【課題】 視野が大きい写像投影型の欠陥検査装置及びリソグラフィ装置において、ビーム電流を大きくできるようにする。
【解決手段】 電子銃１からの１次電子線は、コンデンサレンズ２、開口（ＮＡ）３、照射レンズ４、対物レンズ５を介して試料６の表面に照射される。電子線は、光軸から離れるほど収差が大きくなるが、対物レンズ５の内部に配置されたＭＯＬ偏向器７及び軸対称電極８によって適切な電界又は磁界を与えることにより、対物レンズの軸の平行移動ができるので、広い視野を得ることが可能となる。対物レンズを通過した２次電子像の正の軸上色収差は、色収差補正器１２により生じる負の軸上色収差で補正される。これにより、ＮＡを大きくすることができるので、同一の解像度を得る場合であってもビーム電流を大きくすることができ、高スループットの評価を行うことができる。 （もっと読む）

【課題】高加速電圧で収差補正機能を備えた荷電粒子線装置を提供する。
【解決手段】荷電粒子線源と該荷電粒子線源から荷電粒子を引き出すための引き出し電極と荷電粒子線の収束手段を含む荷電粒子線銃と、該粒子線銃から放出された荷電粒子線を加速する加速手段と前記粒子線銃と加速手段の間に収差補正手段を設けて、引き出し電位あるいは、それとほぼ同等の加速初期段階のビームに、試料面上での粒子線プローブの収差をキャンセルするだけの収差を与えることにより上記課題を、解決する。 （もっと読む）

【課題】 試料上での微少領域を荷電粒子ビームで走査する際に、荷電粒子ビームの走査幅の校正を正確に行うこと。
【解決手段】 試料室内に配置された試料１５上に荷電粒子ビーム１を走査し、これにより試料表面のビーム走査像を取得するとともに、試料室内に設けられたプロービング機構２３のプローブ７を試料１５上で走査し、これにより試料表面のプローブ走査像を取得する顕微装置における荷電粒子ビームの走査幅校正方法において、プローブ７の走査移動量をビーム走査像に基づいて検出し、また当該プローブの走査移動量をプローブ走査像に基づいて検出し、検出された双方の走査移動量を比較し、その比較結果に基づいて荷電粒子ビームの走査幅の校正を行う。 （もっと読む）

【課題】 誘電体の表面に生じている電荷分布あるいは電位分布をミクロンオーダーの高分解能で計測する装置を提供する。
【解決手段】 表面電荷分布または表面電位分布を有する試料２３を照射する荷電粒子ビームを発生させる荷電粒子発生手段１４と、該荷電粒子発生手段からの荷電粒子ビームで試料２３上を走査する走査手段２２と、荷電粒子ビームを試料２３上に集束させるレンズ手段２４と、走査手段２２による荷電子ビームの照射によって試料２３の表面から得られる荷電粒子を検出する信号検出手段１３とを備える。レンズ手段が少なくとも一つの静電レンズ手段２４を有する。 （もっと読む）

電子ビームを照射して、所望のパターンが形成された試料の表面を観察する試料観察装置であって、電子ビームを試料の表面に照射する電子銃と、電子ビームが試料の表面に照射されることにより、試料から生じる電子を検出する電子検出部と、電子検出部が検出した電子に基づいて、試料の表面上の位置と、当該位置に対応して電子検出部が検出した電子量との関係を示す信号プロファイルを生成する状態取得部と、試料の表面上のそれぞれの位置における、信号プロファイルの２階微分値を算出する微分器と、信号プロファイルの２階微分値に基づいて、試料の表面に設けられたパターンのエッジの位置を算出するエッジ位置算出部とを備える試料観察装置を提供する。
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【課題】異なる倍率レンジを有する複数の撮像装置を使用する試料表示装置において、各撮像装置間の位置合わせ作業を容易に行えるようにする。
【解決手段】試料表示装置は、表示可能な倍率範囲の異なる複数の撮像部を備える試料表示装置であって、観察対象の画像を所定の倍率範囲で撮像可能な第１撮像部と、同一の観察対象について、第１撮像部と異なる倍率範囲で撮像可能な第２撮像部と、第１撮像部又は第２撮像部で撮像した観察画像を表示するための表示部と、表示部に表示される第１撮像部で撮像した第１基準画像に基づき、第１撮像部で撮像される観察画像と第２撮像部で撮像される観察画像の位置合わせを行うために、少なくとも一方の観察画像に対して座標位置及び／又は大きさを調整する補正部９０と、補正部９０による位置合わせ作業の手順及び／又は補正項目の説明を表示する手順説明部７８とを備える。 （もっと読む）

【課題】電子線照射による形状・寸法変化が生じる試料において、最適な測定条件を迅速にかつ簡便に決定する。
【解決手段】測定条件を変えて寸法の測定を反復する。シュリンク量と測定再現性が予め設定された基準値を見たすまで、加速電圧等の測定条件を変化させて測定を実施し、最適な測定条件を探す。 （もっと読む）

【課題】
電子線を照射し、その二次電子などを検出する検出系では高速で検出するには検出器の面積が重要なファクタである。現在の電子光学系、検出器の技術では一定以上の面積の検出器が必要で、面積に逆比例する周波数で制約を受け、２００Msps以上の検出は実質的に困難である。
【解決手段】
例えば必要面積４mm角、４mm角時の速度を１５０Mspsとして４００Mspsで検出するには、単体の高速な２mm角の検出器を４個並べ、それらを増幅後、加算してA/D変換する。又は、二次電子偏向器で順次８mm角の検出器に二次電子を入射させ、１００Mspsで検出、A/D変換後並べる。いずれも、４mm角の面積と４００Mspsの速度を達成可能である。
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【課題】
計測パターン形状ごとに，計測寸法差の評価，すなわち合わせ込みに必要なパラメータの算出と，該算出パラメータを用いた計測寸法差の合わせ込みを行う必要があった。
【解決手段】
走査型電子顕微鏡を用いてパターンの寸法を計測する方法において、表面にパターンが形成された試料に収束させた電子線を照射して走査し、収束させた電子線の照射により試料から発生する2次電子を検出して試料表面に形成されたパターンの画像を取得し、予め記憶手段に記憶しておいた装置間での画像プロファイルの特徴量を合わせこむためのフィルタパラメータ（関数）を読み出し、読み出したフィルタパラメータを用いて取得したパターンの画像から画像プロファイルを作成し、作成した画像プロファイルから前記パターンの寸法を計測するようにした。 （もっと読む）

【課題】本発明は、高空間分解能を用いて、サンプル（４）における蛍光マーカの位置を決定する方法について開示している。
【解決手段】このために、サンプル（４）は蛍光ビーム（１１）により照射され、サンプル（４）は粒子ビーム（３）により同時に走査される。走査中、マーカは、粒子ビーム（３）により照射され、照射されたマーカはもはや蛍光放射線を放出しないような方式で損傷を受ける。これは、蛍光放射線束の減少に繋がる。この減少は検出される。サンプルに関して粒子ビーム（３）の位置を認識することにより、マーカが損傷された瞬間が理解され、従って、サンプルにおけるマーカの位置が又、理解される。 （もっと読む）

【課題】 探針の交換の際に、試料に損傷を与えることのないプローブ装置を提供すること。
【解決手段】 試料情報を検出するための探針１と、先端部２ｂに探針１が保持される探針保持部材２と、探針保持部材２の基端部２ａを支持する支持部材３とを備えるプローブ装置５０において、探針保持部材２がその基端部２ａを支点として、試料情報の検出位置と試料１０からの退避位置との間で回動可能とされている。これにより探針１の交換を行う際には、探針保持部材２が上記退避位置において探針１の交換ができるので、試料１０に損傷を与えることがない。 （もっと読む）

【課題】走査型電子顕微鏡の撮像画像の画質を向上させる。
【解決手段】１次電子ビーム１０８を試料ウェハ１０６に照射する電子源１０１、加速電極１０２、集束レンズ１０３、偏向器１０４、対物レンズ１０５等と、試料ウェハ１０６から発生する放出電子信号１０９をサンプリングしてデジタル画像を取得する検出器１１０、デジタル化手段１１１等と、取得した前記デジタル画像の記憶、表示もしくは処理を行う画像メモリ１１６、入出力部１１８、画像生成部１１５、画像処理部１１４等とを備えた走査型電子顕微鏡に、前記記憶、表示もしくは処理されるデジタル画像の画素サイズよりも細かい間隔で放出電子信号１０９をサンプリングするサンプリング手段と、サンプリングされた放出電子信号１０９を元に画素サイズを大きくしてデジタル画像を生成する画像生成処理手段とを設ける。 （もっと読む）

【課題】従来困難とされていた凹凸の大きく激しい表面構造や試料内部に埋設された特定構造物と、この特定構造物とは深さの異なる深さに埋設された構造物との距離を測定し得るようにする。
【解決手段】試料２の内部に埋設された特定構造物としての配線パターンに到達し、特定構造物で反射して試料表面から脱出するに足る入射エネルギーで配線パターンを含む領域に荷電粒子としての電子ビームを照射して走査する。特定構造物で反射した反射ビームと試料表面から脱出する際に試料表面で放出させる二次電子ビームを検出し、特定構造物と、その特定構造物の埋設深さとは異なる深さに埋設された構造物との距離を測長する。 （もっと読む）

【課題】コンタクトホールの底や内部配線を観察できるようにする。
【解決手段】コンタクトホール１０２の観察では、絶縁物１０１の表面に正の帯電１０６を作り、この電界で二次電子１０４をホール内から吸引する。絶縁物に埋没した配線では、電子ビームを試料内に進入させ、配線の有無を表面の帯電量の変化として映し出し、これを観察する。具体的には、観察前に観察時の加速電圧と異なり、積極的に正または負の帯電を起こす加速電圧で試料表面を一定時間照射し、そののち観察に適した加速電圧に戻して観察する。 （もっと読む）

【課題】半導体試料等の表面に形成されたパターン等の体積減少を抑制、或いは減少に関わらず正確な測長を行う。
【解決手段】荷電粒子線を試料上で走査し、試料より放出された二次電子に基づいて、試料上に形成されたパターン等の線幅等を測長する荷電粒子線装置において、試料の物性に基づいて決定される照射密度を上回らないように前記荷電粒子線の走査線間隔を設定する。或いは予め記憶された近似関数に基づいて測長値を演算する。 （もっと読む）

【課題】 試料表面のチャージアップの影響を十分に軽減し、安定した走査画像を得ることができる走査型電子顕微鏡及び試料観察方法を提供する。
【解決手段】 走査型電子顕微鏡１は電子銃３Ａ，３Ｂを備え、電子銃３Ａから放出される電子ビームＢ_１は、電子銃３Ｂから放出される電子ビームＢ_２よりも高いエネルギーを有している。電子銃３Ａ，３Ｂから放出された電子ビームＢ_１，Ｂ_２は、ビーム曲げ機構８によって基板２に対する照射方向が一致するように曲げられ、更にアライメントコイル９及び対物レンズ１０を通り、走査コイル１１により走査されて基板２の同じ位置に照射される。このとき、基板２から放出された２次電子は検出器１５で検出され、この検出器１５の検出信号が画像処理部１６に送られ、画像処理部１６により基板２の走査画像が生成される。 （もっと読む）

【課題】高いコントラストで、アモルファスと結晶との差異を画像化して観察可能なＳＥＭ装置を提供する。
【解決手段】試料に対して電子顕微鏡を走査しながら観察を行う構成を有し、紫外光、Ｘ線の、少なくともいずれかを照射可能な、照射系１５を具備している二次電子像観察装置１０を提供する。 （もっと読む）

【課題】電子カラムをモーショニングさせ、試料の動きを最小化することによって、従来の装置に比べ、装置を小型化することを目的とし、さらに、電子カラムを多重化し、モーショニングを可能にして使用することにより、短時間に多くの電子ビームで多くの単位表面積をスキャンして時間的にも有利な装置を提供することを目的としている。
【解決手段】電子ビームを放出する電子カラムと前記電子ビームが照射される試料間に相対運動を与えるモーショニング装置を提供する。このモーショニング装置は、試料に電子ビームを放出するマルチマイクロカラム；前記マイクロカラムを支持する支持部；および前記支持部を動かして前記マイクロカラムを移動させる駆動手段；前記試料を低真空または高真空に維持するための真空室；を含む。 （もっと読む）

【課題】半導体装置や液晶等の基板欠陥検査において、基板全面の電気抵抗および電気容量の分布や傾向を短時間に求めることが可能な検査方法を提供する。
【解決手段】半導体ウエハ等の被検査基板９に荷電粒子ビーム１９を照射して、発生した二次電子や後方散乱電子を検出器２０に取り込み、取り込んだ電子数に比例した信号を発生させ、その信号をもとに検査画像を形成させる。一方で、荷電粒子ビームの電流値および照射エネルギー、被検査基板表面での電場、二次電子および後方散乱電子の放出効率等を考慮し、検査画像と一致させるように電気抵抗や電気容量を決定する。電子ビーム照射による帯電を利用し、正常部と欠陥部の電気抵抗値の差を十分増大させた状態で電位コントラスト像を取得して検査を行い欠陥を検出する。このようにして電気抵抗や電気容量を見積もり、基板製造過程の早期に異常対策処理を講じることで基板不良率を低減して生産性を高められる。 （もっと読む）

【課題】
本発明の目的は、試料上の帯電によって生ずる荷電粒子線装置のフォーカスずれ，倍率変動，測長値誤差を低減するに好適な荷電粒子線照射方法、及び荷電粒子線装置の提供にある。
【解決手段】
上記目的を達成するために本発明では、荷電粒子線の搬入機構によって搬入される試料の通過中に、試料上の電位を測定する静電電位計によって試料上の電位分布を計測する手法を提案する。また、試料上の特定箇所の局所帯電を計測し、その帯電量から大域帯電量分を分離して計測する手法を提案する。更に、特定箇所の帯電量を、少なくとも２つの荷電粒子光学条件で計測し、特定箇所の帯電量変化に伴う荷電粒子線を用いた寸法測定値の変化を計測し、この変化に基づいて測長値、或いは倍率を補正する手法を提案する。 （もっと読む）