【課題】本発明は、単にビーム走査範囲単位での照射量のコントロールだけでは、抑制することが困難な寸法値変動要因に依らず、高精度な寸法測定を行うことを目的とする。
【解決手段】上記目的を達成するために、以下に、ビームによるコンタミネーションの付着によって生じる正の堆積と、試料除去によって生ずる負の堆積が相殺される走査範囲内の位置を測定部位として選択、或いは走査領域内において、寸法変動の影響がない、或いは少ない部分を測定部位として選択する方法、及び装置を提案する。当該方法及び装置によれば、走査領域面内で、寸法測定を行うに当たり適正な位置を選択することが可能となる。上記構成によれば、ビーム照射によって生じる寸法値変動要因に依らず、高精度な寸法測定を行うことが可能となる。 （もっと読む）

【課題】電気的なコンタクトの取りにくい試料を荷電粒子で安定的に観察する。
【解決手段】被測定試料と電気的なコンタクトをとる試料保持パレットと電気的なコンタクトをとらない試料保持パレットとを設け、被測定試料に応じてパレットを選択する。また、真空内での試料の測定電位と、大気中で測定した試料の測定電位をもとにした予測電位との差を電位オフセットとして記憶し、後段の測定にフィードバックする。 （もっと読む）

【課題】荷電粒子線装置において、荷電粒子線の照射位置安定性を精度よく評価する。
【解決手段】２次電子検出信号を入力フィルタで整形した後、パターンエッジの電圧の立ち上がりをシュミット・トリガ回路で捉えることにより、走査開始からエッジ検出までの時間変動を高感度に検出し、アンチ・エイリアシング・フィルタを通過させることによって、電子線の照射位置を計測し、安定性評価のための信号を取得する。 （もっと読む）

【課題】高精度に試料表面の磁化分布を分析可能な表面分析装置及び分析方法を提供する。
【解決手段】試料２から放出され、ターゲット３に衝突して散乱された２次電子を、複数の測定位置に配置された電子検出器４−１〜４−４により検出し、回転部５により、試料面に対して垂直方向を回転軸として各電子検出器４−１〜４−４を回転させて、次の測定位置に移動させて２次電子の検出処理を繰り返させ、演算処理部７が、それぞれの測定位置における、電子検出器４−１〜４−４の検出値の加算値をもとに、２次電子のスピン成分を算出する。 （もっと読む）

【課題】
試料像のふちにカーソルを正確に位置付けすることを可能として、２本のカーソル間の寸法を求めることができる電子顕微鏡を提供する。
【解決手段】
試料の画像を表示するディスプレイと、試料の画像上に寸法測定用のカーソルを重ねて表示させるコンピュータとを備え、該コンピュータは、カーソルをディスプレイへ表示された試料の画像の所望の位置へ移動させることによって、カーソル間の距離を演算し、ディスプレイへ表示させることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】
走査型荷電粒子顕微鏡及び走査型荷電粒子顕微鏡装置で取得した画像の処理方法において、最適な撮像条件は，試料の形状や材質等によって異なるため，特定の撮像条件を用いた１枚の画像撮像のみでは十分良好な画質が得られない場合がある。
【解決手段】
異なる撮像条件下で試料を撮像して該試料の複数の画像を取得し，この取得した複数の画像についてそれぞれの画像の劣化関数を生成し、取得した複数の画像と生成したそれぞれの画像に対応する劣化関数とを用いて分解能を向上させた画像を生成し、この分解能を向上させた画像を処理するようにした。 （もっと読む）

イオン源、システムおよび方法が開示されている。幾つかの実施形態では、イオン源、システムおよび方法は不都合な振動を比較的わずかにしか示さず、および／または不都合な振動を十分に減衰することができる。これにより、性能を向上させることができる（例えば、確実性、安定性などを増大することができる）。幾つかの実施形態では、イオン源、システムおよび方法は、所望の物理的特性（例えば、先端部の頂部における原子数）を有する先端部を形成する能力を高めることができる。
（もっと読む）

【課題】
本発明は、走査電子顕微鏡などの走査プローブを用いてパターン測定を行う方法、或いは装置において、倍率の切替えに依らず、高い再現性を実現可能な測定方法及び装置の提供を目的とする。
【解決手段】
上記目的を達成するために、試料を電子ビームによって走査することによって得られる信号に基づいて、ラインプロファイルを形成する走査電子顕微鏡において、所定のタイミングでサンプリングを行う際に、或るサンプリング点とその前後のサンプリング点にて得られた信号の平均値に基づいて平滑化を行うと共に、前記平滑化に供されるサンプリング数を、走査電子顕微鏡の倍率に比例して変化させることを特徴とする走査電子顕微鏡を提供する。 （もっと読む）

【課題】試料表面の導体層の電位を一定にして精度よく試料を観察することのできる走査型電子顕微鏡及び試料観察方法を提供すること。
【解決手段】走査型電子顕微鏡は、電子ビーム９を放出する電子銃と、試料７と対物レンズ４の間に配置され、電子ビーム９の光軸を中心とした所定の範囲の開口を有し、試料７の表面７ａ上の全体を覆うガード電極１１と、ガード電極１１に電圧を供給するガード電極電源１２と、試料７の表面７ａの電位を測定する表面電位計１３と、試料７の表面７ａの電位と予め決定された基準電位との差分が所定の範囲を超えたときに差分を所定の範囲内にする電圧をガード電極１１に印加して試料７の表面７ａの電位調整をする制御部２０と、を有する。ガード電極１１の開口は、電子ビーム９及び電子ビーム９の照射により試料７から発生する二次電子が通過するために十分な面積を確保する。 （もっと読む）

【課題】試料の絶縁体に帯電した帯電電位をより正確に測定する帯電電位測定機能、及び測定した帯電電位の情報を用いて試料上のパターンを高精度に計測するシステムを提供する
【解決手段】少なくとも一層の絶縁膜を有する試料（たとえば、半導体基板）における絶縁膜表面の帯電電位を測定する帯電電位測定方法を提供する。本方法では、電子線を、金属薄膜を介して絶縁膜表面に照射し、電子線を絶縁膜表面に照射したときの試料電流を測定する。次に、試料に印加する電圧を所定範囲で変化させて得られる、印加電圧と試料電流との関係（検量線）を用いて得られた試料電流に対応する試料の電圧を求める。そして、この得られた試料の電圧を絶縁膜の帯電電位と定める。試料電流は、電子線照射により誘起された電流を含む。また、検量線は、試料の種類ごとに予め取得しておいてもいいし、帯電電圧測定動作の度に、電子線を照射しながら検量線を取得し、それを用いるようにしてもよい。 （もっと読む）

【課題】CD-SEMによる半導体パターンの寸法計測において，パターンの断面形状に依存して寸法計測値と実際のパターンの寸法との誤差が変動することにより、計測精度が悪くなる問題があった。
【解決手段】
予め形状の異なる複数パターンのAFM計測結果と，同一形状のパターンをCD-SEMで計測したときの前記AFM計測結果との寸法計測誤差とを対応付けてデータベースに保存しておき，実際の寸法計測時には，計測対象パターンの少数箇所から得たAFM計測結果を前記データベースに照合し，最も形状が類似した側壁形状に対応したCD-SEM計測の寸法計測誤差を呼び出し，次に計測対象パターンのCD-SEM計測結果を前記呼び出した寸法計測誤差に基づき補正することにより，パターンの断面形状に依存した寸法誤差を低減した補正寸法値を算出する。 （もっと読む）

【課題】
電子線シミュレーションを利用した，ＳＥＭ画像によるパターン計測においては，シミュレーションの精度が非常に重要となる。シミュレーション画像と実画像のマッチングを行うためには，計測対象形状や材料を適切にモデル化し，シミュレーション画像に反映する必要がある。
【解決手段】
本発明では，ＳＥＭ画像やＡＦＭなど他の計測装置により得られた情報に基づいて，シミュレーションと実画像のマッチング計測の精度に与える影響が大きな形状や寸法を適切に設定したシミュレーション画像を用いることにより，高精度なパターン計測を実現するようにした。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、試料上の帯電によって生ずる荷電粒子線装置のフォーカスずれ，倍率変動，測長値誤差を低減するに好適な荷電粒子線照射方法、及び荷電粒子線装置の提供にある。
【解決手段】上記目的を達成するために本発明では、荷電粒子線の搬入機構によって搬入される試料の通過中に、試料上の電位を測定する静電電位計によって試料上の電位分布を計測する手法を提案する。また、試料上の特定箇所の局所帯電を計測し、その帯電量から大域帯電量分を分離して計測する手法を提案する。更に、特定箇所の帯電量を、少なくとも２つの荷電粒子光学条件で計測し、特定箇所の帯電量変化に伴う荷電粒子線を用いた寸法測定値の変化を計測し、この変化に基づいて測長値、或いは倍率を補正する手法を提案する。 （もっと読む）

【課題】
荷電粒子ビームを用いた計測装置ないし検査装置において、検査の高感度と高安定性とを両立する。
【解決手段】
帯電制御電極A４２０の被計測試料ないし検査試料側に帯電制御電極B４２１を設置し，試料の帯電状態に応じて、帯電制御電極Bの帯電制御電極制御部４２３から一定の電圧を与えることにより、検査前に形成した試料表面の帯電状態と電位障壁の変動を抑制する。帯電制御電極制御部６６によりリターディング電位が印加され、試料と同電位に調整される帯電制御電極A４２０の更に下部に帯電制御電極B４２１が設けられることにより、一次電子ビーム19が照射されるウェハ９などの試料から放出された二次電子４０９の試料への戻り量を調整することが可能になり，高感度な検査条件を検査中安定的に維持することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】
アスペクト比の大きなコンタクトホールの観察，検査、或いは測定を高精度に実現ならしめる方法、及び装置を提供する。
【解決手段】
上記目的を達成するための一態様として、試料に第１の電子ビームを走査して、試料上を帯電させた後に、第２の電子ビームを走査して試料の観察，検査、或いは測定を行う方法、及び装置において、第１の電子ビームのビーム径を、第２の電子ビームのビーム径より大きくする方法、及び装置を提案する。 （もっと読む）

【課題】試料表面の表面電荷分布を消失させることなく、表面電荷分布を精度良く測定する方法および装置を実現する。
【解決手段】表面に電荷を有する試料ＳＰに荷電粒子ビームを照射して１次元的もしくは２次元的に走査し、この走査により得られる検出信号により、試料ＳＰの表面電荷分布を測定する方法であって、荷電粒子ビームの照射電流を、試料の表面電荷分布を消失させない大きさに設定して走査を行う。 （もっと読む）

【課題】誘電体の表面に生じている電荷分布あるいは電位分布をミクロンオーダーで高分解能の計測すること。
【解決手段】感光体静電潜像の測定装置は、試料に対して、電子ビームを照射することで、試料上に帯電電荷を生成させる手段と、静電潜像を形成させるための露光光学系手段と、試料面を電子ビームで走査し、該走査で得られる検出信号により、試料面の静電潜像分布を測定する。また、試料の観察領域に対して、エミッタから放出される放射光照射による静電潜像変動を低減するための放射光遮光手段を有する。 （もっと読む）

【課題】
本発明の目的は、荷電粒子線の照射によって誘起される試料の電位変化を抑制しつつ、荷電粒子線を用いた試料表面の電位測定、或いは試料帯電によって変化する装置条件を自動的に調整する装置の提供にある。
【解決手段】
上記目的を達成するために、荷電粒子線を試料に向けて照射している状態において、当該荷電粒子線が試料へ到達しない状態（以下ミラー状態と称することもある）となるように、試料に電圧を印加し、そのときに得られる信号を用いて、試料電位に関する情報を検出する方法、及び測定結果を基に自動的に装置条件を調整する装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】装置毎、或いは日々の変動に合わせて設定する必要のあった画像取得対象個所を自動で設定することができる、試料の管理機能を提供する。
【解決手段】機差測定を行う為にウェハ上に当該ウェハ上で測定済みのパターンの箇所及び当該測定済みの箇所を測定した装置の情報をマーキングするための領域（レプリカ領域等）を設け、当該マーキングを参照することにより、試料を管理する。マーキングの方法としては、電子線照射によるコンタミネーション付着を挙げられる。この場合、コンタミが付き易いように電子線照射密度を上げる。このために、倍率を上げる、プローブ電流の増加、積算フレーム枚数の増加などを実施することができる。 （もっと読む）

【課題】
本発明の目的は、試料上の帯電によって生ずる荷電粒子線装置のフォーカスずれ，倍率変動，測長値誤差を低減するに好適な荷電粒子線照射方法、及び荷電粒子線装置の提供にある。
【解決手段】
上記目的を達成するために本発明では、荷電粒子線の搬入機構によって搬入される試料の通過中に、試料上の電位を測定する静電電位計によって試料上の電位分布を計測する手法を提案する。また、試料上の特定箇所の局所帯電を計測し、その帯電量から大域帯電量分を分離して計測する手法を提案する。更に、特定箇所の帯電量を、少なくとも２つの荷電粒子光学条件で計測し、特定箇所の帯電量変化に伴う荷電粒子線を用いた寸法測定値の変化を計測し、この変化に基づいて測長値、或いは倍率を補正する手法を提案する。 （もっと読む）