【課題】本発明は、白キズの出現が起きないようにすることを目的とするものである。
【解決手段】そしてこの目的を達成するために本発明は、下方側がＸ線入射面となったＸ線透過性基板１７と、このＸ線透過性基板１７の上面側に順次設けた薄膜状電極１８、正孔注入阻止層１９、光変換膜層２０、電子注入阻止層２１とを備え、前記Ｘ線透過性基板の上面には凹部３２を有し、前記Ｘ線透過性基板１７の凹部３２の上方に対応する薄膜状電極１８部分は、前記凹部３２によって左右または前後に分離された構成とした。 （もっと読む）

【課題】画素部と電極との間のリーク電流を低減する。
【解決手段】固体撮像装置１は、第１及び第２の領域を有する半導体層１３と、第１の領域に設けられた画素部と、第２の領域に設けられ、かつ半導体層１３を貫通する複数の電極２２と、第２の領域に設けられ、かつ半導体層１３を貫通し、かつ画素部と複数の電極２２とを電気的に分離するガードリング２０とを含む。第２の領域の半導体層１３の上面は、第１の領域の半導体層１３の上面より低い。 （もっと読む）

【課題】本発明は、例えば、薄膜状電極、正孔注入阻止層などにキズや、ムラが発生した場合でも、それによる陰の出現が起きないようにすることを目的とするものである。
【解決手段】そしてこの目的を達成するために本発明は、下方側がＸ線入射面となったＸ線透過性基板１７と、このＸ線透過性基板１７の上面側の上方に順次設けた薄膜状電極１８、正孔注入阻止層１９、光変換膜層２０、電子注入阻止層２１とを備え、前記正孔注入阻止層１９および薄膜状電極１８を貫通し、前記Ｘ線透過性基板の上面に達する凹部３２を形成。 （もっと読む）

【課題】光センシング装置及びその駆動方法を提供する。
【解決手段】光センシング画素内の光センサートランジスタとスイッチトランジスタとが、それぞれ同じ構造の酸化物半導体トランジスタで形成される光センシング装置、及び前記光センシング装置の動作信頼性を向上させることができる駆動方法が提供される。光センシング装置によれば、光センシング画素内の光センサートランジスタとスイッチトランジスタとは、一つの基板上で同じ構造に隣接して形成され、スイッチトランジスタへの光の入射を防止するために、スイッチトランジスタの光入射面には光遮蔽膜がさらに配される。また、光センシング装置の駆動方法によれば、経時的なスイッチトランジスタのしきい電圧シフトを防止するために、光遮蔽膜には負（−）のバイアス電圧が印加される。 （もっと読む）

【課題】１つの実施形態は、例えば、斜め入射光に対する隣接画素間の混色を抑えることができる固体撮像装置を提供することを目的とする。
【解決手段】１つの実施形態によれば、光電変換部を備えた固体撮像装置が提供される。光電変換部は、半導体領域と、第２導電型の半導体膜とを有する。半導体領域は、半導体基板内に設けられている。半導体領域は、第２の導電型の第１の領域と、第１の導電型の第２の領域とを有する。第２の領域は、第１の領域上に設けられている。第１の導電型は、第２導電型と異なる。半導体膜は、半導体領域上に設けられている。半導体膜の材料の可視光に対する吸収係数は、半導体基板の材料の可視光に対する吸収係数より高い。半導体膜の厚さは、半導体領域の厚さよりも小である。 （もっと読む）

【課題】 例えば、変換素子の感度を向上させることができることを課題とする。
【解決手段】 放射線撮像装置は、絶縁性基板１００上に、放射線を電荷に変換する変換素子１０１と変換素子１０１に接続されたスイッチング素子１０２とを含む画素がマトリクス状に配置された画素領域を有する。変換素子１０１は、上部電極層１１９と、下部電極層１１５と、上部電極層１１９と下部電極層１１５との間に配置された半導体層１１７とを有する。上部電極層１１９は、少なくとも半導体層１１７が配置された領域内に間隙２００を有する。 （もっと読む）

【課題】分光感度のバラツキや色滲みのなく高感度・高解像性であるとともに、隣接する画素部への光の混入を防ぐことができる構成の固体撮像装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１０１の内部には、複数のフォトダイオード１０２が内部に形成されている。配線層１０３は、絶縁膜１０５と配線１０４との積層構造を有し、半導体基板１０１の上に形成されている。複数のカラーフィルタ１０６は、配線層１０３の上方において、複数のフォトダイオード１０２の各々に対応して形成されている。カラーフィルタ１０６の上には、平坦化膜１０７とマイクロレンズ１０８が順に積層されている。固体撮像装置１では、カラーフィルタ１０６の各々において、平坦化膜１０７よりも屈折率が高いとともに、Ｚ軸方向の上面が凹形状である。 （もっと読む）

【課題】 ビア形成時のエッチングによる基板や配線への影響を抑制しつつ積層された半導体ウェハの回路どうしを接続する。
【解決手段】 半導体装置の製造方法は、第１基板と第１基板の一面と接するように形成された第１絶縁層を有する第１の半導体ウェハと、第２基板と第２基板の一面と接するように形成された第２絶縁層を有する第２の半導体ウェハを接合する工程と、第１基板の他面に第３絶縁層を形成する工程と、第３絶縁層、第１基板、及び第１絶縁層を貫通し第２絶縁層に形成された第２の配線上に第２絶縁層が残るようにエッチングを行い第１接続孔を形成する工程と、第１接続孔に絶縁膜を形成する工程と、第２の配線上の第２絶縁層及び絶縁膜のエッチングを行い第２接続孔を形成し第２の配線を露出させる工程と、第１及び第２接続孔の内部に形成され第２の配線と接続する第１のビアを形成する工程とを備え、第１基板の他面に形成された第１接続孔の径は第３絶縁層に形成された前記第１接続孔の径より大きい。 （もっと読む）

【課題】屈折率が高い材料を埋め込んだ集光性が高い光導波路を備えた固体撮像装置を容易に実現できるようにする。
【解決手段】固体撮像装は、半導体基板１０１の上に形成された受光部１１１と、半導体基板の上に形成され、層間絶縁膜を含み、受光部と対応する位置に第１の凹部を有する絶縁膜積層体１０２と、第１の凹部に形成され、受光部に光を導く光導波路１０３とを備えている。光導波路は、絶縁膜積層体側から順次形成された第１の膜１３１及び第２の膜１３２を有している。第１の膜及び第２の膜の屈折率はそれぞれ層間絶縁膜の屈折率よりも高く、第１の膜は、第１の凹部の側面及び底面を覆い且つ第１の凹部と対応する位置に第２の凹部を有している。第２の膜は第２の凹部内を埋め込むように形成されており、第１の膜における第１の凹部の側面上に形成された部分の膜厚は、第１の凹部の上部において下部よりも薄い。 （もっと読む）

【課題】光導波路における開口寸法を配線レイアウトを変更することなく大きくすることにより、光導波路内に高屈折率膜を確実に埋め込むことができ、感度等が優れた光学特性を得られるようにする。
【解決手段】固体撮像装置の画素部Ａは、半導体基板１０１に形成されたフォトダイオードＰＤと、該フォトダイオードＰＤの上側部分に凹部１１７を有する第１の絶縁膜１５０と、該第１の絶縁膜１５０の上に、凹部１１７を埋め込むように形成された第２の絶縁膜１６０とを有している。固体撮像装置の周辺回路部Ｂは、第１の絶縁膜１５０に形成された内部配線１１５と、該内部配線１１５の上に形成され、該内部配線１１５と電気的に接続されるパッド電極１２１とを有している。パッド電極１２１は、第２の絶縁膜１６０の上に形成されている。 （もっと読む）

【課題】 高性能な平面型の検出装置をマスク枚数の増加に伴うコストアップや歩留まりの低下をすることなく提供する。
【解決手段】 基板１００上に成膜された第１導電膜から第１電極１２１及び制御電極１３１を形成する第１の工程と、第１の工程の後に絶縁膜と半導体膜とを順次に成膜する第２の工程と、前記第２の工程の後に不純物半導体膜と第２導電膜とを順次に成膜し第２導電膜から共通電極配線１４と第１導電部材１３７とを形成する第３の工程と、第３の工程の後に成膜された透明導電性酸化物から第２電極１２５及び第２導電部材１３８とを、不純物半導体膜から不純物半導体層１２４及び不純物半導体層１３３とを、を同一のマスクを用いて形成する第４の工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置製造後も終点検出部が残存することがなく、また、半導体基板と異なる材料の半導体素子部への拡散等の問題もなく、精度よく半導体基板の薄膜化を実現することができる半導体装置の製造方法及びそれに用いられる半導体基板を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置の製造方法は、半導体基板１の表面１ａに複数の凹部３を有するトレンチ構造５を形成する工程と、前記トレンチ構造５を形成した半導体基板１を不活性ガス雰囲気又は還元性ガス雰囲気にて熱処理を行うことで、前記複数の凹部３の表面部分を閉塞して前記表面部分に半導体層３ａを形成すると共に、内部に空隙３ｂを形成する工程と、を少なくとも備える。 （もっと読む）

【課題】光電変換層に汚染物質を混入させず、分光感度特性がよく、かつ出力電流にばら
つきのない光電変換装置を得ることを課題とする。光電変換装置を有する半導体装置にお
いて、信頼性の高い半導体装置を得ることを課題とする。
【解決手段】絶縁表面上に、第１の電極と第２の電極と、前記第１の電極と第２の電極と
の間にカラーフィルタと、前記カラーフィルタを覆ってオーバーコート層と、前記オーバ
ーコート層上に、ｐ型半導体膜、ｉ型半導体膜及びｎ型半導体膜を有する光電変換層と、
前記光電変換層の端部の一方は、前記第１の電極と接しており、前記カラーフィルタの端
部は、前記光電変換層の端部の他方より内側にある半導体装置に関する。 （もっと読む）

【課題】 精密な計測が可能なフォトダイオードアレイモジュールを提供する。
【解決手段】 このフォトダイオードアレイモジュールは、第１波長帯域の光に感応する第１フォトダイオードアレイを有する第１半導体基板２と、第２波長帯域の光に感応する第２フォトダイオードアレイを有する第２半導体基板２’と、複数のアンプＡＭＰが形成されると共に第１及び第２半導体基板２，２’が重なることなく横に並べ、各フォトダイオードをバンプを介してアンプＡＭＰに接続した第３半導体基板３とを備えている。第１半導体基板２及び第２半導体基板２’の隣接する端部には、段差部が形成されており、これにより各画素を双方の基板に渡って連続して整列させた場合においても、低ノイズで計測ができるようになる。 （もっと読む）

【課題】シリコン界面からの暗電流の発生を防止するために、基板裏面側にｐ＋層を形成する構造を採った場合に種々の問題が発生する。
【解決手段】シリコン基板３１の裏面上に絶縁膜３９を設け、さらにその上に透明電極４０を設け、電圧源４１から透明電極４０を介して絶縁膜３９にシリコン基板３１のポテンシャルに対して負の電圧を印加することにより、基板裏面側シリコン界面に正孔を貯めて当該シリコン界面に正孔蓄積層が存在しているのと等価な構造を作り出す。 （もっと読む）

【課題】画素サイズが小さくなっても、上記電荷検出部の容量を更に低減することにより電荷電圧変換率を更に向上させて更なる高画質の画像信号を得る。
【解決手段】Ｎ型基板２の上部にＰ型ウエル３が設けられ、Ｐ型ウエル３内に埋め込みフォトダイオード６および電荷検出部７が設けられており、電荷検出部７の下方のＰ型ウエル３は完全に空乏化されている。このように、電荷検出部７とＮ型基板２に挟まれたＰ型ウエル３を空乏化することにより、電荷検出部７のジャンクション容量Ｃを大幅に下げることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】 固体撮像装置において、カラーフィルタの剥離を抑制する。
【解決手段】 固体撮像装置１００は、入射光を電気信号に変換する光電変換素子１１を有する画素１１２と、画素１１２に対応して形成され、複数の色目フィルタ成分を有するカラーフィルタ１５と、カラーフィルタ１５を介して入射光を光電変換素子１１に集光するマイクロレンズ１６と、カラーフィルタ１５の各色目フィルタ成分間に配置される遮光膜１７と、カラーフィルタ１５と遮光膜１７との間に設けられ、非平坦化された密着性膜１９と、を有する。 （もっと読む）

【課題】固体撮像装置の画質の向上を図る。
【解決手段】本実施形態の固体撮像装置は、半導体基板１０の撮像領域２１内に設けられ、少なくとも１つの光電変換素子３０を含む単位セルと、半導体基板１０の黒基準領域２９内に設けられ、少なくとも１つの光電変換素子４０を含む黒基準セルと、半導体基板１０上の絶縁膜７１を介して単位セルの上方に設けられるレンズ６０と、絶縁膜７１を介して黒基準セルの上方に設けられ、表面に凹凸部６２を有する第１の遮光膜６１と、を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】裏面照射型ＣＭＯＳイメージセンサーのリーク電流を抑制可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態の半導体装置の製造方法は、半導体基板の上にエピタキシャル半導体層４をエピタキシャル成長させる工程と、前記エピタキシャル半導体層４に光電変換部を形成する工程と、前記光電変換部の形成後に、前記エピタキシャル半導体層４の上に配線層を形成する工程と、前記配線層の上に支持基盤２３を接合する工程と、前記接合の後に、前記半導体基板を前記接合とは反対面側からエッチングする工程を含む。半導体装置の製造方法は、前記エッチングする工程の後に、前記エピタキシャル半導体層４の前記反対面側にアモルファスＳｉ層２６を形成する工程と、前記アモルファスＳｉ層の上に、反射防止膜、カラーフィルタを順に形成する工程を含む。 （もっと読む）

【課題】クロストークを防止するために設けられた区画層を有する固体撮像素子において、高画質化のために受光部サイズが小型化された場合であっても、感度特性の劣化を抑制し、良好な画質の実現を図ることを目的とする。
【解決手段】半導体基板１１と、半導体基板１１内に行列状に配置され、光電変換する複数の受光部１２と、半導体基板１１の上側に配置され、受光部１２それぞれの上方に対応する部位に開口を有し、前記開口と開口の間の部位により受光部１２の上方を受光部１２毎に区画する区画層２０と、前記開口内部に配されたカラーフィルタ層２４と、を備え、区画層２０は、区画本体層２１と、区画本体層２１上に積層された密着層２２および金属層２３とで構成され、最上位に配された金属層２３は、金属から成る。 （もっと読む）