電極パッドとを電気的に接続する接続部と、を有し、複数の画素を、単位画素セルまたは複数画素をまとめたセル毎に複数の領域に区分し、その区分された区分領域のそれぞれには、第１〜第ｎの第１電極パッド、および第１〜第ｍの第２電極パッドが割り当てられており、同一の区分領域に割り当てられた第１〜第ｎの第１電極パッド、および第１〜第ｍの第２電極パッドは、複数の接続部を介して電気的に接続されるよう構成される。 （もっと読む）

【課題】 より信頼性の高い接合界面を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】 半導体装置１００を、第１半導体部と、第２半導体部とを備える構成とする。第１半導体部には、接合界面側の表面に形成されかつ第１の方向に延在する第１電極１６を設ける。そして、第２半導体部には、接合界面で第１電極１６と接合されかつ第１の方向と交差する第２の方向に延在する第２電極２６を設ける。 （もっと読む）

【課題】実施形態は、異なる種類の半導体素子のそれぞれに適合した厚さを有する半導体層が１つの絶縁膜上に設けられた半導体基板およびその製造方法、その半導体基板を用いた半導体装置を提供する。
【解決手段】実施形態に係る半導体基板１０は、第１絶縁層５と、前記第１絶縁層の上に設けられた半導体層７とを有する半導体基板であって、前記半導体層の中に選択的に設けられ、前記半導体層の表面に平行に延在し、その延在方向の長さが前記第１絶縁層よりも短い第２絶縁層１３と、前記半導体層の表面から前記第１絶縁膜に至る深さに延設され、前記半導体層の前記第２絶縁層を含む部分と、前記半導体層の残りの部分と、を電気的に分離する第３絶縁層１５と、を備える。 （もっと読む）

【課題】 高いアライメント精度、および少ない工程数でアライメント用の光の透過率が低い材料のパターン形成方法を提供する。
【解決手段】 基板の上に凹部または凸部を有するアライメントマークを含む第１のパターンを形成する工程と、第１のパターンの上に平坦化層を形成する工程と、平坦化層のアライメントマークの上に形成された部分を除去する工程と、アライメントマークの上に形成された部分が除去された平坦化層の上に、被加工層を形成する工程と、アライメントマークの位置を被加工層の上から光を用いて光学的に検出し、位置あわせを行う工程と、位置合わせに基づき被加工層をパターニングしてパターンを形成する工程と、を含むパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】モジュールの薄型化を図る。
【解決手段】平板状の薄型プレートには、半導体チップとしてのイメージセンサがダイボンディングにより固定され、その薄型プレートにおいてイメージセンサが固定される領域の周囲の一部または全部には、配線層を含む配線基板が配置される。そして、イメージセンサと配線基板とは、例えば、ワイヤボンディングにより電気的に接続される。本技術は、例えば、イメージセンサをパッケージングするイメージセンサパッケージに適用することができる。 （もっと読む）

【課題】光学特性が良好であり、かつ薄型化、小型化を実現した撮像装置を得る。
【解決手段】レンズ群115および開口絞り111を含む結像用光学系110と、固体撮像素子10とを備え、固体撮像素子10が、有機材料からなる光電変換層14、および２色以上のカラーフィルタ21r、21g、21bと分離壁22とからなるカラーフィルタ層CFを備え、光電変換層14の厚さが0.1μｍ〜1μｍであり、各色のカラーフィルタ21r、21g、21bの屈折率がいずれも1.5〜1.8であり、分離壁22の幅が0.05μｍ〜0.2μｍであり、分離壁22の屈折率が1.22〜1.34であり、固体撮像素子10における画素ピッチＤ(μｍ)と該固体撮像素子に入射する主光線の最大角度α(°)との関係が、Ｄ≦2.6μｍ、45≧α≧25・Ｄ−20となるようにレンズ群115と固体撮像素子10とを配置する。 （もっと読む）

【課題】読取速度の高速化したイメージセンサを提供する。
【解決手段】本発明のイメージセンサ１は、ｍ（ｍは２以上の整数）個のスイッチング素子２と、スイッチング素子２の入力端子１０に接続されたｍ個の受光素子３と、スイッチング素子２をｎ（ｎは２以上の整数）個のスイッチング素子群４ごとに分割するとき、スイッチング素子２の切替端子１１に、スイッチング素子群４ごとに接続されたｎ個のシフトレジスタ５と、スイッチング素子２の出力端子１２に、スイッチング素子群４ごとに接続された加算部６と、外部から入力されたクロック信号を１／ｎクロック信号に分周し、分周した１／ｎクロック信号を、所定時間ずつ遅延させながらシフトレジスタ５にそれぞれ出力する分周遅延部７とを備えるものであって、ｍ個のスイッチング素子２の切替端子１１は、スイッチング素子２の配列順に、ｎ個のシフトレジスタ５に、シフトレジスタ５の配列順に接続されている。 （もっと読む）

【課題】画素部と電極との間のリーク電流を低減する。
【解決手段】固体撮像装置１は、第１及び第２の領域を有する半導体層１３と、第１の領域に設けられた画素部と、第２の領域に設けられ、かつ半導体層１３を貫通する複数の電極２２と、第２の領域に設けられ、かつ半導体層１３を貫通し、かつ画素部と複数の電極２２とを電気的に分離するガードリング２０とを含む。第２の領域の半導体層１３の上面は、第１の領域の半導体層１３の上面より低い。 （もっと読む）

【課題】 撮像素子と撮像素子固定部材の接着固定について十分な接着強度を確保すると同時に、高温、低温下での撮像素子と撮像素子固定部材の線膨張係数の差による撮像素子の変形を低減することが可能である撮像装置を提供する。
【解決手段】 撮像素子と、開口部が形成される固定部材とを備え、前記撮像素子を前記固定部材に位置決めした後、前記開口部に接着剤を流し込むことで、前記撮像素子を前記固定部材に接着固定する撮像装置であって、前記開口部は、前記撮像素子の長辺方向における略中央部分にて、前記撮像素子の短辺方向に延出した形状に形成されるとともに、前記撮像素子に対向しない側の開口幅が前記撮像素子に対向する側の開口幅よりも大きくなるように形成される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、例えば、薄膜状電極、正孔注入阻止層などにキズや、ムラが発生した場合でも、それによる陰の出現が起きないようにすることを目的とするものである。
【解決手段】そしてこの目的を達成するために本発明は、下方面側がＸ線入射面となったＸ線透過性基板１７と、このＸ線透過性基板１７の上面の上方側に順次設けた薄膜状電極１８、正孔注入阻止層１９、光変換膜層２０、電子注入阻止層２１とを備え、前記電子注入阻止層２１から前記Ｘ線透過性基板１７の上方面に到達する凹部３２を形成し、この凹部３２内の前記Ｘ線透過性基板１７の上方面には電子注入阻止層２１を形成した。 （もっと読む）

【課題】複雑または大型の構造を用いることなく、撮像素子の熱を効率的に他の部品に伝熱することで放熱を行い、かつ他の部品の熱が撮像素子に伝わることを妨げる構造の撮像装置または撮像システムを提供する。
【解決手段】撮像装置または撮像システムであって、支持部材に支持された撮像素子３２と、撮像素子の背面に接する熱伝導部材３４と、熱伝導部材に接し、撮像素子と平行に配置され、遮熱する表面処理が施された保護部材３５とを備え、近傍に発熱する他の部品が配置されている撮像素子ユニットを有し、撮像素子の発する熱は熱伝導部材及び保護部材を介して支持部材に放熱され、他の部品が発する熱は保護部材の表面処理によって遮熱される構成とした。 （もっと読む）

【課題】本発明は、例えば、薄膜状電極、正孔注入阻止層などにキズや、ムラが発生した場合でも、それによる陰の出現が起きないようにすることを目的とするものである。
【解決手段】そしてこの目的を達成するために本発明は、下方側がＸ線入射面となったＸ線透過性基板１７と、このＸ線透過性基板１７の上面側の上方に順次設けた薄膜状電極１８、正孔注入阻止層１９、光変換膜層２０、電子注入阻止層２１とを備え、前記正孔注入阻止層１９および薄膜状電極１８を貫通し、前記Ｘ線透過性基板の上面に達する凹部３２を形成。 （もっと読む）

【課題】シンチレータで発生した長波長成分の光による放射線画像のボケを抑制しながら、長波長成分の光を有効利用する。
【解決手段】制御部６４は、シンチレータ３７により放射線から変換された光の長波長成分９０ｂが反射層２５を透過して放射線検知用光検出部２６に検出されたときに、センサパネル２３の光電変換部をリセットして電荷蓄積モードに移行させる。シンチレータ３７で発生した光の短波長成分９０ａは、柱状結晶３９内を全反射しながら反射層２５に向けて進行し、反射層２５により反射されてセンサパネル２３に向かうので、センサパネル２３の検出光量が増加する。シンチレータ３７で発生した光の長波長成分９０ｂは、反射層２５を透過してセンサパネル２３には反射されないので、放射線画像のボケを抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】従来よりもカラーフィルターが隔壁から剥がれにくい固体撮像装置を提供する。
【解決手段】フォトダイオード１２が内部に形成された半導体基板１０と、絶縁膜２０と配線２２，２４との積層構造を有し、半導体基板１０上に形成された配線層と、無機材料からなり、配線層上における隣接するフォトダイオード１２の間に相当する箇所に立設された隔壁３０と、有機材料からなり、配線層上であって隣接する隔壁３０の間に形成されたカラーフィルター５０，５２と、有機材料からなり、隔壁３０側面とカラーフィルター５０，５２との間に形成された密着層４０とを備え、密着層４０のカラーフィルター５０，５２に対する密着性は、隔壁３０のカラーフィルター５０，５２に対する密着性よりも高く、密着層４０の隔壁３０に対する密着性は、カラーフィルター５０，５２の隔壁３０に対する密着性よりも高い固体撮像装置。 （もっと読む）

【課題】高い集光効率を有し、高感度な固体撮像装置を提供する。
【解決手段】光電変換機能を有する受光部１０３が内部に形成されてなる半導体基板１０１と、絶縁膜１０７，１０９，１１１と配線１１３，１１４との積層構造を有し、半導体基板１０１の上方に形成され、且つ、受光部１０３の上方に相当する箇所に凹部が形成された配線層と、絶縁膜１０９，１１１よりも屈折率が高く、凹部を臨む配線層の側面を被覆する第２絶縁膜１１５と、第２絶縁膜１１５よりも屈折率が低く、第２絶縁膜１１５の前記側面を被覆する第３絶縁膜１１６と、第３絶縁膜１１６よりも屈折率が高く、第３絶縁膜１１６の前記側面を被覆する第４絶縁膜１１７と、を備える。光導波路は、絶縁膜１０９，１１１と、その凹部内に形成された第２絶縁膜１１５、および第３絶縁膜１１６、および第４絶縁膜１１７とにより構成されている。 （もっと読む）

【課題】隔壁を通過して受光部に光が達するのを抑制することができる画像撮像装置を提供する。
【解決手段】固体撮像装置１は、複数の受光部（ＰＤ）が形成された半導体基板３と、前記半導体基板３上に形成された配線層５と、前記配線層５上であって半導体基板３の各受光部（ＰＤ）に対応してそれぞれ形成されたカラーフィルタ７と、前記各カラーフィルタ７間に形成された隔壁９とを備え、前記隔壁９は、下層部２９と上層部３１とを有し、下層部２９の上面が改質された改質層となっており、改質層と上層部３１との間に、外部からの侵入光の反射を促進させる界面２７が構成されている。 （もっと読む）

【課題】低コスト化を図ることができるとともに、動作速度の向上を図ることができるフォトセンサを実現する。
【解決手段】複数の光電変換素子群２０１は行方向（Ｘ方向）に配置され、１つの光電変換素子群２０１は、行方向に対して略直交する列方向（Ｙ方向）に並べられた３つのフォトダイオードＰＤ１〜ＰＤ３を含む。さらに、各フォトダイオードから信号を読み出すための転送トランジスタ（Ｔｒ１〜Ｔｒ３）が設けられる。同一行に属する転送トランジスタのゲート電極（２２４１，２２４２，２２４３）は一体的に形成される。さらに、ソース電極２２３とゲート電極との重なり部分の面積は、ドレイン電極２２２とゲート電極との重なり部分の面積よりも小さい。 （もっと読む）

【課題】対象物からの反射光を精度よく受光できるようにしつつ装置を薄型化する。
【解決手段】センシング装置において発光部２０は受光部３０より対象物Ｆ側に位置する。発光部２０は、照射光ＩＬを発する発光層２６と、照射光ＩＬと反射光ＲＬを透過する第１電極２２と、照射光ＩＬと反射光ＲＬを遮光すると共に開口部が形成された第２電極２４と、第２電極２４の開口部に対応する位置に設けられ、照射光ＩＬと反射光ＲＬを遮光すると共に第１電極２２と第２電極２４とを部分的に絶縁する絶縁層２８とを備える。受光部３０は反射光ＲＬを受光する受光素子Ｄを備える。遮光層ＢＭは、第２電極２４の開口部に対応する位置に設けられ、照射光ＩＬと反射光ＲＬを遮光すると共に開口部が形成されている。対象物Ｆ側から平面視した場合に、遮光層ＢＭは第２電極２４の開口部と重なり、受光素子Ｄの受光面は遮光層ＢＭの開口部内に位置する。 （もっと読む）