【課題】集光効率が高く、かつ画素間のクロストークが少ないイメージセンサ及びその製造方法並びに検査装置を提供する。
【解決手段】複数の受光素子を備え、入射した光を電気信号に変換する光源変換部と、各受光素子の直上域に配置され、その直下に位置する受光素子に向けて光を集光する複数のレンズと、このレンズ上に形成され、光透過材料からなる絶縁層とを備えるイメージセンサにおいて、絶縁層の表面に、受光素子毎にそれぞれ離間して形成され、その中心が、各受光素子の受光部の中心とその直上に配置されたレンズの中心とを結んだ線の延長線上に位置する検出領域を設ける。そして、検出対象の試料を、少なくともこの検出領域に固定する。 （もっと読む）

【課題】光電変換素子の静電破壊を防止することができると共に、画像がぼけやすくなるのを防ぐことができる。
【解決手段】放射線検出器１０Ａは、基板１上に形成されたＴＦＴスイッチ４と、基板１上に形成され、照射された光に応じた電荷を発生する光電変換素子としての半導体層６と、半導体層６上に形成され、一部に帯電防止性を有する遮光部材３２が形成された平坦化層３４と、平坦化層３４上に形成され、照射された放射線に応じた光を発生するシンチレータ７０と、を備える。 （もっと読む）

【課題】光電変換素子の静電破壊を防止する共に、帯電防止膜を設けたことによる副作用を防止することができる、光電変換基板、放射線検出器、及び放射線画像撮影装置光電変換素子の静電破壊を防止する。
【解決手段】基板１上に形成されたＴＦＴスイッチ４及びセンサ部１０３の上面が平坦化層１８により平坦化されており、当該平坦化層１８の略全面（本実施の形態では画素領域２０Ａの全面）に帯電防止機能を有する導電膜３０が形成されている。導電膜３０は、接続配線４２により接続部４４に接続されており、接続部４４は、接続配線４２を共通電極配線２５を介してバイアス電源１１０またはグランドに接続するように構成されている。また、光電変換基板６０（導電膜３０）の上には、シンチレータ７０が形成されており、シンチレータ７０は、光電変換基板６０に近い方から非柱状部７１及び柱状部７２を備えている。 （もっと読む）

【課題】ＭＯＳトランジスタのサイズを変えることなく、ノイズの低減が図られた半導体装置とその製造方法を提供することを目的とする。また、そのＭＯＳトランジスタを備えることにより、ノイズの低減が図られた固体撮像装置とその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】埋め込みチャネル型のＭＯＳトランジスタにおいて、素子分離部２４側に接する領域に、斜め方向からのイオン注入により形成した第１の不純物拡散領域１４ａと、ゲート電極２６下の領域全面に形成した第２の不純物拡散領域１４ｂとによりチャネル領域１４を構成する。第１の不純物拡散領域１４ａの形成により、チャネル領域１４の素子分離部２４側で発生する不純物濃度の低下分を補填でき、実効ゲート幅の拡大が可能となる。 （もっと読む）

【課題】電荷の転送効率を向上させることができる固体撮像装置を提供すること。
【解決手段】固体撮像装置１０は、第１の不純物層２３、第２の不純物層２４、第３の不純物層２５、およびゲート電極２８、を具備する。第１の不純物層２３は、半導体基板１１に一定の深さを有するように形成され、照射された光に応じて電荷を発生させる。第２の不純物層２４は、第１の不純物層２３の表面に、所定の方向に向かって深さが浅くなるように形成される。所定の方向は、第１の不純物層２３から第３の不純物層２５に向かう方向である。第３の不純物層３５は、半導体基板１１の表面において、第１の不純物層２３および第２の不純物層２４と離間した位置に形成され、第１の不純物層２３で発生した電荷を電圧に変換する。 （もっと読む）

【課題】飽和電荷量の向上が可能な固体撮像素子を提供する。
【解決手段】半導体基体５１の表面５１Ａ側に形成された第１フォトダイオードＰＤ１と、裏面５１Ｂ側に形成された第２フォトダイオードＰＤ２を備える。そして、第２フォトダイオードＰＤ２を構成する第１導電型半導体領域５９と第２導電型半導体領域５８との接続面の不純物濃度が、第２導電型半導体領域５８の第１導電型半導体領域５９と反対側の層との接続面の不純物濃度以上である固体撮像素子５０を構成する。 （もっと読む）

【課題】１フレーム期間以上のデータの保持が可能であり、少ない素子数で差分演算を行うことができるイメージセンサを提供する。
【解決手段】マトリクス状に配置された複数の画素にフォトセンサを設け、該画素は１フレーム期間以上にわたってデータ保持部に電荷を蓄積し、該データ保持部に蓄積された電荷によってフォトセンサの出力を変化させる。データ保持部の書き込みスイッチ素子としては、リーク電流の小さい（１×１０^−１４Ａより十分に小さい）トランジスタを用いる。リーク電流の小さいトランジスタとしては、酸化物半導体層にチャネルが形成されるトランジスタが挙げられる。 （もっと読む）

【課題】 光電変換素子に対するマイクロレンズの位置が高精度に制御された光電変換装置を提供する。
【解決手段】 半導体ウエハ１０００の活性領域１１０を画定する分離領域１２０を形成する工程（Ｓ１）と、分離領域１２０によって画定された活性領域１２０に光電変換素子１３０を形成する工程（Ｓ４）と、光電変換素子１３０の上にマイクロレンズ６００を形成する工程（Ｓ１６）と、を有し、光電変換素子１３０を形成する工程（Ｓ４）におけるアライメント（Ａ４）およびマイクロレンズ６００を形成する工程（Ｓ１６）におけるアライメント（Ａ１６）を、分離領域１１０を形成する工程（Ｓ１）で形成されたアライメントマーク（ＡＭ１）を基準にして行う。 （もっと読む）

【課題】裏面照射（BSI）型イメージセンサチップのパッド構造を提供する。
【解決手段】前面及び背面を含む半導体基板、前記半導体基板の前記前面に配置される低k誘電体層、前記低k誘電体層に配置される非低k誘電体層、前記非低k誘電体層に配置される金属パッド、前記半導体基板の背面から延伸し、前記半導体基板、前記低k誘電体層、及び低k誘電体層を貫通し、前記金属パッドの表面を露出する開口、及び前記開口の側壁及び底部上に形成され、前記開口の底部は、前記金属パッドの前記露出された表面を部分的に覆う保護層を含む集積回路構造。 （もっと読む）

【課題】基板を貼り合わせて電極接合を行う半導体素子において、電極の腐食を防ぐ半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】第１接合部４０と第２接合部６０とが電極形成面を対向させて接合された半導体装置において、第１接合部４０の絶縁層５１と、絶縁層５１の表面に形成された接合電極４１と、絶縁層５１表面に形成され、絶縁層５１を介して接合電極４１の周囲を囲む保護層４４とを備える。さらに第２接合部６０の絶縁層７１と、絶縁層７１の表面に形成された接合電極６１と、絶縁層７１表面に形成され、絶縁層７１を介して接合電極６１の周囲を囲む保護層６４とを備える。 （もっと読む）

【課題】 遮光膜で反射した光の影響を低減する。
【解決手段】 遮光膜４０の上面４１は銀色を呈する材料で構成されており、第１膜１０が遮光膜４０の上面４１に近接して遮光膜４０と通過部４４を覆い、第１膜１０の屈折率とは異なる屈折率を有する第２膜２０が、光路部４５および通過部４４に位置するとともに第１膜１０と界面２００を成しており、界面２００と光電変換部２との距離Ｄ_３が、通過部４４の出射端４４２と光電変換部２との距離Ｄ_２よりも大きい。 （もっと読む）

【課題】 より信頼性の高い接合界面を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】 半導体装置１を、接合界面Ｓｊ側の表面に形成された第１金属膜１６を有する第１半導体部１０と、接合界面Ｓｊで第１金属膜１６と接合された第２金属膜２６を有する第２半導体部２０と、界面バリア部２８とを備える構成とする。第２金属膜２６の接合界面Ｓｊ側の表面面積は第１金属膜１６の接合界面Ｓｊ側の表面面積より小さくする。そして、第１金属膜１６の接合界面Ｓｊ側の面領域のうち第２金属膜２６と接合しない面領域を含む領域に界面バリア部２８を設ける。 （もっと読む）

【課題】半導体基板の、光電変換素子が形成された一方の面とは反対側の他方の面から入射した光を一方の面に形成した反射膜により効率よく反射させることができ、これにより感度向上した固体撮像装置を実現する。
【解決手段】固体撮像装置１００ａにおいて、第１導電型の半導体基板１００内に形成され、入射光の光電変換により信号電荷を生成する光電変換素子ＰＤ１およびＰＤ２と、該半導体基板１００の第１主面上に形成され、該光電変換素子ＰＤ１およびＰＤ２で生成された信号電荷を転送する転送トランジスタＴｔ１およびＴｔ２とを備え、該転送トランジスタのゲート電極１０７を、該光電変換素子を構成する電荷蓄積領域１０２の第１主面側の表面を覆うよう形成し、該転送ゲート電極１０７をポリシリコン層１０７ａとその表面を覆う高融点金属シリサイド層からなる反射膜１０７ｂにより構成した。 （もっと読む）

【課題】 隣接画素間でのクロストークを防止して、混色の発生を防止でき、再生画面上での色再現性の向上に対して有利な固体撮像装置を提供する。
【解決手段】 半導体基板４０４に、光電変換部及び信号走査回路部を含み単位画素行列を配置して成る撮像領域を具備し、撮像領域は、隣接する単位画素との境界部分に対応して各単位画素を囲むように設けられる素子分離絶縁膜４０８を備え、素子分離絶縁膜は、信号走査回路部が形成される半導体基板の表面から半導体基板中にオフセットされて設けられ且つ半導体基板の裏面に達している。 （もっと読む）

【課題】固体撮像素子に設けるマイクロレンズを、隣接するマイクロレンズとのギャップを狭くして高い集光性能を与えるとともに、各マイクロレンズの形状が均一になるように形成する製造方法を提供すること。
【解決手段】固体撮像素子１０におけるマイクロレンズ７の製造方法であって、マイクロレンズを構成する第一の層８１を設けた後に、マイクロレンズを構成する第二の層８５を、第一の層とは異なる形状で第一の層に積層して設け、その後両層を熱処理して一体化することにより、所望の形状のマイクロレンズを形成する工程を含み、第一の層の形状が、各画素の中央から画素境界に向かう放射状パターンを含み、第二の層の形状が、多角形状の各画素の形状に近く、画素境界を越えない凸図形パターンである。 （もっと読む）

【課題】改善されたカラークロストークを有する、小型ピクセルを有するイメージセンサ
を提供すること。
【解決手段】本発明のイメージセンサは、第１導電型の基板と、該第１導電型の基板にア
レイされた第１ピクセル及び第２ピクセルと、該第２ピクセルに該当する前記基板内には
配置されることなく、前記第１ピクセルに該当する前記基板内に配置されたポテンシャル
障壁とを備える。ここで、前記第２ピクセルは、前記第１ピクセルに対応するカラーより
も相対的に長波長を有するカラーに対応するものである。また、前記ポテンシャル障壁は
、高エネルギーのイオン注入によるドーパントを有し、前記Ｐ型エピタキシャル層のエピ
タキシャル成長中にイオンの注入又は拡散により形成されたドーパントを有する。 （もっと読む）

【課題】周辺領域に配線を設けた裏面照射型の固体撮像装置において、画素領域における絶縁膜の薄膜化を図ることにより光電変換部での受光特性の向上を図る。
【解決手段】光電変換部２０が配列形成された画素領域４を有するセンサ基板２と、センサ基板２の受光面Ａとは逆の表面側に設けられた駆動回路と、センサ基板２における受光面Ａ上に設けられ、画素領域４の膜厚が周辺領域７の膜厚よりも薄い段差構造を有する絶縁層１４と、受光面Ａ側における周辺領域７に設けられた配線８と、絶縁層１４上に光電変換部２０に対応して設けられたオンチップレンズ１９とを備えた固体撮像装置１-1である。 （もっと読む）

【課題】２波長赤外線イメージセンサにおいて、同じ画素ピッチにおける画素面積を広くする。
【解決手段】共通コンタクト層の一方の面に積層形成された第１の赤外光吸収層及び第１のコンタクト層と、前記共通コンタクト層の他方の面に積層形成された第２の赤外光吸収層及び第２のコンタクト層と、前記第２の赤外光吸収層及び前記第２のコンタクト層を分離する上側画素分離溝と、前記共通コンタクト層を介し、前記上側画素分離溝に対応する位置に形成された前記第１の赤外光吸収層及び前記第１のコンタクト層を分離する下側画素分離溝と、前記上側画素分離溝及び前記下側画素分離溝により分離された各々の画素ごとに、前記第２のコンタクト層、前記第２の赤外光吸収層、前記共通コンタクト層、前記第１の赤外光吸収層を除去することにより形成されたコンタクト穴と、を有することを特徴とする赤外線検知器により上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】出力ムラの発生を抑制し、低スミアの固体撮像素子を提供する。
【解決手段】半導体基板に設けられた受光部と、半導体基板に設けられた転送チャネルと、受光部を垂直方向に挟むように配置され、水平方向に延びるように設けられた第１の転送電極と、転送チャネルの上に配置され、隣接する前記第１の転送電極間に挟まれるように配置された第２の転送電極と、第１の転送電極の上に配置され、複数の第２のコンタクトを介して第１の転送電極と接続する第２の遮光膜と、第２の転送電極の上に配置され、複数の第１のコンタクトを介して第２の転送電極と接続する第１の遮光膜とを有し、第１の遮光膜には、第１の転送電極の上において、第１の開口部と第２の開口部が設けられており、第１の開口部には、第２のコンタクトが配置されており、第２の開口部には、第２のコンタクトが配置されていないことを特徴とする固体撮像素子を提供する。 （もっと読む）

【課題】装置の信頼性や、製品の歩留まりなどを向上させる。
【解決手段】第１の開口と第２の開口との内部に金属材料を埋め込んで第１プラグと第２プラグとを設けると共に、第１プラグと第２プラグとの間を接続する接続配線を設けることで、接続導電層を形成する。そして、接続導電層において接続配線の上面を被覆するようにパッシベーション膜を形成する。このパッシベーション膜の形成工程では、高密度プラズマＣＶＤ法などのように埋め込み性に優れた成膜法で、ＳｉＯ_２などの絶縁膜を成膜することによって、パッシベーション膜を形成する。 （もっと読む）