【課題】センサ部により検出される偽信号の原因となるチャネルストップと垂直転送レジスタとの間の降伏電流を抑制し、構造的に信号電荷の逆読み出しを防止する。
【解決手段】固体撮像素子は、半導体基板上の撮像領域２にて行列状に配列され、光電変換により信号電荷を生成する複数のセンサ部３と、複数のセンサ部３の配列における列方向に沿って前記配列の２列毎にセンサ部３の列間に設けられ、センサ部３により生成された信号電荷を垂直方向に転送する複数の垂直転送レジスタ４と、各垂直転送レジスタ４とこの垂直転送レジスタ４の前記配列における行方向の両側に位置する各センサ部３との間に設けられ、センサ部３により生成された信号電荷を垂直転送レジスタ４に読み出す読み出しゲート７と、隣り合う垂直転送レジスタ４の間にて前記行方向に隣接するセンサ部３の間に設けられるチャネルストップ８とを備える。 （もっと読む）

【課題】赤画素、緑画素、青画素と同時に赤外光を受光可能な固体撮像素子を提供する。
【解決手段】光電変換により発生した電荷を蓄積するＮ型不純物層１１、１２、１３、１４が設置され、Ｎ型不純物層１１、１２、１３、１４のそれぞれの表面側には、Ｐ型シリコン半導体基板１０の表面をシールドし、フォトダイオードの暗電流を抑制するためのＰ型不純物層１５、１６、１７、１８が設置され、Ｐ型シリコン半導体基板１０の受光面より上部側（撮像対象側）には、画素の配列を実現するように、入射光から赤色光、緑色光、青色光、赤外光を分離する（透過させる）カラーフィルター２６、２７、２８、２９が配置されて、赤画素３１、緑画素３２、青画素３３及び赤外画素３４を具備する。 （もっと読む）

【課題】製造工程数の増大、ボイドによる感度低下、及び光利用効率の低下を防ぐことが可能な固体撮像素子の製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板１内に形成された光電変換部（ＰＤ）２と、ＰＤ２の上方に形成されたカラーフィルタ７と、カラーフィルタ７上方に形成されたマイクロレンズ８と、マイクロレンズ８とＰＤ２との間に形成され、マイクロレンズ８で集光された光をＰＤ２に導く光導波部９とを有する画素部を複数有する固体撮像素子の製造方法であって、光導波部９を形成する工程は、基板１上方に、ＰＤ２上方に凹部５Ｋを有する絶縁膜５を形成する第一の工程と、絶縁膜５上に、絶縁膜５よりも屈折率が高くかつＰＤ２上方に凹部５Ｋ内にまで達する凹部６Ｋを有する高屈折率材料膜６を形成する第二の工程と、高屈折率材料膜６上に、高屈折率材料膜６よりも屈折率が低くかつ凹部６Ｋを埋めるカラーフィルタ７を形成する第三の工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】強電界によるソフトブレイクダウンで生じる電子が、転送レジスタへノイズ信号として混入することを抑制することのできる固体撮像装置及び固体撮像装置の駆動方法を
提供する。
【解決手段】受光センサ部１１の上方に開口部５１が形成された第１の遮光膜３１により被覆された有効画素領域１０と、この有効画素領域１０に隣接し、光学的黒レベルの基準信号を得るための画素領域が設けられるとともに、第２の遮光膜３２により被覆されたオプティカルブラック画素領域２０と、を有する画素領域と、受光センサ部１１から垂直転送レジスタ部１２へ信号電荷を読み出す際に、転送電極13へ印加する読み出しパルスと同期して、第２の遮光膜32に正電圧のパルスを印加する電圧印加部と、を備える構成の固体撮像装置とした。 （もっと読む）

【課題】スミアを抑制する構成を実現しつつ、反射防止と絶縁膜の膜減り防止とを両立させた固体撮像素子の製造方法を提供する。
【解決手段】
第一の屈折率の半導体基板１１０上にゲート絶縁膜１２０を形成した後、各電荷転送領域１１０ｂの上方に当たる部分に複数の転送電極１３０を形成する。各転送電極の上面および側面と、ゲート絶縁膜における、隣り合う転送電極の間の部分の上面とに沿って、第一の屈折率より低い第二屈折率膜１５０ａを形成し、少なくとも隣り合う転送電極の間の部分に第二の屈折率より低い第三屈折率膜１６０ａを形成する。第三屈折率膜のうち、第二屈折率膜における、各転送電極の側面に沿った部分に隣接する部分を除去した後、半導体基板上の全体に亘って遮光性材料膜を形成する。遮光性材料膜における、隣り合う転送電極の間に残存した第三屈折率膜の残存部分の上方に当たる部分をエッチングすることで、残存部分の一部を露出させる。 （もっと読む）

【課題】飽和電荷量を大きくし、素子分離部の近傍における電界集中を緩和し、基板のエッチングダメージを低減し、暗電流を低減した固体撮像素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】第１導電型の電荷蓄積領域２と、第２導電型の不純物半導体領域からなる素子分離半導体領域７と、第２導電型の不純物半導体領域からなるチャネルストップ領域５と、前記チャネルストップ領域５の上に配置された絶縁体２０とを含み、前記絶縁体２０は、前記素子分離半導体領域７の上に前記チャネルストップ領域５を介して配置された第１絶縁部４と、前記第１絶縁部４の外側に隣接して配置されて前記第１絶縁部４から遠ざかるに従って厚さが薄くなる構造を有する第２絶縁部８とを含み、前記電荷蓄積領域２は、前記第２絶縁部８を介して前記半導体にイオンを注入することによって形成されて前記チャネルストップ領域５と接している周辺部２１を含む。 （もっと読む）

【課題】複数画素共有の互いに寄った受光部を持つ固体撮像素子において、受光感度およびシェーディングをより改善する。
【解決手段】マイクロレンズ１４と受光部３との間の層間絶縁膜９に光導波路を構成する断面平行四辺形状のライトパイプ１０が形成され、ライトパイプ１０は、下端面が受光部３の上方位置で平面視で受光部３の中央部を含むように開口し、上端面がマイクロレンズ１４の下方位置で平面視でマイクロレンズ１４の中央部を含むように開口して、上下の各端面領域が平面視で互いに領域がずれて異なっている。 （もっと読む）

【課題】従来の固体撮像装置には、感度の面で向上の余地がある。
【解決手段】固体撮像装置１は、半導体基板１０、半導体層２０、および受光部３０を備える裏面入射型の固体撮像装置である。半導体基板１０は、比抵抗ρ_１をもっている。半導体基板１０の表面Ｓ１上には、半導体層２０が設けられている。この半導体層２０は、比抵抗ρ_２をもっている。ここで、ρ_２<ρ_１である。半導体層２０中には、受光部３０が設けられている。固体撮像装置１は、半導体基板１０の裏面Ｓ２に入射した被撮像体からの光を半導体基板１０の内部または半導体層２０の内部で光電変換し、その光電変換により発生した信号電荷を受光部３０で受けて上記被撮像体を撮像する。 （もっと読む）

【課題】デバイスのカラー信号処理を新たなカラーフィルタ配列に対応するように変更せず、色ノイズを減らして色再現性の向上を図る。
【解決手段】ベイヤ色配列の緑（Ｇ）色層の膜厚を薄くすると共に短波長側に広がって急峻で堀が深い分光特性を持つ緑（Ｇ）色層とし、その薄くした緑（Ｇ１）色層上に膜厚の薄い黄（Ｙ１）色層を重ねて新たに加えることにより、緑（Ｇ）色層の緑（Ｇ）の分光特性がＣＩＥ色度図上でｙ軸値が０．４５以上０．６０以下になっている。 （もっと読む）

【課題】縦方向と横方向の曲率に対して最適なレンズ形状とすることにより、平面視で縦方向と横方向の長さが異なる照射対象に対しても中央部分に確実に集光させて集光効率を向上させる。
【解決手段】平坦化膜上に感光性レジスト膜を成膜する感光性レジスト膜成膜工程と、透過率階調マスクを用いて照射光量を平面的に制御して、感光性レジスト膜をレンズ形状に形成するレンズ形状形成工程とを有し、レンズ形状を、マイクロレンズ３７として、平面視縦方向および横方向のうちの少なくともいずれかの方向に端部同士が重なりを有したアレイ状に形成する。平面視外形が円形のレンズ形状から、縦方向および横方向の少なくともいずれかの方向に重なりを有したアレイ状に形成する。 （もっと読む）

【課題】光の感度を向上させた光電変換素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】
半導体基板１０１と、半導体基板１０１内に形成されたウェル領域１０２と、ウェル領域１０２内に形成された受光部を有し、受光部は第一の半導体領域１０３と第二の半導体領域１０４を有し、第二の半導体領域１０４は第一の半導体領域１０３よりも半導体基板１０１の表面側に位置し、第二の半導体領域１０４の禁制帯幅は、第一の半導体領域１０３の禁制帯幅よりも広いことを特徴とする光電変換素子。 （もっと読む）

【課題】半導体素子領域の汚染を抑制する半導体装置用部品の製造方法及び半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の半導体装置用部品１０の製造方法は、感光性接着剤層２を光透過性基板１上に形成する接着剤層形成工程と、感光性接着剤層２を露光及び現像することにより、半導体素子領域Ｃが収容される中空部Ｈを複数有する接着剤パターン２Ａを形成するパターニング工程と、光透過性基板１を所定の切断ラインＳに沿って切断することにより、中空部Ｈを有する接着部２Ｂが形成された光透過性チップ１Ｂを複数形成するチップ工程と、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体チップからの発熱による光電変換部の機能障害を防止できる半導体モジュールを提供する。
【解決手段】光電変換領域１１８が形成された第１の半導体チップ１０１と、第１の半導体チップ１０１上における光電変換領域１１８が形成されていない領域に設けられ、第１の半導体チップ１０１と電気的に接続された第２の半導体チップ１０２と、第１の半導体チップ１０１，第２の半導体チップ１０２を収容するとともに、少なくとも光電変換領域１１８と対向する領域が透光性材料で形成されたパッケージ１０３と、第２の半導体チップ１０２とパッケージ１０３を熱的に連結する熱伝導部材１０９と、を備える。 （もっと読む）

【課題】半導体層に光電変換部が形成され半導体層の第１の面の上方に配線が形成される固体撮像素子を製造するための半導体ウエハーにおいて、当該半導体層の第２の面の側における加工精度を向上させる。
【解決手段】半導体層と、半導体層に形成された光電変換を行う光電変換部と、半導体層の第１の面に形成された窪み部を含むアライメントマークと、半導体層の第１の面の上方に形成された配線と、を具備し、上記アライメントマークは、窪み部の最も深い位置から半導体層の第２の面までの距離が、可視光によって半導体層の第２の面の側から識別可能な距離となるように形成されている。 （もっと読む）

【課題】第２の駆動モードでの取り扱い電荷量を確保す際に、第１の駆動モードでの暗時白線等のノイズによる画質劣化が問題となる。
【解決手段】画素部の飽和信号量を調整する基板バイアス調整部を利用し、第１の駆動モードと、第２の駆動モードとで、変換効率および出力回路ゲインを選択的に調整する機構により、第１の駆動モードでは、変換効率および出力回路ゲインを低く設定し、第２の駆動モードでは、変換効率および出力回路ゲインを高く設定する。 （もっと読む）

【課題】分光特性が良好で、かつ解像度の高い着色層のパターン形成ができる固体撮像素子用着色感光性組成物とそれを用いた固体撮像素子用カラーフィルタ及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】少なくとも、（Ａ）着色剤、（Ｂ）モノマー、（Ｃ）ポリマー、（Ｄ）光開始剤、（Ｅ）溶剤、（Ｆ）重合禁止剤からなる着色感光性組成物であって、全固形分に対する（Ａ）着色剤の含有量が４０質量％〜６０質量％、（Ｆ）重合禁止剤が１．０×１０^−３質量％〜１．０×１０^−１質量％であり、（Ｆ）重合禁止剤と（Ｂ）モノマーの質量の割合が０．１％〜５．０％で、（Ｆ）重合禁止剤と（Ｄ）光開始剤の質量の割合が０．２５％〜３０％であることを特徴とする着色感光性組成物である。 （もっと読む）

【課題】各ゲートとの寄生容量を抑えることによりＦＤＡの感度を向上する。
【解決手段】ＦＤ部２と直接接続する領域３ａと重なる部分のＳＦトランジスタ４のゲート電極３の周囲の半導体基板８に溝部２ａに空洞がある。ゲート電極３の平面視領域３ａの周囲のうちのゲート電極３の両側および先端側の半導体基板８に溝部２ａを設け、溝部２ａが空洞のままであっても、溝部２ａが酸化膜よりも誘電率が低い層間膜で埋め込まれていても、ＳＦトランジスタ４のゲート電極３の寄生容量を低減することができ、これによって、ＦＤＡの感度を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】光学素子半導体パッケージとして、放熱性能を従来より格段に高め、ウエハレベルパッケージングにより小型化する製造プロセスに適したものを提供する。
【解決手段】第１面１０２ａおよびそれに対し平行な第２面１０２ｂを有する半導体基板１０２と、第１面に形成された光学素子１０４と、第３面１０６ａ及びそれに対し平行な第４面１０６ｂを有しかつその第４面が半導体基板の第１面に対向するように配置された透光性基板１０６と、半導体基板の少なくとも周辺部分と透光性基板の少なくとも周辺部分との間を接合する接合部材１２４とを備えた半導体パッケージにおいて；透光性部基板の第３面と第４面との間を、光学素子への入出力光が通過すべき光透過領域１２８と、それ以外の光透過不要領域１３０とに区分し、光透過不要領域内に、一部が透光性基板の外面に開口してパッケージの外部空間に連通する１以上の微小空洞部１２６が形成されている。 （もっと読む）

【課題】赤外遮光能に優れた遮光膜を形成でき、該遮光膜の形成の際、該遮光膜の形成領域外における残渣物を低減できるチタンブラック分散物を提供する。
【解決手段】（Ａ）チタンブラック粒子、（Ｂ）分散剤、及び（Ｃ）有機溶媒を含有し、
前記（Ａ）チタンブラック粒子からなる被分散体の９０％以上が３０ｎｍ以下の粒径を有し、一方の面に撮像素子部を有するシリコン基板の他方の面に設けられ赤外光を遮光する遮光膜の形成に用いられるチタンブラック分散物である。 （もっと読む）

【課題】カメラの光学レンズからの入射光がより広い入射角度範囲であっても撮像領域にわたり高感度が維持され、感度ムラが低減された固体撮像装置を提供する。
【解決手段】撮像領域に行列状に配置された複数の単位画素１１を有する固体撮像装置であって、単位画素１１は、撮像領域の面方向に互いに異なる実効屈折率分布を有する、単位画素１１内の境界線５０において互いに接する集光素子１０１Ａと集光素子１０１Ｂとを有する集光部１０１と、集光部１０１で集光された入射光を受光する受光部１０４とを備え、集光部１０１は、受光部１０４に対して、撮像領域の中心方向へシフトして配置される。 （もっと読む）