【課題】 低雑音な熱酸化膜素子分離構造を有する固体撮像装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体基板１上に複数の単位画素が配列された撮像領域を備える固体撮像装置であって、単位画素は、入射光を光電変換するフォトダイオード３と、フォトダイオード３で得られた電荷を読み出すトランジスタと、トランジスタを、トランジスタと隣接するトランジスタと分離する、絶縁体から成る素子分離部２とを備え、素子分離部２が半導体基板１を侵食する深さは、半導体基板１を侵食する幅よりも大きいか同等である。素子分離部２は、空洞を有してもよい。素子分離部２の製造方法は、ドライエッチング法によって半導体基板１を侵食して侵食領域を形成するステップと、侵食領域の側壁を、半導体基板１から化学反応によって生成された熱酸化物によって充填するステップとを含む。 （もっと読む）

互いに直列に接続した２つのキャパシタを有するピクセルであって、これらの各キャパシタのキャパシタンスは周辺のキャパシタのキャパシタンスに近似しているが、直列キャパシタの実効キャパシタンスは、周辺のキャパシタの各々のキャパシタンスよりも小さくしたピクセルを提供する。直列接続されたキャパシタは浮動拡散領域に結合されて飽和状態中に浮動拡散領域からの“過剰”電荷を受けるようになっている。
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ゲート構造の電気的活性部分から横方向にずらされている第一の導電型の表面層と、角度を持たせた注入により形成された第二の導電型の電荷収集領域とを備えたピンフォトダイオードが開示される。電荷収集領域の注入角度は、電荷収集領域が画素センサセルの転送ゲートの近傍短部とコンタクトがとられ、従って、ゲートオーバラップ領域及び望ましくないバリア電位を最小限に抑えるように調整することができる。
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イメージセンサ画素は、垂直オーバーフロードレイン構造を有し、CMOSイメージセンサのノイズ発生原因となる、基板への電荷の拡散を防止する。追加の化学的機械的研磨ステップを用いることにより、マイクロレンズとシリコン表面間の距離を短くすることができ、光クロストークが抑制される。ある実施例では、Pエピタキシャル層を有するN型基板材料が使用され、垂直オーバーフロードレインが形成される。標準的なCMOS処理工程に、深Pwell注入工程が導入され、NwellとN型基板との間のラッチアップが防止される。Nwell／深Nwellの積層、およびPwell／深Pwellの積層によって、光ダイオードが形成され、特性が向上する。
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以下の段階が含まれる、検出器の作製方法である。上面を有する基板中にトレンチを形成する段階と；前記基板上及び前記トレンチ中に、第１ドープ半導体層を形成する段階と；前記第１ドープ半導体層上及び前記トレンチ中に延在して、第１ドープ半導体層の伝導度よりも低い伝導度を有する第２ドープ半導体層を形成する段階と；前記第２ドープ半導体層上及び前記トレンチ中に延在する第３ドープ半導体層を形成する段階と；前記第１、第２及び第３ドープ半導体層における、上面、実質的な平面を作製して前記トレンチ中の第１ドープ半導体層の上端を露出させるために、前記基板の表面で画定される平面よりも上方の部分を除去する段階と；前記第１ドープ半導体層への第１電気的コンタクトを形成する段階と；前記第３ドープ半導体層への第２電気的コンタクトを形成する段階と、を有する。

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最適化されたカラーフィルタアレイが、一つまたはそれ以上のダマシン層の、内部、上、または下に形成される。カラーフィルタアレイは、その下にあるそれぞれのフォトダイオードに入射する光の特定の波長の強度を最大化するために、装置の層の組合せられた光学特性を最適化するように構成されるフィルタ領域を含んでいる。

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【課題】フレア防止用の反射防止膜のあるエリアと撮像エリアとの境界で、フォトダイオードとマイクロレンズ間の距離に段差に起因する感度むらを解消し、低シェーディングの固体撮像装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】配線エリア２上に遮光膜（フレア防止用の反射防止膜）４を形成し、撮像エリア２上にパターニング可能な材料によって透明膜１０を形成し、透明膜１０の上にマイクロレンズが形成される透明膜８形成し、透明膜１０の上面と遮光膜４の上面とを面一に形成する。 （もっと読む）

Ｘ線画像収集装置は、第１の電極と、第２の電極と、上記第１の電極と上記第２の電極との間に固定される光伝導体とを有するパネルを備える。上記光伝導体は、高エネルギーレベルにある放射Ｘ線を吸収するように形成される厚さを有する。上記第１の電極と上記第２の電極とは、光伝導体において作り出される電荷を画素ユニットに移動させるための電界を作り出すように形成され、それにより、低エネルギーレベルあるいは高エネルギーレベルの放射Ｘ線を使用する場合に、電荷を効率良く収集することができる。

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【課題】 サリサイド防止膜をエッチバックする際、ゲート電極側壁のスペーサが露出されて損傷を受けるのを防止することのできるＣＭＯＳイメージセンサの製造方法を提供すること。
【解決手段】 上部にゲート絶縁膜２１、ゲート電極２２、及びスペーサ２３が形成された半導体基板２０上に、スペーサ２３及びゲート電極２２を覆うようにバッファ層２４を形成し、バッファ層２４上にサリサイド防止膜２５を形成し、サリサイド防止膜２５上にＢＡＲＣ膜２６を形成し、ゲート電極２２上のサリサイド防止膜２５が露出するまでＢＡＲＣ膜２６をエッチバックした後、ゲート電極２２上のバッファ層２４が露出するまでサリサイド防止膜２５をエッチバックし、露出したバッファ層２４を除去してゲート電極２２の上面を露出させる。 （もっと読む）

赤色光、緑色光および青色光用の２画素検出方式を含むＣＭＯＳ結像デバイス。１つの画素が、赤色光および青色光を検出し、別の画素が緑色光を検出する。赤色および青色の検出は波長に基づき、またこのデバイスは、赤色／青色画素中で青色光の検出が浅い基板深さで行われ、赤色光の検出がより深い基板深さで行われるような構造になっている。この画素アレイは、赤色／青色画素が緑色画素に隣接し、赤色／青色画素と緑色画素とが交互に配列されるような構造になっている。本発明は、このような結像アレイおよび画素を形成する方法にも関する。
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【課題】蛍光体層と防湿保護層との層間剥離を防止する。
【解決手段】少なくとも、放射線透過性基板１１上に、放射線を光に変換する、ハロゲン化アルカリと発光付活剤からなる蛍光体層１２、および防湿保護層を積層してなる放射線変換基板において、防湿保護層が、シラン系化合物をモノマーとする第一のプラズマ重合膜１３と、含フッ素化合物不飽和炭化水素をモノマーとする第二のプラズマ重合膜１４とから形成されている。この放射線変換基板と、光電変換素子を有するセンサ基板とを貼り合わせて放射線撮影装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】表示品質と画像取込み性能に優れた表示装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】表示装置の製造工程にてＴＦＴ１１のチャネル部とフォトダイオードＤ１，Ｄ２のＩ層をともに水素化する際、ＴＦＴ１１とフォトダイオードＤ１，Ｄ２とで水素化の進行に違いが出るようにして、ＴＦＴ１１のチャネル部の欠陥密度を少なくし、かつフォトダイオードＤ１，Ｄ２のＩ層の欠陥密度を多くする。これにより、ＴＦＴ１１のリーク電流が抑制され、フォトダイオードＤ１，Ｄ２の光に対する感度を向上できる。 （もっと読む）

【課題】オーバーフローバリアが深い位置に形成され、かつオーバーフローバリアのばらつきが低減された固体撮像素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】第１の半導体基板２、３上に第１導電型半導体領域４を形成する工程と、第１導電型半導体領域４上に第２導電型の第２の半導体基板５を貼り合わせる工程と、第２の半導体基板５に、入射光に応じた電荷を蓄積する受光部１１を形成する工程と、第２の半導体基板５に、受光部１１に蓄積された電荷を転送する電荷結合素子１２を形成する工程とを有する固体撮像素子１、およびその製造方法。 （もっと読む）

【課題】 基板全体における光導電層の膜厚および組成の均一性に優れた二次元画像検出器、並びに、該二次元画像検出器を生産性良く（効率的に）かつ安価に製造する方法を提供する。
【解決手段】 二次元画像検出器は、複数の画素電極１０…を有するアクティブマトリクス基板１と、上記画素電極１０…に積層された光導電層２とを少なくとも備えており、上記光導電層２が、転写基板上で所定の膜厚に形成された後、上記アクティブマトリクス基板１上に転写されることにより構成されている。つまり、二次元画像検出器の製造方法は、転写基板上で所定の膜厚に光導電層２を形成した後、該光導電層２を上記アクティブマトリクス基板１上に転写する方法である。光導電層２は、粒子状の光導電体と、バインダとの混合物を含んでなっている。上記バインダは、アクティブマトリクス基板１の耐熱温度以下の軟化点を有することがより好ましい。 （もっと読む）