【課題】屈折率調整が容易で光学設計がしやすいとともに、防曇性膜を有する光学部品を提供する。
【解決手段】透明基材と、前記透明基材上に積層され、少なくとも一部が親水性金属酸化物からなる光透過性の光学薄膜と、を有する光学部品であって、前記光学薄膜が、マトリックスによって内部に空隙を有する金属酸化物微粒子が結合された多孔質構造であることを特徴とする、光学部品。 （もっと読む）

【課題】ＣＭＯＳ型イメージセンサを用いた撮像装置において、高輝度光が入射したときの横筋状又は横帯状のノイズの発生を抑制する。
【解決手段】複数の画素が二次元に配列され、光を受光する開口画素領域と、基準となる遮光されたオプティカルブラック領域とを含むＣＭＯＳ型の撮像素子と、撮像素子の開口画素領域の特定の領域が高輝度被写体からの光を受光している場合の撮像素子の出力から得られる情報を予め記憶する記憶部と、開口画素領域の特定の領域が高輝度被写体からの光を受光しているか否かを判定する判定部と、判定部により特定の領域が高輝度被写体からの光を受光していると判定された場合に、記憶部に記憶された情報に基づいて、撮像素子からの出力を補正する補正部とを備える。 （もっと読む）

【課題】 画面周辺部で発生するシェーディングを補正すること。
【解決手段】 光を電荷に変換する受光素子と、受光素子上に形成された色フィルタと、受光素子上に形成された少なくともひとつ以上のマイクロレンズとから構成される画素が複数配置された画素領域を備えた撮像素子において、前記色フィルタの膜厚を、前記画素領域の中心部から周辺部に向かって徐々に変化させ、さらに、前記マイクロレンズを、色フィルタの厚みに応じたずらし量で配置し、シェーディングを補正することを特徴とする撮像素子。 （もっと読む）

【課題】屈折率を高めたマイクロレンズを含む裏面照明イメージセンサピクセルを提供する。
【解決手段】イメージセンサピクセル２００は、シリコン基板２０２内に形成されたフォトダイオード２０８と、基板の裏面に形成された第１のマイクロレンズと、基板の前面を覆って形成された第２のマイクロレンズと、基板の前面上に形成された誘電体スタック２２３と、第２レンズの上方で、記誘電体スタック内に形成されたと反射構造２５０とを含む。第１のマイクロレンズは、裏面にシャロートレンチアイソレーション構造２１４を形成することにより、第２のマイクロレンズは、基板の前面基板上にポリシリコンを堆積させることによって製造される。 （もっと読む）

【課題】微細な構造であっても高い電気特性を有するトランジスタを歩留まりよく提供する。該トランジスタを含む半導体装置においても、高性能化、高信頼性化、及び高生産化を達成する。
【解決手段】酸化物半導体膜、ゲート絶縁膜、及び側面に側壁絶縁層が設けられたゲート電極層が順に積層されたトランジスタを有する半導体装置において、ソース電極層及びドレイン電極層は、酸化物半導体膜及び側壁絶縁層に接して設けられる。該半導体装置の作製工程において、酸化物半導体膜、側壁絶縁層、及びゲート電極層上を覆うように導電膜及び層間絶縁膜を積層し、化学的機械研磨法によりゲート電極層上の層間絶縁膜及び導電膜を除去してソース電極層及びドレイン電極層を形成する。 （もっと読む）

【課題】構成の単純化およびモードの多様化に有利な技術を提供する。
【解決手段】走査回路は複数の単位回路を直列に接続して構成されたシフトレジスタと、シフトレジスタを制御する制御部とを備える。各単位回路はパルス信号入力端子と、パルス信号出力端子と、制御端子とを含む。単位回路は複数にグループ分けされている。制御部は、第１モードでは複数のグループの単位回路の制御端子にクロック信号を供給することによりパルス信号をシフトするように動作させ、第２モードでは少なくとも１つのグループの単位回路の制御端子にはバッファとして動作させる論理レベルを供給し、他のグループの単位回路の制御端子にはクロック信号を供給することにより前段の単位回路から出力されるパルス信号をクロック信号に応じて後段の単位回路に転送するように動作させ、１つの期間内に少なくとも１つのグループの単位回路とその前段の単位回路からパルス信号を出力させる。 （もっと読む）

【課題】バリア性および耐熱性に優れた光電変換素子およびその製造方法、ならびに撮像素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】基板と、基板上に形成された下部電極と、下部電極上に形成され、光が照射されると電荷を発生する有機層と、有機層上に形成された、可視光に対して透明な上部電極と、上部電極上に形成された素子保護層とを有する光電変換素子の製造方法である。この素子保護層を形成する工程は、有機層に対し不活性なキャリアガスを供給し、プラズマを生成する工程と、キャリアガスが供給されてプラズマが生成された状態で、さらにＳｉＨ_４ガス、支燃性ガスおよびアンモニアガスを含む反応性プロセスガスを供給して珪素含有保護膜を形成する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】分子検出および識別に応用する多接合フォトダイオードおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】多接合フォトダイオードは、第１導電型ドーパントを有する基板と、第１導電型ドーパントを有するエピタキシー層と、第２導電型ドーパントを有する深ウェル領域と、第１導電型ドーパントを有する第１ウェル領域と、第２導電型ドーパントを有する第２ウェル領域と、第１導電型ドーパントを有する第３ウェル領域と、第２導電型ドーパントを有する第１ドープ領域とを含む半導体装置を提供する。エピタキシー層は、基板の上に配置され、深ウェル領域は、エピタキシー層の中に配置される。第１ウェル領域は、エピタキシー層に接続された３つの側辺を有し、深ウェル領域の中に配置される。第２ウェル領域は、第１ウェル領域の中に配置される。第３ウェル領域は、エピタキシー層に接続された３つの側辺を有し、第２ウェル領域の中に配置される。第１ドープ領域は、第３ウェル領域の中に配置される。 （もっと読む）

【課題】撮像素子が実装された後のフレキシブルプリント配線板の厚さが薄く、小型な撮像ユニット及び前記撮像ユニットを備えた内視鏡と前記撮像ユニットの製造方法を提供する。
【解決手段】撮像素子、及びフレキシブルプリント配線板を含む撮像ユニットにおいて、前記撮像素子は、受光部、前記受光部に電気的に接続された金属配線層、前記金属配線層に形成された金属パッド、及び前記金属パッドを受光側とは反対側に露出させるように設けられた開口部、を含み、前記フレキシブルプリント配線板は、前記開口部内において前記金属パッドと電気的に接続される金属線を含み、かつ前記撮像素子の受光側とは反対側の面上に接着剤によって接着される。 （もっと読む）

【課題】ショートチャネル特性などを向上する。
【解決手段】ｎ型ＦＥＴ１１１Ｎの半導体活性層１１１Ｃの上面に、バックゲート絶縁膜４０１を介してバックゲート電極１２１を金属材料で形成する。ここでは、バックゲート電極１２１，２２１について、半導体活性層１１１Ｃの上面においてゲート電極１１１Ｇおよび一対のソース・ドレイン領域１１１Ａ，１１１Ｂに対応する部分を被覆するように、バックゲート電極１２１を形成する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、再分極を行うことなく、赤外線を検出することができる焦電型赤外線検出素子、焦電型赤外線撮像素子および焦電型赤外線撮像装置を提供する。
【解決手段】本発明の焦電型赤外線検出素子Ｄは、一対の下部電極層および上部電極層と前記一対の下部電極層および上部電極層間に配置される強誘電体材料とを備える焦電部１１と、前記一対の下部電極層および上部電極層間に所定の電圧値Ｖｉの電圧を印加するための電圧印加部１２と、電圧印加部１２によって前記一対の下部電極層および上部電極層間に前記所定の電圧値Ｖｉの電圧を印加した電圧印加分極状態から自然分極状態までに焦電部１１で生じた電荷量に関係する所定の物理量を測定する測定部１３とを備える。 （もっと読む）

【課題】電荷結合デバイス画像センサの構造、作成、使用法を提供する。
【解決手段】チャネルドーピング層８０２と比較して逆導電型にドープされた１つ以上のチャネルストップ層８０４を、チャネルドーピング層８０２から離して配置することにより、電荷増倍ＣＣＤチャネルにおける衝撃イオン化によるスプリアス電荷の生成を大きく低減する。 （もっと読む）

【課題】有機撮像素子において残像を低減する。
【解決手段】有機撮像素子１は、基板１０上に複数の画素部１００を有し、基板１０の光入射側の表面に、層間絶縁層２０を介して形成された複数の画素電極４０と、複数の画素電極４０上に連続膜状に配された光機能層５０と、光機能層５０の上に配された、複数の画素部１００に共有される対向電極６０と、層間絶縁膜２０内に形成された少なくとも１層の金属配線層３２と、画素電極間の間隙Ｇに充填された充填部２１１と、光機能層５０内に突出して形成されてなる突出部２１２とからなる電界調整用絶縁層２１を備えてなり、光機能層５０は、有機材料を含む光電変換層５２を含む。突出部２１２は、充填部２１１に接している２つの画素電極４０の各端部４０ｔと、該２つの端部間の中央部上方の１つの頂点Ａとをそれぞれ結ぶ下に凸の曲線で囲まれてなる。 （もっと読む）

【課題】従来の縦筋状のムラの補正処理では、補正と同時にランダムノイズを画像信号に足してしまい、ランダムノイズの増加の弊害を招く。
【解決手段】撮像装置は、縦筋状のムラの補正処理に用いる遮光状態での光電変換動作で生じた信号の読み出し動作において、少なくとも撮像素子の画素信号の転送手段の信号転送速度と画素信号処理の信号処理ゲインを変更するランダムノイズが低減するように変更する。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、シリコンウエーハ中の酸素等不純物の悪影響がエピタキシャル層の撮像素子形成部分まで及ばないエピタキシャルウエーハ及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 撮像素子製造用のエピタキシャルウエーハを製造する方法であって、前記エピタキシャル層の成長前に、前記撮像素子の製造後において前記エピタキシャル層中の酸素濃度が４×１０^１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上となる領域の厚さＸを計算し、前記エピタキシャル層の成長において、前記エピタキシャル層を、前記厚さＸに加えて、更に前記撮像素子の製造後におけるエピタキシャル層中の酸素濃度が４×１０^１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３未満となる領域の厚さが６μｍ以上となる厚さで成長することを特徴とするエピタキシャルウエーハの製造方法。 （もっと読む）

【課題】ランダムノイズを低減する。
【解決手段】固体撮像装置は、基板上に形成され、光電変換部（PD）と複数の画素内トランジスタとからなる画素が２次元配列された画素アレイを備え、複数の画素内トランジスタのうちの所定の画素内トランジスタの電極、具体的には、増幅トランジスタのゲート電極のみに接続されるコンタクトの基板に平行な面の形状は、略長方形または略楕円形に形成される。本技術は、CMOSイメージセンサに適用することができる。 （もっと読む）

【課題】高精度に生体分子を検出することが可能なケミカルセンサ、ケミカルセンサモジュール、生体分子検出装置及び生体分子検出方法を提供すること
【解決手段】本技術のケミカルセンサは、基板と、オンチップレンズと、平坦化層とを具備する。基板は、平面状に配列する複数のフォトダイオードが形成されている。オンチップレンズは、上記基板上に設けられた、入射光を上記フォトダイオードに集光する。平坦化層は、オンチップレンズを被覆して平坦化し、プローブ材料を保持するためのプローブ保持面を形成する。 （もっと読む）

【課題】ＭＯＳ型固体撮像素子において、チップ面積に対して画素領域の占める面積比率をより高めることができる。
【解決手段】第１の基板１０から第ｎ（ｎは２以上の整数）の基板が接続部を介して電気的に接続され、かつ段積みされた固体撮像装置であって、第ｍ（ｍは１以上ｎ以下の整数)の基板は、光電変換素子を含む画素を有する画素領域５０を備え、第ｍの基板以外の他の基板は、画素の駆動の用に供する回路要素を有する第一垂直走査回路１６０と第二垂直走査回路１６１とを備え、他の基板の領域のうち、画素領域と垂直方向に重なる重複領域５１内に、第一垂直走査回路１６０と第二垂直走査回路１６１との少なくとも一部分が配置されている。 （もっと読む）

【課題】撮像素子に入射する光の偏光状態及び入射角に依存して撮像素子から出力される信号の強度の変化が生じ、また、肉眼によって検知される明るさよりも撮像装置によって検知される明るさが低いといった問題を解決し得る撮像装置を提供する。
【解決手段】撮像装置１０は、複数の撮像素子４１，４２，４３が２次元マトリクス状に配列されて成る撮像部３０を有し、撮像部３０は、周辺領域３２、及び、周辺領域３２に囲まれた中央領域３１に区画され、周辺領域３２における撮像素子４２，４３には偏光手段が備えられており、中央領域３１における撮像素子４１には偏光手段が備えられていない。 （もっと読む）

【課題】画素特性を向上させるとともにスタンバイリーク電流を抑制することができるようにする。
【解決手段】本開示の撮像素子は、半導体基板の表面側に配線層が形成され、裏面側より入射した光を光電変換する裏面照射型の撮像素子であって、前記半導体基板の、画素が形成される画素部、および、周辺回路が形成される周辺回路部の、裏面界面上に形成される負の固定電荷を有する膜と、前記半導体基板の前記周辺回路部の、P型ウェルと前記裏面界面との間から前記周辺回路部と前記画素部との境界近傍まで形成されるN型の濃度が濃いN型領域とを備える。本開示は撮像素子、撮像装置、並びに、製造装置および方法に適用することができる。 （もっと読む）