【課題】 本発明は、試料の分解を抑えつつ、試料の検査を高精度で行うことができ、しかも試料の検査速度を低下させることがない走査電子顕微鏡を提供することを課題とする。
【解決手段】 本発明は、レチクル１０７（試料）に１次電子線を照射し、２次的に放出される電子を用いてレチクル１０７の観察像を得る走査電子顕微鏡１であって、波長１７２ｎｍ以下の真空紫外光を大気中でレチクル１０７に照射するランプ１１４と、レチクル１０７に対する真空紫外光の照射が可能なようにレチクルを密閉する照射室１２３と、照射室１２３内でレチクル１０７を保持し、ランプ１１４とレチクル１０７との距離を調節可能な試料保持装置１２５とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】電子線による半導体装置やフォトマスク等のパターン検査・計測技術に関し、従来技術に比べて高い精度で試料の帯電電位を測定することが可能な検査・計測装置、検査・計測方法を提供する。また、簡単な構成で帯電電位を測定することが可能な検査・計測装置を実現する。
【解決手段】各検査・計測対象となる半導体装置に対して、S字カーブを観測する際に、照射する一次電子線のエネルギーを最適化することにより、被検査試料表面の帯電電位の変動を抑制できる。
【効果】半導体装置の表面電位を測定する際，絶縁膜表面本来の帯電電位にほとんど影響を及ぼさずに、従来より正確な電位測定が可能となる。また、エネルギーフィルタ等、ウェハ表面電位測定用の専用装置を搭載せずに表面電位測定が可能であるため、装置のコストダウンに繋がる。 （もっと読む）

【課題】
半導体製造工程途中のウエハを検査する技術として、電子線照射によってデバイスにダメージを与えることなく、欠陥検出または寸法測定する検査装置および方法を提供する。
【解決手段】
検査条件とパターン情報、帯電電圧との関連を予め記憶させておく。検査レシピ作成時に深さ情報を含むウエハ情報を入力し、この情報からダメージを与える検査条件を設定不能にする。あるいは、入力した検査条件を優先させて検査する場合は、ダメージが生じる可能性のあるパターンを検索し、非検査領域に設定し、表示する。さらに、ダメージモニタでダメージが検出されると、アラーム表示され、該パターンへの電子線照射が中止される。さらに、ダメージを生じたパターンを特定し、検査レシピにフィードバックする。 （もっと読む）

【課題】構造の３次元表面粗さを測定する改良された方法を提供すること。
【解決手段】事前に選択された測定距離にわたって事前に選択された間隔において、対象フィーチャの断面または「スライス」の連続をミリングするために、集束イオン・ビームが使用される。各断面が暴露される際、フィーチャの該当寸法を測定するために、走査電子顕微鏡が使用される。次いで、これらの連続「スライス」からのデータは、フィーチャについて３次元表面粗さを決定するために使用される。 （もっと読む）

【課題】 試料の検査効率を向上することのできる荷電粒子ビーム装置及び荷電粒子ビーム装置の制御方法を提供する。
【解決手段】 試料室８と、ビーム照射手段６ａと、回転ステージ１２を有するステージ機構１３と、制御部２３とを備えた荷電粒子ビーム装置において、回転ステージ１２により試料９を回転させたときに、試料９又は試料保持具の端部と試料室内側面とが接触することのない回転ステージ１２の回転中心の位置範囲を求める演算部２４と、回転ステージ１２の回転中心位置が前記位置範囲内にあるか否かを判定する判定部２７とを有し、ステージ機構１３の駆動により回転ステージ１２の回転を行う際に、当該回転中心位置が当該位置範囲の外のあると判定部２７が判定したときには、当該回転中心位置が当該位置範囲内に位置するように回転ステージ１２を移動させる。 （もっと読む）

【課題】荷電粒子源からの荷電粒子ビームを真空カラム内に対向配置された偏向電極により偏向制御して試料に照射する露光装置または測定装置に用いられ、偏向電極における荷電粒子ビームにより正または負に帯電された部位の帯電を低減する帯電低減装置、その帯電低減装置を備える露光装置、測定装置およびその露光装置を用いるデバイス製造方法を提供する。
【解決手段】荷電粒子ビームによって正または負に帯電された前記偏向電極の帯電部位に対して電子ビームを照射する電子ビーム照射手段と、前記電子ビームの照射エネルギーを変化させる手段と、を有し、偏向電極の帯電が低減され、正負どちらの帯電に対しても、正負二つの線源ではなく、電子ビームのみを用いて帯電を低減させることができ、装置構成が簡略化される。 （もっと読む）

【課題】
ＳＥＭ装置等において、撮像レシピを自動作成するための選択ルールを教示により最適化できるようにした撮像レシピ作成装置及びその方法を提供することにある。
【解決手段】
走査型電子顕微鏡を用いて半導体パターンをＳＥＭ観察するための撮像レシピを作成する撮像レシピ作成装置であって、半導体パターンのレイアウト情報を低倍視野で入力して記憶したデータベース８０５と、該データベースに記憶した半導体パターンのレイアウト情報を基に、教示により最適化された撮像ポイントを選択する選択ルールを含む自動作成アルゴリズムに従って前記撮像レシピを自動作成する撮像レシピ作成部８０６、８０９とを備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、電子線の照射によってシュリンクを起こすパターンを測定する際に、そのシュリンクの発生を抑制することで、正確なパターンの寸法測定を可能とすることにある。
【解決手段】Ｘ方向の測定倍率と当該Ｘ方向の測定倍率より低倍率であるＹ方向の倍率の組み合わせを複数記憶する記憶装置に記憶された倍率の組み合わせに基づいて、前記Ｘ方向が短辺であり前記Ｙ方向が長辺である矩形状に電子線を偏向させ、パターンのＹ方向の形状がＸ方向に対し狭まるように表示し、当該表示領域に表示されたパターン画像に基づいて、前記パターンのＸ方向の寸法を測定する。 （もっと読む）

【課題】 荷電粒子ビーム装置に新たな構成を付加することなく、加熱装置が発生する磁場の影響を低減する。
【解決手段】 荷電粒子ビーム装置は、対象物に荷電粒子ビームを照射する荷電粒子ビーム装置において、対象物を加熱する加熱装置１を備える。加熱装置１は、駆動電流の供給を受けて対象物を加熱し、この駆動電流が流れる流路は駆動電流の電流方向を互いに逆方向となる流路を備える。加熱装置の各流路は駆動電流が流れることで磁場を発生する。加熱装置の流路が発生する磁場は、荷電粒子ビームの経路上において互いの流路が生成する磁場を相殺する。これによって、加熱装置が発生する磁場が荷電粒子ビームに対する影響を低減する。 （もっと読む）

【課題】物体の表面電位分布を精度良く測定する。
【解決手段】試料表面を荷電粒子ビームで走査し、試料の表面における電位情報を取得する（ステップ５０１〜５２１）。そして、その取得結果に基づいて、適切な電荷又は電位の分布モデルを決定し、その決定された分布モデルに応じて荷電粒子ビームの軌道を計算し、該計算結果に基づいて試料の表面電位の分布状態を求める（ステップ５２３〜５３５）。これにより、これまでほとんど考慮されていなかったビームの曲がりなどを含む荷電粒子ビームの挙動が、正しく反映されることとなる。 （もっと読む）

【目的】本発明は、荷電粒子線を試料に照射して当該試料から放出される２次電子線を検出して画像を生成する荷電粒子線装置および荷電粒子線像生成方法に関し、荷電粒子線が試料に照射されたときに、試料の表面あるいは近傍に真空紫外線を照射し、試料上の荷電粒子線の照射によって生じた電荷を中和することを目的とする。
【構成】 加速されて細く絞られた荷電粒子線を試料に照射するレンズ系と、細く絞った荷電粒子線で試料上を平面走査し放出された２次電子を検出して画像を生成する画像生成手段と、大気により吸収される真空紫外線域に属する波長の紫外線を、試料室の真空内に導入あるいは発生させる手段と、荷電粒子線が試料に照射されたときに、紫外線を試料の表面あるいは近傍に照射し、試料上の前記荷電粒子線の照射によって生じた電荷を中和する紫外線照射手段とを備える。 （もっと読む）

【課題】半導体製造工程途中のウエハ検査で、高分解能を維持して浅い凹凸、微小異物のレビュー、分類を高精度に行う目的で、二次電子を検出系の中心軸を合わせると共に、検出系の穴による損失を避けて高収率な検出を実現する。
【解決手段】高分解能化可能な電磁界重畳型対物レンズにおいて、試料２０から発生する二次電子３８を加速して対物レンズ１０による回転作用の二次電子エネルギー依存性を抑制し、電子源８と対物レンズ１０の間に設けた環状検出器で二次電子の発生箇所から見た仰角の低角成分と、高角成分を選別、さらに方位角成分も選別して検出する際、加速によって細く収束された二次電子の中心軸を低仰角信号検出系の中心軸に合わせると共に、高仰角信号検出系の穴を避けるようにＥｘＢで二次電子を調整・偏向する。 （もっと読む）

【課題】
走査式電子顕微鏡を用いた観察において、観察試料に対して鉛直下向きに撮像する落射画像と、傾斜観察画像とを高速に収集すること。
【解決手段】
本発明は、観察試料上の欠陥に対してほぼ垂直方向から収束された電子ビームを走査して照射し、前記欠陥からの２次電子像又は反射電子像を第１の電子検出手段により検出して落射観察による欠陥画像信号を出力する第１の電子光学系２０ａと、前記観察試料上の欠陥に対して傾斜方向から収束された電子ビームを走査して照射し、前記観察試料上の欠陥からの２次電子像又は反射電子像を第２の電子検出手段により検出して傾斜観察による欠陥画像信号を出力する第２の電子光学系２０ｂとを備え、前記第１の電子光学系から落射観察による欠陥画像信号を収集し、前記第２の電子光学系から傾斜観察による欠陥画像信号を収集するように構成した電子線式観察装置である。 （もっと読む）

【課題】高スループットで電位コントラストの測定等を高信頼性で行うことができ、構造が簡単な電子線装置、及び該装置を用いて歩留まり良くデバイスを製造するためのデバイス製造方法を提供すること
【解決手段】パターンが形成された試料を電子線で照射し、該試料の評価を行うための電子線装置は、電子線源ＥＧ、対物レンズ１４、電磁偏向器１１、１２及び二次電子線検出器１７を収容した電子光学鏡筒１を備え、対物レンズ１４は、上部電極１８、中央電極１９及び下部電極２０から構成され、上部電極１８、中央電極１９及び下部電極２０に電圧を印加するための制御電源２１を更に備え、制御電源２１は、中央電極１９に一定値の電圧を印加し、上部電極１８でダイナミック・フォーカスを行って対物レンズ１４が合焦条件を満たすよう動作する。 （もっと読む）

【課題】軸上色収差補正レンズにより発生される軸外収差を良好に補正する。
【解決手段】電子線の照射により試料１０から放出された２次電子は、ビーム分離器７で偏向され、収差補正静電偏向器１１により垂直方向に偏向され、補助レンズ１２の主面に拡大像を形成する。補助レンズ１２から発散した２次電子ビームは、軸上色収差補正レンズ１４〜１７を通り、拡大レンズ１９用の補助レンズ１８の主面に結像する。補助レンズ１２の主面に形成された拡大像は、光軸から離れた位置にも像が形成されるため、補助レンズ１２から発散された２次電子ビームをそのまま軸上色収差補正レンズ１４〜１７に入射すると、大きな軸外収差が生じる。それを解消するために、補助レンズ１２により、開口２４の像が軸上色収差補正レンズ１４〜１７の光軸方向のほぼ中央１８に形成されるようにする。 （もっと読む）

【課題】改善された検出方式を有する分析システムおよびこのシステムを備える荷電粒子ビームデバイスの提供。
【解決手段】荷電粒子のビーム（２）を分析する分析システムは、荷電粒子のビーム（２）をその粒子のエネルギーに応じて低エネルギービーム（１８）と高エネルギービーム（１９）に分割するためのディバイダ（１６）と、高エネルギービーム（１９）を検出するための前方検出器（１７）と、低エネルギービーム（１８）を検出するための少なくとも一つの後方検出器（１５）とを有する。ディバイダは、前方検出器と少なくとも一つの後方検出器との間に配置され、そして前方検出器（１７）および／または少なくとも一つの後方検出器（１５）はセグメントに分割されている。 （もっと読む）

【課題】フレーム数／ｓｅｃの小さいエリアセンサを用いても高速の画像取得を可能にする。
【解決手段】評価領域を複数の副視野に分割し、１次電子線を副視野に順次照射し、副視野毎に試料面の情報を含んだ２次電子を検出手段により検出することにより、評価領域の情報を得る電子線装置において、検出手段２６は、エリアセンサＣＣＤ１〜ＣＣＤ１４と、エリアセンサの検出面に一端が結合されたオプティカルファイバ束２５と、オプティカルファイバ束の他端に塗布され、副視野の２次電子線が結像されるシンチレータが形成されたＦＯＰとからなる単位検出器２４−１を複数備える。電磁偏向器により、電子線を照射する副視野が移る毎に、該副視野からの２次電子線を偏向して、単位検出器のＦＯＰ面上を移動させる。各単位検出器から、他の単位検出器の露光中に画像情報を取り出すことができるので、高速画像取得ができる。 （もっと読む）

【課題】 試料の側面や裏面の検査が可能な荷電粒子ビーム装置を提供する。
【解決手段】 電子銃３Ａ，３Ｂ、集束レンズ４Ａ，４Ｂ、偏向手段６Ａ，６Ｂ、二次電子検出器７Ａ，７Ｂを備えた２つの電子光学鏡筒１Ａ，１Ｂが、回転ステージ９Ａ，Ｘ方向移動用ステージ９Ｂ，Ｙ方向移動用ステージ９Ｃから成るステージ９に載置される試料１０が設けられる真空チャンバー１５に設けられる。一方の鏡筒１Ａは、該鏡筒からの電子ビームが、少なくとも試料側面の上側を走査出来る位置に、他方の鏡筒１Ｂは、電子ビームが、少なくとも試料側面の下側を走査出来る位置に、それぞれ設けられる。 （もっと読む）

【課題】軸上色収差を小さくして、２次電子の透過率を大きくし、高スループットで試料の評価を行う。
【解決手段】電子銃１-1から放出された電子ビームが１次電子光学系を介して試料７-1上に照射され、それにより試料から放出された電子が２次電子光学系を介して検出器１２-1において検出される。軸上色収差補正用の多極子レンズからなるウィーンフィルタ８-1が、２次電子光学系の拡大レンズ１０-1と１次電子ビーム及び２次電子ビームを分離するビーム分離器５-1との間に配置され、磁気ギャップが試料側に設けられた電磁レンズからなる対物レンズ１４-1で生じた軸上色収差を、ウィーンフィルタで補正する。 （もっと読む）

【課題】分析対象である特定位置に電子線を長時間照射することによって生じる熱の発生やチャージアップ現象を防止し、それによって試料から発せられた電子線に基づいた表面像を精度よく作成することができる試料分析装置を提供する。
【解決手段】試料の所定領域に、電子線を照射する電子線照射装置と、電子線が照射された試料から発生した第１のエネルギ線を検出し、試料の分析を行う第１の分析部と、電子線が照射された試料から発生した第２のエネルギ線を検出し、試料の分析を行う第２の分析部と、を備えた試料分析装置において、第２の分析部が、第２のエネルギ線を検出するための検出部が前記試料の所定領域内に含まれる特定位置に対して電子線が照射されたときのみ、試料から発生した第２のエネルギ線を検出するようにし、さらに、前記第２の分析部が、その検出値を蓄積し、その蓄積された検出値から前記試料の分析を行うようにした。 （もっと読む）