【課題】 より信頼性の高いＣｕ−Ｃｕ接合界面を有する半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体装置１を、第１の配線１８を含む第１半導体部１０と、第１半導体部１０と貼り合わせて設けられ、第１の配線１８と電気的に接合された第２の配線２８を含む第２半導体部２０とを備える構成とする。さらに、半導体装置１は、酸素に対して水素よりも反応し易い金属材料と酸素とが反応して生成された金属酸化物１７ｂを備える。そして、この金属酸化物１７ｂを、第１の配線１８及び第２の配線２８の接合界面Ｓｊ、並びに、第１の配線１８及び第２の配線２８の少なくとも一方の内部を含む領域に拡散させた構成とする。 （もっと読む）

【課題】固体撮像装置において、光学的な混色やＭｇフレアを抑制するとともに、感度を向上させる。
【解決手段】半導体基板に設けられ、フォトダイオードを含む画素が複数配列された画素領域と、半導体基板の一方の板面側に設けられる配線層と、画素領域に配列される複数の画素の各画素に対応して設けられる複数のカラーフィルタに区分されるカラーフィルタ層と、半導体基板とカラーフィルタ層との間にて、互いに隣接する画素間の境界部分に設けられる画素間遮光部と、を備え、複数の画素は、カラーフィルタの色により、互いに隣接する画素として、カラーフィルタの色が互いに異なる異色画素の組み合わせ、およびカラーフィルタの色が互いに同じである同色画素の組み合わせを有し、画素間遮光部は、異色画素の組み合わせにおける前記境界部分に偏在する。 （もっと読む）

【課題】半導体基体同士が張り合わされた構成を有する半導体装において、接合精度の向上を可能とする。
【解決手段】第１半導体基体３１と、第２半導体基体４５とを備え、第１半導体基体３１の第１主面３１Ａ側と、第２半導体基体４５の第１主面４５Ａ側が接合されている。そして、第１半導体基体３１の第１主面３１Ａ側、第２半導体基体４５の第１主面４５Ａ側、第１半導体基体３１の第２主面３１Ｂ側、及び、第２半導体基体４５の第２主面４５Ｂ側から選ばれる少なくとも１つ以上に形成されている反り補正層１３，１４を備える半導体装置７９を構成する。 （もっと読む）

【課題】固体撮像装置の画質の向上を図る。
【解決手段】本実施形態の固体撮像装置は、半導体基板１０の撮像領域２１内に設けられ、少なくとも１つの光電変換素子３０を含む単位セルと、半導体基板１０の黒基準領域２９内に設けられ、少なくとも１つの光電変換素子４０を含む黒基準セルと、半導体基板１０上の絶縁膜７１を介して単位セルの上方に設けられるレンズ６０と、絶縁膜７１を介して黒基準セルの上方に設けられ、表面に凹凸部６２を有する第１の遮光膜６１と、を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】裏面照射型ＣＭＯＳイメージセンサーのリーク電流を抑制可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態の半導体装置の製造方法は、半導体基板の上にエピタキシャル半導体層４をエピタキシャル成長させる工程と、前記エピタキシャル半導体層４に光電変換部を形成する工程と、前記光電変換部の形成後に、前記エピタキシャル半導体層４の上に配線層を形成する工程と、前記配線層の上に支持基盤２３を接合する工程と、前記接合の後に、前記半導体基板を前記接合とは反対面側からエッチングする工程を含む。半導体装置の製造方法は、前記エッチングする工程の後に、前記エピタキシャル半導体層４の前記反対面側にアモルファスＳｉ層２６を形成する工程と、前記アモルファスＳｉ層の上に、反射防止膜、カラーフィルタを順に形成する工程を含む。 （もっと読む）

【課題】クロストークを防止するために設けられた区画層を有する固体撮像素子において、高画質化のために受光部サイズが小型化された場合であっても、感度特性の劣化を抑制し、良好な画質の実現を図ることを目的とする。
【解決手段】半導体基板１１と、半導体基板１１内に行列状に配置され、光電変換する複数の受光部１２と、半導体基板１１の上側に配置され、受光部１２それぞれの上方に対応する部位に開口を有し、前記開口と開口の間の部位により受光部１２の上方を受光部１２毎に区画する区画層２０と、前記開口内部に配されたカラーフィルタ層２４と、を備え、区画層２０は、区画本体層２１と、区画本体層２１上に積層された密着層２２および金属層２３とで構成され、最上位に配された金属層２３は、金属から成る。 （もっと読む）

【課題】出力部の変換効率を向上させて、高感度の固体撮像装置を提供する。
【解決手段】固体撮像装置は、信号電荷を生成する複数の受光部１０２と、前記信号電荷を転送する転送部１０４と、転送部１０４から転送される信号電荷を蓄積する浮遊拡散層２２と、浮遊拡散層２２の信号電荷を電圧に変換する出力部２３と、転送部２２と出力部２３とに接する分離領域とを備え、分離領域は、第１導電型不純物を含む第１分離領域２４１と、第１分離領域２４１よりも高濃度の第１導電型不純物を含む第２分離領域２４２を有し、前記第１分離領域は、前記浮遊拡散層に隣接する。 （もっと読む）

【課題】グローバル電子シャッター機能を備えながら、高い感度および高い画質を有するＭＯＳ型の固体撮像装置を提供する。
【解決手段】固体撮像装置は、半導体基板１０１、フォトダイオード１０５、接続ダイオード１７５、蓄積ダイオード１０６、オーバーフロードレイン１０９を有する。フォトダイオード１０５は、半導体基板１０１内におけるＺ軸方向の上主面側に、当該主面に沿う状態で、且つ、互いの間に間隔をあけた状態で二次元形成されている。蓄積ダイオード１０６は、半導体基板１０１内におけるＺ軸方向の下主面側に、設けられている。オーバーフロードレイン１０９も、半導体基板１０１内におけるＺ軸方向の下主面側に、設けられている。フォトダイオード１０５に接続された接続ダイオード１７５は、蓄積ダイオード１０６およびオーバーフロードレイン１０９の各々に対し、ゲートを介して配されている。 （もっと読む）

【課題】画質の劣化を抑制する。
【解決手段】本実施形態の固体撮像装置は、フォトダイオード形成領域５０内に設けられ、少なくとも１つの不純物層５５を含むフォトダイオード５と、フォトダイオード形成領域５０内に設けられ、フォトダイオード５の下方に設けられる空洞５９とを、含んでいる。 （もっと読む）

【課題】グレーティング技術によりポテンシャルを形成する場合に、ポテンシャルのばらつきを抑制することを目的とする。
【解決手段】
半導体装置の製造方法は、半導体基板上にレジスト層を形成する工程と、グレーティングマスクを用いてレジスト層を露光する工程と、 露光されたレジスト層を現像し、勾配を有するレジストマスクを形成する工程と、レジストマスクを介して、半導体基板にイオンを注入することで不純物領域を形成する工程と、を具備する。イオンを注入する工程において、520keV以上でイオン注入を行う。 （もっと読む）

【課題】画像処理速度が速いとともに、画像間の境界が曖昧になるのを抑制することのできるイメージセンサを提供する。
【解決手段】入射された伝播光を電気信号に変換する複数の画素と、複数の画素のうちの少なくとも一部の画素間を接続するように設けられ、入射された伝播光を近接場光に変換するとともに近接場光を伝播する近接場光導波路と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】ｎ型イオン注入領域を二重に形成することにより、素子の均一度の低下なく、良好な電荷移送効率を確保できるＣＭＯＳイメージ・センサー及びその製造方法を提供する。
【解決手段】素子分離膜２２が形成された半導体基板２１上にトランスファー・ゲート２３を形成し、トランスファー・ゲート２３に整列するフォトダイオード用第１のｎ型イオン注入領域２４を形成し、フォトダイオード用第１のｎ型イオン注入領域２４を含むフォトダイオード用第２のｎ型イオン注入領域２４を形成し、フォトダイオード用第１のｎ型イオン注入領域２４と一部が重なるフォトダイオード用ｐ型イオン注入領域２６を、半導体基板２１の表面とフォトダイオード用第１のｎ型イオン注入領域２４との間に形成し、トランスファー・ゲート２３の両側壁にスペーサ２７を形成し、トランスファー・ゲート２３の他側にフローティング拡散領域２８を形成する。 （もっと読む）

【課題】縦型の転送トランジスタを備える固体撮像装置において、飽和電荷量のばらつきが低減され、歩留まりの向上が図られた固体撮像装置を提供する。また、その固体撮像装置を用いた電子機器を提供する。
【解決手段】基板３０と、基板３０に形成され、入射した光の光量に応じた信号電荷を生成、蓄積する光電変換部ＰＤを備える。また、光電変換部ＰＤの深さに応じて基板３０の一方の面側から深さ方向に形成された溝部２９に埋め込まれて形成された縦型の転送ゲート電極２０を備える。そして、縦型の転送ゲート電極２０を備える固体撮像装置において、光電変換部ＰＤに蓄積された信号電荷をオーバーフローさせるオーバーフローパス２７が、転送ゲート電極２０の底部に形成されている。 （もっと読む）

【課題】開口部が数μｍ、アスペクト比が５以上のトレンチ壁面に高濃度の不純物がドーピングされた縦型ｐｎ接合を形成する技術を確立する。
【解決手段】開口部の最小寸法が１０μｍ以下、アスペクト比５以上、かつ壁面の凹凸が０．２μｍ以下のＳｉトレンチ壁面に対し不純物をドープし、さらに、不純物がドープされたトレンチ壁面を、９００℃以上の熱処理でリフローが生じるＳｉＯ₂膜により被覆し、このＳｉＯ₂膜を固体拡散源としたトレンチ壁面にｐｎ接合膜を形成する高アスペクト比のトレンチ構造を有する半導体デバイスの製造方法。前記ドープに先立ち、トレンチ壁面の熱酸化処理を行い、この熱酸化処理によって形成された熱酸化膜を除去する処理によりトレンチ壁面の凹凸を０．１μｍ以下に抑える。 （もっと読む）

【課題】複数の撮像素子をタイル状につなぎ合わせた大面積撮像装置において、ダイシング後の切断面に欠損が無く、画素配列に欠落を生じない素子端部の構造及びその製造方法を提供する。
【解決手段】つなぎ合わせ端部の受光領域の構造が素子分離領域の一部であって密接する互いの素子分離領域の幅の合計がつなぎ合わせ領域以外の素子分離領域の幅と同等もしくはそれよりも狭く形成する。 （もっと読む）

【課題】回路層に対するＩａ族元素の拡散を防止しながら光電変換効率を向上する。
【解決手段】回路層２０は、基板１０の面上に形成されてトランジスター１２を含む。光電変換素子１４は、第１電極４１および第２電極４２との間に介在するカルコパイライト型半導体の光電変換層４３を含む。供給層３４は、回路層２０と光電変換層４３との間に形成されてＩａ族元素を含む。光電変換層４３に対するＩａ族元素の拡散で光電変換効率が向上する。保護層３２は、供給層３４と回路層２０との間に形成されて回路層２０に対するＩａ族元素の拡散を防止する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置において、基板の表側に配置される回路素子及び導電線と、基板の裏側に配置される電子回路との間に生じる寄生容量を低減するための技術を提供する。
【解決手段】基板と、基板の上に配置された画素アレイと、基板の上に配置され、画素アレイの回路素子に電気的に接続された第１導電パッドと、電子回路を接続するために基板の下に配置された第２導電パッドと、基板と第１導電パッドとの間に配置された絶縁層と、基板と絶縁層との間に配置された第３導電パッドと、絶縁層を貫通する第１コンタクトホールを通り、第１導電パッドと第３導電パッドとを接続する第１導電部材と、基板を貫通する第２コンタクトホールを通り、第２導電パッドと第３導電パッドとを接続する第２導電部材とを備える半導体装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】 フローティングディフュージョン部の容量の増大を抑制することが可能な光電変換装置を提供する。
【解決手段】 光電変換素子と、フローティングディフュージョン部と、転送トランジスタと、増幅トランジスタとが配された半導体基板と、第１の配線層と、第２の配線層とを含む複数の配線層と、を有する光電変換装置において、転送トランジスタのゲート電極と、前記第２の配線層とがスタックコンタクト構造で接続されている。 （もっと読む）

【課題】暗電流を抑制することができる固体撮像素子を提供する。
【解決手段】固体撮像素子は、光電変換が行われるフォトダイオードが形成された有効領域と、遮光膜により遮光された光学的黒領域とが形成された半導体基板と、前記有効領域上であって、負の固定電荷を有する層が少なくとも１層以上積層された第１の膜と、前記遮光領域上であって、負の固定電荷を有する層が少なくとも１層以上積層された第２の膜と、を備え、前記第１の膜が有する層の数が前記第２の膜が有する層の数と異なる。 （もっと読む）

【課題】接合リーク電流が生じる原因となるシリサイド材料のスパイクを防止し、画像欠陥である白キズ及びＲＴＳノイズを低減できるようにする。
【解決手段】固体撮像装置は、シリコンからなる半導体基板の上に形成され、入射光を光電変換するフォトダイオード、フォトダイオードで得られた信号を転送するための転送トランジスタ、及び信号を増幅するための画素内トランジスタを含む複数の単位画素１１が一次元状又は二次元状に配列された感光領域１０を備えている。画素内トランジスタは、ゲートパターン１３とシリサイドが形成された拡散層１２とを含み、拡散層１２の表面の少なくとも一辺の近傍にダミーパターン１４が形成されている。 （もっと読む）