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Fターム[5C094DA13]の内容

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【課題】 半導体膜と画素電極の間に導電性材料を吐出して導電膜を形成する際に、導電性材料が半導体膜上から流出することを防止して、導電膜の十分な膜厚を確保することができるアクティブマトリクス基板の製造方法等を提供する。
【解決手段】 基板P上に、格子パターンの配線40,42と、配線40,42に囲まれた領域に配置された画素電極45と、画素電極45及び配線42に導電膜44を介して電気的に接続するスイッチング素子30と、を有するアクティブマトリックス基板20にであって、画素電極45と導電膜44とを電気的に接続する補助導通部50を備える。また、補助導電部50上の一部にバンク61を備える。
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【課題】 表示装置において、水分による劣化を防止し、製造時に下側の配線がエッチングによってダメージを受ける程度を軽減する。
【解決手段】 表示装置は、基板1と、有機平坦化膜8と、画素電極9と、発光層11と、発光層11の上側を覆うように配置され、さらに対向電極接続領域75にまで延在する対向電極12と、画素電極9に対して電気的に接続された状態で基板1の表面に配置されたトランジスタ素子2と、対向電極接続領域75に形成された外部端子引出用導電層14とを備える。対向電極接続領域75においては、対向電極12は、対向電極12の下側を覆う仲介導電層15を介して外部端子引出用導電層14と電気的に接続されている。有機平坦化膜8は、対向電極接続領域75の少なくとも表示領域73寄りの辺に沿って分断された箇所を有する。 (もっと読む)


【課題】 トランジスタ等の能動素子が安定に動作し、大画面化と長期にわたって安定した表示動作とを可能にする。
【解決手段】 陰極(222)と陽極(23)とに狭持され、基板(2)の上方に配置された電気光学素子と、電気光学素子を駆動する能動素子(24)と、陰極(222)及び陽極(23)のうち少なくとも一方と基板(2)との間に配置された誘電率が所定の値以下の絶縁材料からなる絶縁膜(283、284)とから電気光学装置(1)を構成する。 (もっと読む)


【課題】 微小な発光ダイオードなどの発光素子を基板上に配置した画像表示装置において、配線から不良素子のみを容易に電気的に切断することが可能な素子接続配線、画像表示装置及び配線切断方法を提供する。
【解決手段】 発光素子5Bと配線4Bを電気的に接続する接続部6Bに切断部7Bを形成し、切断部7Bに対してレーザー光線を照射することにより、切断部7Bの除去を行い、基板1上で回路を構成する配線4Bと発光素子5Bとの電気的接続を切断する。切断部7Bを発光素子5B、下層配線2および透明電極3Bなどの要素と重ならない箇所に形成することで、レーザー光を照射した際に、接続部6B以外の配線などに誤ってダメージが加わることを防止する。 (もっと読む)


【課題】 制限された空間を効率的に活用して、必要な画素回路を設計できる薄膜トランジスタを備える有機発光表示装置を提供する。また、前記有機発光表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 画素回路設計の空間的な限界を改善した有機発光表示装置及びその製造方法に関する。有機発光表示装置は、第1薄膜トランジスタ、第2薄膜トランジスタ、有機発光素子を備えており、第1薄膜トランジスタ及び第2薄膜トランジスタを通じて有機発光素子に駆動電流を印加して発生した赤色、緑色、及び青色の光によって画像を表示する。第1薄膜トランジスタの第1電極と第2薄膜トランジスタの第2電極とを一個のコンタクト部を通じて電気的に接続させることによって、接触部が画素領域で占める面積を減少させ、高解像度や画素回路の複雑化に伴う画素領域減少による画素回路設計の空間的な限界を改善することができる。 (もっと読む)


電気光学的ディスプレイ用のバックプレーン(100,200,300,400)は、パタン化金属箔を含み、この箔は、貫通して広がる複数の窓を有し、少なくとも側面を絶縁ポリマ材料(104,106,108)で被覆され、絶縁ポリマ材料(104,106,108)上に設けられた複数の薄膜電子素子(302,402)を有する。発明は、可撓性電子回路およびディスプレイに関する。さらに具体的には、本発明は、電気光学的媒体を使った回路およびディスプレイに関する。本発明はまた、曲面上の電気光学的ディスプレイの製造に関する。これらの曲面は、一次元または二次元に曲がることができる。本発明は、とりわけ、カプセル化された電気泳動媒体を使用する電気光学的ディスプレイに関るが、これに限定されるものではない。
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【課題】電気光学装置において、画素電極及びデータ線間に生じる容量カップリングの影響を極力排除するとともに、TFTの長期寿命化を図り、更には、積層構造を構成する各要素間の電気的接続を良好に実現することによって、より高品質な画像を表示する。
【解決手段】基板上に、データ線(6a)、走査線(3a)、画素電極(9a)及びTFT(30)が積層構造の一部をなして備えられている。この基板上には更に、TFT及び画素電極に電気的に接続された蓄積容量(70)と、データ線及び画素電極間に配置されたシールド層(400)と、前記画素電極の下地として配置された層間絶縁膜(43)とが、前記積層構造の一部をなして備えられている。このうちシールド層は略三角形の部分が設けられ、前記略三角形の部分も含めて窒化膜を含む。 (もっと読む)


【課題】 異なる着色層を重ねて遮光膜を形成する際にそれらの着色層の位置にバラツキが発生しても表示色にはバラツキが発生しないようにする。
【解決手段】 液晶層16を支持する基板12bと、基板12b上に形成された表示用ドット領域Dと、表示用ドット領域Dの周囲に設けられていて複数の色の着色層33B,33G,33Rを重ねることによって形成された遮光膜30とを有する液晶表示装置である。複数の着色層33B,33G,33Rの1つの着色層33Bの幅W0は他の着色層の幅W1よりも広く、その着色層33Bの幅方向の両縁は他色の着色層の両縁の外側に張り出している。各着色層33B,33G,33Rに関してアライメントズレが発生しても、遮光膜30の縁部分に在るのは青色33Bの1色に決められる。 (もっと読む)


【課題】横電界方式の液晶表示装置において、薄膜トランジスタ特性の変化に起因する表示不良及び画素電極と共通電極との間のショートに起因する表示不良を防止し、さらに、開口率を大きくする。
【解決手段】液晶表示装置10において、走査線20及び共通電極配線21を同層に、かつ、相互に平行に形成する。データ線24及び走査線20は層間絶縁膜26を介して共通電極27に覆われており、共通電極配線21は走査線20の片側に一本のみ形成されている。層間絶縁膜26は、有機膜と無機膜との積層からなり、走査線20上、データ線24上、共通電極配線21上及び薄膜トランジスタ上と、走査線20上、データ線24上、共通電極配線21上及び薄膜トランジスタ上の近傍と、に形成されている。 (もっと読む)


【課題】有機EL素子を用いた補助配線を備えたアクティブマトリックス型の表示装置において、補助配線と駆動回路とのショートを防止し、歩留まりの向上を図る。
【解決手段】基板2上に設けられた駆動回路と、駆動回路を覆う状態で基板2上に設けられた層間絶縁膜5と、駆動回路に接続された様態で層間絶縁膜5上に配列形成された有機EL素子ELと、層間絶縁膜5上における有機EL素子EL間に配置された補助配線6aとを有する表示装置1において、駆動回路を構成する配線のうち補助配線6aと略同電位の配線のみが、補助配線6aに重ねて当該補助配線と平行に配置され、補助配線6aの電位と最も電位差を有する電源線29および信号線25は、補助配線6aに重ねて平行に配置されていない。 (もっと読む)


【課題】 容易な構造で、有機絶縁膜からの水分の放出を防止できるアクティブマトリクス型表示装置を提供する。
【解決手段】 アクティブマトリクス型表示装置は、TFT2との電気的な接続を行なうためのコンタクトホール4aを含む有機絶縁膜4と、有機絶縁膜4の表面の少なくとも一部に形成された画素メタル電極7aとを備える。有機絶縁膜4は、隣り合う画素の画素メタル電極7aを互いに分離するように形成された第1溝部4bを含む。 (もっと読む)


有機発光ダイオード装置に基づいた構造要素の性能だけでなく開口率を向上するために、ディスプレイは、基板、基板に再近傍に形成された第1電極(130)、基板から遠い位置に形成された第2電極(160)および両電極の間に形成された、少なくとも1層の発光有機層(150)を備えている。光は、活性領域において発せられ、2つの電極のうちの1つを透過する。すなわち、第1電極はピクセル構造であり、かつ分離層(150)は隣接するピクセル間に形成されている。本発明に係るディスプレイでは、分離層(150)は、発光層(150)に光学的に結合しており、かつ、光学的に効果的な光散乱を有すると共に、開口率を増加する異質成分(180、190)を含むことを特徴としている。すなわち、分離層は、第1電極のピクセル構造に適合した微細構造を有しており、また第1電極上に形成されている。
さらに、本発明は、上記ディスプレイの製造方法にも関する。
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【課題】 少なくとも一方の基板上にダミー電極パターンを介してOD値2以上の有色パターンを形成して、基板界面での密着力を向上させた画像表示装置を提供する。
【解決手段】 少なくとも一方が透明な対向する2枚の基板の間に1種類以上の画像表示媒体を封入し、基板内に発生させた電界により画像表示媒体を移動させて画像を表示する画像表示板を具備する画像表示装置では、少なくとも一方の基板である基板1の、表示エリア内の領域11の各画素間の境界部に対応する隔壁13の直下位置および表示エリア外の領域14のドットスペーサの直下にダミー電極パターン12−3,17を形成し、これらダミー電極パターンの上部にOD値2以上の有色パターンであるブラックマトリクス16を形成した、ブラックマトリクス16の密着力を向上させた。 (もっと読む)


【課題】大面積液晶パネル状態で電気的な不良検査を遂行できる電極構造を有する液晶パネル、液晶パネルの検査装置及びこれを用いた液晶表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】互いに垂直に交差して形成された複数個のゲートライン50及びデータライン60を含んでなる多数の単位基板領域100aを備える基板100と、前記基板の側端部に列と行とに形成された第1、第2金属ラインと、前記複数個のゲートラインを短絡させ、前記第2金属ライン123と電気的に連結された列短絡バー120と、前記複数個のデータラインを短絡させ、前記第1金属ライン121と電気的に連結された行短絡バー122を含んでなることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】有機EL素子を用いたトップエミッション方式の表示装置において、有機EL素子よりも下層への光照射による回路素子の特性変動を防止し、画質の向上を図ることを目的とする。
【解決手段】基板2上に設けられた駆動回路と、この駆動回路を覆う状態で基板2上に設けられた層間絶縁膜5と、層間絶縁膜5上に配列形成された有機EL素子ELとを有し、有機EL素子ELにおける発光光hを基板2と反対側から取り出す構成の表示装置1において、有機EL素子ELは、層間絶縁膜5に形成された接続孔5aを介して駆動回路に接続されると共に遮光性材料からなる下部電極6と、下部電極6上に順次積層された有機層8および上部電極9を備えており、駆動回路を構成する薄膜トランジスタTrが、下部電極6および下部電極6と同一層で構成された補助配線6aの下部のみに選択的に配置されていることを特徴としている。 (もっと読む)


【課題】 本発明は、材料の利用効率を向上させ、少ないフォトマスク数で、しきい値のずれが生じにくく、高速動作が可能なTFTを有する表示装置の作製方法を提供する。
【解決手段】 本発明の表示装置の一は、絶縁表面上に設けられたソース電極層、ドレイン電極層及び画素電極層を有し、ソース電極層及びドレイン電極層上に一導電型を有する半導体層を有し、一導電型を有する半導体層上に結晶性半導体層を有し、結晶性半導体層に接してゲート絶縁層を有し、ゲート絶縁層に接してゲート電極層を有し、ゲート絶縁層、ゲート電極層、及び画素電極層上に絶縁層を有し、ゲート絶縁層及び絶縁層は、ソース電極層またはドレイン電極層に達する第1の開口部、及び画素電極層に達する第2の開口部を有し、第1の開口部及び第2の開口部に、ソース電極層またはドレイン電極層と画素電極層とが電気的に接続する配線層を有する。 (もっと読む)


【課題】 表示装置内に残存する水分の拡散による有機EL素子の劣化を防止でき、これにより長期信頼性に優れた表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 支持基板2上に有機EL素子ELを配列形成してなる表示領域3と、表示領域3の周囲における支持基板2上に有機EL素子ELの駆動回路を設けてなる周辺領域4とを備えると共に、駆動回路が形成された支持基板2上の全域を覆う有機絶縁膜12が設けられた表示装置1において、有機絶縁膜12は、表示領域3を囲む位置において有機絶縁膜12部分を除去した分離溝aにより、内周部12aと外周部12bとに分離されている。 (もっと読む)


【課題】 ピクセル口径比(開口率)を増大し、静電容量性クロストークを減少させたTFTアレイ、およびそのTFTアレイを有するアクティブ・マトリックス方式の液晶ディスプレイ、および製造方法を提供すること。
【解決手段】 複数のコンタクト・バイアス35あるいは開口部を有するフォトイメージ形成型絶縁層をアドレス線5、7とピクセル電極3間に設け、両者を重複可能とする。この絶縁層により静電容量性クロストークを減少し、かつピクセル開口率を増加させる。望ましい一実施例では、クロストークを減少するために絶縁層の誘電率は約3.0未満である。 (もっと読む)


【課題】 液晶表示装置の薄膜トランジスタ基板及びその製造方法が開示されている。
【解決手段】 シリコン元素を含む基板、前記基板上に形成された拡散防止膜、及び前記拡散防止膜上に形成され、前記拡散防止膜形成物質が0.5〜15at%範囲で含まれた銅合金層を含んで形成される。前記拡散防止膜は、Zr、Ti、Hf、V、Ta、Ni、Cr、Nb、Co、Mn、Mo、W、Rh、Pd、Pt等のような化合物を50〜5000Å範囲で蒸着して熱処理して、シリサイド化合物に変換して製造する。銅合金配線を用いてトランジスタ基板を製造するので、低い抵抗と高い伝導度を具現することができる。又、薄い厚さの拡散防止膜と同じ元素を添加した銅合金と用いて銅配線を形成したので、同時エッチングが可能であり、後続工程で基板との相互拡散を防止することができる。
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【課題】 複雑な製造工程を経ずに配線や陰極での光反射を抑えてコントラスト向上を実現することができ、製造コストを抑えることもできる発光装置、及び当該発光装置を搭載した電子機器を提供すること。
【解決手段】 基板2を透過した入射光は、一部がハーフミラー14又は37で反射し、残りはこのハーフミラー14又は37を透過し、ソース配線17や陰極34で反射して戻ってくる。したがって、ハーフミラー14とソース配線17、ハーフミラー37と陰極34との距離をそれぞれ所定の距離にすることで、ハーフミラー14又は37で反射する光と、ソース配線17又は陰極34で反射する光とを干渉させて打ち消し合うようにすることができる。 (もっと読む)


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