【課題】半導体素子上にカバー部材が貼り合わされることによってパッケージングされた半導体装置において、半導体素子へのクラックの発生を抑制し、歩留まりの向上を図る。
【解決手段】半導体素子２上にリング状のシール部材３を介してカバー部材４を貼り合わせた構成の半導体装置１において、シール部材３の内周面の形状を、半導体素子２からカバー部材４に向けて側段階的に変化するように形成する。半導体素子１側からカバー部材側に押圧する外力が加えられた場合、内周面が、半導体素子１の面に対して垂直方向に段階的に変化するように形成されることにより、半導体素子１にかかる応力が緩和される。 （もっと読む）

【課題】各画素の受光部に対応して設けられるレンズ同士の境界部分に遮光部を設けるに際し、遮光部をセルフアラインで形成することができ、レンズと遮光部とのパターン合わせ精度を向上することができ、微細化や画素数の増大に容易に対応することができる固体撮像素子の製造方法を提供する。
【解決手段】本開示の固体撮像素子の製造方法は、半導体基板上の撮像領域に配列される複数の画素の各画素の前記受光部に対応して設けられ、前記受光部に対して光を集光するレンズを形成する工程と、前記レンズ上に、遮光性を有する材料により成膜することで、遮光層を形成する工程と、互いに隣り合う前記レンズの境界部分に前記遮光性を有する材料を残すように前記遮光層をエッチングすることで、前記レンズの境界部分に、前記遮光性を有する材料からなる遮光部を形成する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】 変換素子の不純物半導体層への有機材料の混入を低減し、且つ、変換素子の電極の剥離を低減し得る検出装置を提供する。
【解決手段】 複数の画素１１を基板１００の上に有し、画素１１が、スイッチ素子１３と、スイッチ素子１３の上に配置され画素毎に分離されスイッチ素子１３と接合された透明導電性酸化物からなる電極１２２の上に設けられた不純物半導体層１２３を含む変換素子１２と、を有し、複数のスイッチ素子１３を覆うように複数のスイッチ素子１３と複数の電極１２２との間に設けられた有機材料からなる層間絶縁層１２０を有する検出装置の製造方法であって、層間絶縁層１２０に接する複数の電極１２２の間において層間絶縁層１２０を覆うように配置された無機材料からなる絶縁部材１２１を形成する工程と、絶縁部材１２１と複数の電極１２２とを覆うように不純物半導体膜１２３’を成膜する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、高信頼性化す
ることを目的の一とする。
【解決手段】第１の絶縁膜を形成し、第１の絶縁膜に酸素ドープ処理を行って、第１の絶
縁膜に酸素原子を供給し、第１の絶縁膜上に、ソース電極およびドレイン電極、ならびに
、ソース電極およびドレイン電極と電気的に接続する酸化物半導体膜を形成し、酸化物半
導体膜に熱処理を行って、酸化物半導体膜中の水素原子を除去し、水素原子が除去された
酸化物半導体膜上に、第２の絶縁膜を形成し、第２の絶縁膜上の酸化物半導体膜と重畳す
る領域にゲート電極を形成する半導体装置の作製方法である。 （もっと読む）

【課題】電荷の転送効率を向上させることができる固体撮像装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】実施形態に係る固体撮像装置の製造方法は、ゲート電極２０を形成する工程、第２の不純物層１７を形成する工程、および第３の不純物層１８を形成する工程、を具備する。ゲート電極２０は、Ｐ型のウェル１６を表面に有する半導体基板１５上に形成される。第２の不純物層１７はＮ＋型であって、ゲート電極２０の位置を基準にして、ゲート電極２０の端部２０ａを貫通する条件で半導体基板１５の表面に対して斜め方向からウェル１６に不純物を注入することにより形成されるものである。第２の不純物層１７は、ウェル１６と接合することによってフォトダイオードを構成し、第２の不純物層１７の端部１７ａは、ゲート電極２０の端部２０ａの下に配置される。第３の不純物層１８は、Ｐ＋型であって、ゲート電極２０から露出した第２の不純物層１７の表面に形成される。 （もっと読む）

【課題】従来の素子の作製プロセスに特別なプロセスを追加することなく、端面で発生した電子が画素部に混入することによって生じるノイズを低減することができる裏面照射型固体撮像素子及びそれを備えた撮像装置を提供する。
【解決手段】裏面照射型固体撮像素子１００は、画素領域２０、ｐウエル３０、ｎガードリング４０、ｐガードリング５０、端面１０３〜１０６を有し、画素領域２０から各端面１０３〜１０６に向かって、画素領域２０を囲むように、ｐウエル３０、ｎガードリング４０及びｐガードリング５０が順次形成され、ｐウエル３０にはｐウエル端子３１、ｎガードリング４０にはｎガードリング端子４１、ｐガードリング５０にはｐガードリング端子５１が、それぞれ設けられ、各端子に印加される電圧が、ｎガードリング端子電圧＞ｐウエル端子電圧≧ｐガードリング端子電圧≧裏面端子電圧の関係を有する。 （もっと読む）

【課題】プラズマ酸化によりシリコン基板上に形成される酸化膜の金属汚染量を低減すること。
【解決手段】酸化膜の形成方法は、不活性ガスと、前記不活性ガスに対する混合割合が０よりも大きく且つ０．００７以下である酸化ガスと、を含む混合ガスからプラズマを生成する工程と、前記プラズマを用いてシリコン基板の表面に酸化膜を形成する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】本発明は、上記のような問題の解決を図るべくなされたものであって、１ゲートあたりの電荷転送距離が長い場合においても、電荷の転送効率が高い固体撮像装置およびその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】転送チャネル１０２は、互いに不純物濃度が異なる第１チャネル領域と第２チャネル領域とから構成され、転送電極は、第１チャネル領域上に形成された第１転送電極１０４と、第２チャネル領域上に形成された第２転送電極１０５とを備える。転送電極の下では、第１チャネル領域は第２チャネル領域よりも転送方向の下流側に位置し、第１チャネル領域のポテンシャルは第２チャネル領域のポテンシャルよりも高く、第１チャネル領域と第２チャネル領域との境界は、転送方向に対して傾斜している。 （もっと読む）

【課題】光電変換層に対して位置合わせずれの小さい色フィルタを備えた固体撮像装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１０内に形成され、入射光を電気信号に変換する光電変換層１５と、半導体基板１０の表面に形成され、光電変換層１５から出力された電気信号を処理する回路と、半導体基板１０の裏面に光電変換層１５に対応するように配置された赤、緑、青フィルタ２３Ｒ、２３Ｇ、２３Ｂとを備える。赤フィルタ２３Ｒは、半導体基板１０を通過する光を透過する。半導体基板１０の裏面に対して垂直な断面において、赤フィルタ２３Ｒの下面の長さはその上面の長さより長く、緑フィルタ２３Ｇの下面の長さはその上面の長さより短い。 （もっと読む）

【課題】高集積化に伴う、個々の光電変換部で受光される光量の減少より、光電変換部に対して、その隣の光電変換部に入射すべき光が漏れ込んできたときの混色が大きくなる。
【解決手段】撮像領域の配線層の層数が周辺回路領域の配線層の層数より少ない配線構造と、撮像領域における配線構造の上部に配置された複数のマイクロレンズと、撮像領域における最上の配線層の上部であって、隣接する光電変換部の間に配置された反射部と、を有する固体撮像装置を提供することによって、前記問題を解決する。 （もっと読む）

【課題】 １画素内に構成される複数の光電変換部を感度を持たない領域により分離した場合に、該領域による画素の感度低下や、入射角特性の劣化を低減すること。
【解決手段】 撮像素子（１０３）は、複数の画素を有し、前記複数の画素の内の少なくとも一部の画素が、それぞれ、複数の光電変換部（４０２ａ、４０２ｂ）と、マイクロレンズ（４４２）と、複数の光電変換部と前記マイクロレンズとの間に形成され、複数の光電変換部にそれぞれ対応するように一体的に構成された複数の層内レンズ（４４５ａ、４４５ｂ）とを有し、複数の層内レンズは、複数の層内レンズへの入射光を、それぞれ対応する複数の光電変換部に入射させることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 従来のＰＤ製造プロセスと同じ工程で大受光径ＰＤの帯域を拡大して、光受信部の高速化を図る。
【解決手段】 受光デバイスは、半導体基板の上方に形成された第１導電型の第１半導体層、前記第１半導体層上の光吸収層、および前記光吸収層上の第２導電型の第２半導体層の積層構造を有する光検出素子と、前記半導体基板の上方で、前記光検出素子に接続されるインダクタと、前記光検出素子で生成された電流を前記インダクタを介して取り出す出力電極と、前記光検出素子にバイアス電極を印加するバイアス印加用電極と、前記インタダクタの金属配線と交差して、前記光検出素子と、前記出力電極又は前記バイアス印加用電極との間を電気的に接続する交差配線と、を含む。 （もっと読む）

【課題】撮像面に凹凸が存在する場合であっても、カラーフィルタ及びマイクロレンズの損傷を避けるとともに、画素間のクロストークを低減することが可能なカラー裏面照射型撮像素子を提供する。
【解決手段】ｐ型半導体層２１、２２にｎ型半導体層２３が積層されてなる光電変換部２９を含み、ｐ型半導体層２１、２２側に撮像面２０ａを有する裏面照射型撮像素子２０と、裏面照射型撮像素子２０の各画素に対応して配置される複数のカラーフィルタ４２、及び、複数のカラーフィルタ４２を透過した被写体光を各画素に集光する複数のマイクロレンズ４３が形成された透光性基板４１と、を備え、マイクロレンズ４３は凸曲面状の出射面を備えており、凸曲面状の出射面の頂点と撮像面２０ａとの間に、撮像面２０ａにおける凹凸の影響を受けずに画素間のクロストークを低減するための間隔が設けられている。 （もっと読む）

【課題】光導波路の材料とそれを取り囲む絶縁膜との間に作用する熱応力により、プロセス欠陥が生じうる。
【解決手段】光導波路の材料を堆積させる工程と、堆積された前記材料に光または放射線を照射することによって前記材料をアニールするアニール工程により、前記堆積工程および前記アニール工程を経て前記光電変換部に光を導く光導波路を形成する。 （もっと読む）

【課題】イメージセンサのカラーフィルターの膜厚のばらつきを低減する。
【解決手段】イメージセンサ構造体は、シリコン基板５１上に配列で形成された複数のイメージセンサと、複数のイメージセンサをダイシングして分離するときに切断される、隣り合うイメージセンサの間のスクライブラインと、から構成される。複数のイメージセンサのそれぞれは、シリコン基板５１上に形成された拡散層５２から構成される複数の光電変換素子と、複数の光電変換素子を囲んで、イメージセンサそれぞれの外周に沿って導体で形成されたガード配線８１と、を備える。そして、スクライブライン部５３に、ガード配線８１と同一のプロセスで同層に形成されたダミー配線８２が形成される。 （もっと読む）

【課題】小型でコントラストの高い画像データを取得することができるフォトセンサを提供する。該フォトセンサを用いた半導体装置を提供する。
【解決手段】受光素子と、スイッチング素子であるトランジスタと、トランジスタを介して受光素子と電気的に接続する電荷保持ノードとを有するフォトセンサにおいて、導通状態から非導通状態とするためにトランジスタへ供給する駆動パルスの入力波形の立ち下がり時間を遅延させ、電荷保持ノードが保持する電荷の減少を抑制する。 （もっと読む）

【課題】半導体部材同士が強固に接合された半導体装置、電子機器、及び、半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】第２配線層９に接合させる第１配線層２を、第１層間絶縁膜３と、第１層間絶縁膜３内に埋め込まれ、一方の表面が第１層間絶縁膜３の表面と同一面上に位置した第１電極パッド４と、一方の表面が第１層間絶縁膜３の表面と同一面上に位置し、第１電極パッド４の周囲に配設された第１ダミー電極５と、によって構成する。また、第２配線層９は、第１層間絶縁膜３の第１電極パッド４の表面側に位置した第２層間絶縁膜６と、一方の表面が第２層間絶縁膜６の第１層間絶縁膜３側の表面と同一表面上に位置し、かつ第１電極パッド４に接合された第２電極パッド７と、一方の表面が第２層間絶縁膜６の第１層間絶縁膜側３の表面と同一面上に位置し、第２電極パッド７の周囲に配設され、第１ダミー電極５に接合された第２ダミー電極８と、により構成する。 （もっと読む）

【課題】フォトセンサにおいて、トランジスタのオフ電流を低減することで、低消費電力化を図る。
【解決手段】フォトダイオード１３、第１のトランジスタ１４、及び第２のトランジスタ１５を有するフォトセンサと、読み出し制御トランジスタ１８を有する読み出し制御回路と、を有する。フォトダイオードは、入射光に応じた電荷を第１のトランジスタのゲートに供給する機能を有する。第１のトランジスタは、ゲートに供給された電荷を蓄積する機能と、蓄積された電荷を出力信号に変換する機能とを有する。第２のトランジスタは、出力信号の読み出しを制御する機能を有する。読み出し制御トランジスタは、出力信号を電圧値の信号に変換する抵抗素子としての機能を有し、第１のトランジスタ、第２のトランジスタ、及び読み出し制御トランジスタの半導体層は、酸化物半導体を用いて形成されている。 （もっと読む）

【課題】より高品質の画像を得ることができ、且つ固体撮像装置が形成されるチップ面積の縮小化を図ることができる。
【解決手段】第１の基板と第２の基板とが接続部を介して電気的に接続される固体撮像装置を備える補正処理装置であって、前記固体撮像装置が有する画素は、前記第１の基板に含まれる光電変換素子と、前記第１の基板から前記接続部を介して前記第２の基板に送られた信号を出力する水平読み出し回路と、を有し、当該補正処理装置は、前記第１の基板と前記接続部との接合部分を示す接合領域の前記第１の基板上における配置パターンに応じて、前記画素から出力される信号の補正を制御する補正処理部をさらに有する。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、高信頼性化す
ることを目的の一とする。
【解決手段】酸化物半導体膜を有するボトムゲート構造のトランジスタの作製工程におい
て、熱処理による脱水化または脱水素化処理、及び酸素ドープ処理を行う。酸素ドープ処
理されたゲート絶縁膜、熱処理による脱水化または脱水素化処理された酸化物半導体膜を
有するトランジスタは、バイアス−熱ストレス試験（ＢＴ試験）前後においてもトランジ
スタのしきい値電圧の変化量が低減できており、信頼性の高いトランジスタとすることが
できる。 （もっと読む）