【課題】電界集中が容易で、電子放出能及びその均一性、安定性に優れ、かつ簡便で制御性が高いプロセスで作製できるナノ炭素材料を用いた電子放出素子、その製造方法、電子放出素子を用いた面発光素子を提供する。
【解決手段】強電界によって電子を放出する電界放射型の電子放出素子において、基板上に形成された複数の突起部よりなる３次元構造パターンを具備し、突起部の高さと隣接する突起部同士との間隙との比を１：２以上１：６以下とする。 （もっと読む）

【課題】電界放出素子を提供する。
【解決手段】ゲート電極ライン、カソード電極ライン及び電子放出源が形成された第１基板と、第１基板と対向して離隔配置されたものであって、アノード電極及び蛍光層が形成された第２基板と、第１基板と第２基板との間の領域を取り囲み、密封された内部空間を形成するサイドフレームと、を備え、第１基板は、第２基板と離隔する方向と垂直の第１方向に所定長さほど第２基板と外れるように配置されて、所定長さほど突出した領域にゲート電極ライン及びカソード電極ラインへの電圧印加のための背面端子部が形成され、アノード電極への電圧印加のためのアノード端子部は、一端がアノード電極と接触し、他端はサイドフレームの外側に露出されるように形成された電界放出素子。 （もっと読む）

【課題】電子放出電流の増大と、ビーム径の集束とを同時に実現する電子放出素子を提供する。
【解決手段】第１の絶縁層２の第１の側面２１に第１の低電位側電極４を、第２の側面２２に第１の高電位側電極５を配置し、第１の絶縁層２上に第２の絶縁層３を介して第２の低電位側電極６を配置し、さらに、低電位側電極６の上に第３の絶縁層７を介して第２の高電位側電極８を配置し、第１の低電位側電極４と第２の高電位側電極８との間隙９と、第１の高電位側電極５と第２の低電位側電極６との間隙１０とからそれぞれ電子放出を行う。 （もっと読む）

【課題】適度な電圧の印加により十分な電子放出量が得られる電子放出素子を提供する。
【解決手段】この発明によれば、第１電極と、第１電極上に形成され、絶縁体微粒子で構成された絶縁体微粒子層と、前記絶縁体微粒子層上に形成された第２電極と、を備え、前記絶縁体微粒子層は、第２電極側の表面に前記絶縁体微粒子層の層厚よりも深さが小さい凹部が形成され、第１電極と第２電極との間に電圧が印加されると、第１電極から供給される電子を前記絶縁体微粒子層で加速させて第２電極から放出させる電子放出素子が提供される。 （もっと読む）

【課題】高温プロセス後でも正反射率や拡散反射率の増大を抑制し、かつ膜厚バラツキに対して反射率特性が急変しないブラックマトリックスを提供する。
【解決手段】基板６上に形成されたブラックマトリックス５であって、ブラックマトリックス５は遷移金属酸化物と酸化ケイ素からなる、第１の膜１、第２の膜２、第３の膜３、第４の膜４をこの順で積層した４層で構成され、第１の膜の屈折率＝第３の膜の屈折率＜第２の膜の屈折率＝第４の膜の屈折率であり、第４の膜は全体が同一組成かつＴＥＭ写真で見たときに膜内に境界が認められることを特徴とするブラックマトリックス。 （もっと読む）

【課題】有機バインダのみに依存せずに機械的膜強度が確保でき、平坦形状が簡便に得られ膜内に気泡を抱え込むことがなく、また、ナノチューブ以外の不純物を必要以上に除去するような複雑なＣＮＴ精製工程を無くすことを可能とし、バンドル径増大による電子放出特性の劣化を軽減できるＣＮＴ膜を提供する。
【解決手段】本発明のカーボンナノチューブ（ＣＮＴ）及び粒子状不純物を含むＣＮＴ膜１２は、断面及び表面構造におけるＣＮＴ１２ａと粒子状不純物との面積比が０．５：９９．５〜４０：６０の範囲に設定されている。このようなＣＮＴ膜１２において、粒子状不純物を、ＣＮＴ１２ａを製造する際にＣＮＴ１２ａと共に得られる不純物で構成することができる。 （もっと読む）

【課題】電子放出素子の電子放出の効率を向上させるとともに素子の損傷を防止する。
【解決手段】非結晶質の電子供給層（４）と、電子供給層（４）上に形成された絶縁体層（５）と、絶縁体層（５）上に形成された上部電極（６）とを有し、電子供給層（４）と上部電極（６）間に電界が印加されたときに電子を放出する電子放出素子であって、
上部電極（６）と絶縁体層（５）が切り欠かれ電子供給層（４）が露出した凹部（７）と、上部電極（６）と凹部（７）上を覆って電子供給層（４）の露出面（４ａ）の縁部分（４ｃ）に接触し、さらに電子供給層（４）の露出面（４ａ）の内側部分（４ｂ）上で隆起して電子供給層（４）との間に空洞（８ｂ）を有するドーム形状（８ａ）となっている炭素層（８）とを有する。 （もっと読む）

【課題】 消費電力を低減した画像表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 一対の電極間に電子放出部を備える複数の電子放出素子を互いに接続する第一の配線と、第一の配線よりも高抵抗な第二の配線と、第二の配線を覆う絶縁層と、第一の配線と接続して絶縁層を覆う表面抵抗が１０^８Ω／□以上の抵抗膜とを有し、抵抗膜は第二の配線と重ならない部分で第一の配線と接続し、抵抗膜の第一の配線と接続する部分と第二の配線と重なる部分との間の長さＬが、抵抗膜の電子移動度μと、第一、第二の配線に供給される電位Ｖ１、Ｖ２と、Ｖ１及びＶ２が供給されている時間ｔとしたとき、（μ（｜Ｖ１―Ｖ２｜）ｔ）^１／２以上であることを特徴とする画像表示装置。 （もっと読む）

【課題】ＣＮＴ膜を用いながら均一で安定な放出電流を発生させ、良好なエミッション特性を得ることができるエミッタの製造方法及び該エミッタを用いた電界放出型冷陰極並びに平面画像表示装置を提供する。
【解決手段】エミッタの製造方法では、ガラス基板1０上に、複数のカーボンナノチューブ（ＣＮＴ）を含みエミッタ電極を構成するＣＮＴ膜１２を形成し、ＣＮＴ膜１２上に絶縁膜１３を介してゲート電極１６を形成し、ゲート電極１６及び絶縁膜１３に複数のゲート開口１７を形成し、ゲート開口１７内のＣＮＴを直立配向させる。 （もっと読む）

【課題】蛍光体粒子を用いた画像表示装置において、明るく、コントラストが高い画像を表示可能とする。
【解決手段】画像表示装置１００は、透光性を有する前面板１０１の内面側に複数の画素１０２が配置されて構成されている。各画素は、蛍光体粒子１０５が、該蛍光体粒子と同じ屈折率を有する背景媒質１０６中に分散した発光層１０４と、蛍光体粒子を励起して発光させる励起源１０３と、前面板と発光層との間に配置され、該前面板の内面に沿う方向に周期的な屈折率分布を有する屈折率分布構造１０７とにより構成されている。 （もっと読む）

【課題】発光層と回折素子の間に位置する中間層が、均一で平坦に作製することが可能な膜厚を有する一方、光の取り出し効率が高く、輝度ムラの低減化を図ることが可能となる表示装置を提供する。
【解決手段】発光層と回折素子の間に位置し、少なくとも１層以上の層で形成された中間層を備える表示装置において、
中間層は、膜厚が少なくとも５００ｎｍ以上、２０００ｎｍ以下で、平均屈折率が発光層の屈折率よりも大きく、
中間層の平均屈折率と中間層の膜厚との積で求められる値を中間層の光路長とするとき、該中間層の光路長が以下の式を満たす構成とする。


但し、
ｍ：０以上の整数
λ_０：真空中の波長
ｎ_ｍ：中間層の平均屈折率
ｄ：中間層の膜厚、
ｎ_Ｌ：発光層の屈折率 （もっと読む）

【課題】 消費電力を低減した画像表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 一対の電極間に電子放出部を備える複数の電子放出素子を互いに接続する第一の配線と、第一の配線よりも高抵抗な第二の配線と、第二の配線を覆う絶縁層と、第一の配線と接続して絶縁層を覆う表面抵抗が１０^８Ω／□以上の抵抗膜とを有し、抵抗膜は第二の配線と重ならない部分で第一の配線と接続し、抵抗膜の第一の配線と接続する部分と第二の配線と重なる部分との間の長さＬが絶縁層の厚さＴの５倍以上であることを特徴とする画像表示装置。 （もっと読む）

【課題】全白輝度を高くし、かつ全白色を得る上で好適な構造を有する発光基板及びその製造方法、並びにかかる発光基板を用いた画像表示装置を提供すること。
【解決手段】発光基板上の異なる色を発光する複数の蛍光体から目的とする白白の色度を得る際の輝度（Ｌ）と、各蛍光体の発光効率（Ｅ）の比（Ｅ／Ｌ比）が最も低い蛍光体を選択して、その上に設けられたメタルバック層の部分の光反射率をその他の蛍光体上に設けられた部分より高くする。 （もっと読む）

【課題】 第１基板１１の第２基板１２とは反対側に設けられた導電層１１０に接続された導電膜１１１と、第２基板１２に設けられた電極３０との電気的な接続の信頼性を向上する。
【解決手段】 導電膜１１１及び電極３０に接触している導電部材２００を備え、導電部材２００は、第２基板１２との間に導電膜１１１を挟んで導電膜１１１と接触している弾性部と、第２基板１２との間に電極３０を挟んで電極３０と接触している弾性部とを有する。 （もっと読む）

【課題】 電子放出特性に優れる電子放出素子および画像表示装置を提供する。
【解決手段】 モリブデンを含む電子放出膜を備える電子放出素子であって、前記電子放出膜の表面をＸ線光電子分光法により測定して得られるスペクトルにおいて、２２９±０．５ｅＶの範囲に第１のピークが存在し、且つ、２２８．１±０．３ｅＶの範囲にサブピークが存在することを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】光電子デバイス、太陽電池、及びフォトディテクタ等の光電子デバイスを構成するナノウィスカであって、III−Ｖ族半導体物質からなる幅の制御された複数のナノウィスカでの製造方法を提供する。
【解決手段】共鳴トンネルダイオード（ＲＴＤ）は、基板にシード粒子を付着させることと、該シード粒子を物質にさらし、その際物質がシード粒子と共にメルトを形成するように温度と圧力の条件を制御し、それによってシード粒子がコラムの頂上に乗ってナノウィスカを形成することからなる方法によって形成され、ナノウィスカのコラムはナノメートル寸法の一定の径を有し、コラムの成長の間上記気体の組成を変更し、それによってエピタキシャル成長を維持しながらコラムの物質組成をその長さに沿った領域で変更し、これによって各部分の物質の間の格子不整合がその境界におけるウィスカの径方向外向きの膨張によって調整される。 （もっと読む）

【課題】電子放出可能電圧を低電圧化し、消費電力の低減と長時間動作の安定化と可能にする電子放出素子を提供する。
【解決手段】本発明の電子放出素子１では、電極基板２と薄膜電極３との間に設けられた電子加速層４が、導電微粒子８と、導電微粒子８の平均径よりも大きい平均径の絶縁体微粒子７と、結晶性電子輸送剤９とを含み、結晶性電子輸送剤９は、結晶化している。よって、電子放出素子１における電流路の形成が容易になり、従来の電子放出素子に比べて低電圧での電子放出が可能となる。 （もっと読む）

【課題】 高い気密性を確保するとともに異常放電の発生を抑制する。
【解決手段】 絶縁性の第１基板１と、第１基板１に対向する絶縁性の第２基板２１と、第１基板１と第２基板２１との間に配された導電性枠体２３と、導電性枠体２３と第１基板１との間に設けられて、導電性枠体２３と気密に接合された導電層７と、導電層７と第１基板１との間に設けられて、導電層７と第１基板１とを気密に接合する絶縁層５と、で少なくとも構成された気密容器と、気密容器の内側に設けられた表示手段と、表示手段に接続された配線３と、電極８と、を備える表示装置であって、絶縁層５は、導電性枠体２３及び電極８から配線３を絶縁しているとともに、電極８から導電性枠体２３に向かって貫通している貫通孔６を有しており、導電層７は、貫通孔６を介して、電極８と接続している。 （もっと読む）

【課題】 板状のスペーサや板状のスペーサが当接している当接部材の破損などを抑制可能な表示パネルおよび画像表示装置を提供する。また、薄型、軽量化を実現可能な表示パネルおよび画像表示装置を提供する。
【解決手段】 前面板が接着された前面基板と、該前面基板と対向する面を備える背面基板と、該前面基板と該背面基板との間に、互いの長手方向が平行になるように設けられた複数の板状のスペーサと、を備える真空容器と、該背面基板の該前面基板と対向する面とは反対側の面に接着された、複数のライン状の固定部材と、を少なくとも備える表示パネルであって、該複数のライン状の固定部材の各々は、互いに所定の間隔を置いて、且つ、該複数のスペーサの前記長手方向に沿うように、該背面基板の前記面に剛性が異なる接着構造により接着されていることを特徴とする表示パネル。 （もっと読む）

【課題】 高精細に配列されるとともに、静電容量を低減しえる電子放出素子、それを用いた電子線装置及び画像表示装置の提供。
【解決手段】 基板の表面に設けられ、基板の表面に対して起立する側面と上面とを有する絶縁部材と、絶縁部材の上面に設けられたゲートと、ゲートと対向して絶縁部材の側面に設けられたカソードとを有し、絶縁部材のカソードが設けられた側面には、側面のカソードのゲートに対向する部分が位置する箇所と基板の表面から起立する箇所とを結ぶ直線より突出する部分を有する電子放出素子及びこれを用いた電子線装置、画像表示装置。 （もっと読む）