【課題】 同一寸法校正パターンへの位置決めを可能にする。
【解決手段】 不連続な格子状の寸法校正パターン26とその近傍に特定の位置決め用アライメントパターンを形成する。 （もっと読む）

【課題】 収差の小さい対物レンズを用いて、高スループットで試料の評価を行うことが可能な電子線装置を提供すること。
【解決手段】 複数の一次電子線を対物レンズで収束して試料を走査し、該試料から放出される二次電子線を検出して前記試料の評価を行う電子線装置は、電子銃ＥＧからの電子線で照射される複数の開口６と、ＮＡ開口７と、縮小レンズ８と、磁極間隙１４を試料１０の側に有する電磁レンズを有する対物レンズ９と、電子線走査用の偏向器１２と、二次電子線を一次電子線から分離する分離器１３と、二次電子線を検出する複数の二次電子検出器２０とを具備する。 （もっと読む）

【課題】
コンタクトホール等の半導体製造工程中の高い段差のあるパターンを持つウエハ上の欠陥を検査し、ドライエッチングによる非開口欠陥等の欠陥の位置や欠陥の種類等の情報を高速に取得可能とする。また、得られた欠陥情報から欠陥の発生プロセスや要因の特定を行ない、歩留まりを向上やプロセスの最適化の短期化を実現する。
【解決手段】
半導体製造工程中の高い段差のあるパターンを持つウエハに１００ｅＶ以上１０００ｅＶ以下の照射エネルギ−の電子線を走査・照射し、発生した２次電子の画像から高速に欠陥検査を行う。二次電子画像取得前にウエハを移動させながら高速に電子線を照射し、ウエハ表面を所望の帯電電圧に制御する。取得した二次電子画像から欠陥の種類の判定を行ない、ウエハ面内分布を表示する。 （もっと読む）

【課題】 適切な観察を行うために、特に試料汚染及びパターン収縮を抑えるために、操作者にかかる負担を軽減することができる電子顕微鏡を提供する。
【解決手段】 電子線の照射が開始されると、警告値比較部５が警告値入力部３に入力された警告値とドーズ量測定部１が測定した累積ドーズ量とを比較し、許容値比較部４が累積ドーズ量と許容値入力部２に入力された許容値とを比較する。これらの比較の結果、累積ドーズ量が警告値に達している場合、累積ドーズ量が許容値に近づいている旨の警告を警告部８が発し、累積ドーズ量が許容値に達している領域が存在する場合、通知部６がその旨を通知する。また、累積ドーズ量が許容値に達している領域が存在する場合には、照射遮断部７が当該領域への電子線の照射を遮断する。特に、チップ全体で累積ドーズ量が許容値に達している場合には、照射対象変更部９が他のチップへ電子線を照射するようにステージ等の制御を行う。 （もっと読む）

【課題】 試料の傾斜角や高さに依存することなく、精度のよい試料の画像計測が行なえる電子線装置と電子線装置用基準試料を提供する。
【解決手段】 上記目的を達成する本発明の電子線システムは、例えば図１に示すように、電子線を射出する電子線源１と、電子線源１から射出された電子線７を収束し、試料９に照射する電子光学系２と、電子線７が照射された試料９からの電子７ｄを受け取る検出部４と、試料９を支持する試料支持部３と、試料支持部３で支持された試料９に照射される電子線７と試料３とを相対的に傾斜させる試料傾斜部５（５ａ，５ｂ）と、前記相対的な傾斜が自在であるように試料支持部３で支持された少なくとも傾斜した２面を有する基準試料９ａから電子を受け取った検出部４からの検出信号を、傾斜毎に受け取り、前記傾斜した２面の画像と基準試料９ａの基準寸法とから、基準試料９ａの傾斜角度を求めるデータ処理部２０等とを備える。 （もっと読む）

本発明は、荷電粒子ビーム装置を提供する。この装置は、クロスオーバを生成する第１のレンズ（１０１、５１０）と、このクロスオーバの後に位置決めされた第２のレンズ（１０２、５１２）と、中心がクロスオーバと本質的に同じｚ位置にあり、ｘ−ｚ面内で集束的かつ分散的に作用する要素とを備える。さらに、ｘ−ｚ面内およびｙ−ｚ面内で作用する多極子要素が設けられる。第１の荷電粒子選択要素および第２の荷電粒子選択要素を使用して、荷電粒子の一部を選択する。それによって、例えば、荷電粒子ビームのエネルギー幅を狭めることができる。 （もっと読む）

第１横断区分と第２横断区分との間に置かれた中間区分により画成されるサブミクロン断面を有する被測定構造素子の断面特徴を決定するためのシステム及び方法。この方法は、基準構造素子の第１部分と、上記被測定構造素子の少なくとも第１横断区分とを第１の傾斜状態で走査して、上記基準構造素子と上記第１横断区分との間の第１関係を決定する第１ステップで開始する。この第１ステップの後に、基準構造素子の第２部分と、上記被測定構造素子の少なくとも第２横断区分とを第２の傾斜状態で走査して、上記基準構造素子と上記第２横断区分との間の第２関係を決定する第２ステップが続く。この方法は、上記第１関係及び第２関係に応答して上記被測定構造素子の断面特徴を決定する第３ステップで終了となる。 （もっと読む）