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Fターム[4M118BA10]の内容

固体撮像素子 (108,909) | 基本構造 (11,702) | 受光部(光電変換部)を複数持つもの (11,448) | 半導体結晶型 (10,136) | 受光・転送同一平面型 (8,954) | CCD型(非薄膜型) (3,681)

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【課題】色ムラが抑制され、パターンエッジ形状に優れた着色パターンを、残渣の発生を抑制しながら作製できるカラーフィルタ用着色組成物を製造できるカラーフィルタ用着色組成物の製造方法を提供する。
【解決手段】濁度が30ppm以下であり色素を含む重合溶液を用いて色素多量体を作製する色素多量体作製工程と、少なくとも、前記色素多量体と、重合性化合物と、溶剤と、を混合する混合工程と、を有するカラーフィルタ用着色組成物の製造方法である。 (もっと読む)


【課題】光の検出範囲が狭くなることを抑制する。
【解決手段】入射する光の照度に応じて値が設定される第1の光データ信号及び第2の光データ信号を出力する光検出回路と、第1の光データ信号及び第2の光データ信号が入力され、第1の光データ信号及び第2の光データ信号を用いて演算処理を行うアナログ演算回路と、アナログ演算回路における演算処理として、第1の光データ信号及び第2の光データ信号の加算処理を行うか、第1の光データ信号及び第2の光データ信号の減算処理を行うかを切り替える切替回路と、を具備する。 (もっと読む)


【課題】反りを抑制でき、しかもフレア光の発生を抑制でき、明るい光源が視野内に入った場合であってもフレア光が目立つことのない良質の画像を得ることが可能な撮像装置およびカメラモジュールを提供する。
【解決手段】受光部を含む光学センサと、光学センサの受光部側を保護するためのシール材と、少なくとも受光部とシール材のこの受光部との対向面である第1面間に形成された中間層と、膜に斜めに入射する光の入射角度に応じてカットオフ波長が短波側にシフトする制御膜と、を有し、制御膜は、シール材の受光部との対向面である第1面に形成された第1の制御膜と、シール材の第1面と反対側の第2面に形成された第2の制御膜と、を含む。 (もっと読む)


【課題】半導体チップ10と配線板20との接合信頼性の高い撮像装置1を提供する。
【解決手段】実装面12に複数の第1のバンプ16を有する半導体チップ10と、それぞれの第1のバンプ16と接合された第2のバンプ26を有する配線板20と、を具備し、第1のバンプ16の接合面16Sと第2のバンプ26の接合面26Sとが、同じ面積の同じ回転対称多角形である長方形であり、第1のバンプ16と第2のバンプ26の実接合部30Sの面積が、それぞれの接合面16S、26Sの面積よりも小さい。 (もっと読む)


【課題】カラー画素とパンクロ画素からなる二次元アレイを備えていて高感度でフル・カラー画像を生成させるのに有効なイメージ・センサーを提供する。
【解決手段】カラー画像を捕獲するため、複数の最小繰り返し単位を有する二次元画素アレイを含むイメージ・センサーであって、それぞれの最小繰り返し単位が、5つのパンクロ画素と、色応答が異なる3つの画素を有する8つの画素からなるイメージ・センサーで構成される。以下の最小繰り返し単位:P B P D A P C Pを持つ(ただし、Pはパンクロ画素を表わし、A、B、C、Dは、色応答が異なる画素を表わす)。 (もっと読む)


【課題】PDの飽和電荷数を増加させ、より画質の向上を図ることが出来るCMOS固体撮像素子を提供する。
【解決手段】画素は、半導体基板61に形成された光電変換部31と、光電変換部31の側面に形成された側面ピンニング層82と、光電変換部31の表面側に形成された表面ピンニング層81とを備えている。画素の製造工程では、光電変換部31が形成される領域の側面部分に画素分離部を埋め込むためのトレンチ62’を形成し、そのトレンチ62’が開口している状態でイオン注入を行うことにより側面ピンニング層82および表面ピンニング層81が同時に形成される。 (もっと読む)


【課題】微細化により垂直転送部の列間が狭くなっても電荷排出部を作りやすい固体撮像素子を提供する
【解決手段】半導体基板11内に形成された第1導電型のドレイン領域10と、半導体基板11内のドレイン領域10よりも主面側に形成された第2導電型のウェル領域20と、ウェル領域20内に形成された第1導電型の複数の受光部121と、ウェル領域20内に形成され受光部121で発生した電荷を転送する第1導電型の垂直転送部131と、ウェル領域20内に形成され垂直転送部131の電荷転送方向の最下流から電荷を受け取り転送する第1導電型の水平転送部141とを備え、半導体基板11内のウェル領域20内の垂直転送部131の最下流の箇所を、半導体基板11の厚み方向に見たときに、垂直転送部131よりも深い領域に、第1導電型の電荷排出部22が形成されることを特徴とする固体撮像素子。 (もっと読む)


【課題】固体撮像装置において、ゴーストなどの発生を抑制して、画像品質を向上させる。
【解決手段】入射光Hを受光する複数の画素PXが半導体基板101の上面に配列されているセンサ基板100と、前記センサ基板の上面に下面が対面しており、前記入射光が透過する透明基板300と、前記透明基板の上面と前記センサ基板の上面との間のいずれかの位置に設けられており、前記入射光が透過する回折格子601とを有し、前記回折格子は、前記半導体基板の上面にて前記複数の画素が配列された画素領域PAに前記入射光が入射し回折されることで生ずる反射回折光を回折するように形成する。 (もっと読む)


【課題】斜めに入射する光が隣接する画素領域に混入することを抑制することができ、且つ、感度の低下を抑制することができる固体撮像装置及びその製造方法を提供することである。
【解決手段】実施形態に係る固体撮像装置は、主面に複数の光電変換部が設けられた基板と、前記複数の光電変換部毎に設けられ、屈折率の異なる複数の層が積層され、所定の波長領域の光を選択的に透過させる干渉フィルタと、を備えている。そして、隣接する前記干渉フィルタ同士の間には、空隙が設けられている。 (もっと読む)


【課題】一度の撮影で複数の異なる被写体面の像のカラー画像を同時に取得可能な撮像素子を提供する。
【解決手段】
一度の撮影で複数の異なる被写体面の像を取得可能な撮像素子であって、複数の異なる焦点距離を有する光学系5と、複数の画素を備えた撮像素子部6と、少なくとも3つの異なる波長域の色光から、複数の画素のそれぞれに応じた波長域の色光を選択する波長選択手段8とを有し、複数の画素のうち、同一の波長域の色光に対応し、かつ、同一の被写体面の像を取得する複数の画素は、互いに隣接しないように配列されている。 (もっと読む)


【課題】多層化した複数層の受光部により複数の色信号を、1画素部で一括して同時に検出した1画素部毎の各層の信号電荷から得ると共に、静止画および動画のいずれであっても鮮明なフルカラー撮像を実現する。
【解決手段】半導体層または半導体基板に交互に一方向に隣接配置されたP型注入領域4およびN型注入領域5であって、被写体からの画像光を光電変換する複数層の光電変換部(3層のP型注入領域およびN型注入領域)が、光電変換部とはバンドギャップの異なる透明層(SiO膜)をその各間に介在して積層され、一方向に直交する他方向にそれぞれ配置された3層のP型注入領域4およびN型注入領域5と、P型注入領域4およびN型注入領域5上に設けられた一方向の複数の電荷転送駆動用の透明電極6〜11と、複数の電荷転送駆動用の透明電極6〜11上に設けられ、入射光を透過または遮光制御する入射光透過/遮光制御手段とを有している。 (もっと読む)


【課題】PDからのオーバーフローを安定的に行う固体撮像素子および電子機器を提供する。
【解決手段】撮像素子は、シリコン基板に複数の画素21がアレイ状に配置された画素アレイ部と、画素を駆動する駆動部とを備え、画素は、PD24、オーバーフロードレイン33、および電位障壁部32を有する。PD24は、シリコン基板31に配線層が積層される表面に対して反対側となる裏面の近傍に形成され、入射光に応じた電荷を発生する。オーバーフロードレイン33は、裏面に接して形成され、所定の電圧で固定される。電位障壁部32は、光電変換部24とオーバーフロードレイン33とに接続して形成され、光電変換部24からオーバーフロードレイン33へ流れ出る電荷に対する障壁となる。 (もっと読む)


【課題】より正確に混色補正を行うことができるようにする。
【解決手段】入射光を光電変換する光電変換素子を有する複数の通常画素よりなる通常画素群と、前記通常画素群の有効画素領域内において、周辺画素から入射される光を光電変換素子により検出する検出画素とを備える撮像素子と、前記撮像素子の前記検出画素により検出された光の光量を用いて、前記通常画素の画素値から、前記通常画素の周辺画素から入射される光の光量を減算する減算部とを備える。本開示は撮像素子、並びに、撮像装置および方法に適用することができる。 (もっと読む)


【課題】ダイナミックレンジをより拡張することができるようにする。
【解決手段】
画素は、受光した光に応じた電荷を発生するフォトダイオードと、所定の容量を有し、フォトダイオードから転送されてくる電荷を蓄積するフローティングディフュージョンと、フローティングディフュージョンの容量に付加される付加容量と、フローティングディフュージョンと付加容量との接続を切り替える薄膜トランジスタとを備える。そして、付加容量および薄膜トランジスタは、フォトダイオードが形成されるシリコン基板から層間絶縁膜を介して配置される配線層中に形成される。本技術は、例えば、撮像装置に適用できる。 (もっと読む)


【課題】固体撮像素子に設けるマイクロレンズを、隣接するマイクロレンズとのギャップを狭くして高い集光性能を与えるとともに、各マイクロレンズの形状が均一になるように形成する製造方法を提供すること。
【解決手段】固体撮像素子10におけるマイクロレンズ7の製造方法であって、マイクロレンズを構成する第一の層81を設けた後に、マイクロレンズを構成する第二の層85を、第一の層とは異なる形状で第一の層に積層して設け、その後両層を熱処理して一体化することにより、所望の形状のマイクロレンズを形成する工程を含み、第一の層の形状が、各画素の中央から画素境界に向かう放射状パターンを含み、第二の層の形状が、多角形状の各画素の形状に近く、画素境界を越えない凸図形パターンである。 (もっと読む)


【課題】 薄くて、耐熱性および分光特性に優れた近赤外線カットフィルターを提供する。
【解決手段】 ポリイミド樹脂フィルムと誘電体多層膜からなる近赤外線反射膜を有し、かつ、前記ポリイミド樹脂フィルムの厚みが、80μm以下である、近赤外線カットフィルター。 (もっと読む)


【課題】装置の信頼性や、製品の歩留まりなどを向上させる。
【解決手段】第1の開口と第2の開口との内部に金属材料を埋め込んで第1プラグと第2プラグとを設けると共に、第1プラグと第2プラグとの間を接続する接続配線を設けることで、接続導電層を形成する。そして、接続導電層において接続配線の上面を被覆するようにパッシベーション膜を形成する。このパッシベーション膜の形成工程では、高密度プラズマCVD法などのように埋め込み性に優れた成膜法で、SiOなどの絶縁膜を成膜することによって、パッシベーション膜を形成する。 (もっと読む)


【課題】屈折率が高く、透明性に優れ、さらに、溶剤耐性に優れた、光導波路に好適な硬化物を形成することができる重合体を提供する。
【解決手段】1つ以上のチアントレン骨格を含むポリアリーレンスルフィド鎖と、反応性官能基と、を含有する重合体。前記反応性官能基はメルカプト基、スチリル基、α−メチルスチリル基、または(メタ)アクリル基等である。
前記重合体、及び架橋剤を含有する硬化性樹脂組成物。
前記硬化性樹脂組成物を硬化させてなる硬化物。 (もっと読む)


【課題】光電変換効率が高く、光電流/暗電流のS/N比の良好であり、且つ、応答速度の速い光電変換素子を提供する
【解決手段】一対の電極(20,40)と、一対の電極(20,40)に挟持された少なくとも光電変換層32を含む受光層30を有する光電変換素子1は、受光層30の少なくとも一部の層が、フラーレン又はフラーレン誘導体を主成分とする複数の粒子又は該複数の粒子が成形されてなる成形体であり、複数の粒子のD50%で表される平均粒径が50μm〜300μmであるの光電変換素子用蒸着材料を用いて蒸着されたフラーレン又はフラーレン誘導体を含むものである。 (もっと読む)


【課題】固体撮像素子などの半導体装置を微細化するとともに、半導体装置中のシャント配線を薄くすると、高速駆動時の転送効率が低下してしまう。また、電荷転送部への遮光性が低下してしまう。
【解決手段】受光部及び電荷転送部を有する半導体基板と、電荷転送部上に配置された転送電極と、転送電極上に配置され、転送電極と接続する第1の金属膜とを有し、第1の金属膜は、グレインサイズの小さい金属層とグレインサイズの大きい金属層とをそれぞれ1層以上有することを特徴とする半導体装置を提供する。 (もっと読む)


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