【課題】帯電によるウェハの電位分布を正確に推定し、リターディング電圧を適切な値に設定する。
【解決手段】半導体ウェハ１３の直径上の複数の点の電位を実測し、直径方向で隣り合う実測点間の電位をスプライン補間し、直径上の電位分布を求めた後、半導体ウェハ１３の中心を中心とする周方向で隣り合う点間の電位をスプライン補間して、半導体ウェハ１３内の電位分布に関する二次元補間関数を求める。そして、この二次元補間関数に、半導体ウェハ上の測定点の座標値を代入して、この測定点の電位を求める。 （もっと読む）

【課題】 荷電粒子ビームを照射して、測定を行う装置内で静電潜像を形成する手段を持ち、潜像形成後の短い時間内に測定を行うことができ、また、非破壊で測定することが可能な静電潜像形成方法および装置、静電潜像の測定方法を得る。
【解決手段】 試料面を荷電粒子ビームで走査し、この走査で得られる検出信号により試料面の静電潜像を測定する。荷電粒子ビームを走査する装置内で、試料３０に対して帯電させ、光学系を介して帯電した試料を露光させることにより、試料３０上に電荷分布を生成させる。電荷分布を有する試料を移動させながら試料面の静電潜像を測定してもよい。帯電手段は電子ビームを照射させる手段１０とし、試料からの２次電子を検出する手段１８を設ける。 （もっと読む）

【目的】本発明は、走査型電子顕微鏡の対物レンズで細く絞った１次電子ビームで照射した磁区を含む試料の磁区構造を検出する電子線スピン検出器に関し、簡単な構造、かつ試料の１次電子ビーム照射位置に対する見込み角を大きくして高Ｓ／Ｎ比で磁区を極めて高分解能で表示することを目的とする。
【構成】走査型電子顕微鏡の対物レンズと磁区を含む試料との間に設け、１次電子ビームで照射した試料の位置を中心に、周囲に放出された２次電子のスピン偏極を検出する、対称の２つの部分検出部からなるスピン偏極検出器を、複数配置したスピン検出器と、スピン検出器を構成する複数のスピン偏極検出器でそれぞれ検出した２次電子のスピン偏極の違いをもとに試料の１次電子ビームの照射位置のスピン方向を判定するスピン方向判定手段とを備える。 （もっと読む）

【課題】最小限の標準試料及び観察対象となる試料からそれぞれ得られる二次信号に関する最小限の検出結果から観察対象となる試料の膜厚を正確にかつ安定して測定することが可能な膜厚測定方法及び膜厚測定装置並びに試料作製方法及び試料作製装置を提供する。
【解決手段】膜厚測定方法は、標準試料における電子ビームの加速電圧と電子ビームに対する二次信号の強度比との関係である標準データを作成する標準データ作成工程Ｓ１と、標準データの変化点の加速電圧を基準値として抽出する基準値抽出工程Ｓ２と、対象試料に電子ビームを照射して電子ビームの加速電圧と電子ビームに対する二次信号の強度比との関係である測定データを作成する測定データ作成工程Ｓ３と、測定データの変化点の加速電圧を特性値として抽出する特性値抽出工程Ｓ４と、基準値と特性値との比較に基づいて標準試料の膜厚に対して対象試料の膜厚を評価する評価工程Ｓ５とを備える。 （もっと読む）

【課題】
電子線を照射した際に得られる２次電子像のコントラストが大きく、互いに直交する２種類の直線形状突起物集合体及びこれを用いた走査型電子顕微鏡用寸法校正試料を提供することにある。
【解決手段】
（１００）面単結晶シリコン基板の結晶面を利用して、直線パターンの上面を形成し、上面に対して鋭角の角度を有する側壁を（１１１）面で形成し、＜０１１＞軸に平行または垂直に直線形状突起構造体を形成する。突起構造体の上面に平行な断面は上面から底部に向かって横幅が小さくなる逆テーパ構造とする。
【効果】
本発明によって、互いに直交する２種類の直線形状突起物の境界から得られる２次電子像のコントラストを大きくし、縦方向横方向の２方向で寸法校正を精度良く行うことが可能となる。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、測定対象個所へ電子ビームの走査位置を高速に移動と、測定対処個所の高精度な特定の両立を図ることで、真の測定の高スループット化を実現可能ならしめるパターンの測定方法、及び電子顕微鏡の提供を目的とするものである。
【解決手段】
上記目的を達成するための本発明の一態様では、測定対象である第１のパターンの座標情報に基づいて、電子ビームの走査位置を移動し、当該移動先にて、第１のパターンの検出を失敗した場合、当該第１のパターンとの相対距離が予め登録されている第２のパターンを含む領域に電子ビームの走査位置を移動させ、当該第２のパターンの検出と、前記相対距離の情報に基づいて、前記電子ビームの走査位置に移動する方法、及び装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】試料の線幅、欠陥などを精密に測定、検査することができる、荷電粒子ビーム装置のマッチング方法の提供。
【解決手段】電子顕微鏡によるＳＥＭ画像と、試料の設計データとをパターンマッチングさせ、線幅などの測定、欠陥の検査などを行う荷電粒子ビーム装置によるマッチング方法において、校正用マーク又はそれの付された試料をステージ上に設置し、高さを変えて複数のＳＥＭ画像を取得し、当該ＳＥＭ画像の位置歪みと、設計上の位置歪みデータとをマッチングし、高さを変化させたときの校正用補正データを作成する第１ステップと、フォーカスをかけて検査用ＳＥＭ画像を取得する第２ステップと、フォーカスの高さ値より、前記第１ステップの校正用補正データを用いて、検査用ＳＥＭ画像の位置歪みを補正する第３ステップと、当該位置歪み補正を行ったＳＥＭ画像と、設計データとのマッチングを行い、試料の測長または検査を行う第４ステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】 マルチビーム型の半導体検査装置において、多様な特性を持つ試料に対して、高い欠陥検出感度と高い検査速度を両立させ得る荷電粒子線応用装置を提供する。
【解決手段】 試料上における一次ビームの配置を可変とし、さらに、試料の特性を元に、最適な検査仕様で高速に検査を行うためのビーム配置を抽出する。また、また、多数の光学パラメータおよび装置パラメータを最適化する。さらに、抽出された一次ビームの特性を測定し、調整する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、試料を大気中に置きながらも、誘電体を介して荷電粒子を試料に照射することにより、その静電容量差から容易に試料表面の電位コントラストを検出し、試料表面の観測を可能とした荷電粒子線装置及びこれを用いた試料観測方法を提供することを目的とする。
【解決手段】荷電粒子線を用いて試料表面を観測する荷電粒子線装置１００であって、
内部圧力を真空に保った真空筐体１０と、
該真空筐体の一部に設けられた誘電体膜１１と、
前記真空筐体の外部であって、前記誘電体膜に対向する位置に試料８０を載置する試料台６０と、
前記誘電体膜と前記試料との間に、前記誘電体と前記試料の双方に接触する誘電体９０を供給する誘電体供給手段７０と、
前記誘電体膜に前記真空筐体側から荷電粒子線を照射する荷電粒子線源２０と、
前記誘電体膜から前記真空筐体内に発生した電子を検出する電子検出器４０と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 半導体素子の拡散層のドーパントプロファイルや電流パスを評価解析する必要があるが、簡単に解析できる解析装置や解析方法がないという問題がある。
【解決手段】 電子線を用いた顕微鏡にプローブと半導体素子に印加する電圧源を追加する。評価半導体素子用の半導体素子に電位を印加して実動作状態とし、電子線を走査して２次電子像を得る。半導体素子は電位を印加され電位コントラストを持つことから、２次電子像は電位コントラストを持った拡散層のドーパントプロファイルや電流パスを示す像となる。電位コントラストを持つ２次電子像から直接拡散層のドーパントプロファイルや電流パスの可能像を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】
電子線照射に対する耐性が低い材料では，Ｓ／Ｎの良好な電子顕微鏡画像を得ることが難しい。これに対し，従来の画像平滑化処理を行うと，計測の安定性は向上するが，絶対値に対する計測誤差や感度が低下したり，立体形状情報の質が劣化したりという問題が生じる。
【解決手段】
計測対象パターンの寸法ばらつきを考慮して，信号波形が持つ立体形状情報を劣化させない画像平均化処理を行うことにより，計測安定性と精度および感度の向上を両立する。本発明により，高精度なパターン寸法および形状の計測と，それを用いた高感度な半導体製造プロセスの管理が実現できる。 （もっと読む）

【課題】 本発明は，測定対象表面と特定部位との相対位置を３次元的に制御することができる位置決めシステム及び観測システムを提供することを目的とする。
【解決手段】上記課題は，特定部位の軌跡情報取得手段（３）と，３次元情報の取得手段（５）と，前記特定部位の軌跡情報取得手段（３）により得られた測定機器の特定部位先端の軌跡情報と，前記測定対象表面の３次元情報の取得手段（５）により得られた測定対象表面の３次元情報とを用いて，前記特定部位の先端と前記測定対象表面との３次元位置関係を制御するための，特定部位及び測定対象表面の３次元位置制御手段（６）と，を具備する，測定機器を用いて測定対象表面を観測するための位置決めシステム（７）により解決される。
（もっと読む）

【目的】本発明は、電子線ビームを高磁場によって細く絞って低真空の試料室内に配置した試料に照射しつつ平面走査し、放出された２次電子を検出して試料の寸法の測長を行う寸法測長装置に関し、試料のパターンなどを高精度に測長することを目的とする。
【構成】電子線ビームを高磁場で細く絞って低真空の試料室内に配置した試料に照射しつつ平面走査する磁界型対物レンズおよび偏向系と、磁界型対物レンズの高磁場による、試料から放出された２次電子の２次電子軌道の絞り込みが行われる場所に配置し、かつ２次電子を遮断しない可及的に小さな直径を持つ２段以上のオリフィスと、２段以上のオリフィスを、回転しながら通過した２次電子を加速する正の電圧を印加あるいは正の電圧を印加した電極を設けると共に加速された２次電子を衝突させて検出・増幅する２次電子検出器とを備える。 （もっと読む）

【課題】
走査型荷電粒子顕微鏡で撮像して得られる試料の画像について、ノイズ成分を低減させた高品質な画像を取得して画像処理の精度を向上させる。
【解決手段】
撮像条件や試料情報に基づいてビーム強度波形を計算し、また、ビーム強度波形以外による分解能劣化要因も劣化モデルの対象として画像復元を行うことにより、様々な条件において高分解能な画像を取得することを可能とした。さらに、半導体検査および半導体計測用の走査型荷電粒子顕微鏡において、画像復元後の画像を用いてパターン寸法計測、欠陥検出、欠陥分類等に用いることにより、計測精度向上や欠陥検出、欠陥分類の高精度化を可能とした。 （もっと読む）

【課題】ＳＴＥＭ等の走査型荷電粒子顕微鏡を用いた断面形状計測を１回のサンプル作成で複数の断面について行うことができるようにしたパターン寸法計測方法及びそのシステムを提供することにある。
【解決手段】走査型荷電粒子線顕微鏡を用いて、計測対象パターンの３次元断面形状計測を行うパターンの計測方法であって、収束荷電粒子線の焦点位置を前記計測対象パターンの所望の断面に合せてｚ方向に対して順次変化させ、それぞれの焦点位置での前記計測対象パターンの透過電子画像若しくは散乱電子画像を取得し、それぞれの焦点位置で取得した透過電子画像若しくは散乱電子画像を処理して、該それぞれの焦点位置での電子画像内での計測対象パターンのエッジ位置を算出し、該算出されたそれぞれの焦点位置での電子画像内の計測対象パターンのエッジ位置とそれぞれの焦点位置との組み合わせに基づいて、計測対象パターンの３次元断面形状計測を行うことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】一台で、測長と欠陥検査が可能な走査型電子顕微鏡を提供する。
【解決手段】参照パターン７６を写した参照画像５２を記憶する参照画像記憶部と、参照画像５２に基づいて、参照パターン７６とパターンマッチングする検査パターン８５が写った検査画像８４を撮影する検査画像撮影部と、前記検査画像８４を用いて検査パターン８５の測長を行う測長部と、参照画像５２と検査画像８４とを比較して、検査パターン８５の内または外の欠陥検査を行う欠陥検査部とを有する。 （もっと読む）

【課題】光学顕微鏡による観察面の直接観察では発見しにくい、平坦で特徴の少ない面内の極小領域に規則性を持って点在する試料であった場合に、アライメントを容易にする。
【解決手段】走査電子顕微鏡の試料室外もしくは試料室内に、走査電子顕微鏡の観察面に対して斜め方向に光を照射して反射光を検出する光学顕微鏡ユニット２４を設ける。アライメントの際には、複数ある観察対象部位から任意に選択した観察対象部位で、電子顕微鏡の観察面とは異なる端面を斜めから観察した光顕画像を撮影する。撮影した画像をテンプレートマッチングの手法を用いて解析し、実画像上における観察位置の座標情報を推定する。 （もっと読む）

【課題】真空チャンバの外部からの外光を遮断しつつ、走査光学系の光ビームを真空チャンバ内部に導いて試料上を走査することが可能となる真空チャンバ装置を提供する。
【解決手段】真空チャンバの内部に設けられ、試料を載置し、任意の方向に移動可能とする真空試料ステージ部と、真空チャンバの外部に配置され、試料を走査するための走査ビームを出射、偏向する走査光学系と、真空チャンバと走査光学系とを連結するとともに、真空チャンバ内部へ入射する外光を遮光する外光遮光手段と、真空チャンバと外光遮光手段との連結部分に設けられ、走査ビームが透過可能な内部観察用手段と、走査光学系から出射された走査ビームを、外光遮光手段及び内部観察用手段を介して真空チャンバの内部に導く走査ビーム折り返し手段と、を有する。 （もっと読む）

【課題】表示された倍率と、実倍率とに、矛盾が生じないよう調整する静電潜像測定方法、静電潜像測定装置、画像形成装置、潜像担持体、静電潜像測定プログラム及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体を提供する。
【解決手段】荷電粒子銃１１、アパーチャ１２、１２Ａ、コンデンサレンズ１３、ビームブランカ１４、ビーム偏向手段１５、対物レンズ１６、荷電粒子ビーム駆動部３１、排気手段３３、コンピュータ４０、第１の光源である半導体レーザ１７、コリメートレンズ１８、アパーチャ１９、「結像レンズ」を構成するレンズ２１、２２、２３、半導体レーザ駆動部３２、荷電粒子捕獲器２４、荷電粒子検出部２５、信号処理部２６、試料載置台２８、試料ＳＰ、除電用の発光素子２９（第２の光源、ＬＥＤ）、ＬＥＤ駆動部３５、試料台駆動部３４を主な構成とし、対物レンズ１６の屈折力、若しくは印加電圧に合わせて倍率を表す表示を変える。 （もっと読む）

【課題】試料表面の電位を一定にして精度よく試料を測定することのできる電子ビーム寸法測定装置及び電子ビーム寸法測定方法を提供すること。
【解決手段】電子ビーム寸法測定装置は、電子ビームを試料の表面に照射する電子ビーム照射手段と、試料７を載置するステージ５と、試料７と対向して配置する光電子生成電極５２と、紫外光を照射する紫外光照射手段５３と、紫外光照射手段５３に紫外光を所定の時間照射させて試料７及び光電子生成電極５２から光電子を放出させ、光電子生成電極５２に試料７が放出する光電子のエネルギーと光電子生成電極５２が放出する光電子のエネルギーとの差に相当するエネルギーを供給する電圧を印加して、試料７の表面電位を０［Ｖ］にする制御手段２０とを有する。前記制御手段２０は、試料７の表面の電位を一定にした後、試料７の寸法測定を行う。 （もっと読む）