【課題】広ダイナミックレンジ化させても、解像度およびS/Nを確保して、画質劣化を抑えることができ、さらに、単色縦線などの問題を解決できる固体撮像装置および固体撮像素子駆動方法を提供。
【解決手段】被写界のシーンに応じて固体撮像素子42を第１または第２の駆動方法で駆動する。第１の駆動方法では、フィルタの色に拘らず、１フィールド目に、高感度の受光素子44から信号電荷を垂直転送路48に沿って転送し、２フィールド目に低感度の受光素子46から信号電荷を垂直転送路48に沿って転送する。第２の駆動方法では、１フィールド目に、隣接する４ライン分の受光素子40Aのうち、隣接する２ライン分の受光素子であって各列とも同色のフィルタを有する２ライン49から信号電荷を垂直転送路48に沿って転送し、１フィールド目には、残りの２ライン51から信号電荷を垂直転送路48に沿って転送する。 （もっと読む）

【課題】 基板１００の周辺に配置接続されたＴＣＰ等の電気部品１５０に不具合や不良が発生した場合、不良部品を除去し、新たな電気部品１６０に交換する必要が生じるが、電気部品１６０が配置される基板１００の領域と支持部材３００との間に貼り合わせ部材３５０が存在すると、貼り合わせ部材３５０が交換接続時の熱や圧力により変位し、電気部品１６０と基板１００の電気接続部との間でずれを生じ、電気接続部を均一に押圧することができず、電気部品の交換接続を良好に行うことができない。
【解決手段】 半導体素子または変換素子を有する基板と支持部材とが貼り合わせ部材を介して接着されてなる半導体装置または放射線撮像装置において、支持部材は、基板と貼り合わせ部材と介して接着される第１の支持部材と、第１の支持部材に機械的に接続される第２の支持部材と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 基板１００の周辺に配置接続されたＴＣＰ等の電気部品１５０に不具合や不良が発生した場合、不良部品を除去し、新たな電気部品１６０に交換する必要が生じるが、電気部品１６０が配置される基板１００の領域と支持部材３００との間に貼り合わせ部材３５０が存在すると、貼り合わせ部材３５０が交換接続時の熱や圧力により変位し、電気部品１６０と基板１００の電気接続部との間でずれを生じ、電気接続部を均一に押圧することができず、電気部品の交換接続を良好に行うことができない。
【解決手段】 半導体素子または変換素子を有する基板と支持部材とが貼り合わせ部材を介して接着されてなる半導体装置または放射線撮像装置において、少なくとも電気部品が接続された電気接続部を含む領域の基板と支持部材との間に間隙を有し、間隙に緩衝部材を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 オーバーフロードレイン用のエピタキシャル層を深い位置に形成し、リーク電流を防止しつつ、光電変換部の感度向上を図る。
【解決手段】 半導体ウエハのＮ型基板上にＰ型エピタキシャル層を形成し、このウエハのダイジングラインの内側領域にトレンチ溝を環状に形成し、トレンチ溝の内面をシリコン酸化膜で覆い、その上に導電性多結晶シリコンを形成する。そして、トレンチ溝に形成した多結晶シリコン膜に正の電圧を印加することで、トレンチ溝の内壁部分のＰ型エピタキシャル層をＮ型に反転し、内部領域のＰ型エピタキシャル層に対してトレンチ溝の周辺部分が等価的にチャネルストップとして機能するようにした。 （もっと読む）

【課題】 画素アレイ部全体にわたってシェーディングを防止し、全体で均一な集光効率を実現して感度や画質の向上を図る。
【解決手段】 それぞれ光電変換部を含む画素を２次元配列して構成した画素アレイ部を基板に形成し、この基板上に配線や遮光層を含む上層膜を設け、その上に、各光電変換部に対応してマイクロレンズを設けた構成で、上層膜（層間絶縁膜）の上面の撮像エリアに対応する領域を凹形状または凸形状の球面に形成してマイクロレンズ形成面とし、ここにマイクロレンズを設けることにより、撮像レンズと各マイクロレンズとの距離を均一化し、全体で均一な集光効率を実現して、シェーディングを防止し、感度や画質を向上する。 （もっと読む）

【課題】 遮光膜加工時に、遮光膜の上面に形成されるレジスト膜が、遮光膜から剥離することを確実に防止できる固体撮像装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 少なくとも２種の膜が積層された遮光膜１０を備える固体撮像装置において、遮光膜１０がフッ素成分を含んだ金属を主成分とした膜からなる第２の遮光膜１２上に、フッ素成分を含まない金属を主成分とした膜からなる第３の遮光膜１３を備えた構成を採用する。これにより、遮光膜１０を加工する際に遮光膜１０上に形成されるレジスト膜と遮光膜１０との間の密着力が低下することを防止することができ、遮光膜１０の良好な加工が可能になるともに、歩留まりを向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】２次元状に画素が配された撮像部から１行分の画素信号を行方向に読み出す処理系統を複数備えた撮像措置において、他方の処理系統において使用されるタイミングパルスが後段の処理結果に悪影響を与えることを防止できるようにする。
【解決手段】複数に分けた信号処理系統間で、駆動パルスのタイミング関係を異相（位相ずれの状態）に設定する。複数の信号処理系における信号が同相で処理されないようになり、複数の信号処理回路間の相互干渉による影響によって生じ得る信号量変化を最小限に抑えることができる。たとえば、サンプルホールド部９２＿１，２に供給するサンプルパルスＳＰ＿１，２の位相関係を、お互いのサンプリング期間に隙間が生じるように設定する。 （もっと読む）

【課題】垂直転送の途中において情報電荷を排出させることを可能とする。
【解決手段】複数の転送電極１４−１〜１４−３，３４−１〜３４−３に交差する垂直方向に互いに平行な列として配置され、情報電荷を垂直方向へ転送する複数の垂直シフトレジスタと、複数の垂直シフトレジスタの各列で共通となり、奇数列と偶数列とで配列順序が逆転する第１及び第２の出力ゲート電極１６，１８と、第１及び第２の出力ゲート電極１６，１８より出力側に配置された第３の出力ゲート電極３０と、第１及び第２の出力ゲート電極１６，１８より入力側に配置された第４の出力ゲート電極３２とを備え、転送電極３４−１〜３４−３のうち少なくとも１つに、転送クロックパルス及び第１〜第３の出力ゲート電極１６，１８，３０に印加される出力制御クロックとは独立に制御される出力制御クロックを前記第４の出力ゲート電極３２と共通に印加可能とする。 （もっと読む）

【課題】 ノイズのない高精度の信号を読み出すことが可能な固体撮像装置を提供することを課題とする。
【解決手段】 同一半導体基板上に形成され、二次元に配列された光電変換素子と、前記光電変換素子の信号を順次読み出す読み出し回路と、順次読み出された信号を増幅する増幅回路と、前期増幅回路からの出力を入力とし、前記出力のオフセットを調整する手段を備えた固体撮像装置において、前記オフセット調整手段として、前記出力の任意期間の電圧と任意の第一の参照電圧との差をなくすようフィードバック補正する第一のオフセット調整手段と、第一のオフセット調整手段の出力のリセット期間と出力期間との電圧差を第二の基準電圧を基準として出力する第二のオフセット調整手段を備えたことを特徴とする固体撮像装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】 微細化、高感度化が可能で、信頼性の高い固体撮像素子の配線構造、特にコンタクト構造を提供する。
【解決手段】
シリコン基板表面に、光電変換部と、前記光電変換部で生起された電荷を転送する電荷転送電極を備えた電荷転送部と、前記シリコン基板に接続される配線層を備えた配線部とを具備した固体撮像素子において、前記配線層と、前記シリコン基板との接続が、前記シリコン基板表面に形成された直接コンタクト領域から、前記配線層を覆う絶縁膜の一部に形成された配線コンタクトに到達するように配設されたシリコン系導電性膜によってなされている。 （もっと読む）

【課題】 色配列ごとの集光効果を損ねることなく感度および色再現性向上させ、撮像エリアの周辺部分において色むらの発生を防止して射出瞳距離の短縮化に適した固体撮像装置およびカメラを提供する。
【解決手段】 複数の受光部２を有する半導体基板１上に各受光部２に対応する層内に形成された上に凸状レンズ４とカラーフィルタ６Ｒ、６Ｇ、６Ｂとを有し、各色配列ごとの集光状態をあわせるため、色配列ごとに形状が異なる前記層内に形成された凸状レンズ４を備えている。 （もっと読む）

【課題】吸収の半値幅が狭く色再現に優れた光導電膜、光電変換素子、及び撮像素子（好ましくはカラーイメージセンサー）を提供し、さらに、光電変換効率が高く耐久性にも優れた光導電膜、光電変換素子、及び撮像素子を提供する。
【解決手段】１対の電極間にｐ型半導体の層とｎ型半導体の層が積層構造を持つ光電変換膜を有する撮像素子において、ｐ型半導体及びｎ型半導体のうちの少なくとも１方に配向制御された有機化合物を含む撮像素子、又は、少なくとも一つの有機色素化合物を有する光電変換膜において、該有機色素化合物がＪ会合体を形成しているか、該有機色素化合物の分光吸収遷移双極子モーメントと光電変換素子の電極平面とのなす角が４０°以下である光電変換膜、光電変換素子、及び撮像素子、並びに、これらに電場を印加する方法。 （もっと読む）

【課題】実質的な情報電荷の転送段数を低減した固体撮像装置を提供する。
【解決手段】複数の転送電極１４−１〜１４−３を含み、転送電極１４−１〜１４−３に交差する複数の垂直シフトレジスタと、これらの垂直シフトレジスタからの出力に各ビットが対応付けられ、情報電荷を水平方向へ転送する水平シフトレジスタとを備え、複数の垂直シフトレジスタの各列で共通となり、奇数列と偶数列とで配列順序が逆転する第１の出力ゲート電極１６及び第２の出力ゲート電極１８と、複数の垂直シフトレジスタの各列で共通となり、第１の出力ゲート電極１６及び第２の出力ゲート電極１８より出力側に配置された第３の出力ゲート電極３０とが垂直シフトレジスタと水平シフトレジスタとの接続部に配置され、垂直クロックパルスとは独立に制御される出力制御クロックを第３の出力ゲート電極３０に対して印加可能である固体撮像装置により上記課題を解決できる。 （もっと読む）

【課題】温度変化に対するセンサ出力の変化が大きい温度センサを有する固体撮像素子を提供する。また、素子外部に構成されていた定電流源を必要としない温度センサを有する固体撮像素子を提供する。
【解決手段】入射光を光電変換する受光部と、受光部から得られる信号電荷を処理して出力信号を生成するための処理回路部と、ダイオード部４を含んで構成された温度センサとを備える。ダイオード部は、直列接続された複数のダイオードを含み、各ダイオードは、ゲートとドレイン間が接続された絶縁ゲート電界効果トランジスタ５で構成される。温度センサは、複数のダイオードに定電流を流すことにより、複数のダイオードの温度に応じて変化する電圧を生成する回路により構成される。また、定電流源６を固体撮像素子内に備え、定電流源は絶縁ゲート電界効果トランジスタで構成される。 （もっと読む）

【課題】 イメージセンサを形成するための配線を可及的に簡素化し、イメージセンサの特性を可及的に向上させる。
【解決手段】 制御回路部３１１、３１２、３１３内にカウンタ３１１ａ、３１２ａ、３１３ａを搭載し、制御回路部３１１、３１２、３１３が、カウンタ３１１ａ、３１２ａ、３１３ａの計数値に基づいて、光電変換素子７１１ａ〜７１１ｎ、７１２ａ〜７１２ｎ、７１３ａ〜７１３ｎにおける光信号の読み出し動作を管理することにより、シフトレジスタ７５１、７５２、７５３から信号を出力しなくても、イメージセンサチップの制御を開始させることができるようにし、シフトレジスタ７５１、７５２、７５３から、制御回路部３１１、３１２、３１３への長い配線を不要にする。これにより、従来よりもチップサイズを縮小しつつ、外乱ノイズに対する影響を可及的に低減させることができる。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、電荷転送効率を低下させることなく転送レジスタにおける消費電力を低減するＣＣＤ固体撮像素子を提供するものである。
【解決手段】 本発明のＣＣＤ固体撮像素子は、転送電極が単層で形成され相互にギャップを置いて配列された単層電極構造の転送レジスタを有し、前記転送電極の両端のギャップ幅が中央部よりも広く形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 層内レンズを有する光電変換装置において、層内レンズと配線上の絶縁膜との界面で起こる反射を低減し、色むらの発生しない構造を提供することを目的とする。
【解決手段】 上記目的を達成するために、半導体基板に形成された光電変換素子と、該光電変換素子上に形成された配線層と、該配線層上に形成された層内レンズ１０を有する光電変換装置であって、配線層上に第１の絶縁層４が形成され、該第１の絶縁層４と前記層内レンズ１０間に前記第１の絶縁層と層内レンズの界面における反射を低減させるための第２の絶縁層９を有することを特徴とする光電変換装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】 蛍光体端部における封止及びフレキシブル回路基板端部における封止での欠陥の発生をなくし、封止の工程時間を短縮するとともに、画素領域を拡大し画像欠陥をなくし耐久性を高めることを目的とする。
【解決手段】 基板１０１上に配置される複数の光電変換素子を有する光電変換素子部１０２と、基板１０１の外周部に電極取り出し部１０４が配置されるセンサーパネル１００と、電極取り出し部１０４と電気的に接続されるフレキシブル回路基板と、光電変換素子部１０２上に配置され、放射線を光電変換素子が感知可能な光に変換する蛍光体２と、を有する放射線検出装置において、蛍光体２の下地となる層１がプラズマ重合法で形成された有機膜であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 ソースフォロアアンプ全段として、適応的に帯域を広げたり狭めたり、消費電流を増やしたり減らしたりすることが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】 半導体装置は、入力信号を駆動するドライブトランジスタＤ１と、ドライブトランジスタＤ１に接続されるロードトランジスタＬ１とからなるソースフォロアアンプを有し、ロードトランジスタＬ１のゲートには、可変のバイアス電圧が印加される。また、半導体装置１は、さらにドライブトランジスタＤ１の出力を駆動するための終段のロードトランジスタＬ２と、ドライブトランジスタＤ２に接続される負荷回路（ロードトランジスタＬ２）とからなる終段の第２ソースフォロアアンプを有し、ロードトランジスタＬ２のゲートには、ロードトランジスタＬ２の抵抗値を変えるための可変のバイアス電圧が印加される。 （もっと読む）

【課題】交換レンズ方式のデジタルカメラシステムにおいて、高解像度の画像を得ること。
【解決手段】入射光をその光量に応じて電気信号に変換する光電変換素子２０１と、入射面に配設されたマイクロレンズ２０９と、前記光電変換素子と前記マイクロレンズの間に配設された光導波路２０３と、前記光導波路の周囲に配設された層間絶縁層２０８とを有する固体撮像素子を有する撮像装置であって、撮像光学系の射出瞳から前記光電変換素子までの距離をＬ、前記イメージセンサの中心から、前記イメージセンサ上の前記固体撮像素子の位置までの距離をＨ、前記光電変換素子から前記マイクロレンズの頂点までの高さをＤ、前記イメージセンサにおける、前記複数の固体撮像素子の間隔をＰ、前記光導波路の屈折率をＮ_Ｈ、前記層間絶縁層の屈折率をＮ_Ｌとした場合に、前記距離Ｈに位置する固体撮像素子が、


但し、０＜ａ＜１を満たす。 （もっと読む）