【課題】焦電体が還元ガスにより還元されて焦電効果を失することを防止することができる焦電型検出器、焦電型検出装置及び電子機器を提供すること。
【解決手段】基体１００より突出するスペーサー部材１０４に支持される支持部材２１０に支持される焦電型検出素子を有し、焦電型検出素子は第１電極２３４と第２電極２３６と第１，第２電極間に配置された焦電体２３２とを含むキャパシター２３０を有し、熱型検出素子はキャパシターの表面を覆う絶縁層２５０と絶縁層が第２電極と対面する位置に形成された第２開口部２５２と開口部に埋め込まれたプラグ２２６と絶縁層上に形成され第２電極にプラグを介して接続される第２電極配線層２２４と絶縁層とキャパシターとの間に形成された第１開口部を有する第１還元ガスバリア層２４０と少なくともプラグを覆って層間絶縁層及び第２電極配線層上に形成された第２還元ガスバリア層２６０を含む。 （もっと読む）

【課題】 温度変化に伴う損傷や変形を低減する。
【解決手段】 周辺領域２２１と第３領域１１１との間に、撮像板２および保持板１０に対して固定された中間部材７が配置されているとともに、中央領域２２２の少なくとも一部と、第４領域１１２との間には中間部材７が延在せずに空隙３００が設けられており、撮像板２の線膨張率と中間部材７の線膨張率との差が、保持板１０の線膨張率と中間部材７の線膨張率との差よりも小さい。 （もっと読む）

【課題】「混色」の発生などを防止して、撮像画像の画像品質を向上させる。
【解決手段】半導体基板１０１において裏面（上面）側に形成されたトレンチＴＲ内に、画素分離部３０１を設ける。ここでは、受光面ＪＳに入射した光を吸収する絶縁材料によって、画素分離部３０１を形成する。 （もっと読む）

【課題】撮像画像の画像品質を向上させる。
【解決手段】半導体基板１０１の画素分離部３０１に形成されたトレンチＴＲの内部に第１遮光部３１３Ａを設ける。これと共に、その第１遮光部３１３Ａの上面側に第２遮光部３１３Ｂを設ける。ここでは、画素領域ＰＡの中心よりも周辺において、第２遮光部３１３Ｂの中心が、画素分離部３０１の中心に対して、画素領域ＰＡの周辺の側へ多くシフトするように、第２遮光部３１３Ｂを形成する。つまり、少なくとも第２遮光部について「瞳補正」を実施する。 （もっと読む）

【課題】 精度よく開口を形成することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 第１の絶縁膜となる部材と、第１の絶縁膜となる部材と異なる材料からなる第２の絶縁膜となる部材と、第３の絶縁膜となる部材と、第３の絶縁膜となる部材と異なる材料の第４の絶縁膜となる部材とがこの順に積層された半導体基板の上に、複数の絶縁膜の開口を形成するための開口を有するマスクを形成する工程と、第３の絶縁膜となる部材のマスクの開口に対応する部分と第４の絶縁膜となる部材のマスクの開口に対応する部分を連続して除去する第１の工程と、第１の工程を行った後に、第２の絶縁膜となる部材のマスクの開口と対応する部分を除去する第２の工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】 簡単な工程で半導体装置を製造することが可能となる。
【解決手段】 半導体基板１０１の撮像領域１０３及び周辺領域１０４の上に第５層間絶縁膜１１３ｅが配される。第５層間絶縁膜１１３ｅの光電変換部１０５と重なった位置に開口１１６が形成される。半導体基板１０１の撮像領域１０３及び周辺領域１０４に第１導波路部材１１８を形成する。第１導波路部材１１８の周辺領域１０４に配された部分を除去し、第５層間絶縁膜１１３ｅを露出させる。 （もっと読む）

【課題】 光電変換部の電荷の転送効率を向上させることを目的とする。
【解決手段】 活性領域１１５にＮ型半導体領域１０１及びフローティングディフュージョン１０５が配される。ＰＤからＦＤ１０５に電荷を転送するための転送ゲート電極１０３が半導体基板上に絶縁体を介して配される。ＰＤを構成するＮ型半導体領域１０１の一部と転送ゲート電極１０３の一部とが互いに重なる。活性領域１１５にＰ型半導体領域１０６が配される。Ｐ型半導体領域１０６と、Ｎ型半導体領域１０１の転送ゲート電極１０３と重なった部分とは、半導体基板と絶縁体との界面に平行な方向において互いに隣接して配される。Ｎ型半導体領域１０１の不純物濃度ピークの位置とＰ型半導体領域１０６の不純物濃度ピークの位置とが異なる深さである。 （もっと読む）

【課題】半導体チップ全体の厚みを抑制しつつ、トランジスタからのホットキャリアによる発光の悪影響を抑制し、かつ工程数の削減を可能にした固体撮像装置を提供する。
【解決手段】２つ以上の半導体チップ部２２、２６が接合され、少なくとも第１の半導体チップ部２２に画素アレイと多層配線層３７が形成され、第２の半導体チップ部２６にロジック回路と多層配線層５９が形成される。両多層配線層３７、５９が向かい合って電気的に接続されて接合される。第１及び第２の半導体チップ部２２、２６の接合付近に、一方又は双方の接続される配線と同じ層の導電膜により形成された遮光層６８が形成される。裏面照射型に構成される。 （もっと読む）

【課題】 電荷伝送効率及びフィルファクタを向上可能なイメージセンサを提供する。
【解決手段】 イメージセンサ５は、第１面１及び第２面２を有する半導体層１００、半導体層１００の第１面１上に配置される配線層２００、および半導体層１００の第２面２上に配置される光透過層３００を有する。半導体層１００は、光電変換部１１０を構成するｐ型不純物層１１３、及びｎ型不純物層１１１を有する。ｐ型不純物層１１３内に形成されるフローティング拡散領域１３１、及びフローティング拡散領域１３１を囲むように形成されるトランスファーゲート電極１２３は、ｎ型不純物層１１１上の第１面１側に形成される。これにより、光電変換部１１０で電位が最も高い地点とトランスファーゲート電極１２３との間の距離が小さくなるため、フローティング拡散領域１３１への電荷伝送効率が向上することができる。 （もっと読む）

【課題】 高い画質の画像を撮像可能な固体撮像装置を提供する。
【解決手段】 本発明に係る固体撮像装置は、光電変換部１０３ａ、１０３ｂが配された半導体基板１０１を有する。半導体基板１０１に絶縁体１０４が積層される。絶縁体１０４には光電変換部１０３ａ、１０３ｂのそれぞれに対応した穴１０５ａ、１０５ｂが配される。穴１０５ａ、１０５ｂにはそれぞれ部材１０６ａ、１０６ｂが配される。部材１０６ｂに対して半導体基板１０１とは反対側に遮光部材１０８が配され、光電変換部１０３ｂのみが遮光される。このような固体撮像装置において、穴１０５ａ、１０５ｂが同時に形成され、部材１０６ａ、１０６ｂが同時に形成される。 （もっと読む）

【課題】 製造工程を増加させることなく、ホットキャリア特性が向上した光電変換装置を提供する。
【解決手段】 複数の光電変換素子と該光電変換素子の電荷に基づく信号を読み出すための第１のＭＯＳトランジスタとが配された光電変換領域と、前記第１のＭＯＳトランジスタの駆動もしくは前記光電変換領域から読み出される信号の増幅の少なくとも一方を行なう第２のＭＯＳトランジスタが配された周辺回路領域とが、同一の半導体基板に配された光電変換装置であって、前記第１のＭＯＳトランジスタのドレインの不純物濃度は、前記第２のＭＯＳトランジスタのドレインの不純物濃度よりも低いことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】有機光電変換層への入射光量を増加させることができ、しかも特性が良好で長寿命の有機光電変換素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】基板１１上に第１の電極１２を形成する。第１の電極１２上に開口１３ａを有する絶縁層１３を形成する。開口１３ａを通じて第１の電極１２と電気的に接続され、かつ絶縁層１３上に延在するように有機光電変換層１４を形成する。有機光電変換層１４上にグラフェンからなる第２の電極１５を形成する。こうして有機フォトダイオードを製造する。この有機フォトダイオードにおいては、第２の電極１５側を受光面側とする。 （もっと読む）

【課題】
単板式の積層型の撮像素子に含まれる有機光電変換膜の劣化を抑制することにより、量子効率の改善を図った撮像素子の製造方法、及び、撮像素子を提供することを課題とする。
【解決手段】
撮像素子の製造方法は、基板の上に第１波長の光に感度を有する第１受光部を形成する工程と、前記第１受光部の上に紫外線を吸収する第１紫外線吸収部を形成する工程と、前記第１紫外線吸収部の上に第２波長の光に感度を有する第２受光部を形成する工程と、前記第２受光部の上に紫外線を吸収する第２紫外線吸収部を形成する工程と、前記第２紫外線吸収部の上に第３波長の光に感度を有する第３受光部を形成する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】画素トランジスタにおける被曝量を軽減することが可能な放射線撮像装置を提供する。
【解決手段】放射線撮像装置１は、画素部１２において、第１基板１１上に、画素トランジスタおよびフォトダイオードを含む光電変換部１１１、絶縁膜１１２、保護膜１１３、第２基板１１４、レンズアレイ１１５、平坦化膜１１６およびシンチレータ層１１７がこの順に設けられている。放射線は、シンチレータ層１１７において波長変換された後、第２基板１１４を透過して第１基板１１に設けられた光電変換部１１１へ到達する。波長変換後の光が、フォトダイオードにおいて受光され、その受光量に対応する電気信号が取得される。第２基板１１４が放射線遮蔽機能を有することにより、波長変換されずにシンチレータ層１１７を透過した放射線が第１基板１１へ到達しにくくなる。 （もっと読む）

【課題】放射線の検出感度を維持しつつ、電線と電極部との剥離を抑制できる。
【解決手段】検出可能領域上に充填される第１充填材444は、原子番号９以下の元素で構成されているので、原子番号９を超える元素で構成される場合に比して、放射線の透過性がよい。このため、検出可能領域において、放射線の検出感度が維持できる。また、バイアス電極401と電線とが接続される接続部は、弾性を有する第２充填材445が充填されているため、硬化性を有する充填材に比して、延長電極部431と高電圧線432との密着性が保て、高電圧線432と延長電極部431との剥離を抑制できる。このように、本実施形態では、延長電極部431と高電圧線432とが接続される接続部と検出可能領域とで充填材を使い分けることにより、放射線の検出感度を維持しつつ、高電圧線432と電極部との剥離を抑制する。 （もっと読む）

【課題】光電変換部とは反対側の面に配線を設けた構成においてノイズの発生を防止して画像品質の向上を図ることが可能な固体撮像素子を提供する。
【解決手段】配線層２１と、配線層２１上に設けられた半導体層３１からなる電荷蓄積部３５と、半導体層３１上に設けられた光電変換膜４１とを備え、電荷蓄積部３５における光電変換膜４１との界面には、電荷蓄積部３５とは逆導電型の第２ピニング層Ｐ２が一部を開口して設けられた固体撮像素子１ａ。 （もっと読む）

【課題】アレイ基板上の金属配線露出部での水分の関与による腐食反応を防止すると共に、アレイ基板カット面とＦＰＣの擦れによる断線を防止し、高温高湿下や結露状態などの環境負荷が大きい状態においても高い信頼性を確保した放射線検出器及びその製造方法を提供する。
【解決手段】シリコーン樹脂をアレイ基板１２／ＦＰＣ４７の隙間に塗布形成して絶縁防湿被覆５３とする。また、シリコーン樹脂をアレイ基板１２／ＦＰＣ４７の隙間だけでなく、接着されたＡＬハットからなる防湿層１５の鍔部１５ａ端部まで同時に塗布形成して絶縁防湿被覆５５とする。 （もっと読む）

【課題】センサ基板と回路基板とを電極間で張り合わせてなる構成において電極間の接合面積を確保することが可能な３次元構造の固体撮像素子を提供する。
【解決手段】光電変換部２１が配列形成されたセンサ基板２と、光電変換部２１を駆動する回路が形成されセンサ基板２に対して積層された回路基板７と、センサ基板２における回路基板７側の界面に引き出されたセンサ側電極４５と、回路基板７におけるセンサ基板２側の界面に引き出された回路側電極６５とを備え、センサ側電極４５と回路側電極６５とは、凹型電極に凸型電極を嵌め合わせた状態で接合されていることを特徴とする固体撮像素子１である。 （もっと読む）

【課題】素子基板に対する支持基板の貼り合わせを要せずに、製造コストを低減する。
【解決手段】裏面照射型固体撮像素子は、画素アレイ部３１が形成された素子基板２１を備える。素子基板２１の周辺部２１ａの厚さｄ１が、素子基板２１における周辺部２１ａにより囲まれた部分の厚さｄ２よりも厚い。素子基板２１における周辺部２１ａにより囲まれた部分に、画素アレイ部３１が配置される。透光性板２２の周辺の部分が、素子基板２１の周辺部２１ａに接着剤２３にて接着される。 （もっと読む）

【課題】赤画素、緑画素、青画素と同時に赤外光を受光可能な固体撮像素子を提供する。
【解決手段】光電変換により発生した電荷を蓄積するＮ型不純物層１１、１２、１３、１４が設置され、Ｎ型不純物層１１、１２、１３、１４のそれぞれの表面側には、Ｐ型シリコン半導体基板１０の表面をシールドし、フォトダイオードの暗電流を抑制するためのＰ型不純物層１５、１６、１７、１８が設置され、Ｐ型シリコン半導体基板１０の受光面より上部側（撮像対象側）には、画素の配列を実現するように、入射光から赤色光、緑色光、青色光、赤外光を分離する（透過させる）カラーフィルター２６、２７、２８、２９が配置されて、赤画素３１、緑画素３２、青画素３３及び赤外画素３４を具備する。 （もっと読む）