【課題】 プロセスパラメータ制御が容易で、セルサイズの微細化に伴って生じるレンズずれなどによる色・輝度シェーディング不良に対するマージンを広くする事ができる固体撮像装置及びその製造方法及び、これを用いた例えばデジタルカメラ、ビデオカメラ及びカメラ付き携帯電話装置などの電子情報機器を提供する。
【解決手段】 フォトリソグラフィー技術およびエッチング技術により、平坦化膜５をカラーフィルタの各色領域毎に所望の深さだけエッチングして段差を設ける。その上にカラーフィルタの各色層１３ａ〜１３ｃを形成することによって、各色層１３ａ〜１３ｃの最適膜厚を保持しつつ、カラーフィルタの上部表面を揃えて平坦化することができる。 （もっと読む）

【課題】より大きい入射角で撮像素子に入射した光を効率良く光電変換部に導くことができるようにする。
【解決手段】複数の画素を有する撮像素子において、複数の画素毎に配置され、受光した光を電気信号に変換する光電変換部１５２と、撮像素子に入射する光を光電変換部に集光するためのマイクロレンズ１５９と、マイクロレンズと光電変換部との間に配置され、マイクロレンズの開口の最外周部に入射した光線が光電変換部の開口１１０ａの最外周部に入射する場合の光線の光路である光学的境界線１３により形成される仮想開口２００の最外周部の略外側に位置する偏向部１１２ａとを具備する。 （もっと読む）

【課題】 本発明は複数の出力アンプから撮像信号を出力させ、フレーム周波数を上昇させるモードと１つの出力アンプから撮像信号を出力させ、高画質を得るためのモードとを実現する。
【解決手段】 本発明の撮像装置は固体撮像素子と転送信号制御回路をし、固体撮像素子は２次元状に配置された複数の光電変換素子と各光電変換素子の垂直列毎に配されて各光電変換素子から読み出された電荷を垂直転送する複数本の垂直転送路と各垂直転送路から転送された電荷を水平転送する１本の水平転送路と水平転送路の両端部に設けられた２つの電荷電圧変換部を有する。転送信号制御回路は固体撮像素子の水平転送路における電荷転送方向を制御する。本発明の撮像装置は、モニタリング動作の際２つの電荷電圧変換部から撮像信号を出力するよう固体撮像素子を駆動し、静止画記録用の撮像信号を得る際１つの電荷電圧変換部から撮像信号を出力するよう固体撮像素子を駆動する。 （もっと読む）

【課題】 画質劣化を引き起こすことなく、電荷電圧変換率を高めることが可能な出力部を得る。
【解決手段】 電荷転送部から転送された信号電荷を検出して電圧変換する出力回路（出力部）を有するＣＣＤにおいて、この出力部を構成する初段ＭＯＳトランジスタのドレイン領域４およびソース領域５の少なくとも一方の近傍チャネル町域上のゲート絶縁膜８が、それ以外の部分のゲート絶縁膜７よりも厚く膜形成されている。このように、第１ゲート絶縁膜厚を厚膜化することによって、ゲート−ドレイン間容量Ｃｄおよびゲート−ソース間容量Ｃｓの少なくとも一方を低減化して、その出力部の電荷電圧変換率を高めることができる。 （もっと読む）

【課題】 液中処理工程における半導体ウェハのパーティクルの付着を防止し、処理の高速化をはかることができるとともに、信頼性の向上を図る。
【解決手段】
半導体ウェハを処理液中に投入し、浸漬して処理する半導体ウェハの処理方法であって、処理液の充填された処理槽に新たな処理液を補給する供給工程と、処理液の供給後、少なくとも所定時間、前記処理液の液中に含有するダストを測定する工程と、測定された前記処理液中のダスト濃度と、あらかじめ決められた基準値とを比較する比較工程と、前記ダスト濃度が前記基準値を超えている場合は、前記処理槽への半導体ウェハの投入を禁止するように制御する制御工程と、前記半導体ウェハを前記処理槽に所定時間浸漬して処理する処理工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】読取り画像のスミアによる画質劣化を可及的に抑制する。
【解決手段】光センサの出力信号により得られる画像データを補正するために、補正用データを求める補正用データ演算部ＤＣと、前記補正用データにて各画像データを補正する補正処理演算部ＣＥとが備えられ、前記補正用データ演算部ＤＣは、スミアを発生させる電荷を抽出するための追加転送動作によって得られる複数のデジタルデータにより前記補正用データを求めるように構成された画像データ補正装置において、前記補正処理演算部ＣＥは、前記補正用データにて各画像データを補正すると共に、１ライン分の画像データのうちの、端数の丸め処理によって前記補正用データに含まれる誤差の大きさに応じた割合の数の画像データに対して画像データの単位量分を加算又は減算して補正量の修正動作を行う。 （もっと読む）

【課題】 小型で、かつ斜め光に起因して発生する混色を防止することができる固体撮像装置を提供する。
【解決手段】 半導体基板１０１内に光電変換部１０２を二次元配列し、当該半導体基板１０１及び光電変換部１０２上に平坦化層１０３、遮光膜１０４、平坦化層１０５及び集光レンズ１０６を順次形成する。遮光膜１０４は光電変換素子に対応する位置毎に開口１０４ａを備えている。当該開口１０４ａのそれぞれには多層膜干渉フィルタ１０７ｒ、１０７ｇ、１０７ｂが配設されている。
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【課題】 従来の直接タイプの放射線検出装置では、蛍光体層に発生しうる異常成長（スプラッシュ）欠陥による歩留りの低下や高コスト化といった問題がある。また、従来の間接タイプの放射線検出装置では、シンチレータパネルの蛍光体層に発生しうる異常成長欠陥による光電変換素子の破壊が起こる可能性がある。
【解決手段】 支持基板上に蛍光体層を有するシンチレータパネルの支持基板側の表面と、光電変換素子部を有するセンサーパネルの光電変換素子部が形成された側の表面と、が接着層を介して貼り合わされて構成された放射線検出装置。 （もっと読む）

【課題】 シンチレータパネルの支持部材またはセンサーパネル上に蛍光体層を形成する際に欠陥が発生した場合は、不良部分が蛍光体層だけであってもシンチレータパネルまたはセンサーパネルごと不良品となっていた。
【解決手段】 シンチレータパネルの支持部材もしくはセンサーパネル上に配された蛍光体層を有する放射線検出装置において、支持部材もしくはセンサーパネルと蛍光体層との間に配され、且つ、蛍光体層が直接形成されるよう配された剥離層を有する。この構成により、蛍光体層に不良が生じた場合にも、剥離層と蛍光体層が一度に支持部材もしくはセンサーパネルから除去することが可能となり、再生使用が可能になることにより低コストで耐久性の高い放射線検出装置が得られる。 （もっと読む）

【課題】 製造工程中あるいは製造後に、フィルターに塵埃が付着して不良品となる問題を解消し、撮像モジュールの品質の向上と効率的な生産を可能とするフィルタ付き撮像素子およびこのフィルタ付き撮像素子の製造方法を提供する。
【解決手段】 撮像素子５１と赤外線カット用のフィルター４０とから構成される赤外線カット用のフィルター付き撮像素子６０であって、撮像素子５１のセンサー部５０ａが形成された面に、少なくとも前記センサー部５０ａを覆う配置に、センサー部と干渉することなく、赤外線カット用のフィルター４０が封着され、該フィルター４０の外面に、剥離可能に保護シート４２が被着されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 水存在環境下における着色や劣化、形状変化を防止し、レンズ性能を向上させた固体撮像素用レンズ及び固体撮像素子、並びに固体撮像素子レンズ用撥水コーティング材料を提供する。
【解決手段】 少なくとも受光部及び信号転送部が形成された固体撮像素子基板の前記受光部上に形成され、該受光部に集光するマイクロレンズであって、前記マイクロレンズの表面上に、撥水層が備えられていることを特徴とする固体撮像素子用レンズ、並びに、撥水性樹脂及び／又は撥水性樹脂前駆体を含有する固体撮像素子レンズ用撥水コーティング材料、並びに、少なくとも、受光部及び信号転送部が形成された固体撮像素子基板と、該固体撮像素子基板の受光部の上に形成され、受光部に集光するマイクロレンズとを備える固体撮像素子において、前記マイクロレンズの表面上に、撥水層が備えられていることを特徴とする固体撮像素子。 （もっと読む）

【課題】 薄型化を維持しつつ、必要以上に露光時の重ね合わせ精度を必要としないで遮光膜を高精度に規定することの可能な固体撮像素子を提供。
【解決手段】 光電変換部と、前記光電変換部で生起せしめられた電荷を転送する電荷転送電極を備えた電荷転送部と、前記光電変換部を被覆する反射防止膜と、受光領域を除く前記光電変換部と前記電荷転送電極とを覆うように形成された遮光膜とを具備した固体撮像素子において、前記反射防止膜は、前記電荷転送電極上面に重ならないように形成されたことを特徴とする。 （もっと読む）

本明細書において、距離測定デバイス及び光センサ回路が開示されている。ＬＥＤ（１４０）が物体（１９０）を照射するように光源からパルスを発生させること、かつ物体により反射された光の位相と光源の本来の位相との間の位相差を測定することによって、物体までの距離が測定され得る。位相差を測定するために、ＣＭＯＳ光センサ又は光センサアレイ（１２０）が、反射光を受信し、異なる期間の間に生成された電荷を異なる蓄積ノード、即ち、画素セル（２０２，２０４）に蓄積するのに使用され得る。異なる蓄積ノードに蓄積された電荷量の間の差を、物体を照射する本来の光と物体による反射光との間の位相差を決定するために使用することが可能である。次いで、この位相差を物体までの距離の決定に使用することが可能である。
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【課題】画像の高精細化と薄型化との両立が可能な平面撮像装置を提供する。
【解決手段】光電変換素子３の間隔をａとし第１の遮光層５の第１のピンホール６の間隔を（ａ−ｂ）とする。光電変換素子３と第１の遮光層５との間隔をｂ／ａ倍とする。撮影対象物Ａから共通の原点Ｏを通った光が第１のピンホール６を介して光電変換素子３に入射するようになる。共通の原点Ｏを通る経路以外の光が光電変換素子３に入射しないようになる。特定の方向から入射する光のみを光電変換素子３で検知できる。ａ＞ｂとすることにより第１の保護層の厚さｄを薄膜化できる。
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【課題】熱時定数を小さくし、応答速度を速くできる赤外線センサの製造方法および赤外線センサを提供する。
【解決手段】センサ領域３０１における赤外線吸収膜１００および支持梁１０１をエッチング犠牲層の上に形成することによって、赤外線吸収膜１００底面Ａおよび支持梁１０１の底面Ｂを、配線領域３０２の底面Ｃよりも高い位置に形成し、また、センサ領域３０１における一番高い位置にあるアルミ配線１６の最上面の高さを、配線領域３０２における一番高い位置にあるアルミ配線１６の最上面の高さｚと同じか、またはそれ以上の位置に、かつ、配線領域３０２の最上面の高さよりも低い位置に形成する。 （もっと読む）

【課題】 赤外線（温度）を検知する半導体装置として、赤外線を高感度に検知することができ、しかも低製造コストで製造可能な赤外線検出装置等を提供する。
【解決手段】 半導体装置５０は、測定対象物から放射された赤外線を吸収する赤外線吸収部５と、シリコン基板２上に形成され、赤外線吸収部５の温度変化を検知する温度検知部６とを有している。半導体基板２の表面近傍には、少なくとも部分的に多孔質シリコン層２５が形成されており、さらに、該多孔質シリコン層２５上には単結晶層４ａが形成されている。上記温度検知部６は、上記単結晶層４ａのうち、下部に上記多孔質シリコン層２５が存在している領域に形成されている。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、電荷転送効率、感度、スミア特性の低下を招くことなく、電極間ギャップ及びフォトセンサー開口部を精度よく加工することが可能な固体撮像装置の製造方法を提供するものである。
【解決手段】 電荷転送部の転送電極となる電極層２１を形成する工程と、この電極層２１に対して、転送電極間のギャップとなる開口と、受光部１のうち端縁部の開口とを、同時に連続して形成する工程と、転送電極間のギャップとなる開口と、受光部１のうち端縁部の開口とを埋めて絶縁層２４を形成する工程と、その後、電極層２１の受光部１上に残った部分を除去して受光部１に開口２を形成する工程とを少なくとも有して、固体撮像装置を製造する。 （もっと読む）

【課題】入射光によってシリコン基板の表面で発生した電子が、基板表面に沿って横方向に拡散し、読み出しゲート部またはチャネルストップ部を通過して転送チャネル領域へ漏れ込むことによって発生する成分がスミア成分として支配的となる。
【解決手段】ｐｎ接合によるフォトダイオードの基板表面側に正電荷蓄積領域２２を形成してなる埋込み型フォトダイオード構造のＣＣＤ固体撮像素子において、センサ表面の正電荷蓄積領域２２内にゲッタリングサイトであるゲッター領域２３を形成し、入射光によってエピタキシャル基板１０の表面で発生した電子を当該ゲッター領域２３によって捕獲することで、転送チャネル領域３１に漏れ込むスミア成分を抑制する。 （もっと読む）

特に入射する電磁放射線の方向に対して平行なｚを有する一組のデカルト座標を次元ｘ−ｙ−ｚが形成する場合に同じ（ｘ−ｙ）空間位置を用いて電磁放射線の２つ以上のスペクトル帯域を検出できるセンサ素子（１、２０、２１および２２）は、サブ素子（３、５および７）の積層体からなり、各サブ素子が電磁放射線の異なるスペクトル帯域を検出できることを特徴とする。これらのサブ素子（３、５および７）はそれぞれ非シリコン半導体を含有し、各サブ素子（３、５および７）の非シリコン半導体は、電磁放射線の異なるスペクトル帯域に対して感度がよく、及び／又は、電磁放射線の異なるスペクトル帯域に対して感度がよくなるように増感されている。 （もっと読む）

【課題】広ダイナミックレンジ化させても、解像度およびS/Nを確保して、画質劣化を抑えることができ、さらに、単色縦線などの問題を解決できる固体撮像装置および固体撮像素子駆動方法を提供。
【解決手段】被写界のシーンに応じて固体撮像素子42を第１または第２の駆動方法で駆動する。第１の駆動方法では、フィルタの色に拘らず、１フィールド目に、高感度の受光素子44から信号電荷を垂直転送路48に沿って転送し、２フィールド目に低感度の受光素子46から信号電荷を垂直転送路48に沿って転送する。第２の駆動方法では、１フィールド目に、隣接する４ライン分の受光素子40Aのうち、隣接する２ライン分の受光素子であって各列とも同色のフィルタを有する２ライン49から信号電荷を垂直転送路48に沿って転送し、１フィールド目には、残りの２ライン51から信号電荷を垂直転送路48に沿って転送する。 （もっと読む）