【課題】本願発明の課題は、ＩＣチップ内部のコンデンサに、通信と同時に、通信に用いる周波数の電波で充電が可能であるＲＦＩＤタグを提供することである。
【解決手段】通信用アンテナと、充電用アンテナと、ＩＣチップと、これらを支持する基材とを備えたＲＦＩＤタグであって、ＩＣチップが、コンデンサと、このコンデンサに接続された通信用回路及び充電用回路と、通信用回路に組み込まれたバックスキャッタとを備え、バックスキャッタはコンデンサからの電力供給によってＩＣチップのインピーダンスを変化可能であり、通信用アンテナはＩＣチップの通信用回路に、充電用アンテナはＩＣチップの充電用回路にそれぞれ接続され、充電用アンテナと充電用回路とのインピーダンスは複素共役でないことを特徴とするＲＦＩＤタグとする。 （もっと読む）

【課題】 記憶容量、書き込み特性などが異なる複数の不揮発性半導体メモリの中から、用途に応じて最適な不揮発性半導体メモリを選択することが可能なメモリシステムを提供することを目的とする。
【解決手段】 第１の不揮発性半導体メモリ１０８と、第１の不揮発性半導体メモリ１０８よりも書き込み速度が速い第２の不揮発性半導体メモリ１０７と、メモリカード１０２の外部からの指示に基づいて、第１及び第２の不揮発性半導体メモリのうち一方を選択するメモリ選択部１１６と、メモリ選択部１１６が選択した不揮発性半導体メモリに対して、ホスト機器１０１の要求に応じたアクセスを行うメモリ制御部１１２とを具備することを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】メモリーカードのデータの格納時間を短縮させる。
【解決手段】本発明のメモリーカードは、ＮＡＮＤフラッシュメモリーおよびメモリーコントローラーを含む。ＮＡＮＤフラッシュンメモリーは複数のページを持ち、各々のページは複数のセクターで構成される。メモリーコントローラーは、ホストからセクターの単位でデータを受信し、セクターアドレスに応じて、バッファーメモリーを経由してセクターデータを前記ＮＡＮＤフラッシュメモリーに転送したり、前記ＮＡＮＤフラッシュメモリーにセクターデータを直接に転送したりする。メモリーカードは、バッファーメモリーを経由するデータの転送経路の他に、ホストからＮＡＮＤフラッシュメモリーに直接にデータを転送する転送経路を具備する。 （もっと読む）

【課題】高速にデータを検索することが可能な、データ記憶装置、メモリ管理方法、及びプログラムを提供すること。
【解決手段】メモリ領域が物理的に分割され、分割された各メモリ領域内に書き換え用のバッファ領域が設けられた不揮発性メモリ１１２と、分割された各メモリ領域内に設けられた書換え用のバッファ領域を利用して、分割された各メモリ領域に記録されたデータを更新するメモリ管理部１０６と、を備えることを特徴とする、データ記憶装置が提供される。かかる構成により、所定のメモリ領域に属するデータを検索する範囲を該当するメモリ領域内に限定することが可能になり、所望のデータに対するアクセスが高速化する。 （もっと読む）

【課題】上位装置とＳＩＭ間で繰り返し伝送されるパターンを省略することができるＩＣカードを提供する。
【解決手段】本発明に係るＳＩＭ１は、上位装置２と通信するモードとして、ＡＰＤＵを交換するＩＳＯモードと、ＡＰＤＵのデータ部のみを交換するデータモードを備え、ＩＳＯモードからデータモードへ遷移するトリガーとなるモード変更コマンドを備える。データモードでは、上位装置２とＳＩＭ１間ではＡＰＤＵのデータ部が交換され、上位装置２からＳＩＭ１には平文のみが送信され、ＳＩＭ１から上位装置２には暗号文のみが送信される。なお、データモードで処理したコマンドデータのデータ量が、モード変更コマンドのデータフィールドで示された総量に達すると、ＳＩＭ１のモードはデータモードからＩＳＯモードに自動復帰する。 （もっと読む）

【課題】高速アクセスあるいは省電力などの様々な要求（使用用途）に適応できる不揮発性記憶装置あるいはメモリコントローラを提供する。具体的には、フラッシュメモリの同時アクセス数（バンク数）を適応的に変更可能な不揮発性記憶装置を実現すること。
【解決手段】メモリコントローラ１１３内部に切替レジスタ１０５を設け、アクセス装置１００が当該レジスタを書き換えることによって不揮発性メモリ１１４の同時アクセス数を変更する。あるいは、不揮発性メモリ１１４内部に切替レジスタ１０５を設け、アクセス装置１００の指示に応じてメモリコントローラ１１３が当該レジスタを書き換えることによって不揮発性メモリ１１４の同時アクセス数を変更してもよい。また、予め不揮発性記憶装置１１５内の不揮発性記憶デバイス（ＲＯＭ１０４等）に記憶しておき、起動時にこれを読み出して切替レジスタ１０５に設定するようにしてもよい。 （もっと読む）

【課題】上位装置とＳＩＭ間で繰り返し伝送されるパターンを省略することができるＩＣカードを提供する。
【解決手段】本発明に係るＳＩＭ１は、上位装置２と通信するモードとして、ＡＰＤＵを交換するＩＳＯモードと、ＡＰＤＵのデータ部のみを交換するデータモードを備え、ＩＳＯモードからデータモードへ遷移するトリガーとなるモード変更コマンドを備える。データモードでは、上位装置２とＳＩＭ１間ではＡＰＤＵのデータ部が交換され、上位装置２からＳＩＭ１には平文のみが送信され、ＳＩＭ１から上位装置２には暗号文のみが送信される。なお、設定された時間が経過した後、或いは、所定のデータ量の処理が終了した後は、ＳＩＭ１のモードはデータモードからＩＳＯモードに自動復帰する。 （もっと読む）

【課題】メモリーカードにおいて、書込み単位の大きなフラッシュメモリを用いた場合に、書込み時間に占めるデータ転送の時間の割合が大きくなり、書込み性能が低下する。
【解決手段】ホスト１０２からの第一の書込みデータをバッファメモリＡに保管し、次にホスト１０２からの第二の書込みデータをバッファメモリＢに保管するとともにバッファメモリＡに保管された第一の書込みデータをフラッシュメモリ１０３に転送する。次に、バッファメモリＢに保管された第二の書込みデータをフラッシュメモリ１０３に転送する。そして、第一と第二の書込みデータを同時にフラッシュメモリ１０３に書き込む。これにより、バッファメモリ１０５への入出力転送を同時に行えるので書込みが高速化する。 （もっと読む）

【課題】データの書き込み速度を向上出来るメモリシステムを提供すること。
【解決手段】ページ単位でデータを一括して書き込み、前記ページを複数含み且つ各々がデータの消去単位となる複数のメモリブロックＢＬＫを備えた不揮発性半導体メモリ１１と、前記不揮発性メモリ１１に対して書き込みデータ及び第１ロウアドレスを転送し、且つ転送した前記第１ロウアドレスの変更命令と、該第１ロウアドレスとは異なる第２ロウアドレスとを発行するコントローラ１２とを具備し、前記不揮発性半導体メモリ１１は、前記変更命令が発行されない際には前記第１ロウアドレスに対応する前記ページに前記書き込みデータを書き込み、前記変更命令が発行された際には前記第２ロウアドレスに対応する前記ページに前記書き込みデータを書き込む。 （もっと読む）

【課題】データの更新を高速化できるカードコントローラを提供すること。
【解決手段】２ビット以上のデータを保持可能なメモリセルを含むメモリブロックＢＬＫを複数備え、前記メモリブロックＢＬＫ単位でデータが消去される半導体メモリ１１にデータを書き込むカードコントローラ１２であって、第１データを受信するホストインタフェース２１と、前記第１データの管理情報４１を含む第２データを、前記メモリブロックＢＬＫｎ内に対して、前記２ビットのうちの下位ビットのみを用いて書き込む演算処理装置２２とを具備し、前記演算処理装置２２は、前記第２データが更新される度に同一の前記メモリブロックＢＬＫｎに順次書き込み、前記メモリブロックＢＬＫｎにおける最新の前記第２データを異なる前記メモリブロックＢＬＫ０に対して前記下位ビットのみを用いて書き写す。 （もっと読む）

【課題】外部から書き込みを行うデータサイズによって、不揮発メモリの書き込み先を切り替えるとき、書き込み先が決定された後の書き込みデータの転送に要する時間を削減し、高速な書き込みを可能な不揮発性メモリの書き込み方法を提供する。
【解決手段】 独立して書き込み可能な複数の物理ページを有する不揮発性メモリ（１０４；１０６）にデータの書き込みを行う書き込み方法であって、不揮発性メモリ（１０４：１０６；１０９）に書き込みデータを転送するデータ転送ステップ（Ｓ２０４）と、データ転送ステップ（Ｓ２０４）の実行の後に不揮発性メモリ（１０４；１０６）に対して書き込み先の物理ページのアドレスを指定する第１の書き込みアドレス指定ステップ（Ｓ２０７）とを備える。 （もっと読む）

【課題】 引っ越し処理に要する時間を短縮、もしくは増大を抑制することが可能なメモリコントローラを提供すること。
【解決手段】 メモリからのデータリードがメモリ内の引っ越し処理であるとき、エラーの数が閾値未満、又は閾値以下の場合には訂正処理を省略し、エラーの数が閾値以上、又は閾値を超える場合には訂正処理を実行する。 （もっと読む）

【課題】判定処理の回数および検索処理の回数を低減でき、処理速度を向上できる半導体記憶装置およびその制御方法を提供する。
【解決手段】半導体記憶装置は、アドレス変換テーブルと、有効ブロックアドレスのみが登録された空きテーブルと、第１バッドブロックテーブルと、予備テーブルとを格納した第１集中管理ブロックＢ１を備えた半導体メモリ１１と、前記アドレス変換テーブル中にバッドブロックアドレスが発生した場合に、前記予備テーブルから取得した代替ブロックアドレスにより前記バッドブロックアドレスを代替するように構成されたコントローラ１２とを具備する。 （もっと読む）

【課題】電源供給においては最も効率のよい周波数とし、双方向データ通信は最大効率の周波数よりも高い周波数で高速通信を可能にすることができること。
【解決手段】ＩＣカード２の電源コイル２０１をＩＣカード読み取り装置の電源コイルに電磁結合させ、電源コイル２０１によりＩＣカード読み取り装置から５ＭＨｚの電源用電磁波を受信し、ＩＣカード２を駆動するための電圧を発生させる。ＩＣカード２に５０ＭＨｚで発振する発振回路２３２を内蔵し、ＩＣカード２の動作タイミングを５０ＭＨｚのクロック信号で制御する。ＩＣカード読み取り装置の動作タイミングを５０ＭＨｚのクロック信号で制御する。ＩＣカード２の通信コイル２０６，２１５とＩＣカード読み取り装置の通信コイルを電磁結合させ、ＩＣカード２とＩＣカード読み取り装置の間で５０ＭＨｚの搬送周波数でデータ通信を行う。 （もっと読む）

【課題】ＩＤデータを発信する無線タグを特定のグループに属するＩＤデータを有する無線タグに限定することによってＩＤデータ読み取りに要する時間を短縮する。
【解決手段】ＩＤデータ読取装置１０は、ＩＤデータ要求コマンドの発信（Ｓ２５４）に先立ってグループ指定コマンドを発信する（Ｓ２５２）。各無線タグ（２０ａ、２０ｂ）は、自己の属するグループを特定するデータを記憶しており、グループ指定コマンドを受信した際にそのグループ指定コマンドによって指定されるグループが自己の属するグループでない場合には、自己を予め決められた時間の間はＩＤ読取装置が発信するＩＤ要求コマンドに対して応答しない無応答モードに設定する（Ｓ２０４ｂ）。ＩＤ読取装置１０は、特定したグループに属する無線タグのみから発信されるＩＤデータを読み取ればよいので、ＩＤデータ読み取りに要する時間を短縮できる。 （もっと読む）

【課題】上位装置とＳＩＭ間で繰り返し伝送されるパターンを省略することができるＩＣカードを提供する。
【解決手段】本発明に係るＳＩＭ１は、上位装置２と通信するモードとして、ＡＰＤＵを交換するＩＳＯモードと、ＡＰＤＵのデータ部のみを交換するデータモードを備え、ＩＳＯモードからデータモードへ遷移するトリガーとなるモード変更コマンドを備える。データモードでは、上位装置２とＳＩＭ１間ではＡＰＤＵのデータ部が交換され、上位装置２からＳＩＭ１には平文のみが送信され、ＳＩＭ１から上位装置２には暗号文のみが送信される。ＳＩＭ１がデータモードを有することで、上位装置２とＳＩＭ１間の通信量を減らす効果が得られるばかりか、ＳＩＭ１は、上位装置２から受信したコマンドＡＰＤＵを毎回解釈する必要がなくなるため、ＳＩＭ１の処理時間を短縮する効果が得られる。 （もっと読む）

【課題】 信頼性を保ちつつ、情報処理端末と読み書き装置とのデータ通信を好適に遂行することが可能となる。
【解決手段】 本発明による情報処理端末１００は、第１制御部２５０と、第１制御部で処理されるアプリケーションを記憶する第１記憶部２５２と、データを暗号化する第１暗号化部２５６と、読み書き装置と非接触式に無線通信を行うことが可能な無線制御部２６０とを備える第１ＩＣカードチップ２００と、第２制御部２７０と、第２制御部で処理されるアプリケーションを記憶する第２記憶部２７２と、データを暗号化する第２暗号化部２７６とを備える第２ＩＣカードチップ２１０と、第１ＩＣカードチップと第２ＩＣカードチップとの間のデータ通信を制御する端末制御部２１２とを備えることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】不揮発性メモリを内蔵したカード型記憶装置における互換性を保証しつつデータ転送の高速化を図る。
【解決手段】データ信号が入力される複数の外部データ端子（１３１，１３７〜１４３）と、これらの外部データ端子を電源電圧にプルアップするプルアップ手段（Ｒ０〜Ｒ７）と、前記外部データ端子の電位を検出するレベル検出手段（２２１）と、前記複数の外部データ端子に入力されたデータ信号を選択的に取り込んで所定のバス幅のデータとして内部回路に転送するデータ転送回路（２２３）とを備え、前記レベル検出手段は前記制御情報の入力時に前記複数の外部データ端子のうち所定のものの電位を検出し、前記データ転送回路は前記所定の外部データ端子の電位の組合わせに応じて前記データ端子への入出力データのデータ転送速度を決定するように構成する。 （もっと読む）

【課題】同一内容の管理情報を複数記録するデータ記憶装置において、データの書き込み効率を向上させる。
【解決手段】データ記憶装置１０は、ホスト装置からＦＡＴ１領域に対する書き込み指示を受けると、ＦＡＴ１領域に対する管理情報の記録とともに、その管理情報と同一の情報をＦＡＴ２領域に対する管理情報として連続したアドレスにまとめて記録する。データ記憶装置１０は、ＦＡＴ１領域に対する書き込み指示の後に、ホスト装置からＦＡＴ２領域に対する書き込み指示を受けると、データの書き込みを行うことなく書き込みが完了した旨をホスト装置に通知する。 （もっと読む）

フラッシュメモリ装置とコントローラとを含み、アドバンストデータ転送モードに従って動作し得るフラッシュメモリシステムが開示される。フラッシュメモリ装置は“レガシー”モードとの両方で動作することができ、このモードでは読み出しデータはコントローラからの読み出しデータストローブの各サイクルと同期してメモリにより与えられ、またこのモードでは入力データはコントローラからの書き込みデータストローブの各サイクルと同期してメモリによりラッチされる。コントローラが開始コマンドをメモリに転送することによって開始され得るアドバンストモードでは、データは、通常モードで利用可能なものより高い周波数、例えばその周波数の２倍で読み出される。アドバンストモードでは、入力データは、通常モードで利用可能な周波数より高い周波数でコントローラにより与えられる。電力消費を低減するために、データおよび制御信号の電圧振幅は在来の標準規格から低減される。
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