【課題】正確なドーズ量制御を実現できるイオン注入方法を提供する。
【解決手段】ウエハ１７へのイオン注入中に、イオンビーム電流を計測するとともに、真空ビームライン室２０または真空処理室３０内で動作する構造体の位置の変化に応じて変化する真空コンダクタンスの変化を求め、さらに上記真空ビームライン室または真空処理室内に設置された真空計２１で計測される１個所ないし複数個所の真空度の変化を検知し、上記求めた真空コンダクタンスと１個所ないし複数個所の真空度とを用いてイオンビーム電流量を補正し、ウエハに注入するドーズ量を制御する。 （もっと読む）

【課題】不純物導入層形成装置の静電チャックの性能劣化を抑制する。
【解決手段】静電チャック保護方法は、真空環境で揮発性を有する物質を含む異物の付着を妨げるための保護表面２３を、露出されたチャック面１３に提供することと、チャック面１３に静電吸着された基板Ｗに、真空環境で揮発性を有する物質を含む表層を形成するプロセスを実行するために、保護表面２３を解除することと、を含む。保護表面２３は、チャック面を取りまく真空環境に低真空排気運転を実施しているときに提供されてもよい。 （もっと読む）

【課題】材料ガスの効率的な使用を可能とするイオン注入装置を提供する。
【解決手段】イオンソースチャンバ２内のアークチャンバ３内に導入された材料ガスをイオン化し、イオン化したイオンを半導体基板に注入する際に、前記イオンソースチャンバ２内のガスを真空ポンプ２０によって排気する。排気されたガスの一部は廃棄ガス流路３１を介して除害装置２１に導き、無害化して大気放出する。残りは環流ガス流路３３を介して前記イオンソースチャンバ２に戻して再使用する。 （もっと読む）

【課題】封止リングの劣化を検知する。
【解決手段】封止リング１１は、環状の本体部１５と、本体部１５に埋設された導線１３と、を有し、導線１３の両端部１３ａ、１３ｂがそれぞれ本体部１５外に引き出されている。導線１３の導通状態を検出し、この検出結果を判定することにより、封止リングの劣化を検知することができる。 （もっと読む）

【課題】 インライン方式に相当する使用においてイオンビーム供給装置のメンテナンス
を行う際、他の処理室に悪影響を与えることなくメンテナンスを行うことができるイオン
ビーム照射装置を提供する。
【解決手段】 このイオンビーム照射装置は、互いに直列に接続された複数の処理室に、
リボン状のイオンビームをそれぞれ供給して、基板の搬送と協働して、各基板の全面にイ
オンビームをそれぞれ照射する複数のイオンビーム供給装置を備えていて、複数の処理室
とビームラインの間には、複数の真空弁を備えていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＢＦ_３を原料ガスとするイオン注入を実施した後に、タングステンＷで構成される引き出し電極のスリット間のＷ堆積物を除去するため、複雑なパラメータ設定あるいは機構、クリーニング用ガスの導入系を別途設けることなく、原料ガスを用いたクリーニングを可能とするイオン注入装置のクリーニング方法及びそのための機構を有するクリーニング装置を提供する。
【解決手段】原料ガスであるＢＦ_３をイオン化し、Ｗ堆積物にＦイオンを作用させ、ＷＦｘとし、さらに気化電離したＷの正イオンを引き出し電極に正電位を印加して再付着を防止して排気系より排気する、あるいは、ＢＦ_３をイオン化することなく、Ｗ堆積物に加熱下接触させた後、Ｆを含まないガスをイオン化し、ガス中の重元素のイオンを処理後のＷ堆積物に衝突させて剥離除去する。 （もっと読む）

【課題】ランニングコストの削減、高速化、耐久性の向上を図ったイオンドーピング装置を提供する。
【解決手段】弁体２３の駆動手段としてトグルリンク機構１０を採用する。トグルリンク機構１０は、受渡部２の直下に配置し、タイバー１４を上昇させ、固定ダイ１２を受渡部２の底部に当接させ固定する。固定ダイ１２を受渡部２の底部に固定した後、テールストック１３を所定の位置まで引き上げ、トグルリンク１６を伸長させることで移動ダイ１５を上昇させることでロッド１１を弁体２３まで上昇させ、ロッド１１を弁体２３に固定する。以降、トグルリンク１６の伸縮によって弁体２３を昇降させ、被照射体の処置室への導入出を行う。 （もっと読む）

イオン注入システム（１００）、および、これに関連する方法は、鉛筆状イオンビームを走査してリボン状イオンビーム（１１０）を形成するように構成された走査装置と、第１の方向を有する該リボン状イオンビームを受け、このリボン状イオンビームを曲げて第２の方向に進めるように構成されたビーム曲げ部材（１１２）とを備えている。本システムは、第２の方向に進む該リボン状イオンビームを受け、また、加工対象物（１０４）を該リボン状イオンビームを注入するために固定するように構成された、該ビーム曲げ部材の下流に位置するエンドステーション（１０２）をさらに備えている。さらに、本システムは、該ビーム曲げ部材の出射開口部においてリボン状イオンビームのビーム電流を測定するように構成された、該ビーム曲げ部材の出射開口部に配置されたビーム電流測定システム（１２２、１２４、１０６）を備えている。
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【課題】イオン注入装置等に用いられる機械的走査機構のための真空シール装置を提供する。
【解決手段】真空チャンバ２４内のワークピースホルダー１０を支持する可動部材（シャフト）１１を、真空チャンバ壁に設けたシールプレート２１の開口を通じて真空チャンバ外に延在させる。前記開口を真空シールするとともに、前記可動部材１１を注入角（チルト角）の設定のためにＸ軸の周りに回転させること、およびＹ方向の機械的走査のために往復運動させることを可能にする差動排気非接触真空シール（空気軸受）を設け、大気圧が前記可動部材１１に対して作用する方向がＸ軸方向と一致するようにした。 （もっと読む）

【課題】イオン注入装置において、ウエハホルダーを機械的走査するために用いられる真空シール構造を提供する。
【解決手段】ウエハホルダー１８０の走査アーム６０は直交する二方向（ＸＹ方向）に移動される。真空チャンバー壁に取り付けられたロータリープレート５０に対して、摺動部材（スレッジ）がＹ方向に往復移動される。アーム６０はリニアモーター９０Ａ，ＢによってＸ方向に往復移動される。アーム６０はジンバル型エアベアリングを用いてスライド１００に対して片持梁支持される。フィードスルー１３０は真空シール及び摺動のためのガイドとして機能する。 （もっと読む）

シーリングシステムが開示されている。１つのこのようなシーリングシステムは、第１の真空チャンバ及び第２の真空チャンバを含む。シーリングシステムは、近接端及び遠位端を有する第１のシーリングユニットを含み、第１のシーリングユニットの近接端は第１の真空チャンバ上に設置されている。シーリングシステムは遠位端及び近接端を有する第２のシーリングユニットを含み、第２のシーリングユニットの遠位端は第１のシールユニットの遠位端上に設置されており、第２のシーリングユニットの近接端は第２の真空チャンバ上に設置されている。シーリングユニットの一方は凹面形状であり、他方は凸面形状である。シーリングシステムは第１のＯリング、第２のＯリング及び第３のＯリングも含む。
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原子または分子イオンビームの生成に用いられる、デュアルポンプモードを有するイオン注入装置、および、その方法が開示される。１つの特定の例示的実施形態では、イオンビーム種に対応するイオンビーム源ハウジング内の圧力を制御するイオン注入装置が提供される。イオン注入装置は、イオンビームの生成に用いられる複数のイオン種を有するイオンビーム源ハウジングと、イオンビーム源ハウジングからガスを抜くポンプ部と、イオンビームの生成に用いられる複数の種のうちの一種に対応するポンプパラメータに従いポンプ部を制御するコントローラと、を備える。 （もっと読む）

【課題】イオン注入の際、イオン衝撃によりスパッタが堆積するのを減少させ、メインテナンスの時期を長くする。
【解決手段】冷却トラップ200は、堆積する材料を引き付ける材料で、例えば、テクスチャやノンテクスチャのアルミニウム、グラファイト、多孔アルミニウム、シリコンカーバイド又はシリコンカーバイドフォームを含む。冷却トラップ200は、ファラディフラッグアッセンブリ100’の下に配置される。オープンカップ212は、高温の上部領域213と、比較的低温の下部領域214を有し、冷却液を使用する閉ループ冷却システム210によって冷却される。オープンカップの表面220は、刻み目のある表面であり、トラップ表面220に集めて薄膜を作ることによって、フィルムスパッタ211の層間剥離や、イオン注入室22内の他の表面への堆積を減少させる。 （もっと読む）

【課題】配管を設けることなく排気を必要とする箇所にクライオポンプを直接に取り付けでき、該オポンプの持つ大きな排気速度を十分に発揮させて、価電変換したイオン割合を高率に低減したイオン注入すること。
【解決手段】イオン源から引き出したイオンビームをレジストが塗布された基板を設置したエンドステーション１５に導くビームラインケース２の途中にクライオポンプ１を設けて、レジストから放出されたガスを差動排気することにより該ケース２内の圧力を低下して、イオンの衝突による価電変換したイオン割合を十分の１以下に低減してイオンを注入する。クライオポンプ１は、ビームラインケースの側面に設けられたビームライン中心軸１０と交差する方向に伸びる超低温に冷却されたシールド６と、シールドの内側に同方向に配置された該シールドと連結したバッフル９と、シールドとバッフルとの間に同方向に多段複数列に配置された極低温に冷却されたクライオパネル８とを備える。 （もっと読む）

フォトレジストのアウトガスによる影響を低減する技術を開示する。１つの特定の例示的な実施形態では、この技術は、イオン注入装置におけるフォトレジストのアウトガスによる影響を低減する装置として実現されうる。この装置は、エンドステーションと上流のビームラインコンポーネントとの間に位置付けられるドリフト管を含みうる。装置は更に、ドリフト管とエンドステーションとの間の第１の可変アパーチャを含みうる。装置は更に、ドリフト管と上流のビームラインコンポーネントとの間の第２の可変アパーチャを含みうる。第１の可変アパーチャ及び第２の可変アパーチャは、差動ポンピングを容易にするよう調節可能である。 （もっと読む）

イオン注入処理のための汚染軽減又は表面改質システムは、ガス源、コントローラ、弁、及び処理チャンバーを含む。ガス源は、大気性又は反応性のガスを弁に供給し、弁はコントローラによって制御される。弁は、処理チャンバー上又は周囲に配置され、処理チャンバーへのガスの流量及び／又は組成を調節する。処理チャンバーは、ターゲットウエハのようなターゲットデバイスを保持するとともに、ガスとイオンビームとの相互作用を可能にして、ターゲットウエハの汚染を軽減し、及び／又は、処理環境又はターゲットデバイスの既存の特性を改変してそれらの物理的状態又は化学的状態を変更する。コントローラは、イオンビーム中の汚染物の存在、又はその欠落、全圧又は分圧の分析に応じて、ガスの組成及び流量を選択及び調整する。
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【課題】 金属、半導体、絶縁物および有機物等の固体表面にクラスターイオンビームを照射し、該固体の表面に超親水性を付与する表面改質を行い、該固体表面でのアパタイト等のバイオ材料や有機材料の成長を促進することができるようにする。
【解決手段】 所定の加速電圧で加速された水クラスターイオンビーム、若しくは、酸素クラスターイオンビーム及びモノマーイオンビームを固体表面に照射することによって、該表面に接触角１５°以下の超親水性を付与する。 （もっと読む）