【課題】 高いアライメント精度、および少ない工程数でアライメント用の光の透過率が低い材料のパターン形成方法を提供する。
【解決手段】 基板の上に凹部または凸部を有するアライメントマークを含む第１のパターンを形成する工程と、第１のパターンの上に平坦化層を形成する工程と、平坦化層のアライメントマークの上に形成された部分を除去する工程と、アライメントマークの上に形成された部分が除去された平坦化層の上に、被加工層を形成する工程と、アライメントマークの位置を被加工層の上から光を用いて光学的に検出し、位置あわせを行う工程と、位置合わせに基づき被加工層をパターニングしてパターンを形成する工程と、を含むパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】光学特性が良好であり、かつ薄型化、小型化を実現した撮像装置を得る。
【解決手段】レンズ群115および開口絞り111を含む結像用光学系110と、固体撮像素子10とを備え、固体撮像素子10が、有機材料からなる光電変換層14、および２色以上のカラーフィルタ21r、21g、21bと分離壁22とからなるカラーフィルタ層CFを備え、光電変換層14の厚さが0.1μｍ〜1μｍであり、各色のカラーフィルタ21r、21g、21bの屈折率がいずれも1.5〜1.8であり、分離壁22の幅が0.05μｍ〜0.2μｍであり、分離壁22の屈折率が1.22〜1.34であり、固体撮像素子10における画素ピッチＤ(μｍ)と該固体撮像素子に入射する主光線の最大角度α(°)との関係が、Ｄ≦2.6μｍ、45≧α≧25・Ｄ−20となるようにレンズ群115と固体撮像素子10とを配置する。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置に発生するノイズを低減する
【解決手段】 シリコン基板１００の第１部分１１０を覆い、シリコン基板１００の第１部分１１０に隣接する第２部分１２０を覆わない窒化シリコン膜２００をマスクとしてシリコン基板１００を熱酸化することにより、酸化シリコン膜３００を形成する。窒化シリコン膜２００をマスクとして酸化シリコン膜３００のバーズビーク部３１０の下へ斜めイオン注入を行うことにより、不純物領域１２１を形成する。 （もっと読む）

【課題】 裏面照射型イメージセンサ、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 イメージセンサデバイスは、表面及び表面と対向する裏面を有する基板、この基板に配置され、裏面を通過して基板に入射する放射波を検出するように動作可能である放射線検出領域、基板の表面の上に配置された相互接続構造、基板の裏面の上に配置され、基板に引張応力を与える材料層、及び材料層の少なくとも一部の上に配置された放射線遮蔽デバイスを含む。 （もっと読む）

【課題】異なる波長帯の各波長帯を検出する感度を向上することができる固体撮像装置を提供する。
【解決手段】マルチスペクトルＴＤＩ方式ＣＣＤイメージセンサは、半導体基板と、第１から第３の波長帯を検出可能なＴＤＩ方式ＣＣＤイメージセンサとを有している。第１から第３の波長帯を検出可能なＴＤＩ方式ＣＣＤイメージセンサはそれぞれ異なる波長帯を検出可能に構成された第１から第３の画素と、第１から第３の画素の各々に設けられた転送電極とマイクロレンズを備えている。転送電極は、第１のゲート電極、第２のゲート電極、および仮想電極を少なくとも含んでいる。第１の波長帯を検出するＴＤＩ方式ＣＣＤイメージセンサの画素内と第２の波長帯を検出するＴＤＩ方式ＣＣＤイメージセンサの画素内とにおいて、マイクロレンズの光軸上に設けられた電極が異なっている。 （もっと読む）

【課題】従来よりもカラーフィルターが隔壁から剥がれにくい固体撮像装置を提供する。
【解決手段】フォトダイオード１２が内部に形成された半導体基板１０と、絶縁膜２０と配線２２，２４との積層構造を有し、半導体基板１０上に形成された配線層と、無機材料からなり、配線層上における隣接するフォトダイオード１２の間に相当する箇所に立設された隔壁３０と、有機材料からなり、配線層上であって隣接する隔壁３０の間に形成されたカラーフィルター５０，５２と、有機材料からなり、隔壁３０側面とカラーフィルター５０，５２との間に形成された密着層４０とを備え、密着層４０のカラーフィルター５０，５２に対する密着性は、隔壁３０のカラーフィルター５０，５２に対する密着性よりも高く、密着層４０の隔壁３０に対する密着性は、カラーフィルター５０，５２の隔壁３０に対する密着性よりも高い固体撮像装置。 （もっと読む）

【課題】カラーフィルタの作製に有用であり、色純度が高く、薄層で高い吸光係数が得られ、堅牢性、及び電圧保持率に優れた着色膜を形成しうる着色組成物を提供する。
【解決手段】下記一般式（Ｉ）で表される化合物及びその互変異性体から選択された少なくとも１種を含有する着色組成物。
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【課題】半導体チップが優れた接着力で接着された、信頼性の高い半導体装置を提供すること。
【解決手段】本発明は、固体撮像素子３０ａを有するカメラモジュール５０ａの製造方法に関する。本発明に係る製造方法は、感光性樹脂組成物からなる接着剤層１を半導体ウェハ５上に形成する工程と、接着剤層１を露光、現像することで、固体撮像素子３０ａの有効画素領域７が露出するように半導体ウェハ５上で接着剤パターン１ａを形成する工程と、接着剤パターン１ａを介して半導体ウェハ５とカバーガラス９とを接着する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】隔壁を通過して受光部に光が達するのを抑制することができる画像撮像装置を提供する。
【解決手段】固体撮像装置１は、複数の受光部（ＰＤ）が形成された半導体基板３と、前記半導体基板３上に形成された配線層５と、前記配線層５上であって半導体基板３の各受光部（ＰＤ）に対応してそれぞれ形成されたカラーフィルタ７と、前記各カラーフィルタ７間に形成された隔壁９とを備え、前記隔壁９は、下層部２９と上層部３１とを有し、下層部２９の上面が改質された改質層となっており、改質層と上層部３１との間に、外部からの侵入光の反射を促進させる界面２７が構成されている。 （もっと読む）

【課題】受光素子の受光面に発光層からの直接光や対象物から斜めに入射した散乱光が入射することを抑制しつつ装置を薄型化する。
【解決手段】発光部２０は、照射光ＩＬを発する発光層２６と、照射光ＩＬと反射光ＲＬを透過する第１電極２２と、照射光ＩＬと反射光ＲＬを遮光すると共に互いに離間して設けられた第２，第３電極２４とを備える。受光部３０は反射光ＲＬを受光する受光素子Ｄを備える。遮光層ＢＭは照射光と反射光を遮光すると共に開口部が形成されている。絶縁層２８は遮光層ＢＭを覆うと共に照射光と反射光を透過する絶縁体である。対象物Ｆ側から平面視した場合に、遮光層ＢＭと絶縁層２８は第２，第３電極２４間の離間領域と重なり、受光素子Ｄの受光面は遮光層ＢＭの開口部内に位置する。絶縁層２８において、発光層２６に接する面は第１電極２２の表面に対して傾斜した斜面を含み、この斜面と第１電極２２に接する面とのなす角は鋭角である。 （もっと読む）

【課題】フレアの発生を抑制しさらなる小型化が可能な固体撮像装置を提供する。
【解決手段】固体撮像装置は、固体撮像素子と、固体撮像素子のパッドと基板のリードとを接続するボンディングワイヤーと、固体撮像素子を囲む枠状のフレーム部材と、フレーム部材の上面に設けられた光学部材とを備える。フレーム部材は、光学部材側から撮像面に向けて延びる第１脚部を有し、ボンディングワイヤーの接続端部が第１脚部により覆われた状態でフレーム部材と固体撮像素子とが一体的に固定される。 （もっと読む）

【課題】屈折率が低く、かつ透明性が高く、更には、耐熱性にも優れる硬化物を形成できる硬化性樹脂組成物を提供する。
【解決手段】有機ケイ素化合物（Ａ）、及び、下記式（Ｌ）：


（Ｘ^１およびＸ^２は、Ｈ又はＦ；Ｘ^３はＨ、Ｆ、ＣＨ_３又はＣＦ_３；Ｘ^４およびＸ^５は、Ｈ、Ｆ又はＣＦ_３；Ｒｆは、アミド結合若しくはウレア結合を有していてもよい炭素数１〜４０の含フッ素炭化水素基、又は、アミド結合、カーボネート結合、ウレタン結合若しくはウレア結合を有していてもよい炭素数２〜１００のエーテル結合を有する含フッ素炭化水素基であって、水素原子の１〜３個が、末端に炭素数１〜３０の加水分解性金属アルコキシド部位を含む１価の有機基、又は、末端にエチレン性炭素−炭素二重結合を有する炭素数２〜１０の１価の有機基で置換されている有機基）で示される構造単位を有する含フッ素ポリマー（Ｂ）、からなる硬化性樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】 精密な計測が可能なフォトダイオードアレイモジュールを提供する。
【解決手段】 このフォトダイオードアレイモジュールは、第１波長帯域の光に感応する第１フォトダイオードアレイを有する第１半導体基板２と、第２波長帯域の光に感応する第２フォトダイオードアレイを有する第２半導体基板２’と、複数のアンプＡＭＰが形成されると共に第１及び第２半導体基板２，２’が重なることなく横に並べ、各フォトダイオードをバンプを介してアンプＡＭＰに接続した第３半導体基板３とを備えている。第１半導体基板２及び第２半導体基板２’の隣接する端部には、段差部が形成されており、これにより各画素を双方の基板に渡って連続して整列させた場合においても、低ノイズで計測ができるようになる。 （もっと読む）

【課題】光電変換素子が発生した光電子を４方向に振り分けて読み出すことができるとともに、リセットノイズを正確に除去することができる単位画素及び固体撮像装置並びに単位画素の信号加算方法を提供する。
【解決手段】光を検知して光電子に変換する光電変換素子を有する受光装置を備える単位画素であって、前記受光装置は、前記光電変換素子に発生した前記光電子を転送するための第１転送部と、前記光電変換素子により発生した前記光電子を一時的に保持する光電子保持部と、前記光電子保持部が保持した前記光電子を転送するための第２転送部と、転送された前記光電子を保持して該転送された前記光電子を電圧に変換させるための浮遊拡散層とを含む複数の光電子振分部を有し、前記単位画素は、前記浮遊拡散層の電位を基準電位にリセットするためのリセット用トランジスタと、前記光電変換素子に発生した前記光電子を排出する光電子排出部とを備える。 （もっと読む）

【課題】位相差検出画素の遮光膜開口を小さくすることなく良好な位相差情報を取得する。
【解決手段】基板上に二次元アレイ状に配列形成され各々が入射光量に応じた信号電荷を発生させる複数の光電変換素子５と、該複数の光電変換素子５の各々の上に積層される同形状のマイクロレンズと、光電変換素子５の受光面と対応する前記マイクロレンズとの間に介挿され該光電変換素子５の受光面上に開口６が設けられた遮光膜とを備え、光電変換素子５のうち被写体からの入射光の位相差情報を検出する隣接する２つの光電変換素子５Ｇ，５ｇに設けられる前記開口が該２つの光電変換素子で共通に１つの開口７として設けられる （もっと読む）

【課題】ＣＣＤ固体撮像素子を用いた固体撮像装置において、白キズ等のＣＣＤ固体撮像素子の暗電流の影響を受けない様に、垂直スメアを低減する。
【解決手段】固体撮像素子の受光面の有効画素より先に読み出す４ラインの垂直遮光画素から取得した信号の画面垂直方向の暗電流むらを補正してから、垂直遮光画像４ラインの各垂直画素信号の最小値から２番目の値を算出し、垂直スミア補正信号として記憶し、画像ＡＧＣに合わせて利得を可変して固体撮像素子の受光面の有効画素から出力されるＡＧＣ後の画像信号から減算する。また、前記固体撮像素子から出力される信号を１４ビットにＡ／Ｄ変換して前記代表値信号を算出して１５／１６に減衰して、前記固体撮像素子の受光面の有効画素から出力される画像信号から減算する。 （もっと読む）

【課題】光電変換膜の感度を低下させることなく、高い光電変換効率を得ることが可能な固体撮像装置及び当該固体撮像装置を有する電子機器を提供する。
【解決手段】半導体基板の上部に設けられる光電変換膜を用いて、入射光を光電変換する固体撮像装置あるいは当該固体撮像装置を有する電子機器において、光電変換膜をその膜面が基板面に対して傾斜するようにレイアウトすることで、光電変換膜内における入射光の光路長を長くする。そして、光路長を長くできる分だけ光電変換膜の膜厚を薄くすることで、光電変換膜の感度の低下を招くことなく、高い光電変換効率を得る。 （もっと読む）

【課題】固体撮像素子の画素形成に用いられ、解像性に優れた画素が形成でき、且つ、画素形成の際に行われるポストベーク後において画素の剥がれ欠陥の発生が抑制された感放射線性組成物を提供する。
【解決手段】樹脂と、紫外線吸収剤と、顔料とを含有し、該顔料として、４００ｎｍ以上５００ｎｍ未満に極大吸収波長を持つ顔料（Ａ）と、５００ｎｍ以上６００ｎｍ未満に極大吸収波長を持つ顔料（Ｂ）と、６００ｎｍ以上７００ｎｍ以下に極大吸収波長を持つ顔料（Ｃ）とをそれぞれ１種以上含有し、全顔料の合計含有量が全固形分に対し０．１質量％以上２０質量％以下である固体撮像素子の画素形成に用いられる感放射線性組成物 （もっと読む）

【課題】高温熱処理による不純物拡散を抑制することにより、基板性能に要求されるオーバーフロードレイン機能とゲッタリング能力を向上できて、製造工程も複雑化しない。
【解決手段】シリコン基板１の表面側に、砒素（またはアンチモン）がイオン注入されて高濃度Ｎ型層３が形成され、この高濃度Ｎ型層３上にエピタキシャル層４がエピタキシャル成長して形成されている。これによって、砒素（Ａｓ）の拡散係数がリン（Ｐ）に比べて小さいことから、従来手法によるリンドープ基板に比べて製造工程における熱処理による不純物拡散（プロファイル拡散）を大幅に抑制する。 （もっと読む）

【課題】画質の劣化を抑制する。
【解決手段】本実施形態の固体撮像装置は、フォトダイオード形成領域５０内に設けられ、少なくとも１つの不純物層５５を含むフォトダイオード５と、フォトダイオード形成領域５０内に設けられ、フォトダイオード５の下方に設けられる空洞５９とを、含んでいる。 （もっと読む）