【課題】 ソースフォロアアンプ全段として、適応的に帯域を広げたり狭めたり、消費電流を増やしたり減らしたりすることが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】 半導体装置は、入力信号を駆動するドライブトランジスタＤ１と、ドライブトランジスタＤ１に接続されるロードトランジスタＬ１とからなるソースフォロアアンプを有し、ロードトランジスタＬ１のゲートには、可変のバイアス電圧が印加される。また、半導体装置１は、さらにドライブトランジスタＤ１の出力を駆動するための終段のロードトランジスタＬ２と、ドライブトランジスタＤ２に接続される負荷回路（ロードトランジスタＬ２）とからなる終段の第２ソースフォロアアンプを有し、ロードトランジスタＬ２のゲートには、ロードトランジスタＬ２の抵抗値を変えるための可変のバイアス電圧が印加される。 （もっと読む）

【課題】交換レンズ方式のデジタルカメラシステムにおいて、高解像度の画像を得ること。
【解決手段】入射光をその光量に応じて電気信号に変換する光電変換素子２０１と、入射面に配設されたマイクロレンズ２０９と、前記光電変換素子と前記マイクロレンズの間に配設された光導波路２０３と、前記光導波路の周囲に配設された層間絶縁層２０８とを有する固体撮像素子を有する撮像装置であって、撮像光学系の射出瞳から前記光電変換素子までの距離をＬ、前記イメージセンサの中心から、前記イメージセンサ上の前記固体撮像素子の位置までの距離をＨ、前記光電変換素子から前記マイクロレンズの頂点までの高さをＤ、前記イメージセンサにおける、前記複数の固体撮像素子の間隔をＰ、前記光導波路の屈折率をＮ_Ｈ、前記層間絶縁層の屈折率をＮ_Ｌとした場合に、前記距離Ｈに位置する固体撮像素子が、


但し、０＜ａ＜１を満たす。 （もっと読む）

【課題】増幅ＣＭＯＳ型光電変換装置において、中央部と周辺部の開口面積を変えることなく、周辺減光を抑える構造を提案すること。
【解決手段】半導体基板上に受光素子が２次元に且つ長方形に配列された光電変換部と、前記受光素子で発生した信号を蓄積する蓄積部と、前記光電変換部から前記蓄積部への電荷転送を制御するスイッチ手段と、前記蓄積部の電位を入力とする増幅部と、この増幅部の入力端子をリセットする手段を有し、全面に形成される平坦化膜を介してカラーフィルタが配設され、前記カラーフィルタ上方にオンチップレンズが形成されている固体撮像装置において、前記受光素子において前記光電変換部の長方形の短手方向に取り込める最大入射光角度をθ１、長手方向に取り込める最大入射光角度をθ２とすると、前記受光素子に取り込める入射光の角度がθ１＜θ２となる構造とする。 （もっと読む）

【課題】 短時間で正確にカラムノイズを検出し、補正する。
【解決手段】 有効画素領域と、遮光画素領域とからなる画素部と、垂直走査回路と、水平走査回路と、水平走査回路からの画素信号を出力する出力回路とを有する固体撮像素子部と、固体撮像素子部を制御する制御部と、所定の制御信号を生成する制御信号生成部３１と、制御信号生成部３１により生成された制御信号に基づき、遮光画素領域の画素信号に含まれているノイズを検出するノイズ成分検出部３２と、ノイズ成分検出部３２により検出されたノイズ成分に基づき、制御部の制御に応じて出力回路から出力される有効画素領域の画素信号に含まれているノイズを補正するノイズ補正部３３とを備える。 （もっと読む）

【課題】 有効画素領域の黒レベル値を正確に調整する。
【解決手段】 遮光されている有効画素領域Ａ、ＶＯＰＢ領域Ｂ及びＨＯＰＢ領域Ｃの黒レベル値を検出し、ＶＯＰＢ領域Ｂと有効画素領域Ａの黒レベル値が等しいとき、ＨＯＰＢ領域ＣよりもＶＯＰＢ領域Ｂの方が有効画素領域Ａの黒レベル値に近いが、多少ずれているとき、ＨＯＰＢ領域Ｃと有効画素領域Ａの黒レベル値が等しいとき、ＶＯＰＢ領域ＢよりもＨＯＰＢ領域Ｃの方が有効画素領域Ａの黒レベル値に近いが、多少ずれているときの４パターンに応じて、カラムノイズ補正部３４を制御する。 （もっと読む）

【課題】 ナノメートル領域に配置した量子ドット間に特有な光物理現象を見出し、光の回折限界に支配されることなく和演算や積和演算を始めとした演算処理等を行うことができる演算回路を提供する。
【解決手段】 入力信号に対応した互いに異なる周波数の信号光がそれぞれ供給され、当該供給された信号光の周波数に応じてそれぞれ励起子がエネルギー準位に励起されるようにサイズを互いに異ならせた複数の量子ドット１２からなる入力側量子ドットグループ２０と、各エネルギー準位との共鳴に応じて入力側量子ドットグループ２０を構成する各量子ドット１２から励起子が注入される共鳴エネルギー準位を有し、当該共鳴エネルギー準位から放出されたエネルギーに応じて各信号光より長波長の出力光を出力信号として生成する出力側の量子ドット１３とを基板１１上に形成させる。 （もっと読む）

【課題】 ＶＯＰＢ領域の欠陥画素の影響を抑制して、有効画素領域の画素信号のカラムノイズ補正を行う。
【解決手段】 デジタルクランプ３１により黒レベル値がゼロレベルに設定されたＶＯＰＢ領域Ｂの画素信号から、欠陥除去部３２により所定の閾値を超える画素信号を欠陥信号とみなし、当該欠陥信号に対応する欠陥画素を検出し、当該欠陥画素の影響を除去し、カラムノイズ成分検出部３３により欠陥画素の影響が除去された画素信号からカラムノイズ成分を検出し、カラムノイズ補正部３５により当該カラムノイズ成分に基づいて、有効画素領域の画素信号のカラムノイズを補正する。 （もっと読む）

【課題】シリコン・オン・インシュレータ技術を使用して形成した放射線検出器を提供すること。
【解決手段】この放射線検出器は、絶縁基板上に形成され、ＰＮＰＮ構造を有するシリコン層と、このＰＮＰＮ構造上に形成され、ＰＮゲートを有するゲート層とを備える。放射線検出器内の入射放射線に応答してのみ、ラッチアップが生じる。第２の態様は、シリコン・オン・インシュレータＰＮＰＮダイオード構造を備えており、放射線検出器内で入射放射線に応答してのみラッチアップが生じる、放射線検出器である。第３の態様は、絶縁基板上に形成されたシリコン層を備えており、このシリコン層が、ＰＮＰＮ構造とＰＮＰＮ構造の上に形成されたゲート層とを備え、このゲート層がＰＮゲートを備えており、放射線検出器内で入射放射線に応答してのみラッチアップが生じる、シリコン・オン・インシュレータ放射線検出器である。 （もっと読む）

【課題】 製造の際の製造工程数を削減することが可能な構成の電荷転送装置及び固体撮像装置を提供する。
【解決手段】 電荷転送素子と、電荷転送部の転送電極に電圧を印加する電圧印加手段とを備え、電荷の転送駆動の各相の転送電極が複数の電極から成り、電圧印加手段により複数の電極にそれぞれ電圧レベルがシフトした電圧パルスが印加される電荷転送装置を構成する。また、固体撮像素子と、電荷転送部の転送電極に電圧を印加する電圧印加手段とを備え、信号電荷の転送駆動の各相の転送電極２１が複数の電極２１Ｓ，２１Ｔから成り、電圧印加手段により複数の電極２１Ｓ，２１Ｔにそれぞれ電圧レベルがシフトした電圧パルスＨφ１，Ｈφ１´が印加される固体撮像装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】 熱硬化性接着剤を含む複数の接着層を予め半導体ウエハに設けている場合においても、各接着層に対してガラスの確実なボンディング（接着）を行えるボンディング装置、ボンディング方法及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 シート保持台２に保持されているシートから、個片状のガラスを、第１吸着器５（ピックアップヘッド５ｄ）で吸着して剥がし、ガラス載置台３上に載置する。
ガラス載置台３への搬送中に、ガラスを除電器８にて除電する。ガラス載置台３上に載置されているガラスを、第２吸着器６（ボンディングヘッド６ｄ）で吸着して、ウエハ保持台１に保持される、表面に接着層がパターン形成された半導体ウエハ上に移動させ、ガラスを接着層に載せて加圧し、第２吸着器６（ボンディングヘッド６ｄ）の吸着機能を解除する。この際、第２吸着器６（ボンディングヘッド６ｄ）に内蔵したヒータ６ｅにより、ガラスを加熱する。 （もっと読む）

【課題】高感度でかつダイナミックレンジの広い光センサおよび固体撮像装置を提供する。
【解決手段】 光センサ部１２が受光部とホトン−パルス発生回路から構成し、受光部に入射したホトンが変換された光電子を検出する光電子検出部２４を、第１量子ドット２６と、第１量子ドット２６の両側に互いに対向して配置された光電子蓄積領域２８およびゲート電極２９と、これらに対して垂直方向に配置され、抵抗Ｒ1を介して電源電圧が印加されたソース電極３０およびドレイン電極３１から構成する。第１量子ドット２６に印加されるゲート電極２９を第１量子ドット２６が非導通となる電位に設定し、光電子蓄積領域２８に保持された所定数の光電子の電位を付加することで第１量子ドット２６を導通させ、ソース電極３０−ドレイン電極３１間に電流が流れる。その結果、ホトン数に応じたパルス信号が生成される。 （もっと読む）

カバーを形成するとともにマイクロエレクトロニクスイメージングユニットに取り付ける方法、マイクロエレクトロニクスイメージャをウェファレベルでパッケージングする方法、イメージセンサを保護するカバーを有するマイクロエレクトロニクスイメージャをここに開示する。一実施の形態において、方法は、複数のカバーを有する第１基板を設け、カバーは、第１基板の領域を具える窓及び窓から突出する絶縁部を有する。方法は、複数のマイクロエレクトロニクスダイを有する第２基板を設けることによって継続し、マイクロエレクトロニクスダイは、イメージセンサと、イメージセンサに電気的に結合した集積回路と、集積回路に電気的に結合した端子とを有する。方法は、窓を対応するイメージセンサに整列させるとともに、絶縁部が、端子の中心寄りかつイメージセンサの外側寄りの対応するダイにコンタクトするように、対応するダイにカバーを取り付ける。第１基板は、個別のカバーを切り離すように切断され、その後、第２基板は、個別のイメージングユニットを切り離すように切断される。
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【課題】 製造時間を短縮し、コストを下げ、歩留まりを向上させると同時に、従来と同等もしくはそれ以上の高画質化が実現される固体撮像装置、当該固体撮像装置から出力される電気信号から色信号を生成する信号処理装置等を提供する。
【解決手段】
受光した光を電気信号に変換する受光素子の上方に絶縁膜を挟んで形成された遮光膜に、当該受光素子が感度を有する波長範囲内における所定の波長以上の光は遮断され、当該所定の波長未満の光は通過する開口部を設ける。 （もっと読む）

放射線検出器10は、真空室20を規定するベース2およびウインドウ16を有している。真空室20内には、温度制御されたフィルタ32と、それとの間にギャップｈを規定する焦点平面アレイ（ＦＰＡ）22とが設けられている。フィルタ32は、非情景ソース38、40からＦＰＡ22への伝熱を阻止するために読出し集積回路（ＲＯＩＣ）24および熱電素子28にヒートシンクされる。温度制御されたフィルタ32はまた、関心を払われている所望の波長領域外の放射線の全てのソースを反射するためにバンドパスフィルタを有することができる。温度制御されたフィルタ32はＦＰＡ22と実質的に同じ温度に維持される。 （もっと読む）

画像センサが、光で生成した電子又はホールの電荷パケットを集めるための感光画素の二次元配列と、第一のカラーが二個の画素上にあり、第二及び第三のカラーが一個の画素上にあって、各カラーがベイヤカラーフィルタの二個ずつの副配列中にある、感光画素上に配置されたベイヤカラーフィルタと、並列な列電荷結合素子（ＣＣＤ）から電荷パケットを受け取る直列ＣＣＤの方向に並行して電荷パケットを転送するための並列ＣＣＤと、第一のカラーの画素が一行に整列し、第二及び第三のカラーの画素が次の行に整列するように、選択された行の電荷の転送を遅らせて、ベイヤフィルタパターンの一列をオフセットするための、感光性画素と直列ＣＣＤとの間の一行の画素とを備えている。
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イメージセンサであって、複数個の画素と、その内部の別々の深さでリリースされた電子がその別々の部位内に集まる基板と、所定波長領域を選択的に吸収する素材から形成され所定画素群を覆う色フィルタアレイと、を備える。色フィルタアレイを通過する波長の光が基板により吸収され、これによってその基板内の別々の深さで電子がリリースされ、リリースされた電子が別々の部位で検知されて領域毎に別々の信号が生成される。

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