【課題】厚さ寸法の増大を招くことなく、保持部材に対して適切な位置に撮像素子パッケージを固定することのできる撮像素子固定構造を提供する。
【解決手段】撮像素子パッケージ５１と、撮像素子パッケージ５１の一対の素子外側面（５４）と第１間隔Ｃ１で対向する一対の第１中間対向面５６を規定しかつ第２方向への撮像素子パッケージ５１の相対的な第１距離の移動を許容する中間部材５２と、素子外側面と第１中間対向面５６とを掛け渡して接合する第１接着層６７と、中間部材５２の一対の第２中間対向面６１と第２間隔Ｃ２で対向する一対の保持内側面（６３）を規定しかつ第１方向への中間部材５２の相対的な第２距離の移動を許容する保持部材５３と、第２中間対向面６１と保持内側面とを掛け渡して接合する第２接着層６８と、を備え、第１間隔Ｃ１は、第１距離の半分の値よりも小さく設定され、第２間隔Ｃ２は、第２距離の半分の値よりも小さく設定されている。 （もっと読む）

【課題】 小型化、薄型化を実現した半導体装置を提供する。
【解決手段】 本発明の半導体装置は、画素に表示部とセンサ部とを有し、表示部とセンサ部の各々の制御を、同一の走査線駆動回路で行う。第１の期間においては、前記走査線駆動回路は、表示部が有する第１の選択信号線の走査を行い、第２の期間においては、前記走査線駆動回路は、センサ部が有する第２の選択信号線の走査を行う。表示部にビデオ信号を入力するための第１の信号線と、センサ部から、対象物の画像情報を有する信号を出力するための第２の信号線とは、別々に設けられることで、相互の信号へのスイッチングノイズ等の影響を最小限とする。 （もっと読む）

【課題】画素部面内でのスミア比の差が抑制され、出力画像の画質が高い固体撮像素子を提供する。
【解決手段】マイクロレンズ１６と、赤色、緑色、青色の波長を選択するカラーフィルター１７とを有し、カラーフィルター１７透過後の入射光を、屈折率が周辺部よりも大きな材料を用いて画素開口部へ伝搬させる光導波路構造（光導波路１３、・・）を備える。そして、光導波路１３の開口径が、画素中心部から周辺部に行くに従って小さくなっている。具体的には、画素中心部における開口径ｄ_Ｇ１が、外周における開口径ｄ_Ｇ２よりも大きくなっている。なお、Ｒ画素およびＢ画素においても、同様の関係を以って光導波路の開口径が設定されている。 （もっと読む）

【課題】固体撮像装置の画質の向上を図る。
【解決手段】本実施形態の固体撮像装置は、半導体基板１０内に設けられ、光が照射される複数の第１の光電変換部を有する第１の領域２と、半導体基板１０内に設けられ、第１の領域２に隣接する第２の領域３と、受光面に対して垂直方向において第１の領域２と重なる位置に配置され、第１の光電変換部にそれぞれ対応する複数の第１のレンズ９と、記第１の領域２と第１のレンズ９との間において２つの領域２，３との境界部の段差に隣接し、第１の領域２に対応する第２のレンズ７Ａと、を含む。 （もっと読む）

【課題】透過光量が大きく、赤、緑、及び青の着色画素を含むカラーフィルタを固体撮像素子に用いたときに、ノイズが低く、色再現性が良好な固体撮像素子を実現するカラーフィルタを提供する。
【解決手段】赤色画素、緑色画素、および青色画素を含むカラーフィルタにおいて、前記赤色画素における４００ｎｍの透過率が１５％以下、６５０ｎｍの透過率が９０％以上であり、前記緑色画素の４５０ｎｍの透過率が５％以下、５００〜６００ｎｍの波長範囲のいずれかの透過率が９０％以上であり、且つ、前記青色画素の４５０ｎｍの透過率が８５％以上、５００ｎｍの透過率が１０％以上５０％以下、７００ｎｍの透過率が１０％以下であるカラーフィルタ。 （もっと読む）

【課題】各画素の受光部に対応して設けられるレンズ同士の境界部分に遮光部を設けるに際し、遮光部をセルフアラインで形成することができ、レンズと遮光部とのパターン合わせ精度を向上することができ、微細化や画素数の増大に容易に対応することができる固体撮像素子の製造方法を提供する。
【解決手段】本開示の固体撮像素子の製造方法は、半導体基板上の撮像領域に配列される複数の画素の各画素の前記受光部に対応して設けられ、前記受光部に対して光を集光するレンズを形成する工程と、前記レンズ上に、遮光性を有する材料により成膜することで、遮光層を形成する工程と、互いに隣り合う前記レンズの境界部分に前記遮光性を有する材料を残すように前記遮光層をエッチングすることで、前記レンズの境界部分に、前記遮光性を有する材料からなる遮光部を形成する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】パッケージ間の信号伝送路長を直線的に最短経路でかつ等長に配線することが可能となる積層構造を有する半導体装置の提供。
【解決手段】複数の第１の半導体パッケージそれぞれは、電極が配設された少なくとも一つの側面が同一面内に位置しかつ積層方向に隣接する２つの第１の半導体パッケージの一方の下面に配設された電極と他方の上面に配設された対応する電極が互いに接続するように基板上に積層され、第２の半導体パッケージの電極は、積層された複数の第１の半導体パッケージの少なくとも一つの側面に配設された電極が作る配列に対応する配列を有し、第２の半導体パッケージは、その電極が、積層された複数の第１の半導体パッケージの少なくとも一つの側面に配設された対応する電極と互いに接続するように、少なくとも一つの側面と平行に基板上に配置されている半導体装置。 （もっと読む）

【課題】暗電流の発生を抑制しながらも、転送効率の向上が図られた固体撮像装置を提供する。また、その固体撮像装置を用いた電子機器を提供する。
【解決手段】光電変換部（ＰＤ）を構成する第１暗電流抑制領域２１を、転送ゲート電極２６と一部重なるように形成する。また、その下層に、第１暗電流抑制領域２１と同導電型で構成され、第１暗電流抑制領域２１よりも低濃度の不純物領域からなる転送補助領域２２を形成する。また、この第１暗電流抑制領域２１と転送補助領域２２との転送ゲート電極２６下の端部は同一位置となるように位置あわせして形成されている。第１暗電流抑制領域２１により暗電流の抑制が図られ、また、転送補助領域２２により、転送効率の向上が図られる。 （もっと読む）

【課題】本発明の一つの実施形態の目的は、素子分離特性を向上可能な固体撮像装置および固体撮像装置の製造方法を提供することである。
【解決手段】実施形態によれば、固体撮像装置の製造方法が提供される。固体撮像装置の製造方法は、素子分離領域形成工程と、電荷蓄積領域形成工程とを含む。素子分離領域形成工程では、第１導電型の半導体層をエピタキシャル成長させて光電変換素子間を分離する素子分離領域を形成する。電荷蓄積領域形成工程では、第２導電型の半導体層をエピタキシャル成長させて前記光電変換素子における電荷蓄積領域を形成する。 （もっと読む）

【課題】電荷の転送効率を向上させることができる固体撮像装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】実施形態に係る固体撮像装置の製造方法は、ゲート電極２０を形成する工程、第２の不純物層１７を形成する工程、および第３の不純物層１８を形成する工程、を具備する。ゲート電極２０は、Ｐ型のウェル１６を表面に有する半導体基板１５上に形成される。第２の不純物層１７はＮ＋型であって、ゲート電極２０の位置を基準にして、ゲート電極２０の端部２０ａを貫通する条件で半導体基板１５の表面に対して斜め方向からウェル１６に不純物を注入することにより形成されるものである。第２の不純物層１７は、ウェル１６と接合することによってフォトダイオードを構成し、第２の不純物層１７の端部１７ａは、ゲート電極２０の端部２０ａの下に配置される。第３の不純物層１８は、Ｐ＋型であって、ゲート電極２０から露出した第２の不純物層１７の表面に形成される。 （もっと読む）

【課題】垂直転送部における転送効率劣化による縦線などの画像不良を低減することが可能な固体撮像装置及び撮像装置を提供する。
【解決手段】本発明の固体撮像装置は、垂直転送部２と水平転送部４と駆動制御部７とを備え、垂直転送部２は複数の垂直転送部２をグループとして有し、駆動制御部７は、出力によって、垂直転送部２、動画部２２、および水平転送部４のタイミングを変更して、垂直転送部内で発生した取り残し電荷を再転送する駆動、回収する駆動および通常の駆動を選択し、低照度から高照度までの領域で常に転送効率が最大になるように制御する。 （もっと読む）

【課題】従来の素子の作製プロセスに特別なプロセスを追加することなく、端面で発生した電子が画素部に混入することによって生じるノイズを低減することができる裏面照射型固体撮像素子及びそれを備えた撮像装置を提供する。
【解決手段】裏面照射型固体撮像素子１００は、画素領域２０、ｐウエル３０、ｎガードリング４０、ｐガードリング５０、端面１０３〜１０６を有し、画素領域２０から各端面１０３〜１０６に向かって、画素領域２０を囲むように、ｐウエル３０、ｎガードリング４０及びｐガードリング５０が順次形成され、ｐウエル３０にはｐウエル端子３１、ｎガードリング４０にはｎガードリング端子４１、ｐガードリング５０にはｐガードリング端子５１が、それぞれ設けられ、各端子に印加される電圧が、ｎガードリング端子電圧＞ｐウエル端子電圧≧ｐガードリング端子電圧≧裏面端子電圧の関係を有する。 （もっと読む）

【課題】局所的な太陽光やスポット光などの強烈光を受光したときに起こるＯＢ画素領域の信号レベル（黒基準信号）のズレを防止する。
【解決手段】ＯＢ画素領域３，４に対応した水平転送部ＨＣＣＤのみを電荷転送することにより、太陽光などの強烈光を受光した際に起こる余剰電荷の溢れ出しによる信号レベルの変動がクリーニングされて無信号化されて電荷検出部５に検出される。即ち、強烈光に影響されない真のＯＢ画素領域信号（黒基準信号）を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】高集積化に伴う、個々の光電変換部で受光される光量の減少より、光電変換部に対して、その隣の光電変換部に入射すべき光が漏れ込んできたときの混色が大きくなる。
【解決手段】撮像領域の配線層の層数が周辺回路領域の配線層の層数より少ない配線構造と、撮像領域における配線構造の上部に配置された複数のマイクロレンズと、撮像領域における最上の配線層の上部であって、隣接する光電変換部の間に配置された反射部と、を有する固体撮像装置を提供することによって、前記問題を解決する。 （もっと読む）

【課題】検出感度を向上するとともに、低コスト化を実現することができるようにする。
【解決手段】イメージセンサにおいては、光電変換部の受光素子上に、中央部分に凹部（窪み）が形成された平凸形状の構造体が形成されている。構造体の凹部を除く表面には、光反射性の薄膜が形成されている。そして、構造体の凹部には、測定対象のゲル状、または液体状の試料が貯留されている。本開示は、例えば、試料を測定対象とする検査装置に適用することができる。 （もっと読む）

【課題】光導波路の材料とそれを取り囲む絶縁膜との間に作用する熱応力により、プロセス欠陥が生じうる。
【解決手段】光導波路の材料を堆積させる工程と、堆積された前記材料に光または放射線を照射することによって前記材料をアニールするアニール工程により、前記堆積工程および前記アニール工程を経て前記光電変換部に光を導く光導波路を形成する。 （もっと読む）

【課題】改良されたカラーマイクロレンズを用いることにより、レンズ自体の色分解性と集光性の適正化を図るとともに、周囲の画素からの光を遮断して、全体として色再現性の良好なカラー固体撮像素子を簡単な製造工程で提供すること。
【解決手段】半導体基板２上に複数の光電変換素子３を平面配置した固体撮像素子画素部の受光面側表面４に、光電変換素子の各々に対応して複数のマイクロレンズ６を設けた固体撮像素子１において、マイクロレンズが所定の分光透過率特性を有する複数色の内の１色の着色透明樹脂からなるカラーマイクロレンズを他の色の着色透明樹脂からなるカラーマイクロレンズと連ねて規則的に繰り返し配列してなり、隣接する異なる色のカラーマイクロレンズが、カラーマイクロレンズの高さより低い遮光性のブラックマトリクスのパターン７により隔てられる。 （もっと読む）

【課題】出力分解能を犠牲にすることなく、消費電力を低減することができるＡ／Ｄ変換装置、Ａ／Ｄ変換方法および固体撮像装置を提供する。
【解決手段】
アナログ入力信号に応じてパルス信号を遅延させるｎ（ｎ：正の整数、ｎ≧２）個の遅延素子が円環状に接続され、第１の時刻から第２の時刻までパルス信号を伝播させるパルス遅延回路と、第１の時刻から第２の時刻よりも短い第３の時刻までの周回数をカウントするカウンタ回路と、第３の時刻までの周回数を上位ビットラッチ値として出力する上位ビットラッチ回路と、第３の時刻の位置を第１の下位ビットラッチ値として出力し、第２の時刻の位置を第２の下位ビットラッチ値として出力する下位ビットラッチ回路と、第１の時刻から第２の時刻までの周回数の上位ビット推定値と第２の下位ビットラッチ値とに基づいて、アナログ入力信号の大きさに応じたデジタル出力値を生成するデジタル演算回路と、を備える。 （もっと読む）

【課題】転送トランジスタのカットオフ特性を向上する。
【解決手段】固体撮像装置は、半導体基板１１と、半導体基板１１に設けられ、かつＮ型領域及びＰ型領域から構成されるフォトダイオード１７と、半導体基板１１に設けられ、かつフォトダイオード１７から転送された電荷を保持する浮遊拡散層２５と、半導体基板１１に設けられ、かつフォトダイオード１７に蓄積された電荷を浮遊拡散層２５に転送する転送トランジスタとを含む。フォトダイオード１７のＮ型領域は、第１の半導体領域１４と、第１の半導体領域１４より浅い第２の半導体領域１５とから構成される。第１の半導体領域１４の端部は、転送トランジスタのゲート電極２０の端部よりも浮遊拡散層２５側に位置し、第２の半導体領域１５の端部は、転送トランジスタのゲート電極２０の端部と略同じ位置である。 （もっと読む）

【課題】ボンディングパッドおよびシールド構造を有する半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置は、半導体装置の正面と背面に対応する正面と背面を有する装置基板と、装置基板の正面上に形成される金属層部と、半導体装置の背面に設置され、金属層部と電気的に接続するボンディングパッドと、装置基板の背面上に設置されるシールド構造と、を含み、シールド構造とボンディングパッドは異なる厚さを有する。 （もっと読む）