【課題】試料表面の電位を一定にして精度よく試料を測定することのできる電子ビーム寸法測定装置及び電子ビーム寸法測定方法を提供すること。
【解決手段】電子ビーム寸法測定装置は、電子ビームを試料の表面に照射する電子ビーム照射手段と、試料から放出される電子を検出する検出手段と、試料と検出手段の二次電子制御電極との間の距離を測定する距離測定手段と、試料を載置するステージと、距離測定手段に測定させた距離が予め定めた一定の距離になるようにステージの高さを調整し、該距離のときに試料の表面の電位が一定になるように予め求めた制御電圧を検出手段の二次電子制御電極に印加し、所定の加速電圧を印加して電子ビームを照射させる制御手段とを有する。前記ステージは、試料を電気的に接続しない保持手段と、試料を上下方向に移動させる移動手段とを有するようにしても良い。 （もっと読む）

【課題】
軸外収差の低減と、二次ビームの分離検出を両立させ得る荷電粒子線応用装置を提供する。
【解決手段】
複数の一次荷電粒子線を形成して、試料１１７上に投影して、第１の偏向器１１５により前記試料上を走査せしめる電子光学系と、前記複数の一次荷電粒子線の照射により前記試料の複数の箇所からから発生した複数の二次荷電粒子線１２０を個別に検出する複数の検出器１２４ａ、１２４ｂ、１２４ｃと、前記試料に電圧を印加する電源とを備えた荷電粒子線応用装置において、前記一次荷電粒子線の行路と前記二次荷電粒子線の行路とを分離するウィーンフィルター１１３と、前記ウィーンフィルター１１３により分離された前記二次荷電粒子線を偏向する第２の偏向器１２３と、前記第１の偏向器と前記第２の偏向器を同期して制御する制御手段とを有し、前記複数の検出器は、前記ウィーンフィルターにより分離された前記複数の二次荷電粒子線を個別に検出する。 （もっと読む）

【課題】 高精度測長校正を実現する校正用標準部材を提供する。
【解決手段】 光学的回折角測定が可能な回折格子パターンに座標位置を表すマークパターンを混在させ、かつ回折格子配列周囲に十字マークパターンを含んだダミーパターンを配置させることで本標準部材の作製および実現が可能となる。
【効果】 回折格子座標位置を示すマークを回折格子近傍に配置させることにより、校正に用いる回折格子位置の確認が容易になる。また、回折格子配列周囲に十字マークパターンを含んだダミーパターンを配置させることにより回折格子配列内の近接効果の差異の無い均一な回折格子パターンが実現できる。更に、十字マークを回折格子配列に隣接して配置できるので高精度な回折格子位置決めが実現できる標準部材を用いることにより高精度かつ容易な回折格子位置決め校正が可能となり次世代半導体加工に対応した高精度測長校正が実現できる。 （もっと読む）

【課題】測定対象のラインとスペースがほぼ等間隔に形成されているときに、ラインとスペースを識別することのできるパターン測定装置及びパターン測定方法を提供すること。
【解決手段】パターン測定装置は、荷電粒子ビームを走査して、試料上に形成されたパターンのラインプロファイルを作成するラインプロファイル作成部と、ラインプロファイルを２次微分して２次微分プロファイルを作成する微分プロファイル作成部と、２次微分プロファイルから得られるパターンのエッジ位置の近傍に出現する２つのピーク位置とピーク値からパターンのエッジが立ち上がりか立下りかを判定するエッジ検出部とを備える。エッジ検出部は、２次微分プロファイルから得られるパターンのエッジ位置の近傍に出現する２つのピーク位置をＸ１，Ｘ２（＞Ｘ１）としたとき、ピーク位置Ｘ１の信号量がピーク位置Ｘ２の信号量よりも大きいとき、パターンのエッジは立ち上がると判定する。 （もっと読む）

【課題】シュリンク量（あるいは測長値の真値からのずれ量）および再現性誤差量の双方を考慮して、荷電粒子線システムの最適なパターン寸法計測条件を決定する。
【解決手段】本発明者等は、シュリンク量と計測再現性誤差量とがトレードオフの関係にあることを見出した。また、同じシュリンク量であっても、一次荷電粒子線１１の照射エネルギ等を決定する測定パラメータ（加速電圧、電流量、観察倍率、フレーム数）によって計測再現性誤差量が異なることを見出した。そこで、測定パラメータである加速電圧、電流量、観察倍率、およびフレーム数の少なくとも２つを要因とする直交表を使って実験計画を立て、半導体デバイス１３のシュリンク量および計測再現性誤差量を計測する実験を行う。そして、実験結果から多元配置により各要因の水準の組み合わせにおけるシュリンク量および計測再現性誤差量を算出する。 （もっと読む）

【課題】標準試料を使用することなく正確に測定可能な走査型電子顕微鏡及びそれを用いる測定方法を提供すること。
【解決手段】試料６に対して走査する電子線（入射線）を断続的に照射し、該電子線が試料６に照射されたときに発生する後方散乱電子を後方散乱電子検出器２２で検出し、時間差検出部５３により、試料６に照射される電子線と後方散乱電子検出器２２で検出した後方散乱電子との時間差を比較計測し、試料表面の形状を測定する。 （もっと読む）

【課題】倍率、走査方向や測定装置を変更しても、測定結果の変動が生じない線幅測定調整方法及び走査型電子顕微鏡を提供すること。
【解決手段】線幅測定調整方法は、第１の倍率において走査される電子ビームの第１の電子ビーム強度分布と、第２の倍率において走査される電子ビームの第２の電子ビーム強度分布とが同等になるように前記第２の電子ビーム強度分布を調整することを含む。前記第２の電子ビーム強度分布の調整は、電子ビーム強度分布を作成するときに、前記第２の照射距離を増減して行うようにしてもよい。 （もっと読む）

【課題】荷電粒子線による微細パターンの計測、検査を高スループットで行うことを可能にするパターン検査技術を提供する。
【解決手段】荷電粒子源と、前記荷電粒子源から放出された荷電粒子ビームを用いて、試料上の所望の観察領域を走査する電子光学系と、前記荷電粒子ビームの走査によって前記試料より２次的に発生する荷電粒子を検出する検出器とを備えた鏡体部８と、前記検出器で得られる前記荷電粒子の強度の情報をもとに、前記試料上に形成されたパターンの形状に関する情報を測定する情報処理手段９ａ、９ｂと、前記試料を前記鏡体部内に導入する試料導入部とを有し、前記試料導入部内にあって前記試料を前記鏡体部８へ搬送する経路上に、イオンを生成し該イオンにより前記試料の除電を行う除電ユニット４と、前記試料面の表面電位を測定するための表面電位測定手段７とを設けたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】取付位置の制約の大きいＷＤＸを備える電子顕微鏡としても、搭載できる試料のサイズや試料の移動範囲および観察範囲の大きい電子顕微鏡としても利用できる電子顕微鏡を提供する。
【解決手段】本発明による電子顕微鏡では、試料室８の一部にアダプタ取り付け用の開口部１４を設け、ＷＤＸ１１を備える電子顕微鏡として利用する場合には、当該開口部１４に、試料３に対するＸ線取出し角を常に一定に保ち、ローランド円Ｘを満足する位置に試料３とＷＤＸ１１を配置することができる、ＷＤＸを取付可能なフランジを備えるアダプタ１２を取り付ける。試料３のサイズや試料３の移動範囲および観察範囲の大きい電子顕微鏡として利用する場合は、試料室８の一部を構成し、試料室８の空間を大きくし、搭載できる試料のサイズや試料の移動範囲および観察範囲を大きくすることができるアダプタ１３を取り付ける。これにより試料室８そのものを交換しなくても容易に試料室８の形状を変更できるようにした。 （もっと読む）

【課題】高分解能を維持しつつ、短い撮影時間で欠陥の画像情報を取得する荷電粒子ビーム検査方法および装置を実現する。
【解決手段】第１の撮影領域および第１の照射条件を用いた低倍率の第１の欠陥画像情報８６および参照画像情報８７を、すべての欠陥位置で求め、これらの画像から欠陥の高精度欠陥位置情報求め、この高精度欠陥位置情報に基づいて、高倍率の第２の撮影領域および第２の照射条件を設定し、すべての第２の欠陥画像情報８８を取得することとしているので、第１および第２の照射条件を一度切り替えるだけで、すべての撮影を終了し、かつ第２の照射条件を電流の小さいものとして分解能の低下を防止し、高分解能を維持したまま撮影時間を短いものとすることを実現させる。 （もっと読む）

【課題】走査電子顕微鏡等の荷電粒子線装置で、簡単な手法で試料上に形成された段差及び凹凸の判定、或いは３次元情報を得ることにあり、特に試料上に形成されたライン＆スペースパターンの凹凸判定に好適な判定方法、及び装置を提供する。
【解決手段】複数の焦点位置において、段差や凹凸を有する試料に荷電粒子線の照射を行う。前記試料から放出される信号の計測を行い、段差のエッジ部分に相当するプロファイル波形を比較することで、試料の段差や凹凸の情報を得る。 （もっと読む）

【課題】測長ＳＥＭの装置特性を電子線シミュレーションに反映させることで、電子線シミュレーションを用いた計測手法の安定化、高速化、高精度化をはかる方法を提供する。
【解決手段】本発明は、予め、装置特性と画像取得条件とを反映した電子線シミュレーションを様々な対象パターン形状について行ってＳＥＭ模擬波形を生成し、該生成されたＳＥＭ模擬波形に対応するパターン形状情報との組合せをライブラリとして記憶しておくライブラリ作成過程と、取得した実電子顕微鏡画像と前記ＳＥＭ模擬波形とを比較して前記実電子顕微鏡画像と最も一致度の高い前記ＳＥＭ模擬波形を選択し、該選択されたＳＥＭ模擬波形に対応するパターン形状情報から計測対象パターンの形状を推定する計測過程とを有する測長ＳＥＭを用いた計測対象パターンの計測方法。 （もっと読む）

【課題】画像の倍率を変えても画質が変わらない画像が得られる荷電粒子線装置を提供する。
【解決手段】荷電粒子線装置は、画像の倍率を変更したとき、Ｓ／Ｎ測定値が所定の範囲に入るように第１の画像信号量の制御を行う。次に、画像の画質が最良となるように第２の画像信号量の制御を行う。画像信号量の制御には、荷電粒子線量を制御する方法、画像の取得時間を制御する方法、画像積算枚数を制御する方法、画像検出周波数を制御する方法、ビーム径を制御する方法等がある。 （もっと読む）

【課題】走査フレームサイクル間でラスタ走査領域を調整することによって、画像標本上の電子露光を制御するためのシステムおよび方法
【解決手段】小さいズームイン走査領域および周囲領域は、走査フレーム間で複数回のフレームサイクルの間に正の電荷でフラッドされることによって走査領域と周囲領域との間の電圧差分を減少させ、それによって走査された画像中の小さい特徴を不明確にする傾向にある正の電荷蓄積を減少させる。標本上の画素エレメントへのピーク電流は、通例の映像と比較すると非常に短いライン時間でビームを走査するによって低減される。画像データのフレームは、さらに、任意のプログラム可能パターンで非逐次的に獲得され得る。あるいは、非活性ガスは、電子ビームが標本に当たる点で走査電子顕微鏡に注入されて、電子ビームによる不活性ガスのイオン化によって標本上の電荷蓄積を中和化し得る。 （もっと読む）

【目的】本発明は、検出対象のパターンのパターン画像を取得するパターン画像取得方法およびパターン画像取得装置に関し、マスクなどの検出対象のパターンに対して回転させて平行とならないようにしてビームを走査しそのときの信号を検出してエッジ検出してパターン画像を取得し、迅速かつ安定かつ高精度にパターン画像を取得することを目的とする。
【構成】 検出対象のパターンと平行とならないようにビームの走査方向あるいは検出対象のパターンを回転させるステップと、検出対象のパターンと平行とならないようにビームの走査方向が回転された状態で、パターンを異なる位置で横切る複数本の走査を行ってラインプロファイルを取得するステップと、取得したラインプロファイルをもとにパターンのエッジ位置を検出するステップとを有する。 （もっと読む）

【目的】本発明は、複数の被観察試料の相対位置を測定する相対位置測定方法および相対位置測定装置に関し、比較対象の複数の被観察試料の重ね合わせ位置などの相対的位置を直接に高精度に測定することを目的とする。
【構成】 相対位置の測定対象の複数の被観察試料を同時に搭載し、かつ移動可能な１つのステージと、相対位置の測定対象の複数の被観察試料について、それぞれの位置を精密測定するレーザ干渉計とを備え、レーザ干渉計で複数の被観察試料の位置をそれぞれ測定するステップと、複数の被観察試料上のパターンの画像を取得するステップと、取得した画像および測定したそれぞれの被観察試料の位置をもとに各被観察試料の画像上のパターンの相対位置をそれぞれ算出するステップとを有する。 （もっと読む）

【課題】光学的高さ検出法において、検出誤差を削減し、検出精度を向上させ、光学的高さ検出法の高精度化を図ることにより、ＣＤ−ＳＥＭ装置や、ＳＥＭ式検査装置等の焦点合わせ精度を高精度化するとともに、光学的高さ検出法による検出高さを基に行う自動焦点制御の処理時間を短縮することにより、ＣＤ−ＳＥＭ装置等のスループットの向上を図る光学的高さ検出方法とそれを適用した電子線装置を提供する。
【解決手段】走査電子顕微鏡系と、被測定対象物の光学的高さ検出系等からなるＣＤ−ＳＥＭ装置において、光学的高さ検出光学系３１は、被測定対象物１５に斜め上方から２次元スリット光を投影し、この被測定対象物１５による反射光を検出し、検出された２次元スリット像を２次元エリアセンサで電気信号に変換し、変換された電気信号から検出誤差の大きなスリット部分を除外して被測定対象物１５の高さを検出する。 （もっと読む）

【課題】微調整からレビューまでを完全に自動化で行なえる走査型電子顕微鏡を提供する。
【解決手段】座標補正後の補正精度を算出し、ベクトル３９を用いて表示する機能、得られた情報から座標補正後異物／欠陥を自動検出する際の探索時の倍率を自動で決定する機能、また探索倍率と測定条件から異物／欠陥の出現率とかかる時間を算出する機能を設けた。 （もっと読む）

【課題】
繊維状炭素物質先端部を破壊することなく、その先端部に存在するアモルファスカーボンを除去することができる手段を有する電界放出型電子銃およびその運転方法を提供することにある。
【解決手段】
本発明の課題を解決するための手段は、単一の繊維状炭素物質とそれを支持する導電性基材から構成される電界放出型陰極と、電子を電界放出させる引出装置と、電子を加速させる加速装置を有する電界放出型電子銃に、該電界放出型陰極を加熱する手段および該電界放出型陰極に電子を電界放出させない極性の電圧を印加する手段を具備することにある。 （もっと読む）

【課題】試料の材質に依存することなく試料表面の電位を一定にして精度よく試料を測定することのできる電子ビーム寸法測定装置及び電子ビーム寸法測定方法を提供すること。
【解決手段】電子ビーム寸法測定装置は、電子ビームを試料の表面に照射する電子ビーム照射手段と、前記試料から放出される電子を検出する検出手段と、前記電子ビーム照射手段に前記試料から二次電子が放出する電圧よりも低い加速電圧で電子ビームを照射させ、前記検出手段からの信号に基づき前記試料の表面が一定の電位になったと判定したときに前記電子ビームの照射を停止させる制御手段とを有する。前記制御手段は、前記電子ビーム照射手段に、前記電子ビームを試料の表面全体に照射させてもよいし、前記電子ビーム照射手段に、前記電子ビームを試料の測定部位を中心とした所定の範囲に照射させてもよい。 （もっと読む）