【課題】改善されたイオンビームにより基板を加工するための方法、及び基板を加工するためのイオンビーム装置を提供する。
【解決手段】本発明は、イオンビーム装置(1) のイオンビーム源(1.1) によって発生し、基板(2) を加工するために基板(2) の表面(2.1) を向いたイオンビーム(I) により基板(2) を加工するための方法に関する。イオンビーム(I) は、炭素含有材料から少なくとも部分的に形成されたオリフィス板(1.3) によって導かれる。本発明によれば、炭素と反応する遊離体(E) が、イオンビーム(I) によってオリフィス板(1.3) から放出された炭素が酸化するように方向性のある流れでオリフィス板(1.3) と基板(2) との間に導かれる。 （もっと読む）

【課題】改良されたビーム画定絞り構造および製作方法を提供すること。
【解決手段】支持基板の空洞の上に配置された薄い導電膜に絞り開口を形成する。絞り開口のサイズおよび形状は、基板によってではなく、導電膜の開口によって決定される。 （もっと読む）

【課題】極小径の貫通孔を有するプレートに１回のプラズマ成膜処理で薄膜を成膜するための成膜処理用治具を提供する。
【解決手段】本発明に係る成膜処理用治具は、貫通孔を有するアパーチャープレート１０７を挟むことにより前記貫通孔、前記アパーチャープレートの表面及び裏面を露出させた状態で前記アパーチャープレートを保持する保持部材３９と、前記保持部材が取り付けられた電極部材と、を具備する成膜処理用治具８であって、前記電極部材は、プラズマＣＶＤ装置のプラズマ電力が印加される電極に電気的に接続されるものであることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】電子銃における引出電極に設けた絞りで発生する二次電子の量を減らして、フレアの発生を抑制することにある。
【解決手段】電子銃における最も電子源１に近い引出電極５の絞り７Ａに炭素など二次電子放出率の小さい薄膜をコーティングすると、二次電子の発生量を減少させることができる。フレアの発生原因である引出電極で発生する二次電子が減少するので、結果的にフレアが減少する。また、引出電極５に２枚の絞り７Ａ，７Ｂを組み込み、この２枚の絞りに引出電極と等電位となる電位を与えることで、引出電極の下部から上部へ染み出す電界をなくすことができる。この結果、電子ビームが引出電極に衝突したときに発生する二次電子は引出電極から通過する方向の力をうけなくなり、結果的にフレアが減少する。 （もっと読む）

【課題】位相差像におけるアーティファクトを低減することが可能な位相板を提供する。
【解決手段】位相板１００は、第１面１０ａと、第１面１０ａとは反対側の第２面１０ｂと、を有する第１電極層１０と、第２面１０ｂと対向する第３面１２ａと、第３面１２ａとは反対側の第４面１２ｂと、を有する第２電極層１２と、第４面１２ｂと対向する第５面１４ａと、第５面１４ａとは反対側の第６面１４ｂと、を有する第３電極層１４と、少なくとも第１電極層１０の第１面１０ａに形成された被覆層２０と、を含み、第１電極層１０、第２電極層１２、および第３電極層１４は、透過波W１の上流側から第１電極層１０、第２電極層１２、第３電極層１４の順に配置され、貫通孔２を有する積層体として形成され、被覆層２０の材質は、タンタル、タングステン、レニウム、またはモリブデンである。 （もっと読む）

【課題】最近のナノテクノロジー技術の進展に伴う透過電子顕微鏡に対する新たなニーズにおいて、例えば電子線の平行性を維持したまま数ｎｍ領域に照射して、同サイズの物体の精密な構造解析や三次元可視化像の構築法が提案されているが、そのためには、孔径が１μｍ程度の超微小孔絞りが必要であり、このような超微小孔保有の絞り用プレート板を実現することを目的とする。
【解決手段】イオンビーム加工を用いた製造技術により、電子線を遮蔽するために要求される１００μｍ程度の厚みを有する金属板７に対して、多段の円筒形状の空洞からなる孔１１の加工を施し、目的の超微小の孔を逆方向から加工することにより得て、直径１μｍ程度の超微小孔径を有する顕微鏡用絞りプレート板とその製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】絞り孔の形状が安定し、絞りの寸法精度が保たれた電子顕微鏡に用いる絞り装置を提供する。
【解決手段】シリコン基板上に、前記シリコン基板側から順にシリコン酸化膜、自立薄膜が積層された構造であり、前記自立薄膜は前記シリコン酸化膜よりもヤング率が大きく、かつ引張応力を有することを特徴とする電子顕微鏡に用いる絞り装置。また、シリコン基板上に、前記シリコン基板側から順にシリコン酸化膜、シリコン膜が積層されたＳＯＩ基板からなり、前記シリコン基板及び前記シリコン酸化膜の一部は切欠かれており、前記シリコン膜は前記シリコン酸化膜に支持されていない領域において前記シリコン基板側に露出面を有し、前記シリコン基板及び前記シリコン酸化膜に支持されていない前記シリコン膜の厚さが０．２μｍ以上５０μｍ以下であることを特徴とする電子顕微鏡に用いる絞り装置。 （もっと読む）

【課題】本発明は、低加速電圧でのイオン電流の制御を容易にしつつ、カソードに付着するリデポジションによる影響を抑制することを目的とするイオンミリング装置の提供を目的とする。
【解決手段】上記目的を達成するための一態様として、イオンガンの内部に配置され、正電圧が印加されるアノードと、当該アノードとの間に電位差を発生させることによってイオンを発生させるカソードを備えたイオンミリング装置において、カソードは、前記ガス供給源によってガスが供給される空間と、前記イオンが照射される試料側の空間を分圧すると共に、前記イオンを通過させる開口を備え、当該開口を通過したイオンを試料に向かって加速させる加速電極を備えたイオンミリング装置を提案する。 （もっと読む）

【課題】誘導結合プラズマイオン源が高ｄｃ電圧にバイアスされた集束イオンビームシステムにおいて、イオン源内のプラズマに点火する方法を提供する。
【解決手段】バイアス電源９３０からの高ｄｃ電圧は、集束イオンビームカラムの近くでプラズマ点火装置９５０からの振動波形が結合（重畳）されて、プラズマ室９５４の一部を構成する源バイアス電極９０６に印加される。プラズマ点火装置９５０は論理回路９２４によって制御されるプラズマ点火装置電源９２５によって駆動される。電位の低いプラズマ点火装置９５０からの振動波形は、絶縁変圧器またはキャパシタ等を通して高ｄｃ電圧に結合（重畳）される。集束イオンビームカラムの近くにプラズマ点火装置９５０を取り付けることによって、高ｄｃ電圧を供給するケーブルの静電容量の影響が最小化される。 （もっと読む）

【課題】イオンビームの発熱に起因したメンブレンの撓みというイオン注入用ステンシルマスクの欠陥を低減し、優れた耐熱性や耐久性を有してイオン注入精度を向上するイオン注入用ステンシルマスクの製造方法を提供する。
【解決手段】支持層１１上にエッチングストッパー層１２を形成する工程と、エッチングストッパー層１２上に第１の薄膜層１３を形成する工程と、第１の薄膜層１３上に第２の薄膜層１４を形成する工程と、支持層１１に開口部１７を形成する工程と、第１の薄膜層１３に第１のイオン注入用貫通孔パターン１１０を形成する工程と、第２の薄膜層１４に第２のイオン注入用貫通孔パターン１１４を形成する工程とを含むイオン注入用ステンシルマスクの製造方法とする。 （もっと読む）

【課題】
本発明の目的は、荷電粒子線加工装置において、ビーム絞りから発生するスパッタ物によるチャージング現象に起因する加工不良を回避し、装置の稼働率を向上させることに関する。
【解決手段】
本発明は、ビーム絞りの材料として、ビーム絞りから放出されるスパッタ粒子により生成した、ビーム絞りの下流にある光学素子表面上の付着膜が、導電性を示す材料を用いることに関する。好ましくは、ビーム絞りの材質を、カーボンまたは、その化合物とする。また、好ましくは、ビーム絞りの下流側に、電位を与えた電極を配置する。 （もっと読む）

【課題】Ｇａ液体金属イオン源(LMIS)のイオン放射(エミッション)を安定に、かつ、長寿命にする。
【解決手段】Ｇａ液体金属イオン源２−１のエミッタ２−１１は、構成材料として母材のＷ１２と、表面を覆うイオン源材料のＧａ９を含んで構成されている。スパッタ粒子１１がＧａ液体金属イオン源２−１の構成材(Ｗ,Ｇａ)となるようにすることにより、スパッタ粒子１１がＧａ液体金属イオン源２−１に付着した場合でもＧａ９の物性を変えるような汚染が生じない。ビーム制限(ＧＵＮ)アパーチャ２−３としてＷアパーチャを用い、ビーム照射領域７−１に掛かる部分の表面に約２５ｍｇのＧａ(融点３０℃)を置く(Ｇａ溜り１０)。ビーム制限(ＧＵＮ)アパーチャ２−３にイオン照射すると、照射領域７−１のＧａが溶融してＷアパーチャのビーム照射領域の表面にＧａが拡散する。 （もっと読む）

【課題】イオン注入装置内部部品、例えば、フライトチューブ、各種スリット、電極、電極カバー、ガイドチューブ、ビームストップ等に使用される黒鉛部材から黒鉛粒子が脱落したり、該部材上に堆積した熱分解炭素が剥離したりするのを防止し、イオン注入装置内の発塵を低減する。
【解決手段】イオン注入装置用黒鉛部材の耐熱衝撃係数を５４〜９６ｋＷ／ｍにする。 （もっと読む）

イオン注入に関連した汚染を軽減するためのシステム、方法、及び装置が提供される。イオン源、エンドステーション、及びイオン源とエンドステーションの間に配置された質量分析器が設けられる。イオンビームは、ビームストップの位置に基づいて、イオン源から形成されて質量分析器を通ってエンドステーションへ移動する。ビームストップアセンブリは、イオンビームが、質量分析器に進入および／または排出するのを選択的に防止し、これにより、イオン注入システムの開始時等の変移期間中、不安定なイオン源に関連した汚染を最小化する。
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【課題】 鏡筒内部に配置されている部材が帯電または汚染されることを防止して描画性能の低下を最小限にとどめる。
【解決手段】 荷電ビーム源と、荷電ビームを偏向するブランキング電極１７ａ，１７ｂと、該ブランキング電極により偏向された荷電ビームを遮蔽するブランキングアパーチャー１８とを用い、該ブランキングアパーチャー１８で反射荷電粒子１６または発生した荷電粒子１６を吸収するための導電性モジュールを有し、前記導電性モジュールは、ブランキングアパーチャー１８よりも前記荷電ビーム源側に配置され、前記荷電ビームとは反対極性の電圧が印加される。 （もっと読む）