【課題】チップサイズパッケージ製造工程中のＣＭＯＳイメージセンサ用ウエハとガラスウエハを貼りあわせにおいて、パターン形成された接着剤が流れ出し、イメージセンサ面への接着剤の付着を防止し、イメージセンサ面ギリギリまで接着剤にて埋め、合わせて遮光性を付加した方法を提供する。
【解決手段】ＣＭＯＳイメージセンサが多面付け形成されたウエハと貼り合せる、
封止用ガラスウエハ面のダイシングライン上に、
格子パターン状に溝加工を行い、
格子パターン及び格子パターンの交点部分の、格子交点から同一距離の点を結ぶ直線内又は同一距離の曲線内を含んだパターン状に、
接着剤ペーストをスクリーン印刷、あるいはディスペンサーによりパターン状に塗布し、前記ＣＭＯＳイメージセンサが多面付けされたウエハと前記ガラスウエハとを貼り合せる。 （もっと読む）

【課題】、放射線画像の品質を維持したまま放射線の照射に関する検出を行うこができる、放射線検出器、放射線画像撮影装置、及び放射線画像撮影システムを提供する。
【解決手段】照射された放射線が変換された光に応じて電荷を発生するセンサ部１０３、センサ部１０３から読み出した電荷を信号配線３に出力するＴＦＴスイッチ４、及び信号配線３と非接続の放射線検知用ＴＦＴスイッチ３４を備えた画素２０Ａと、センサ部１０３、ＴＦＴスイッチ４、及び信号配線３と接続され、センサ部１０３から読み出した電荷を信号配線３に出力する放射線検知用ＴＦＴスイッチ３４を備えた放射線検知用画素２０Ｂと、を備える。放射線検知用ＴＦＴスイッチ３４の制御端子は、放射線検知用走査配線１０９に接続されており、放射線検知用制御回路１０８から出力されたスキャン信号により、オン、オフが制御される。 （もっと読む）

【課題】屈折率調整が容易で光学設計がしやすいとともに、防曇性膜を有する光学部品を提供する。
【解決手段】透明基材と、前記透明基材上に積層され、少なくとも一部が親水性金属酸化物からなる光透過性の光学薄膜と、を有する光学部品であって、前記光学薄膜が、マトリックスによって内部に空隙を有する金属酸化物微粒子が結合された多孔質構造であることを特徴とする、光学部品。 （もっと読む）

【課題】中空パッケージからなる半導体装置において、中空パッケージのキャビティ形状を保持しつつ、信頼性の向上を図る。
【解決手段】樹脂組成物は、半導体装置１００の樹脂部材１０に用いられ、熱硬化性樹脂と、溶剤と、光硬化性樹脂と、を有し、前記溶剤を乾燥し、かつ３６５ｎｍの波長を有する光により積算光量が厚さ５０μｍに対して７００ｍＪ／ｃｍ^２となるように露光して光硬化した後において、１５０℃、１Ｈｚの条件下で粘弾性測定した場合、貯蔵弾性率が１００Ｐａ以上１００００Ｐａ以下であり、ｔａｎδが０．１以上である。 （もっと読む）

【課題】バリア性および耐熱性に優れた光電変換素子およびその製造方法、ならびに撮像素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】基板と、基板上に形成された下部電極と、下部電極上に形成され、光が照射されると電荷を発生する有機層と、有機層上に形成された、可視光に対して透明な上部電極と、上部電極上に形成された素子保護層とを有する光電変換素子の製造方法である。この素子保護層を形成する工程は、有機層に対し不活性なキャリアガスを供給し、プラズマを生成する工程と、キャリアガスが供給されてプラズマが生成された状態で、さらにＳｉＨ_４ガス、支燃性ガスおよびアンモニアガスを含む反応性プロセスガスを供給して珪素含有保護膜を形成する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】信号書き込み時間が長くなることを防ぎながら、信号振幅値が大きく、かつ、入出力関係が線形で動作する範囲を大きくすることが出来る半導体装置およびその駆動方法を提供する。
【解決手段】増幅用トランジスタ及びバイアス用トランジスタを有する半導体装置において、放電用トランジスタを設けて、プリ放電を行う。または、増幅用トランジスタ及びバイアス用トランジスタを有する半導体装置において、バイアス用トランジスタに接続されたバイアス側電源線の電位を、増幅用トランジスタに接続された増幅側電源線の電位に近づけることにより、プリ放電を行う。 （もっと読む）

【課題】 画素の容量値を調節することが可能で高いＳ／Ｎ比が得られる検出装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 基板１００の上に配置されたトランジスタ１３０と、トランジスタ１３０の上に配置され、トランジスタ１３０と接続された変換素子１１０と、変換素子１１０と接続されたオーミックコンタクト部１５１と、オーミックコンタクト部１５１と接続された半導体部１５２と、絶縁層１０１を介して半導体部１５２及びオーミックコンタクト部１５１と対向して配置された導電体部１５４と、を基板１００と変換素子１１０との間に有して、トランジスタ１３０に対して変換素子１１０と並列に接続された容量素子１５０と、半導体部１５２にキャリアを蓄積させる第１電位と、半導体部１５２を空乏化させる第２電位と、を導電体部１５４に供給する電位供給手段と、を有する。 （もっと読む）

【課題】反りが抑えられた撮像装置の製造方法を提供する。
【解決手段】光を電気信号に変換する画素が形成された画素部を有する撮像素子と、撮像素子の画素部を有する面に対向して設けられ、光を透過させる対向基板とを備える撮像装置の製造方法であって、撮像素子及び対向基板が、加熱されて接合される接合段階を備え、接合段階において、撮像素子及び対向基板の熱膨張係数の違いに応じて、撮像素子及び対向基板の、それぞれの温度が制御される撮像装置の製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】水分による下部電極の腐食を抑制することができる、半導体素子、放射線検出器、及び半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】層間絶縁膜２３及びＴＦＴ保護層３０を一括してエッチングされたコンタクトホールを埋めつつ、ゲートパッド４０及びデータパッド５０が形成されるため、下部電極１１を介さずに、データパッド５０と第２信号配線層５２が接続されると共に、ゲートパッド４０と第１信号配線層４２とが接続される。従って、保護層３４の開口部には下部電極１１が設けられておらず、水分が侵入した場合でも腐食が発生する恐れが少なく、下部電極１１の腐食を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】 対象物に光を照射して応答を検出する際の検出感度の向上及びノイズの低減をはかる。
【解決手段】 不透明な配線層１０７，１０８を有する基板１００上に、複数の発光素子２００と複数の受光素子３００を基板面内方向に離間して形成した光電変換装置であって、発光素子２００及び受光素子３００は基板１００上に形成したバンク２０２，３０２の開口部にそれぞれ形成されている。発光層の半導体材料２０３〜２０５と受光層の半導体材料３０３，３０５とは異なり、発光素子２００及び受光素子３００の上部電極層２０７，３０７とは共通である。さらに、配線層１０７，１０８は、バンク２０２，３０２の開口部で規定される各領域の外側の領域に形成されている。 （もっと読む）

【課題】画素の微細化を達成しつつ、２次元撮像及び３次元撮像の同時撮像を可能にした半導体装置の駆動方法を提供する。また、高精度な移動体の位置検出を可能にした半導体装置の駆動方法を提供する。
【解決手段】同一の照射時間の第１の照射及び第２の照射を行い、第１の照射及び第２の照射に対応させて、第１の撮像及び第２の撮像を行い、第１の撮像及び第２の撮像において、光の到着時間の時間差に依存した第１の検出信号及び第２の検出信号を取得することで、光源から被検出物までの距離を測定する。また、可視光を吸収し、赤外光を透過する第１のフォトセンサ、及び赤外光を吸収する第２のフォトセンサを重畳することで２次元撮像及び３次元撮像の同時撮像を可能にする。また、隣接するフォトセンサで被検出物のほぼ同一点からの反射光を検出する事で、高速で移動する被検出物においても位置検出精度の低下を防げる。 （もっと読む）

【課題】有機材料を含む受光層を有する光電変換素子において、受光層の材料の選択幅を狭めることなく、光電変換素子の耐熱性を向上させること。
【解決手段】絶縁層１０２上に複数の画素電極１０４を形成する第一の工程と、複数の画素電極１０４の上に有機材料を含む受光層１０７を形成する第二の工程と、受光層１０７上に対向電極１０８を形成する第三の工程とを備え、第一の工程は、絶縁層１０２上に画素電極材料を成膜する工程と、成膜した前記画素電極材料の膜をパターニングする工程と、前記パターニング後の前記基板を２７０℃以上で加熱する工程とで構成される。 （もっと読む）

【課題】 増幅用ＴＦＴと選択用ＴＦＴとを含む画素を有する検出装置において選択用ＴＦＴのオフリークが十分なされた検出装置を提供する。
【解決手段】 変換素子１００と、ゲート１１４が変換素子１００に接続された第１薄膜トランジスタ１１０と、ゲート１２４が駆動配線１５０に接続され、真性半導体領域であり第１領域１２２と第２領域１２３との間でゲート１２４の正投影が位置する第３領域１２１を有する多結晶半導体層を含み、第１領域１２２及び第２領域１２３の一方が第１薄膜トランジスタ１１０のソース及びドレインの一方１１３に接続された第２薄膜トランジスタ１２０と、を有し、多結晶半導体層は、第１領域１２２と第３領域１２１との間に、また、第２領域１２３と第３領域１２４との間に、それぞれ第１領域１２２及び第２領域１２３よりも不純物の濃度が低い第４領域１２５と第５領域１２６と、を含む検出装置。 （もっと読む）

【課題】半導体パッケージ用カバーガラスの透光面を研磨することなく平滑にすることによって、研磨に伴う各種問題を解消することを技術的課題とする。
【解決手段】この半導体パッケージ用カバーガラス１０は、板厚方向に相対向する第１透光面１０ａ及び第２透光面１０ｂと、周縁を構成する側面１０ｃとを備えた板状ガラスである。このカバーガラス１０の寸法は、１４×１６×０．５ｍｍであり、第１透光面１０ａ及び第２透光面１０ｂは無研磨面であり、その表面粗さ（Ｒａ）は、いずれも０．５ｎｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】ウェハレベル撮像モジュールに特に適合する固体撮像素子用の透明導電性膜を所定の箇所に配設する固体撮像素子の製造方法、それにより製造された前記透明導電性膜、これを有する固体撮像素子を提供する。
【解決手段】透明導電膜を内部部材表面上に有する固体撮像素子の製造方法であって、導電性金属粒子、導電性金属ナノワイヤ、導電性酸化物粒子、及び導電性ポリマーのいずれか一種を少なくとも含有する透明導電性膜を、前記内部部材に配設する固体撮像素子の製造方法。 （もっと読む）

【課題】本発明は、高光電変換効率、低暗電流性、高速応答性を示すと共に、高速で連続して製造した際にも製造ロッド間での応答速度のばらつきが小さい光電変換素子を提供することを目的とする。
【解決手段】導電性膜、光電変換材料を含む光電変換膜、および透明導電性膜をこの順で積層してなる光電変換素子であって、光電変換膜が固体からなる膜であり、該光電変換材料が、一般式（１）で表される化合物を含む、光電変換素子。
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【課題】グローバルシャッタ方式で電荷の蓄積を行うイメージセンサにおいて、蓄積期間
終了時から最後の行を読み出すまでの期間、蓄積電荷保持部からの電荷の流出を極力抑制
することのできる半導体装置の提供を目的とする。
【解決手段】画素がマトリクス状に複数配置されたＣＭＯＳセンサ型のイメージセンサに
おいて、画素部の電荷蓄積制御トランジスタ及びリセットトランジスタにチャネル形成領
域が酸化物半導体で形成されたトランジスタを使用し、マトリクス状に配置された全ての
画素で信号電荷蓄積部のリセット動作を行った後、全ての画素でフォトダイオードによる
電荷の蓄積動作を行い、行毎に画素から信号の読み出し動作を行うことで歪みの無い撮像
を可能とする。 （もっと読む）

【課題】撮像面に凹凸が存在する場合であっても、カラーフィルタ及びマイクロレンズの損傷を避けるとともに、画素間のクロストークを低減することが可能なカラー裏面照射型撮像素子を提供する。
【解決手段】ｐ型半導体層２１、２２にｎ型半導体層２３が積層されてなる光電変換部２９を含み、ｐ型半導体層２１、２２側に撮像面２０ａを有する裏面照射型撮像素子２０と、裏面照射型撮像素子２０の各画素に対応して配置される複数のカラーフィルタ４２、及び、複数のカラーフィルタ４２を透過した被写体光を各画素に集光する複数のマイクロレンズ４３が形成された透光性基板４１と、を備え、マイクロレンズ４３は凸曲面状の出射面を備えており、凸曲面状の出射面の頂点と撮像面２０ａとの間に、撮像面２０ａにおける凹凸の影響を受けずに画素間のクロストークを低減するための間隔が設けられている。 （もっと読む）