【課題】サイクロトロンが用いられるイオンビーム生成装置を小型化する。
【解決手段】図１の右側には、中心軸方向の磁場の強度を、図１の左側に示された構成に対応させて示す。サイクロトロン５０からＥＣＲイオン源（イオン源）２０までの磁場の強度が連続的に一定値以上に保たれている（零とならない）点である。Ｗｉｅｎフィルター３０やＥＣＲイオン源２０においては磁場が利用されるため、それぞれにはコイルが用いられているが、これらにおいて用いられる磁場は、これらのコイルによって生成された磁場とサイクロトロンの磁場が重畳した磁場となっている。すなわち、このイオンビーム生成方法においては、ＥＣＲイオン源２０からサイクロトロン５０に至るまでのイオンビームが通過する経路の中心軸方向において、連続的に分布する磁場を形成する。各構成要素における軸方向の磁場強度を微調整するためにもソレノイドコイル４１は使用される。 （もっと読む）

【課題】内包フラーレンの製造などに用いられる接触電離方式のプラズマ源は、タングステン製の平坦な円板状加熱金属体にイオン生成対象の金属蒸気を噴射して金属イオンを発生していたが、イオン化確率が小さく、十分なイオン電流がとれないという問題があった。
【解決手段】イオン生成対象の金属蒸気に加熱金属体上で光を照射し金属原子における電子を励起することにした。加熱金属体の材料として、仕事関数の大きいRe、Os、又はIrを用いることにした。さらに、加熱金属体の表面を凹凸状に加工することにより、イオン化確率を高め、大きなイオン電流の取り出しが可能になった。 （もっと読む）

【課題】 マクロンの供給量を精確に制御することができ、かつ、マクロンにダイヤモンド等の絶縁性物質(半絶縁性物質を含む)を使用した場合でもターゲットに多量のマクロンを照射できるマクロン加速装置の電極構造を提供すること。
【解決手段】 マクロン加速装置のマクロン供給機構Ｓを、前記ベース板Ｂの裏側に固定され、かつ、筒壁に微粒子の投入口11を有する円筒電極１と；この円筒電極１の内側に固定され、かつ、投入口11の下方からベース板Ｂに向けて下方に傾斜した樋型のスロープ部21を有する浮遊電極２とを含んで構成し、
前記円筒電極１の投入口11から筒内部に投入された微粒子が、前記浮遊電極２のスロープ部21上を滑り落ちてベース板Ｂの近傍に落下するようにした。 （もっと読む）

閉ドリフトイオン源の電気絶縁アノード電極に電子を供給するステップを含む、基板の表面を改質するプロセスが、提供される。アノード電極は、正のアノード電極帯電バイアスを有するが、閉ドリフトイオン源の他の構成要素は、電気的に接地され、または電気的浮動電圧を保持する。電子は、イオン形成を誘導する閉ドリフト磁場と交差する。アノード汚染は、ガスの存在下で電極帯電バイアスを負に切り替えることによって防止され、プラズマが、アノード電極の近傍に生成され、アノード電極から汚染堆積物を浄化する。次に、電極帯電バイアスは、反復電子源の存在下で正に戻され、反復イオン形成を誘導し、基板の表面を再び改質する。このプロセスによって基板の表面を改質する装置が、提供される。
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本発明は、高速イオンのビームを発生させるシステム及び方法を開示する。本システムは、共通の軸に沿って実質的に均一に配向したナノスケールパターン特徴部を備えたパターンのパターン化表面を有するターゲット基板と、高出力コヒーレント電磁放射ビームを受光して、それをターゲット基板のパターン化表面上にフォーカスして、高速イオンの生成を可能にする放射ビームと基板との間の相互作用を生じさせるビームユニットとを備える。
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【課題】 イオン源のプラズマ生成部内におけるプラズマ密度分布が均一でない場合でも、イオンビームのＹ方向におけるビーム電流密度分布の均一性を良くする。
【解決手段】 このイオン注入装置は、イオン源２の引出し電極１３をＹ方向において複数の引出し電極片３０に分割して構成している。かつ、プラズマ電極１２と各引出し電極片３０との間の電位差Ｖ_d を各引出し電極片３０ごとに独立して制御することができる引出し電源４２と、イオンビーム８のＹ方向のビーム電流密度分布を測定するビームモニタ５６と、ビームモニタ５６からの測定データに基づいて引出し電源４２を制御して、上記電位差Ｖ_d をそれぞれ制御することによって、ビームモニタ５６で測定するビーム電流密度分布を均一に近づける制御を行う制御装置６０とを備えている。 （もっと読む）

【課題】イオン化室へのイオン供給量および生成するプラズマを不安定にせずに、イオン源の出口でのビームスポットを極小化して高輝度の集束イオンビームを発することができるイオン源を提供することである。
【解決手段】気体などのイオン化材料をイオン化室２に供給する供給部３と、供給されたイオン化材料をイオン化させてイオン化室２から引き出すための引き出し電極４を備えたイオン源１で、イオン化室２内の引き出し電極４の引き出し方向前方に、絶縁体からなる先細り形状のキャピラリ６を配置し、生成したイオンをこのキャピラリ６を通過させてイオン化室２から引き出すようにした。それによりイオン材料のイオン化室２への供給量が極小化することはないため、イオン供給量が不安定とならず、キャピラリ出口の径寸法の高輝度の集束イオンビームをイオン源から発することができる。 （もっと読む）

【課題】クラスターを効率的に生成しかつ所望する極性を有するクラスターを選択的に回収する方法と装置を提供する。
【解決手段】マグネトロンスパッタ法によるクラスター生成装置のクラスター生成室を構成する筒状体の少なくとも一部を電気的に浮かせることにより、その内壁面の全部または一部を、得ようとする極性を有するクラスターと同じ極性に帯電させる。 （もっと読む）

【課題】 カソード近傍に発生する異常放電を防止してパーティクルやスプラッシュの発生を抑制するためのイオンビーム源及びこれを備えた成膜装置を提供する。
【解決手段】 金属製の筐体に、カソードと、磁気ギャップと、前記筐体内に磁場を生じさせる磁場発生手段と、前記筐体内に反応性ガスを導入するための反応性ガス導入手段と、前記磁気ギャップの近傍に配置されるアノードとを備えるイオンビーム源であって、前記カソード表面に膜厚が１００μｍ〜２００μｍとなるように絶縁被膜を形成したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】より高圧の真空領域での使用を可能とし、用途の拡大が図られた、イオンガン、及び成膜装置を提供する。
【解決手段】スリット状の開口部１１が形成された陰極２と、開口部１１の幅方向に磁場を発生させる磁石３と、磁場に対し略垂直方向に電界を生じさせるように陰極２の裏面から離間配置された陽極５とを備え、陰極２の表面の開口部１１からイオンビームが引き出されるイオンガン１である。磁石３は、ＳｍＣｏ合金を主成分として構成され、開口部１１は、陰極２の裏面から内部に向かって垂直に延びる隙間が略一定の垂直部と、垂直部に連続し、陰極２の表面に向かって隙間が漸次拡がる傾斜部とから構成され、垂直部の隙間が、０．７ｍｍ以上２．５ｍｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】 本発明はイオンビーム源装置において、引き出されたイオンによって空間電荷が形成され、引き出し電流密度が大きくなると、それに比例した大きな電場が発生し、その結果イオンビームが自己発散するような問題点を除去することを課題とする。
【解決手段】 メッシュ構造、あるいは１個ないし多数の孔を持った電極を用いて、プラズマ源からイオンを引き出すイオンビーム源装置において、プラズマ源とは反対のビーム引き出し方向から、光、あるいはＸ線を照射することにより、照射された電極背面から光電子を放出させて、電極孔から引き出されたイオンの空間電荷を中和して、イオンビームの発散を抑制することを特徴とするイオンビーム源装置である。 （もっと読む）

【課題】 イオン源が分割構造の電極を有していても、ターゲットに対して均一性の良い処理を施すことができるイオンビーム照射装置を提供する。
【解決手段】 このイオンビーム照射装置は、イオンビームを引き出すイオン源と、それから引き出されたイオンビームの照射領域内でターゲット１４をｙ軸に沿う方向に移動させるターゲット駆動装置とを備えている。そして、イオン源の電極８を、ｙ軸に直交するｘ軸に沿う方向において複数の電極片８２に分割して構成し、かつ各分割部２２をｙ軸に対して斜めに配置している。 （もっと読む）

【課題】省スペース化及び低コスト化を図ることができ、操作性を改善することが可能となるイオン源またはイオン化室とガス導入系間を絶縁する絶縁配管、該絶縁配管を用いたプラズマ処理方法及び装置を提供する。
【解決手段】イオン化室１０４と、前記イオン化室に原料ガスを導入するガス導入系１０９、１１０との間を絶縁する絶縁配管１１７を有するプラズマ処理装置であって、
前記絶縁配管は、大気圧下で放電が起こらない間隔で配置された金属フランジ１１９、１２０間に絶縁碍子１１８を配置し、
前記金属フランジ及び絶縁碍子によって形成された空間内に、前記金属フランジと導通された複数の開口部を有する多孔導電板を、前記絶縁配管内の圧力下で放電が起こらない間隔で、前記絶縁碍子間に複数枚重ねて配設した構成とする。 （もっと読む）

【課題】一つのイオン源を用いて、分子イオンも、原子イオンも効率よく発生させることのできるプラズマ発生装置を提供する。
【解決手段】プラズマ源のプラズマ室を形成する壁の１部もしくは全部に冷媒を通すチャネルと加熱するためのヒータとを設け、またはプラズマ室近傍にプラズマ室に密着もしくは近接できる温度コントロールプレートを設けることによってｉｎ ｓｉｔｕでプラズマ室内のガスの温度を調整し、プラズマ源を取出さずに分子や原子などの異なるイオン種を高い効率で生成する。 （もっと読む）

【課題】
静電加速法で低エネルギーイオンビームを直接生成して照射物に照射するため、照射物に電圧を印加する必要がなく、より高純度の低エネルギーイオンビーム照射が可能となる。更に、長時間安定して、大面積へ一様な照射も可能とする。
【解決手段】
薄い金属板電極に直径０．１ｍｍから３ｍｍ程度の微小孔を多数加工した電極を用いると共に、薄い電気絶縁体スペース（絶縁スペーサ）を介して金属板電極を固定するという構造を採用することにより、熱変形や耐電圧性能に優れた静電加速電極構造とする。更に、複数の金属板電極からなる電極構造を一つのユニットとしてそのユニットを組み合わせることで大面積へ一様な照射を可能とする。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、化学的に安定な金属クラスター錯体等の多核金属分子（金属クラスター錯体等）を使うことによって、サイズの揃ったクラスターのビームを安定に得るとともに、装置の小型化を実現することを目的とする。
【解決手段】 本発明の分子ビーム装置は、金属クラスター錯体を用いてイオンビームを生成する分子ビーム装置において、気化させた金属クラスター錯体をイオン化することを特徴とする。
また、本発明の分子ビーム装置は、気化させた金属クラスター錯体を電子衝撃によりイオン化することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】純度良好な高融点重元素の蒸気を供給し、消費電力が少なく、小型で簡単な構造の蒸発源を提供する。
【解決手段】外部に供給する蒸気を発生させるために加熱の対象とされるイオンの原料物質を周囲と非接触となる状態で配置するイオンの原料物質配置部と、イオンの原料物質から発生した蒸気を外部に送出するための蒸気送出通路と、イオンの原料物質配置部および蒸気送出通路を真空に保持する真空保持部と、イオンの原料物質の外周に配置される高周波コイルと、高周波コイルに、イオンの原料物質を直接加熱して蒸気を発生させるために高周波を流す高周波供給部とを有していることを特徴とする蒸発源。蒸発源は、内部にイオンの原料物質が配置されることにより、イオンの原料物質配置部と蒸気送出通路を兼ねる円筒状の熱シールド部を有し、高周波コイルは、熱シールド部の外周に、円筒の長さ方向に沿って螺旋状に巻付けられていることを特徴とする蒸発源。 （もっと読む）

【課題】 開口部の側面の浸食に対するイオンの引出し効率の変化が小さいイオンの生成装置を提供する。
【解決手段】 開口部３０が形成されるフロント板２６は、複数枚の板部材３５，３６が積層されて構成され、他の板部材３６よりも突出している最も内側の板部材３５は、開口部３０における側面４０が、イオンの引出し方向Ａに略平行に形成されている。前記側面４０は、イオンが引出されるときに浸食されるが、浸食されたとしてもイオンの引出し方向Ａに略平行な形状であり、浸食前後で形状が変化しない。これによって開口部３０の側面３３（各面４０〜４２を含む）の浸食に対し、イオンの引出し効率の変化を小さく抑えることができる。 （もっと読む）

【課題】 ガス源を低電圧の部分に設けることを可能にするとともに、イオンビーム装置のダウンタイムを短くすることができ、しかも絶縁管の放電の可能性を小さくすることの可能な絶縁配管部材を提供する。併せて、そのような絶縁配管部材を含むガス供給装置およびイオンビーム装置を提供する。
【解決手段】 絶縁配管部材１０は、接地部より高電圧部にプロセスガスを供給する配管系に使用する。プロセスガスの経路となる絶縁管１１と、当該絶縁管１１を収容する絶縁性のパージボックス１２とを組み合わせ、パージボックス１２に、無害のパージガスの供給部および排出部を設ける。 （もっと読む）

【課題】 原料ガスを高圧噴射させるための微小開孔やイオンを引き出すための開孔の形状を改良することにより，プラズマ発生効率及びイオン引き出し効率を向上させること。
【解決手段】 微小開孔９ａが設けられたアノード電極２ａとイオン引き出し開孔５２ａが設けられたカソード電極５ａとの間に電圧を印加することによって，上記微小開孔９ａから上記イオン引き出し開孔５２ａに向かって原料ガスを高圧噴射させ，この噴射された原料ガスをプラズマ化すると共に上記イオン引き出し開孔５２ａからイオンを引き出すように構成されたイオン源Ｘ１において，微小開孔９ａを上記原料ガスの高圧噴射される方向に向かって略先細り状に形成する。また，上記イオン引き出し開孔５２ａをイオンが引き出される方向に向かって略末広がり状に形成する。 （もっと読む）