【課題】フレア光の発生を抑制でき、明るい光源が視野内に入った場合であってもフレア光が目立つことのない良質の画像を得ることが可能な撮像装置およびカメラモジュールを提供する。
【解決手段】被写体像を結像可能な受光部１１２を含む光学センサ１１０と、光学センサの受光部１１２側を保護するためのシール材１２０と、少なくとも受光部１１２とシール材１２０の受光部１１２との対向面１２１間に形成され、光に対して透明な中間層１３０と、中間層１３０とシール材１２０の対向面１２１との間に配置された制御膜１４０と、を有し、制御膜１４０は、膜に斜めに入射する光の入射角度に応じてカットオフ波長が短波側にシフトする。 （もっと読む）

【課題】製品の信頼性および製品の歩留まりを向上し、高い製造効率で製造可能にする。
【解決手段】配線層１１０にて支持基板ＳＫに対面する面において、パッド電極１１０Ｐが形成される部分に凸部１１１を設ける。この凸部によって、接着層２０１について配線層１１０と支持基板ＳＫとの間において、パッド電極１１０Ｐの形成部分が他の部分よりも薄くなるように形成する。 （もっと読む）

【課題】配線層の露出面において、ダイシングの工程等で水が接触することにより生じ、配線層の露出面における接合強度の低下や外観不良等の原因となる腐食の発生を抑制する。
【解決手段】半導体基板の一方の面側にて、標準電極電位が互いに異なる２種以上の金属を含む合金により形成された配線層を露出させる工程（パッドを開口する工程（Ｓ１０））と、前記配線層の露出面を含む範囲に、Ｎ_２／Ａｒプラズマを照射するプラズマ処理を行う工程（Ｎ_２／Ａｒプラズマ処理を行う工程（Ｓ３０））と、を含む方法を用いる。 （もっと読む）

【課題】固体撮像装置の画素領域へ到達する不要な光を低減しつつ、固体撮像装置を小型化するための技術を提供することを目的とする。
【解決手段】画素領域を含む主面を有する半導体チップと、画素領域を囲むように半導体チップの主面に配置された凸部と、画素領域を覆う位置に配置された光透過性を有するカバー部材と、半導体チップとカバー部材との間に内部空間が形成されるように画素領域を囲み、カバー部材と凸部とを接着する接着剤とを備える固体撮像装置が提供される。凸部は上面と空間に面した側面である第１側面とを有し、上面と第１側面とによって第１稜線が形成され、接着剤は凸部の上面とカバー部材とを接着し、接着剤は内部空間に面した第１面を有し、第１面は第１稜線からカバー部材へ向かって延び、主面に平行な面における内部空間の外周は、凸部の上面からカバー部材へ向かうにつれて短くなる。 （もっと読む）

【課題】 温度変化に伴う損傷や変形を低減する。
【解決手段】 周辺領域２２１と第３領域１１１との間に、撮像板２および保持板１０に対して固定された中間部材７が配置されているとともに、中央領域２２２の少なくとも一部と、第４領域１１２との間には中間部材７が延在せずに空隙３００が設けられており、撮像板２の線膨張率と中間部材７の線膨張率との差が、保持板１０の線膨張率と中間部材７の線膨張率との差よりも小さい。 （もっと読む）

【課題】異なる波長帯の各波長帯を検出する感度を向上することができるイメージセンサを提供する。
【解決手段】イメージセンサ１００は、半導体基板２０と、異なる波長帯を検出可能な２以上の画素１と、２以上の画素１の各々に設けられた３以上の転送電極７とを備えている。２以上の画素１は、第１の画素１ａと第２の画素１ｂとを含んでいる。３以上の転送電極７は、第１の厚みｔ１を有する第１のゲート電極７ａ、第１の厚みｔ１とは異なる第２の厚みｔ２を有する第２のゲート電極７ｂ、および仮想電極７ｃを少なくとも含んでいる。第１の画素１ａ内と第２の画素１ｂ内とにおいて、第１のゲート電極７ａのゲート長Ｌ１と第２のゲート電極７ｂのゲート長Ｌ２と仮想電極７ｃのゲート長Ｌ３との比率が異なっている。 （もっと読む）

【課題】被写体から反射した可視光に基づく可視画像の撮影と赤外光に基づく赤外画像の撮影とを同時に行うことのできる固体撮像素子を提供する。
【解決手段】半導体基板内１にはＲ光検出光電変換部３ｒ、Ｇ光検出光電変換部３ｇ、Ｂ光検出光電変換部３ｂが二次元状に配列される。基板１内の各光電変換部の上方には、一対の電極１１，１３と、一対の電極１１，１３間に設けられた光電変換膜１２とを含む光電変換部が形成される。光電変換膜１２は、可視域と赤外域を併せた範囲における吸収スペクトルの吸収ピークを赤外域に持ち、吸収した光に応じた電荷を発生する有機光電変換材料を含んで構成され、全体として可視域の光を５０％以上透過する。電極１３上方には、基板内の各光電変換部に対応してカラーフィルタ１３ｒ，ｇ，ｂが設けられる。 （もっと読む）

【課題】平面上のみならず、角度を持った側壁面等にも容易に形成され、且つ、赤外線の遮光と赤外線の反射抑制が可能な遮光膜を提供する。
【解決手段】少なくとも一方の面に受光素子を備えた撮像素子部を有し、且つ、該撮像素子部を備えた面に立上がる立上壁を有する固体撮像素子用の遮光膜であって、（Ａ）黒色顔料を含む被分散体と分散剤と有機溶媒とを含み、該被分散体の９０％以上が１５ｎｍ以上３０ｎｍ以下の粒径を有する顔料分散物、（Ｂ）重合性化合物、及び（Ｃ）重合開始剤を含有する感放射線性組成物を、該基板の受光素子を備えた面と、該受光素子を備えた面に立上がる立上壁の表面にスプレー塗布して形成された固体撮像素子用遮光膜。 （もっと読む）

【課題】種々のＦナンバーの撮影レンズとの組み合わせにおいて感度の向上とクロストークの低減とに有利な技術を提供する。
【解決手段】位相差検出方式による焦点検出のための複数の画素を含む固体撮像装置において、前記画素は、互いに独立して信号の読み出しが可能な複数の光電変換部を含む半導体領域と、第１マイクロレンズと、前記第１マイクロレンズと前記半導体領域との間に配置された第２マイクロレンズとを含み、前記第２マイクロレンズは、中央部と、前記中央部を取り囲む周辺部とを含み、前記周辺部のパワーは、前記中央部のパワーよりも大きく、かつ、正の値を有する。 （もっと読む）

【課題】画素部の周辺回路におけるトランジスタ特性の劣化を抑制することが可能な放射線撮像装置および放射線撮像表示システムを提供する。
【解決手段】放射線撮像装置１は、基板１１上に、フォトダイオードを有する画素部１０Ａと、基板１１上の画素部１０Ａの周辺領域に配設され、画素部１０Ａを駆動する回路部１０Ｂと、画素部１０Ａ上に設けられ、放射線の波長をフォトダイオードの感度域の波長に変換するシンチレータ層２２とを備える。回路部１０Ｂは、シンチレータ層２２の端部２２ａに非対向の領域に設けられている。シンチレータ層２２の端部２２ａから水分が侵入してイオン化が生じた場合であっても、回路部１０Ｂにおけるトランジスタ（特にＤＣ駆動される領域のトランジスタ）において、上記イオン化による固定電荷の蓄積が抑制される。 （もっと読む）

【課題】光検出感度の低下を抑えながらクロストークを低減するために有利な技術を提供する。
【解決手段】位相差検出方式による焦点検出のための複数の画素を含む固体撮像装置において、前記画素は、互いに独立して信号の読み出しが可能な複数の光電変換部を含む半導体領域と、マイクロレンズと、前記マイクロレンズと前記半導体領域との間に配置されたレンズ面とを含み、前記レンズ面は、前記マイクロレンズを通過して前記半導体領域に向かう光に対して負のパワーを作用させる。 （もっと読む）

【課題】ＣＭＯＳ技術と互換性を有する時間遅延および信号積分線形画像センサ（ＴＤＩセンサ）を提供する。
【解決手段】ピクセルは、半導体層１２を覆う連続する複数の絶縁されたゲートＧ１_ｉ、Ｇ２_ｉ、Ｇ３_ｉ、Ｇ４_ｉを含み、１個のピクセルのゲートは互いに分離されていて、且つゲートの狭く覆われていない間隙により、別のラインの隣接するピクセルのゲートから分離されていて、ｐ型のドープ領域１６に覆われたｎ型のドープ領域１４を含み、表面領域は全く同一の基準電位に保たれており、隣接するゲート間の狭い間隙の幅は、ゲートが、１個のピクセルから次のピクセルへの電荷の移動に必要な電位の交替を継続する場合に、ｎ型のドープ領域１４の内部電位が狭い間隙の幅全体にわたり変更される。 （もっと読む）

【課題】耐熱性および耐アルカリ性に優れ、色純度に優れた着色硬化性組成物を提供する。
【解決手段】下記一般式（５）で表される部分構造を有する色素化合物、および重合性化合物を含む着色硬化性組成物。 （一般式（５）中、Ｄｙｅは色素構造を表し、Ｇ^１はＮＲまたは酸素原子を表し、Ｇ^２は立体パラメータである−Ｅｓ’値が１．５以上の１価の置換基を表す。ｐは１〜８の整数を表す。ｐが２以上の時、括弧内の構造は同じでも異なっていてもよい。Ｒは水素原子または１価の置換基を表す。）
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【課題】 効率良く高精度の位置合わせが可能な偏光撮像装置の製造方法、及び製造装置を提供する。
【解決手段】 撮像素子１２と、領域分割偏光フィルタ１１とを貼り合わせてなり、撮像画像の偏光情報を取得可能な偏光撮像装置の製造方法において、
撮像素子１２及び領域分割偏光フィルタ１１のいずれかに接着剤を塗布する工程と、偏光照明手段１３からの偏光照明を、領域分割偏光フィルタ１１を介して撮像素子１２上に照射し、撮像素子１２が検出する信号が所望の光強度パターンとなるように、撮像素子１２と領域分割偏光フィルタ１１との配置を調整して貼り合わせる工程と、前記接着剤を硬化させて、撮像素子１２と領域分割偏光フィルタ１１とを固着させる工程と、を順次実施する偏光撮像装置の製造方法、及び該製造方法を実施する製造装置。 （もっと読む）

【課題】工程数の増加がなく工程を簡略化できて、高段差を有する基板上に層内レンズを、均一で同じレンズ形状に形成できて、集光率の向上と集光ムラおよび受光感度ムラの改善を更に行う。
【解決手段】従来のように工程数を増やしてポジ型感光性Ｉ線レジスト膜１２ａの表面を平坦化することなく、照射光量を平面位置に応じて制御された透過率階調マスクとしてのガラスマスク１５を用いて、膜厚が変化したポジ型感光性Ｉ線レジスト膜１２ａに対して直に均一なレンズ形状を形成できるので工程が簡略化できる。また、照射光量を平面位置に応じて制御されたガラスマスク１５を用いて、最も周辺回路領域３側の層内レンズ１２と有効画素領域２の中央部の層内レンズ１２とを含む複数の層内レンズ１２のレンズ形状が同一になるようにパターンニングを行う。 （もっと読む）

【課題】ＯＢ画素領域において暗電流の発生が抑制された固体撮像装置を得ることを目的とする。また、その固体撮像装置を用いた電子機器を提供することを目的とする。
【解決手段】固体撮像装置において、ＯＢ画素領域８の光電変換部１１上部における、遮光膜１９と基板１０との間に成膜される膜を、シリコン酸化膜（絶縁膜２２）のみで構成する。これにより、ＯＢ画素領域８における光電変換部１１上部において、基板１０と遮光膜１９との間に電荷がチャージされるのを防ぐことができ、暗電流の発生を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】電荷・電気信号変換部に設けた電荷入力部に余剰電荷が溢れる現象を簡単な構造で抑制することのできる技術を提供する。
【解決手段】水平転送路２１０（電荷転送部）は、電荷転送方向において、電荷を出力する最終段水平転送レジスタ２１４（電荷出力部）を有する。電荷・電気信号変換部１６は、最終段水平転送レジスタ２１４から入力された電荷を受け取るＦＤ部２５０（電荷入力部）を有する。好ましくは、水平転送路２１０上に小信号障壁２２０を設け、その出口２２２を電荷入力部と対向させる。好ましくは、水平転送路２１０に隣接して、水平オーバーフローバリア２７２及び水平オーバーフロードレイン２７６で構成された余剰電荷掃捨部２７０を配置する。電荷の転送方向に対して交差した第２の方向（幅方向）における最終段水平転送レジスタ２１４の中央部からずれた位置（好ましくは余剰電荷掃捨部２７０側）に電荷入力部を配置する。 （もっと読む）

【課題】ラインレートを犠牲にすることなく、飽和電荷量を高めることが可能な固体撮像装置を提供すること。
【解決手段】固体撮像装置１は、光感応領域１５と、電位勾配形成領域１７と、をそれぞれ有すると共に、所定の方向に交差する方向に沿うように併置された複数の光電変換部３と、光電変換部３にそれぞれ対応し且つ光感応領域１５の平面形状を成す他方の短辺側に配置され、対応する光電変換部３の光感応領域１５で発生した電荷を蓄積する複数のバッファゲート部５と、複数のバッファゲート部５からそれぞれ転送された電荷を取得し、所定の方向に交差する方向に転送して出力するシフトレジスタ９と、を備え、バッファゲート部５は、所定の方向に沿って配置されると共に所定の方向に向かってポテンシャルを高くするように所定の電位がそれぞれ与えられる少なくとも二つのゲート電極を有する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、固体撮像デバイスを用いた映像センサの実装工程において、映像センサの受光部側に、表面保護用粘着テープを貼り合せた状態で、１７０℃以上に加熱することで映像センサの端子部を基板側と半田接続リフロー後に粘着テープを剥がした後の受光部表面において、テープを貼り合せていた部分の外周部の糊残りを大幅に低減させる。
【解決手段】固体撮像デバイスを用いた映像センサの実装工程において、映像センサの受光部側に用いる表面保護用粘着テープであって、基材と粘着剤層からなる粘着テープにおける粘着テープの切断端部の糊バリが粘着剤層表面からの高さが３μｍ以下であることを特徴とする表面保護用粘着テープとする。 （もっと読む）

【課題】電位勾配形成部の導電性部材の電気抵抗値にばらつきが生じ難く、動作及び特性の安定性を確保することが可能な固体撮像装置を提供すること。
【解決手段】固体撮像装置１は、平面形状が二つの長辺と二つの短辺とによって形作られる略矩形状をなし、長辺に交差する第１方向に並置された複数の光感応領域７を有する光電変換部２と、複数の光感応領域７に対向して配置された導電性部材８を有し、光感応領域７の一方の短辺側から他方の短辺側に向かう第２方向に沿って高くされた電位勾配を形成する電位勾配形成部３と、を備える。導電性部材８は、第２方向での両端部間を第２方向に伸び且つ第１電気抵抗率を有する第１領域８ａと、両端部間を第２方向に伸び且つ第１電気抵抗率よりも小さい第２電気抵抗率を有する第２領域８ｂと、を含んでいる。 （もっと読む）