【課題】フォトダイオードの電子ホール対生成率を増加させ、ノイズに対する抵抗性の高いＣＭＯＳイメージセンサ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ＣＭＯＳイメージセンサは、シリコン基板と、この基板上のシリコンゲルマニウムエピタキシャル層と、この層上のアンドープのシリコンエピタキシャル層と、この層の表面からシリコンゲルマニウムエピタキシャル層の一部に至るまでの所定の深さに形成されたフォトダイオード領域とを備える。シリコンゲルマニウムエピタキシャル層は、ゲルマニウム濃度が漸進的に増加するドーピングプロファイルを有する第１シリコンゲルマニウムエピタキシャル層と、この層上で成長し、高濃度のＰ型不純物がドーピングされた第２シリコンゲルマニウムエピタキシャル層と、この層上で成長し、低濃度のＰ型不純物がドーピングされた第３シリコンゲルマニウムエピタキシャル層とを備える。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】化学量論的組成比を超える酸素を含む領域を有する非晶質酸化物半導体層と、該非晶質酸化物半導体層上に設けられた酸化アルミニウム膜とを含んで構成される半導体装置を提供する。該非晶質酸化物半導体層は、脱水又は脱水素化処理を行った結晶性又は非晶質酸化物半導体層に対して、酸素注入処理を行い、その後、酸化アルミニウム膜を設けた状態で４５０℃以下の熱処理を行うことで形成される。 （もっと読む）

【課題】より高品質の画像を得ることができ、且つ固体撮像装置が形成されるチップ面積の縮小化を図ることができる。
【解決手段】第１の基板と第２の基板とが接続部を介して電気的に接続される固体撮像装置を備える補正処理装置であって、前記固体撮像装置が有する画素は、前記第１の基板に含まれる光電変換素子と、前記第１の基板から前記接続部を介して前記第２の基板に送られた信号を出力する水平読み出し回路と、を有し、当該補正処理装置は、前記第１の基板と前記接続部との接合部分を示す接合領域の前記第１の基板上における配置パターンに応じて、前記画素から出力される信号の補正を制御する補正処理部をさらに有する。 （もっと読む）

【課題】 遮光膜を有する固体撮像装置の光学特性を維持しつつ、歩留まりを向上させる製造方法を提供すること。
【解決手段】 画素部と周辺回路部とを有する固体撮像装置の製造方法であって、画素部と周辺回路部に第１の絶縁膜を形成する工程と、第１の絶縁膜の上に第２の絶縁膜を形成する工程と、光電変換部の第２の絶縁膜をエッチングする工程とを有する。そして、固体撮像装置の製造方法は、光電変換部のエッチングされた第２の絶縁膜と周辺回路部の第２の絶縁膜の上に金属膜を形成する工程と、周辺回路部の金属膜を除去し光電変換部に金属膜から遮光膜を形成する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】高品質な固体撮像装置を提供すること。
【解決手段】実施形態に係る固体撮像装置１１は、凹状の湾曲部２８を有する湾曲ガイド１５と、レンズによって集光された光を受光し、受光量に応じて電荷を発生するセンサ部１８を表面に有するとともに、裏面に湾曲ガイド１５が固定され、センサ部１８を含む領域が、湾曲ガイド１５の湾曲部２８に沿って下に凸状に湾曲したセンサ基板１４と、センサ基板１４の表面のうち、センサ部１８の周囲に、センサ部１８を囲うように形成された第１の接着剤１６と、この接着剤１６によってセンサ基板１４上に固定された板状の透明基板１７と、センサ基板１４の裏面に形成され、センサ基板１４に設けられた貫通電極２５を介してセンサ部１８に電気的に接続される外部電極２３と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】結露に起因する画質低下を抑制することが可能な放射線撮像装置および放射線撮像表示システムを提供する。
【解決手段】放射線撮像装置は、光電変換素子を有するセンサー基板１０と、センサー基板上に設けられた非イオン性層２０と、非イオン性層上に設けられると共に、放射線の波長を光電変換素子の感度域の波長に変換する波長変換部材３０とを備える。入射した放射線は、波長変換部材を通過後、光電変換素子１１１Ａにおいて受光され、その受光量に対応する電気信号（画像情報）が得られる。波長変換部材とセンサー基板１０との間に、結露によって水が溜まると、水に含まれるイオン成分と光電変換素子（光電変換素子の電極等）とのカップリングが生じ、暗電流が増加することがあるが、非イオン性層２０が設けられていることにより、そのようなカップリングが抑制され、暗電流が生じにくい。 （もっと読む）

【課題】 波長域１８００ｎｍ程度にまで受光感度を有し、微弱な光に対応して、暗電流を低くできる受光素子等を提供する。
【解決手段】 選択拡散によってｐｎ接合１５が形成され、受光層３は、第１の組成のＩｎ_ｘＧａ_１−ｘＡｓ３ａと第２の組成のＩｎ_ｙＧａ_１−ｙＡｓ３ｂとが交互に２対以上積層されてなり、第１の組成のＩｎ_ｘＧａ_１−ｘＡｓ３ａはその吸収端波長が１．８μｍ〜１．７５μｍの間にあり、かつ第２の組成のＩｎ_ｙＧａ_１−ｙＡｓ３ｂはそれより短く、ＩｎＰ窓層５と受光層３との間に、該ＩｎＰ窓層および受光層に接してＩｎＰに格子整合するＩｎ_０．５３Ｇａ_０．４７ＡｓまたはＩｎＡｌ_０．４８Ａｓ_０．５２の中間層４が位置することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＣＭＯＳ型撮像素子の受光効率を確保しつつ、転送電極からの光の透過の影響を小さくして精度良く焦点検出が可能な撮像素子を提供する。
【解決手段】撮影レンズからの光を光電変換して被写体の像を生成する撮影用画素と、前記撮影レンズの射出瞳の一部の領域を通る光を受光する第１の焦点検出用画素及び第２の焦点検出用画素と、を有する撮像素子であって、前記第１の焦点検出用画素及び前記第２の焦点検出用画素は、光電変換部と、前記光電変換部の少なくとも一部の領域を覆うように前記光電変換部の端部に設けられる電極部と、開口を有して前記光電変換部の前記少なくとも一部の領域とは異なる領域を覆う遮光部とを有し、前記第１の焦点検出用画素の電極部と前記第２の焦点検出用画素の電極部は、前記第１の焦点検出用画素と前記第２の焦点検出用画素の瞳分割方向において互いに反対側の前記光電変換部の端部に設けられている。 （もっと読む）

【課題】ボンディングパッドおよびシールド構造を有する半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置は、半導体装置の正面と背面に対応する正面と背面を有する装置基板と、装置基板の正面上に形成される金属層部と、半導体装置の背面に設置され、金属層部と電気的に接続するボンディングパッドと、装置基板の背面上に設置されるシールド構造と、を含み、シールド構造とボンディングパッドは異なる厚さを有する。 （もっと読む）

【課題】画素トランジスタにおける欠陥の異常成長を抑制する固体撮像素子を提供する。
【解決手段】半導体基板１０１のＰウェル１０２の内部に形成され、入射光を光電変換する受光領域１０３と、Ｐウェル１０２の内部に形成されたウェル領域１０４と、Ｐウェル１０２の内部において、ウェル領域１０４に隣接して形成された素子分離領域１０５と、素子分離領域１０５の上に形成されたダミー素子１０９とを備える。 （もっと読む）

【課題】実施形態は、異なる種類の半導体素子のそれぞれに適合した厚さを有する半導体層が１つの絶縁膜上に設けられた半導体基板およびその製造方法、その半導体基板を用いた半導体装置を提供する。
【解決手段】実施形態に係る半導体基板１０は、第１絶縁層５と、前記第１絶縁層の上に設けられた半導体層７とを有する半導体基板であって、前記半導体層の中に選択的に設けられ、前記半導体層の表面に平行に延在し、その延在方向の長さが前記第１絶縁層よりも短い第２絶縁層１３と、前記半導体層の表面から前記第１絶縁膜に至る深さに延設され、前記半導体層の前記第２絶縁層を含む部分と、前記半導体層の残りの部分と、を電気的に分離する第３絶縁層１５と、を備える。 （もっと読む）

【課題】高エネルギーγ線等の高エネルギー放射線に対しても、高感度かつ高いエネルギー識別能力を有するとともに、高い画像分解能を備えた半導体放射線画像検出器を得るための製造方法を提供する。
【解決手段】ＣｄＴｅ単結晶ウェーハ１１上にｐ型ＣｄＴｅ単結晶層１２をＭＯＶＰＥ法によりエピタキシャル成長させて形成する。次にｐ型Ｓｉ単結晶基板１４に導電性樹脂をコートし、前記ＣｄＴｅ単結晶ウェーハ上のｐ型ＣｄＴｅ単結晶層１２と貼り合わせて硬化する。さらにＣｄＴｅ単結晶ウェーハ１１の非接合面およびＳｉ単結晶基板１４の非接合面にＡｕを蒸着して電極１５および１６を形成する。その後、溝１７をＣｄＴe単結晶ウェーハ側の電極１６側よりＳｉ単結晶基板１４の内部に到達する深さで、Ｘ方向およびＹ方向にそれぞれ形成する。 （もっと読む）

【課題】転送トランジスタのカットオフ特性を向上する。
【解決手段】固体撮像装置は、半導体基板１１と、半導体基板１１に設けられ、かつＮ型領域及びＰ型領域から構成されるフォトダイオード１７と、半導体基板１１に設けられ、かつフォトダイオード１７から転送された電荷を保持する浮遊拡散層２５と、半導体基板１１に設けられ、かつフォトダイオード１７に蓄積された電荷を浮遊拡散層２５に転送する転送トランジスタとを含む。フォトダイオード１７のＮ型領域は、第１の半導体領域１４と、第１の半導体領域１４より浅い第２の半導体領域１５とから構成される。第１の半導体領域１４の端部は、転送トランジスタのゲート電極２０の端部よりも浮遊拡散層２５側に位置し、第２の半導体領域１５の端部は、転送トランジスタのゲート電極２０の端部と略同じ位置である。 （もっと読む）

【課題】 高いアライメント精度、および少ない工程数でアライメント用の光の透過率が低い材料のパターン形成方法を提供する。
【解決手段】 基板の上に凹部または凸部を有するアライメントマークを含む第１のパターンを形成する工程と、第１のパターンの上に平坦化層を形成する工程と、平坦化層のアライメントマークの上に形成された部分を除去する工程と、アライメントマークの上に形成された部分が除去された平坦化層の上に、被加工層を形成する工程と、アライメントマークの位置を被加工層の上から光を用いて光学的に検出し、位置あわせを行う工程と、位置合わせに基づき被加工層をパターニングしてパターンを形成する工程と、を含むパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】ワイヤグリッド偏光子へのダストの付着を抑制することが可能な固体撮像装置を提供する。
【解決手段】光電変換素子２１と、光電変換素子２１上に設けられたワイヤグリッド偏光子３０と、光電変換素子２１に設けられる導体層２４とワイヤグリッド偏光子３０とを電気的に接続する導体膜３５とを備える固体撮像装置２０を構成する。 （もっと読む）

【課題】積層型の画素構造を採用するに当たって、色毎の感度のＦ値依存の低減を可能にした固体撮像装置及び当該固体撮像装置を有する電子機器を提供する。
【解決手段】半導体基板の配線層が形成される第１面と反対側の第２面側に設けられ、所定の波長域の光について光電変換を行い、他の波長域の光を透過させる光電変換膜と、半導体基板の内部に設けられ、光電変換膜を透過した他の波長域の光について光電変換を行う光電変換層とを備え、光電変換膜に対して第２面側から入射光を取り込むようにする。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置に発生するノイズを低減する
【解決手段】 シリコン基板１００の第１部分１１０を覆い、シリコン基板１００の第１部分１１０に隣接する第２部分１２０を覆わない窒化シリコン膜２００をマスクとしてシリコン基板１００を熱酸化することにより、酸化シリコン膜３００を形成する。窒化シリコン膜２００をマスクとして酸化シリコン膜３００のバーズビーク部３１０の下へ斜めイオン注入を行うことにより、不純物領域１２１を形成する。 （もっと読む）

【課題】微細化と共に感度を向上でき、クロストーク及び暗電流の増大を防ぐことが可能な固体撮像装置を信頼性が高い製造方法により得られるようにする。
【解決手段】半導体基板１と、半導体基板１の上部に形成されたトランジスタ４と、半導体基板１の上に形成され、トランジスタ４と電気的に接続する配線１０を含む配線層と、配線層の上に、配線１０と電気的に接続するように形成され、行列状に配置された複数の下部電極１１、該複数の下部電極１１の上に形成された光電変換膜１２及び該光電変換膜１２の上に形成された上部電極１３を含む光電変換部１４とを備えている。光電変換膜１２は、単層膜又は積層膜であり、酸化銅（Ｉ）を含む。 （もっと読む）

【課題】 裏面照射型イメージセンサ、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 イメージセンサデバイスは、表面及び表面と対向する裏面を有する基板、この基板に配置され、裏面を通過して基板に入射する放射波を検出するように動作可能である放射線検出領域、基板の表面の上に配置された相互接続構造、基板の裏面の上に配置され、基板に引張応力を与える材料層、及び材料層の少なくとも一部の上に配置された放射線遮蔽デバイスを含む。 （もっと読む）

【課題】固体撮像装置１００において、光入射効率を高める多重干渉効果に加えて、第１に、シリコンのもつ引張応力を緩和し、第２に、シリコン基板への金属コンタミネーションを抑制することを可能とする。
【解決手段】固体撮像装置１００において、シリコン基板１０１の第２面上に光透過膜１２３を形成し、該光透過膜１２３を、該シリコン基板１０１の該第２面上に形成されたシリコン酸化膜（第１の透明絶縁膜）１０２と、該シリコン酸化膜１０２上に形成され、該シリコン酸化膜の屈折率より高い屈折率を有するシリコン窒化膜（第２の透明絶縁膜）１０３とを、該シリコン窒化膜の厚みの増大に伴って、該シリコン基板の第２面での入射光の反射率が周期的に極小となるよう積層した構造とし、該シリコン窒化膜１０３の厚みを、該反射率の極小値として２周期目の極小値のみを含む範囲に設定した。 （もっと読む）