【課題】複数方向の被写体を撮像することができるようにする。
【解決手段】本開示の撮像素子は、光電変換素子が形成されるシリコン基板と、前記シリコン基板の表面側に形成される配線層とを備え、前記光電変換素子が、前記表面側から前記配線層を介して入射される光を光電変換するとともに、前記シリコン基板の裏面側から前記配線層を介さずに入射される光を光電変換する。本開示は撮像素子、電子機器、並びに、製造方法に適用することができる。 （もっと読む）

【課題】高集積化を図ることができる固体撮像装置及び情報端末装置を提供する。
【解決手段】入射した光を電荷に変換して蓄積する光電変換素子が形成された第１面及び前記第１面と反対側の第２面を有する複数の画素が２次元的に配置され、前記複数の画素の前記第１面によって上面１１が形成され、前記複数の画素の前記第２面によって裏面１２が形成された撮像基板１０と、前記撮像基板１０の前記上面１１側に設けられた遮光部材１３と、を備える。前記複数の画素は、前記遮光部材１３の上方から光が照射された場合に、前記遮光部材１３によって、遮光される画素と、遮光されない画素とに区別され、前記遮光されない画素の前記光電変換素子によって蓄積された前記電荷は、前記遮光される画素の前記第２面に形成されたＡＤ変換回路によってデジタル信号に変換される。 （もっと読む）

【課題】基板間の接合性を改善してボイドの発生を抑制することにより、信頼性の向上が図られた３次元構造の半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置１を、第１電極３３および第１絶縁膜３５を含むと共に、これらの第１電極３３および第１絶縁膜３５を露出させた貼合せ面４１を有する第１基板２と、第１電極３３に電気的に接続された第２電極６７および第２絶縁膜６９を含むと共に、これらの第２電極６７および第２絶縁膜６９を露出させた貼合せ面７１を有し、第１基板２に貼り合わされて設けられた第２基板７と、各基板の貼合せ面４１，７１の間に狭持された絶縁性薄膜１２とを備えた構成とする。 （もっと読む）

【課題】黒レベルの基準値の検出をより正確に行うことができるようにする。
【解決手段】本開示の撮像素子は、有効画素領域の画素値の黒レベルの基準値を検出するための領域であり、半導体基板外部からの光が遮光膜により遮光されるオプティカルブラック画素領域に、前記オプティカルブラック画素領域の前記半導体基板内部に存在する電荷を、前記オプティカルブラック画素領域の外部に伝送する伝送路領域を備える。本開示は撮像素子、撮像装置、並びに、製造装置および方法に適用することができる。 （もっと読む）

【課題】イメージセンサの画質を改善する
【解決手段】本実施形態の固体撮像装置は、半導体基板１１０の画素アレイ１２０内に設けられた単位セル形成領域ＵＡと、単位セル形成領域ＵＡ内に設けられ、被写体からの光信号に基づいた信号電荷を生成する画素１Ａと、単位セル形成領域ＵＡ内に設けられ、画素１Ａからフローティングディフュージョン６に転送された信号電荷に対応した電位を増幅するアンプトランジスタ５と、を含む。アンプトランジスタ５のゲート電極５０は、半導体基板１１０の溝内にゲート絶縁膜を介して埋め込まれた第１の埋め込み部１５１を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】より容易により多様な光電変換出力を得ることができるようにする。
【解決手段】本開示の撮像素子は、入射光を光電変換する光電変換素子が形成される光電変換素子層と、前記光電変換素子層の、前記入射光の入射面とは反対の側に形成される、前記光電変換素子から電荷を読み出すための配線が形成される配線層と、前記光電変換素子層および前記配線層に積層され、他の光電変換素子を有する支持基板とを備える。本開示は撮像素子、電子機器、並びに、情報処理装置に適用することができる。 （もっと読む）

【課題】より簡単な構成で、熱雑音の増大や信頼性の低下を抑制する。
【解決手段】固体撮像装置は、複数の画素が配置されてなる画素アレイが形成される画素形成領域と、画素アレイから出力される電気信号に対する信号処理を行うロジック回路が形成されるロジック回路形成領域と、少なくとも一部がSi表面を同位体濃縮して形成されている基板とを備え、基板は、ロジック回路形成領域において発生した熱を、外装としてのパッケージに伝達するように設けられる。本技術は、CMOSイメージセンサに適用することができる。 （もっと読む）

【課題】フォトダイオードの縦方向の微細化を図る。
【解決手段】実施形態に係わる固体撮像装置は、光の入射側の第１の面及びそれと反対側の第２の面を有する半導体基板１１と、半導体基板１１内のフォトダイオード１２と、半導体基板１１の第１の面側においてフォトダイオード１２の全体を覆い、半導体基板１１の外側から内側に向かう光を透過し、半導体基板１１の内側から外側に向かう光を反射する機能を有する機能層１３と、半導体基板１１の第２の面の全体を覆い、半導体基板１１の内側から外側に向かう光を反射する機能を有する反射層１４とを備える。 （もっと読む）

【課題】画素セルが３つのトランジスタで構成される場合でも、横引きノイズの発生を抑えることが可能な固体撮像装置を提供する。
【解決手段】駆動回路は、所定の画素セル１１に対して、リセットトランジスタ１１７をＯＮ状態とすることで、増幅トランジスタ１１３のゲートの電位をリセットする電子シャッター動作を行い、電子シャッター動作が行われた所定の画素セル１１に対して、選択トランジスタ１１５及びリセットトランジスタ１１７を同時にＯＮ状態とすることで、リセットされた増幅トランジスタ１１３のゲートの電位に応じた電圧をリセット信号として画素セル１１から列信号線１４１に出力させるリセット信号の信号読み出し動作を行い、電子シャッター動作において、リセットトランジスタ１１７がＯＮ状態とされている時に選択トランジスタ１１５がＯＮ状態とされる。 （もっと読む）

【課題】感度の向上と感度のばらつきの低減のために有利な技術を提供する。
【解決手段】複数の光電変換部を有する半導体層と、前記半導体層の第１面の側に配置された配線構造とを有し、前記半導体層の第２面の側から光が入射する固体撮像装置において、前記配線構造は、前記第２面から前記第１面に向かって前記半導体層を透過した光を前記半導体層に向けて反射する反射面を有する反射部と、前記反射面と前記第１面との間に位置する絶縁膜と、を含み、前記固体撮像装置は、前記第１面に接触して配置された第１の誘電体膜と、前記絶縁膜と前記第１の誘電体膜との間に配置された、前記第１の誘電体膜および前記絶縁膜とは屈折率の異なる第２の誘電体膜と、を備える。 （もっと読む）

【課題】より良好な画素信号を得る。
【解決手段】固体撮像素子は、入射する光を電荷に変換する光電変換素子、および、光電変換素子により光電変換された電荷を一時的に保持する電荷保持部が形成された半導体基板と、少なくとも半導体基板の光電変換素子および電荷保持部の間の領域に延在するように埋め込まれる埋め込み部を有する遮光部とを備える。さらに、遮光部は、光電変換素子に光が入射する側である半導体基板の裏面側において、少なくとも電荷保持部を覆うように配置される蓋部をさらに有する。本技術は、例えば、裏面照射型のCMOSセンサに適用できる。 （もっと読む）

【課題】イメージセンサの信頼性及び画質を向上する。
【解決手段】本実施形態の固体撮像装置は、被写体からの光を信号電荷に変換する光電変換素子６０と、光電変換素子６０の信号電荷が転送される信号検出部６４に接続される電流経路の一端と制御信号線２３に接続される電流経路の他端とを有するトランジスタ６２とを含む画素６と、制御信号線２３に印加される制御信号ＲＳＴＤＲＮを選択する制御信号選択回路７と、を含む。制御信号選択回路７は、画素信号が画素６から読み出されるとき、制御信号線２３の電位を第１の電位レベル（Ｈ）に設定し、画素６を非選択状態にするとき制御信号線２３の電位を第１の電位レベルより小さい第２の電位レベル（Ｌ）に設定し、画素６が非選択状態にされた後、制御信号線２３の電位を、第１の電位レベルと第２の電位レベルとの間の第３の電位レベル（Ｍ）に設定する。 （もっと読む）

【課題】画素間においての混色を防止することが可能で、これにより撮像特性の向上が図られた固体撮像装置を提供することを目的とする。
【解決手段】固体撮像装置１-1は、半導体層３０と、半導体層３０の内部に半導体層３０の表面に対して２次元的に配列されたｎ＋型（第1導電型）の電荷蓄積領域３１とを備えている。さらに半導体層３０の内部には、半導体層３０の表面から電荷蓄積領域３１までの深さにわたってｐ＋型（第２導電型）の界面領域３７が設けられている。特に、電荷蓄積領域３１を囲む位置には、界面領域３７に対してｐ型不純物が追加で導入されたｐ++型の高濃度領域３９が電荷移動防止領域として設けられている。 （もっと読む）

【課題】複数のフォトダイオード間の例えば感度等の特性のばらつきを抑制することができる固体撮像装置を提供する。
【解決手段】固体撮像装置を、複数の光電変換部と、フローティングディフュージョン部と、複数の転送部と、第１トランジスタ群と、第２トランジスタ群とを備える構成にする。さらに、第１トランジスタ群は、第１のレイアウト構成で配置されたゲート及びソース／ドレインを有する。そして、第２トランジスタ群を、第１のレイアウト構成と対称的な第２レイアウト構成で配置されたゲート及びソース／ドレインを有する構成にする。 （もっと読む）

【課題】光を感知するピクセル面積量が減少することがなく、低照度性能が低下することがないイメージセンサを提供する。
【解決手段】裏面照明（「ＢＳＩ」）イメージセンサピクセル（４００）は、フォトダイオード領域（４２０）と、ピクセル回路（４３０）とを含む。フォトダイオード領域は、ＢＳＩイメージセンサピクセルの裏面上に入射する光に応答してイメージ電荷を蓄積するために半導体ダイ内に配置される。ピクセル回路が、半導体ダイの前面とフォトダイオード領域との間で半導体ダイ内に配置されたトランジスタピクセル回路を含む。ピクセル回路の少なくとも一部はフォトダイオード領域に重なり合っている。 （もっと読む）

【課題】歩留まりの向上、およびコスト削減を図る。
【解決手段】半導体装置は、デバイス基板６００と、前記デバイス基板上に接合された支持基板２００と、を具備する。前記デバイス基板は、前記支持基板との接合面側の外周部に溝５０を有する。 （もっと読む）

【課題】画質の低下を抑制する。
【解決手段】センサチップは、複数のＰＤが配置された半導体基板を有している。信号処理チップは、センサチップに積層され、センサチップを駆動するためのロジック回路が形成された半導体基板を有している。そして、センサチップの半導体基板と、信号処理チップの半導体基板との間に、信号の送受信を行う配線を有する配線層が配置されており、その配線層において配線が形成されていない領域に、遮光性を備えた遮光膜が配設される。本技術は、例えば、裏面照射型のCMOS型固体撮像素子に適用できる。 （もっと読む）

【課題】外部回路や載置部材などのコストや準備期間を容易に削減することが可能な固体撮像素子及び固体撮像素子の実装構造を提供すること。
【解決手段】固体撮像素子ＩＳ１は、光感応領域３を有する半導体基板１と、半導体基板１の主面１ａ上に配列された複数の第一電極パッド１０と、半導体基板１の主面１ａ上に、複数の第一電極パッド１０が配列された方向に沿う方向に配列された複数の第二電極パッド１２と、複数の第一電極パッド１０と複数の第二電極パッド１２とを１対１に接続する複数の配線１４と、を備えている。複数の配線１４は、複数の第一及び第二電極パッド１０，１２の配列方向に直交する中心線ｌに対して線対称となる位置関係にある第一電極パッド１０と第二電極パッド１２とを接続している。 （もっと読む）

【課題】光電変換効率の向上を図る裏面照射型のＣＭＯＳセンサを提供する。
【解決手段】撮像素子１１は、半導体基板３１に対して光が入射する側に積層される有機光電変換層３３を備えており、有機光電変換層３３に有機光電変換膜４３が配置され、半導体基板３１に２つのＰＤ４１、４２が配置されている。そして、有機光電変換層３３では、有機光電変換膜４３を挟み込むように１対の透明電極５４−１，５４−２が設けられており、半導体基板３１側の透明電極５４−１が、光が入射する側に突出する曲面を有して形成され、有機光電変換膜４３が、この透明電極５４−１が有する曲面に倣って曲面形状を有するように形成される。 （もっと読む）

【課題】感度を向上させつつ混色を抑制するために有利な技術を提供する。
【解決手段】固体撮像装置は、複数の画素を含み、前記複数の画素は、第１種類の画素および第２種類の画素を含み、前記第１種類の画素は、第１カラーフィルタと、半導体層に形成された第１光電変換部と、前記第１カラーフィルタを透過して前記第１光電変換部に入射し前記第１光電変換部を透過した光を前記第１光電変換部に向けて反射する第１反射領域とを含み、前記第２種類の画素は、第２カラーフィルタと、前記半導体層に形成された第２光電変換部と、前記第２カラーフィルタを透過して前記第２光電変換部に入射し前記第２光電変換部を透過した光を前記第２光電変換部に向けて反射する第２反射領域とを含み、前記第１カラーフィルタの透過率が最大となる波長は、前記第２カラーフィルタの透過率が最大となる波長より短く、前記第１反射領域の面積は、前記第２反射領域の面積より小さい。 （もっと読む）