有機発光表示装置及びその製造方法
【課題】 制限された空間を効率的に活用して、必要な画素回路を設計できる薄膜トランジスタを備える有機発光表示装置を提供する。また、前記有機発光表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 画素回路設計の空間的な限界を改善した有機発光表示装置及びその製造方法に関する。有機発光表示装置は、第１薄膜トランジスタ、第２薄膜トランジスタ、有機発光素子を備えており、第１薄膜トランジスタ及び第２薄膜トランジスタを通じて有機発光素子に駆動電流を印加して発生した赤色、緑色、及び青色の光によって画像を表示する。第１薄膜トランジスタの第１電極と第２薄膜トランジスタの第２電極とを一個のコンタクト部を通じて電気的に接続させることによって、接触部が画素領域で占める面積を減少させ、高解像度や画素回路の複雑化に伴う画素領域減少による画素回路設計の空間的な限界を改善することができる。
【解決手段】 画素回路設計の空間的な限界を改善した有機発光表示装置及びその製造方法に関する。有機発光表示装置は、第１薄膜トランジスタ、第２薄膜トランジスタ、有機発光素子を備えており、第１薄膜トランジスタ及び第２薄膜トランジスタを通じて有機発光素子に駆動電流を印加して発生した赤色、緑色、及び青色の光によって画像を表示する。第１薄膜トランジスタの第１電極と第２薄膜トランジスタの第２電極とを一個のコンタクト部を通じて電気的に接続させることによって、接触部が画素領域で占める面積を減少させ、高解像度や画素回路の複雑化に伴う画素領域減少による画素回路設計の空間的な限界を改善することができる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機発光表示装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、表示装置の役割は益々重要になり、各種電子表示装置は、様々な産業分野で広く使われている。
一般に、表示装置は、電気的な信号形態を有する情報を光学イメージ形態でユーザに伝達する装置で、ユーザと電子機器を結びつけるインターフェースとしての役割を果たしている。
【０００３】
このような表示装置において、情報を発光現象によって表示するものを発光型表示装置（ｅｍｉｓｓｉｖｅ ｄｉｓｐｌａｙ ｄｅｖｉｃｅ）といい、反射、散乱、干渉現象等による光変調を用いるものを受光型表示装置（ｎｏｎ-ｅｍｉｓｓｉｖｅ ｄｉｓｐｌａｙ ｄｅｖｉｃｅ）という。発光型表示装置としては、陰極線管（ＣＲＴ）、プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）、発光ダイオード（ＬＥＤ）及び有機発光表示装置（ＯＬＥＤ）等がある。これに対し、液晶表示装置（ＬＣＤ）、電気化学表示装置（ＥＣＤ）及び電気泳動表示装置（ＥＰＩＤ）等は、受光型表示装置に属する。
【０００４】
有機発光表示装置は、発光型表示装置であって、有機発光物質を励起して発光するようにして画像を表示する。有機発光表示装置は、アノード（正孔注入電極）とカソード（電子注入電極）、及び二つの電極の間に位置した有機発光層を備え、二つの電極からそれぞれ電子（ｅｌｅｃｔｒｏｎ）及び正孔（ｈｏｌｅ）を有機発光層内に注入させて、電子と正孔の結合による励起子を生成し、この励起子が励起状態から基底状態になる時に光を発する原理を利用する。
【０００５】
アノード、カソード及び発光層をそれぞれ備える有機発光表示装置の画素は、マトリクス状に配列され、能動マトリクス型（または単純マトリクス型）で駆動するか、手動マトリクス型で駆動する。
【０００６】
能動マトリクス型有機発光表示装置は、アノード、カソード及び発光層の他にも、スイッチングトランジスタ、駆動トランジスタ及びストレージキャパシタを備える。駆動トランジスタは、スイッチングトランジスタからデータ電圧を受信して、電源電圧等の所定の電圧とデータ電圧との差によって大きさが決定される電流を生成する。駆動トランジスタからの電流が発光層に注入されると、電流の大きさに比例する強さの発光が起こり、駆動トランジスタは、発光状態を維持するために継続して電流を生成する。
【０００７】
しかし、駆動トランジスタに長時間制御電圧を印加すると、時間経過に伴い駆動トランジスタのしきい電圧が変化し、このため駆動トランジスタが駆動する電流量が発光層の輝度を変化させる場合がある。これを改善するために、一つの画素に複数の薄膜トランジスタを使用することもできるが、その場合、画素回路が複雑になり、開口率が低下するという問題点がある。特に、解像度が高くなる場合、この開口率の低下は大きな問題となり得る。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
このような従来問題点を解決するための本発明の目的は、制限された空間を効率的に活用して、必要な画素回路を設計できる薄膜トランジスタを備える有機発光表示装置を提供することである。
【０００９】
また、本発明の他の目的は、前記有機発光表示装置の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の一実施形態に係る有機発光表示装置は、有機発光素子、互いに分離されている第１乃至第３信号線、並びに前記第３信号線及び前記有機発光素子と接続されている第１薄膜トランジスタと前記第１及び第２信号線に接続されている第２薄膜トランジスタを有する複数の薄膜トランジスタを備え、前記各薄膜トランジスタはそれぞれ第１電極と第２電極を有し、前記第１電極と前記第２電極は前記第１絶縁層に備えられている第１コンタクトホール（接触孔）を通じて電気的に接続される。
【００１１】
前記第１及び第２電極は、各々前記第１絶縁層の下及び上に位置し、前記第２電極は、第２絶縁層で覆われており、前記第２絶縁層は、前記第２電極の少なくとも一部と前記第１コンタクトホールを露出させる第２コンタクトホールを有することができる。
【００１２】
前記第２コンタクトホールの内部で、前記第１電極と前記第２電極は重畳することができる。
前記第２コンタクトホールは、前記第１電極周縁の前記第１絶縁層部分を露出させることができる。
【００１３】
前記第１及び第２コンタクトホールを通じて、前記第１電極及び前記第２電極と接続されている接続部材を更に備える表示装置。
前記第２電極から前記第１電極まで階段状の傾斜が形成されていることができる。
【００１４】
前記有機発光素子は、前記第２薄膜トランジスタに電気的に接続されている画素電極、前記画素電極上に形成されている発光部材、及び前記発光部材に形成されている対向電極を備えることができる。
【００１５】
前記接続部材は、前記画素電極と同一層からなることができる。
前記発光部材は、有機物質からなることができる。
前記有機発光表示装置は、前記画素電極上に前記発光部材を閉じ込める隔壁を更に備えることができる。
【００１６】
前記第１及び第２薄膜トランジスタは、それぞれ前記第２電極と前記第１電極を備えることができる。
前記第１薄膜トランジスタは、前記第１及び第２信号線にそれぞれ接続されている第３及び第４電極を更に備えることができる。前記第１薄膜トランジスタは、前記第２信号線を通じて前記第４電極に印加されたデータ信号を前記第１信号線を通じて、前記第３電極に印加されたタイミング信号に従って前記第２電極に出力することができる。前記第２薄膜トランジスタは、前記第３信号線に接続されている第５電極と、前記有機発光素子に接続されている第６電極とを更に有することができる。前記第２薄膜トランジスタは、前記第１電極に印加された前記データ信号のレベルに対応して、駆動電流を前記第６電極に出力する。
【００１７】
前記有機発光素子は、前記第２薄膜トランジスタから前記駆動電流の提供を受ける第１表示電極、前記第１表示電極に接続されている有機発光部材、及び前記有機発光部材と接続されている第２表示電極を有することができ、前記第１表示電極及び前記第２表示電極は、前記有機発光部材に電荷を提供し、前記有機発光部材は、前記提供された電荷によって発光することができる。
【００１８】
前記第３信号線は、電圧信号を伝達することができる。
前記有機発光表示装置は、前記第５電極と前記第６電極に両端が接続され、前記データ信号及び前記第３信号線からの電圧信号の差を保存及び維持するストレージキャパシタを更に備えることができる。
【００１９】
前記第１電極と前記第２電極は、前記第１コンタクトホールを通じて直接接触することができる。
前記第１絶縁層は、前記第１電極と前記第２電極との間に介在していることができる。
【００２０】
本発明の一実施形態に係る薄膜トランジスタ表示板は、基板と、前記基板上に形成されている第１導電層と、前記第１導電層上に形成されている第１絶縁層と、前記第１導電層上に形成されている第２導電層と、前記第２導電層上に形成されている第２絶縁層と、前記第１及び第２絶縁層に形成されて前記第１導電層の少なくとも一部と前記第２導電層の少なくとも一部を露出させる接触部と、前記接触部に形成されて前記第１導電層と前記第２導電層を接続する第３導電層とを備えることができる。
【００２１】
前記薄膜トランジスタ表示板は、有機発光表示板であることができる。
本発明の一実施形態に係る有機発光表示装置は、基板上に第１ゲート電極及び第２ゲート電極を形成する段階、前記第１及び第２ゲート電極上に第１絶縁層を形成する段階、前記第１絶縁層上に前記第１及び第２ゲート電極とそれぞれ対応する第１及び第２半導体を形成する段階、前記第１半導体上に互いに分離されている第１ソース電極及び第１ドレイン電極を形成すると同時に、前記第２半導体上に互いに分離されている第２ソース電極及び第２ドレイン電極を形成する段階、第２絶縁層を積層する段階、前記第２及び第１絶縁層をエッチングして、前記第２ゲート電極の少なくとも一部と前記第１ドレイン電極の少なくとも一部を露出させるコンタクトホールを形成する段階、及び前記コンタクトホールを通じて露出した前記第２ゲート電極部分及び前記第１ドレイン電極部分と接触する接続部材を形成する段階を含む。
【００２２】
前記有機発光表示装置の製造方法は、前記第２絶縁層上に前記第２ソース電極に接続する有機発光素子を形成する段階をさらに含むことができる。
前記第１ドレイン電極と前記第２ゲート電極は、互いに重畳することができる。
【００２３】
前記コンタクトホールの形成段階は、前記コンタクトホールのうち前記ドレイン電極の周縁に対応する第１部分と、前記コンタクトホールのうち前記ドレイン電極の周縁を除いた領域に対応し、前記第１部分より厚い第２部分とを有する感光膜を用いたフォトエッチング工程を実施する段階を含むことができる。
【００２４】
前記感光膜は、一つのマスクを用いた露光で形成することができる。
本発明の他の実施形態に係る有機発光表示装置の製造方法は、基板上に第１ゲート電極及び第２ゲート電極を形成する段階、前記第１及び第２ゲート電極上に第１絶縁層を積層する段階、前記第１絶縁層上に前記第１及び第２ゲート電極とそれぞれ対応する第１及び第２半導体を形成する段階、前記第１絶縁層に前記第２ゲート電極の一部を露出させるコンタクトホールを形成する段階、前記第１半導体上に互いに分離されている第１ソース電極及び第１ドレイン電極を形成すると同時に、前記第２半導体上に互いに分離されている第２ソース電極及び第２ドレイン電極を形成する段階、第２絶縁層を形成する段階、並びに前記第２ソース電極に接続される有機発光素子を形成する段階を含み、前記第１ドレイン電極は、前記コンタクトホールを通じて前記第２ゲート電極と接続される。
【発明の効果】
【００２５】
本発明によれば、一つのコンタクトホールを通じてスイッチングトランジスタのドレイン電極と駆動トランジスタのゲート電極を接続することによって、二つの電極の接続に必要な面積を減少させ、開口率を増加させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
以下、添付した図面を参照して、本発明の実施形態を、本発明が属する技術分野における通常の知識を有する者が容易に実施することができるように詳細に説明する。しかし、本発明は、多様な形態で実現することができ、ここで説明する実施形態に限定されない。
【００２７】
図面は、各種層及び領域を明確に表現するために、厚さを拡大して示している。明細書全体を通じて類似した部分については同一の参照符号を付けている。層、膜、領域、板などの部分が、他の部分の“上に”あるとする時、これは他の部分の“すぐ上に”ある場合に限らず、その中間に更に他の部分がある場合も含む。逆に、ある部分が他の部分の“すぐ上に”あるとする時、これは中間に他の部分がない場合を意味する。
【００２８】
次に、添付した図面を参照して本発明の実施形態に係る有機発光表示装置及びその製造方法について詳細に説明する。
まず、図１を参照して本発明の一実施形態に係る有機発光表示装置について詳細に説明する。
【００２９】
図１は、本発明の一実施形態に係る有機発光表示装置の等価回路図である。同図に示すように、本実施形態に係る有機発光表示装置２００は、複数のゲートバス線ＧＢＬ、複数のデータバス線ＤＢＬ、複数の電圧供給線ＰＳＬ、及びこれらに接続されてほぼ行列状に配列された複数の画素を備えている。
【００３０】
ゲートバス線ＧＢＬは、ゲート信号（走査信号ともいう。）を伝達し、主に行方向に延びて互いにほぼ平行である。
データバス線ＤＢＬは、データ信号を伝達し、主に列方向に延びて互いにほぼ平行である。
【００３１】
各画素は、ゲートバス線ＧＢＬ及びデータバス線ＤＢＬに接続されている、第１薄膜トランジスタとしてのスイッチングトランジスタＱ１、電圧供給線ＰＳＬ及びスイッチングトランジスタに接続されている、、第２薄膜トランジスタとしての駆動トランジスタＱ２とストレージキャパシタＣｓｔ、並びに駆動トランジスタＱ２に接続されている有機発光素子ＥＬを備える。
【００３２】
スイッチングトランジスタＱ１は、ゲート線ＧＢＬに接続されているゲート端子Ｇ１、データ線ＤＢＬに接続されているソース端子Ｓ１及びドレイン端子Ｄ１を備え、駆動トランジスタＱ２は、スイッチングトランジスタＱ１に接続されているゲート端子Ｇ２、有機発光素子ＥＬに接続されているソース端子Ｓ２、及び電圧供給線ＰＳＬに接続されているドレイン端子Ｄ２を備えている。ストレージキャパシタＣｓｔは、スイッチングトランジスタＱ１のドレイン端子Ｄ１及び駆動トランジスタＱ２のゲート端子Ｇ２と電圧供給線ＰＳＬ（または、駆動トランジスタＱ２のドレイン端子Ｄ２）に接続されている。
【００３３】
次に、このような有機発光表示装置の構造について図１と共に図２及び図３を参照して詳細に説明する。
図２は、図１に示した有機発光表示装置の配置図であり、図３は、図２に示す有機発光表示装置をＩＩＩ-ＩＩＩ線に沿って切断した断面図である。
【００３４】
図２及び図３に示すように、基板１０上に第１ゲート電極Ｇ１を有する複数のゲートバス線ＧＢＬ、複数の第２ゲート電極Ｇ２を有する複数のゲート導電体が形成されている。
ゲートバス線ＧＢＬは、主に横方向（行方向）に延びており、第１ゲート電極Ｇ１は、各ゲートバス線ＦＢＬから上方（列方向上方）に延びている。ゲート線ＧＢＬは、延長されて基板１０上に集積された駆動回路（図示せず）と接続することもでき、基板１０上に付着される可撓性印刷回路膜（ｆｌｅｘｉｂｌｅ ｐｒｉｎｔｅｄ ｃｉｒｃｕｉｔ ｆｉｌｍ）（図示せず）上に装着されたり、基板１０上に直接装着される外部の駆動回路と接続したり、他の層と接続するために、幅の広い端部を有することもできる。
【００３５】
第２ゲート電極Ｇ２は、ゲートバス線ＧＢＬと分離され、隣接する二つのゲートバス線ＧＢＬの間に位置する。第２ゲート電極Ｇ２は、下方向（列方向下方）に延びて、右側へと方向を変えて少し延びた後、再び上方（列方向上方）に向けて長く延びて維持電極ＳＥを構成する。
【００３６】
ゲート導電体ＧＢＬ、Ｇ２は、銀（Ａｇ）や銀合金等の銀系金属、アルミニウム（Ａｌ）やアルミニウム合金等のアルミニウム系金属、及び銅（Ｃｕ）や銅合金等の銅系金属、クロム（Ｃｒ）、チタニウム（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、モリブデン（Ｍｏ）及びこれらの合金等からなる導電膜を含む。しかし、これらは物理的な性質が異なる二つの導電膜（図示せず）を有する多層膜構造であってもよい。この場合、一つの導電膜は、信号遅延や電圧降下を抑制できるように、低い比抵抗の金属、例えばＡｌ系金属、Ａｇ系金属またはＣｕ系金属からなる。これに対し、もう一つの導電膜は、他の物質、特にＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ）及びＩＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ）との物理的、化学的、電気的な接触特性が優れた物質、例えばＣｒ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｔａまたはこれらの合金等からなる。このような組み合わせの例としては、Ｃｒ下部膜とＡｌ（合金）上部膜、Ａｌ（合金）下部膜とＭｏ（合金）上部膜などがある。
【００３７】
ゲートバス線ＧＢＬ及び第２ゲート電極Ｇ２の側面は、基板１０表面に対して傾斜し、その傾斜角は約３０〜８０°の範囲である。
ゲートバス線ＧＢＬ及び第２ゲート電極Ｇ２の上には、ＳｉＮｘ、ＳｉＯｘ等の絶縁体や、ＨｆＯ２またはＡｌ２Ｏ３等の高誘電体からなる第１絶縁膜２２０が形成されている。
【００３８】
第１絶縁膜２２０上には、水素化非晶質シリコン（非晶質シリコンは、ａ-Ｓｉと略称する。）または多結晶シリコン等からなる複数の第１及び第２島状半導体２３０、２４０が形成されている。第１島状半導体２３０は、第１ゲート電極Ｇ１上に位置し、第２島状半導体２４０は、第２ゲート電極Ｇ２上に位置する。
【００３９】
第１及び第２島状半導体２３０、２４０の上には、それぞれ複数の第１及び第２オーミックコンタクト部材２４２、２４４と複数の第３及び第４オーミックコンタクト部材２４６、２４８が形成されている。オーミックコンタクト部材２４２、２４４、２４６、２４８は、互いに分離されており、シリサイドまたはｎ型不純物が高濃度にドーピングされているｎ＋水素化非晶質シリコン等の物質からなる。
【００４０】
第１及び第２島状半導体２３０、２４０及びオーミックコンタクト部材２４２、２４４、２４６、２４８の側面も基板１１０表面に対して傾斜し、その傾斜角は３０〜８０°である。
【００４１】
オーミックコンタクト部材２４２、２４４、２４６、２４８及び第１絶縁膜２２０の上には、第１ソース電極Ｓ１を有する複数のデータ線ＤＢＬ、複数の第１ドレイン電極Ｄ１、複数の第２ソース電極Ｓ２、及び第２ドレイン電極Ｄ２を有する複数の電圧供給線ＰＳＬを備える複数のデータ導電体が形成されている。
【００４２】
データ信号を伝達するデータバス線ＤＢＬは、主に縦方向（列方向）に延びてゲートバス線ＧＢＬと交差し、他の層または外部装置との接続のために、面積の広い端部（図示せず）を有することができる。データ信号を生成するデータ駆動回路が基板１１０に集積されている場合、データバス線ＤＢＬが直接データ駆動回路に接続される。各データバス線ＤＢＬから第１オーミックコンタクト部材２４２の上に延びた複数の分岐が第１ソース電極Ｓ１を構成し、第１ドレイン電極Ｄ１は、第２オーミックコンタクト部材２４４の上に位置して第１ソース電極Ｓ１と対向する。ここで、第１ドレイン電極Ｄ１は、第２ゲート電極Ｇ２と重畳しているが、そうでない場合もある。
【００４３】
電源電圧Ｖｄｄを伝達する電圧供給線ＰＳＬは、各データバス線ＤＢＬと隣接した所に位置し、データバス線ＤＢＬと同様に縦方向に延びている。各電圧供給線ＰＳＬから第４オーミックコンタクト部材２４８の上に延びた複数の分岐が、第２ドレイン電極Ｄ２を構成し、第２ソース電極Ｓ２は、第３オーミックコンタクト部材２４６上に位置して第２ドレイン電極Ｄ２と対向する。一方、電圧供給線ＰＳＬは、維持電極ＳＥと重畳してストレージキャパシタＣｓｔを構成する。
【００４４】
第１ゲート電極Ｇ１、第１ソース電極Ｓ１及び第１ドレイン電極Ｄ１は、第１島状半導体２３０及び第１及び第２オーミックコンタクト部材２４２、２４４と共にスイッチングトランジスタＱ１を構成し、スイッチングトランジスタのチャンネルは、第１ソース電極Ｓ１と第１ドレイン電極Ｄ１との間の第１島状半導体２３０に形成される。第２ゲート電極Ｇ２、第２ソース電極Ｓ２及び第２ドレイン電極Ｄ２は、第２島状半導体２４０と第３及び第４オーミックコンタクト部材２４６、２４８と共に駆動トランジスタＱ２を構成し、駆動トランジスタのチャンネルは、第２ソース電極Ｓ２と第２ドレイン電極Ｄ２との間の第２島状半導体２４０に形成される。
【００４５】
データバス線ＤＢＬ、電圧供給線ＰＳＬ、第２ソース電極Ｓ２、第２ドレイン電極Ｄ２は、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｍｏ等の耐火性金属またはこれらの合金からなることができるが、これらも低い抵抗値の導電膜と接触特性が良い導電膜を有する多層膜構造であってもよい。多層構造の例としては、Ｃｒ/Ｍｏ（合金）下部膜とＡｌ（合金）上部膜の二重膜構造と、Ｍｏ（合金）下部膜、Ａｌ（合金）中間膜、Ｍｏ（合金）上部膜の三重膜構造がある。
【００４６】
データバス線ＤＢＬ、電圧供給線ＰＳＬ、第２ソース電極Ｓ２、第２ドレイン電極Ｄ２の側面もゲートバス線ＧＢＬ、第２ゲート電極Ｇ２と同様に、基板１０表面に対して傾斜し、その傾斜角は約３０〜８０°の範囲である。
【００４７】
オーミックコンタクト部材２４２、２４４、２４６、２４８は、その下部の各島状半導体２３０、２４０とその上部のデータバス線ＤＢＬ、第２ソース電極Ｓ２、電圧供給線ＰＳＬ、第２ドレイン電極Ｄ２との間にのみ存在し、接触抵抗を低くする役割を果たす。第１の島状半導体２３０は、データバス線ＤＢＬ、電圧供給線ＰＳＬ、第１ドレイン電極Ｄ１、第２ドレイン電極Ｄ２に覆われず露出する部分を有する。
【００４８】
データバス線ＤＢＬ、電圧供給線ＰＳＬ、第１ドレイン電極Ｄ１、第２ドレイン電極Ｄ２及び露出した第１及び第２島状半導体２３０、２４０部分の上には、第２絶縁膜３４０が形成されている。第２絶縁膜３４０は、窒化ケイ素または酸化ケイ素等の無機物、感光性（ｐｈｏｔｏｓｅｎｓｉｔｉｖｉｔｙ）を有するか、有しない有機物や、低誘電率絶縁物からなる。低誘電率絶縁物は、誘電常数が約４．０以下であることが好ましく、プラズマ化学気相蒸着（ＰＥＣＶＤ）で形成されるａ-Ｓｉ:Ｃ:Ｏ、ａ-Ｓｉ:Ｏ:Ｆ等がその例である。第２絶縁膜１８０は、下部無機膜と上部有機膜の二重膜構造を有することもできる。
【００４９】
第２絶縁膜３４０は、第２ソース電極Ｓ２を露出させる複数のコンタクトホール（接触孔）ＣＴ２を有し、第２及び第１絶縁膜３４０、２２０は、第２ゲート電極Ｇ２と第１ドレイン電極Ｄ１の重畳部で第１ドレイン電極Ｇ１の周縁部と第２ゲート電極Ｇ２を同時に露出させるコンタクトホールＣＴ１を有している。
【００５０】
第２絶縁膜３４０上には、ＩＺＯ、ＩＴＯまたはａ-ＩＴＯ（非晶質ＩＴＯ）等の透明な導電体からなる複数の画素電極３１０と複数の接続部材３０５が形成されている。
画素電極３１０は、コンタクトホールＣＴ２を通じて露出された第２ソース電極Ｓ２と物理的・電気的に接続され、ゲートバス線ＧＢＬとデータバス線ＤＢＬで囲まれた領域の殆どを占める。
【００５１】
接続部材３０５は、コンタクトホールＣＴ１内に位置し、第１ドレイン電極Ｄ１と第２ゲート電極Ｇ２を物理的・電気的に接続する。このように接続すべき二つの導電体、つまり第１ドレイン電極Ｄ１と第２ゲート電極Ｇ２とを重畳し、重畳部に一つのコンタクトホールＣＴ１を形成して、二つの導電体を同時に露出するので、第１ドレイン電極Ｄ１と第２ゲート電極Ｇ２にそれぞれコンタクトホールを形成して接続する場合に比べて、二つの導電体の接続に必要な面積が減少する。特に、有機発光表示装置の特性改善のためにトランジスタの数を増やす場合、トランジスタが占める面積が増加し、トランジスタの接続のための接触面積も増えて開口率の減少が伴い、解像度を向上させる場合、画素電極３１０自体の面積が減少して開口率が低下するが、本実施形態のような接触構造を有すると開口率の減少を改善することができる。また、このような接触構造は、スイッチングトランジスタＱ１と駆動トランジスタＱ２を接続する場合のみならず、他のトランジスタを接続する場合にも適用される。
【００５２】
第２絶縁膜３４０、画素電極３１０及び接続部材３０５の上には、絶縁物質からなる隔壁３５０が形成されている。隔壁３５０は、画素電極３１０の一定部分を露出させる複数の開口部を有する。
【００５３】
隔壁３５０の開口部内には、複数の有機発光部材３２０が形成されている。各有機発光部材３２０は、赤色、緑色及び青色のいずれか一つの光を放つ有機発光層を有し、正孔注入層、正孔運送層、電子運送層、電子注入層のうち少なくとも一つを更に有することができる。
【００５４】
隔壁３５０及び有機発光部材３２０の上には、対向電極３３０が形成されている。対向電極３３０は、基板１０全面を覆い、アルミニウム（Ａｌ）、カルシウム（Ｃａ）、バリウム（Ｂａ）、マグネシウム（Ｍｇ）の少なくとも一つの金属からなる。
【００５５】
これに対し、画素電極３１０をアルミニウム（Ａｌ）、カルシウム（Ｃａ）、バリウム（Ｂａ）、マグネシウム（Ｍｇ）のうち少なくとも一つの金属で形成し、対向電極３３０を透明導電体で形成することもできる。
【００５６】
画素電極３１０、有機発光部材３２０及び対向電極３３０は、有機発光素子ＥＬを構成する。
このような有機発光表示装置において、データバス線ＤＢＬにデータ電圧が印加され、ゲートバス線ＧＢＬにスイッチングトランジスタＱ１を導通させるゲートオン電圧が印加されると、スイッチングトランジスタＱ１は、データバス線ＤＢＬのデータ電圧を駆動トランジスタＱ２のゲート端子（またはゲート電極）Ｇ２及びストレージキャパシタＣｓｔに伝達する。駆動トランジスタＱ２は、ゲート端子に印加された電圧とソース電極Ｓ２の電圧の差によって電圧供給線ＰＳＬからの電流を流し、ストレージキャパシタＣｓｔは、次のデータ電圧が入るまで電圧差を保存、維持して、駆動トランジスタＱ２が一定の電流を流すようにする。
【００５７】
駆動トランジスタＱ２が電流を流すと、画素電極３１０は、有機発光部材３２０に正孔を注入し、対向電極３３０は、有機発光部材３２０に電子を注入する。有機発光部材３２０に注入された電子と正孔は、互いに出会って励起子を生成し、この励起子が励起状態から基底状態になりながら光エネルギーを発生することによって有機発光部材３２０が発光する。
【００５８】
以下、本発明の一実施形態に係る図２及び図３に示した有機発光表示装置の製造方法について図４乃至図１６を参照して詳細に説明する。
図４、図６、図８、図１０及び図１５は、図２及び図３に示した有機発光表示装置を本発明の一実施形態によって製造する方法の中間段階における有機発光表示装置の配置図であり、図５、図７、図９、図１１及び図１６は、各々図４、図６、図８、図１０及び図１５の有機発光表示装置をＶ-Ｖ、ＶＩＩ-ＶＩＩ、ＩＸ-ＩＸ、ＸＩ-ＸＩ及びＸＶＩ-ＸＶＩ線に沿って切断した断面図である。
【００５９】
図４及び図５を参照すれば、透明なガラス等の基板１０上にゲート用金属薄膜（図示せず）を化学気相蒸着またはスパッタリング法等で蒸着し、フォトエッチングして、第１ゲート電極Ｇ１を有する複数のゲートバス線ＧＢＬ及び維持電極ＳＥを有する複数の第２ゲート電極Ｇ２を備える複数のゲート導電体を形成する。
【００６０】
図６及び図７を参照すれば、ＳｉＮｘ、ＳｉＯｘ、またはＨｆＯ２、Ａｌ２Ｏ３のような高誘電体膜からなる第１絶縁膜２２０、真性非晶質シリコン層及び不純物非晶質シリコン層を化学気相蒸着等で連続して積層した後、不純物非晶質シリコン層及び真性非晶質シリコン層をフォトエッチングして、複数の島状不純物半導体２４３、２４７と複数の島状真性半導体２３０、２４０を形成する。
【００６１】
その後、図８及び図９を参照すれば、化学気相蒸着またはスパッタリング法で金属薄膜を積層しフォトエッチングして、第１ソース電極Ｓ１を有する複数のデータバス線ＤＢＬ、複数の第１ドレイン電極Ｄ１、複数の第２ソース電極Ｓ２及び第２ドレイン電極Ｄ２を有する複数の電圧供給線ＰＳＬを備える複数のデータ導電体を形成する一方、第１ソース電極Ｓ１と第１ドレイン電極Ｄ１との間及び第２ソース電極Ｓ２と第２ドレイン電極Ｄ２との間の島状不純物半導体２４３、２４７部分を露出させる。
【００６２】
次に、データバス線ＤＢＬ、電圧供給線ＰＳＬ、第１ドレイン電極Ｄ１、第２ドレイン電極Ｄ２に覆われず露出した不純物半導体２４３、２４７の部分を除去して、複数のオーミックコンタクト部材２４２、２４４、２４６、２４８を完成する一方、真性半導体２３０、２４０の一部を露出する。次いで、露出した島状真性半導体２３０、２４０の表面を安定化するために酸素プラズマ処理を施すのが好ましい。
【００６３】
このようにして、スイッチングトランジスタＱ１及び駆動トランジスタＱ２が完成する。
図１０及び図１１を参照すれば、化学気相蒸着法等で第２絶縁膜３４０を積層し、第１絶縁膜２２０と共にフォトエッチングして、第１ドレイン電極Ｄ１と第２ゲート電極Ｇ２の一部を露出させる第１コンタクトホールＣＴ１及び第２ドレイン電極Ｄ２の一部を露出させる第２コンタクトホールＣＴ２を形成する。
【００６４】
この時、第１コンタクトホールＣＴ１は、第１ドレイン電極Ｄ１の周縁と、その周辺のゲート絶縁膜２２０及び第２ゲート電極Ｇ２を露出させるが、これについて図１２乃至図１４を参照して詳細に説明する。
【００６５】
図１２を参照すれば、基板１０上に領域によって厚さが異なる感光膜を形成する。感光膜は、第２絶縁膜３４０上に第１コンタクトホールＣＴ１に対応する領域を除いた残りの領域Ａに位置し、厚さＴ１を有する第１部分３４２と、第１コンタクトホールＣＴ１に対応する領域のうち第１ドレイン電極Ｄ１の周縁Ｄを含む一部領域Ｂに位置し、厚さＴ１より薄い厚さＴ２を有する第２部分３４４とを備える。第１コンタクトホールＣＴ１領域のうち残りの領域Ｃには、感光膜が存在しない。
【００６６】
このように、位置によって感光膜の厚さを異ならせる方法には様々な方法があり、露光マスクに透過領域と遮光領域のみならず半透過領域を設けることがその例である。半透過領域には、スリットパターン、格子パターン、または透過率が中間であるか、厚さが中間である薄膜が具備される。スリットパターンを用いる場合、スリットの幅やスリット間の間隔がフォト工程に用いる露光器の分解能より小さいのが好ましい。また、他の例として、リフロー（ｒｅｆｌｏｗ）が可能な感光膜を用いる方法である。即ち、透過領域と遮光領域のみを有する通常のマスクにリフロー可能な感光膜パターンを形成した後、リフローさせて感光膜が残留しない領域に流れるようにして薄い部分を形成する。
【００６７】
図１３を参照すれば、感光膜３４２、３４４をマスクとして下部の第２絶縁膜３４０を除去して第１絶縁膜２２０を露出させた後、感光膜の薄い部分３４４を除去し、その下の第２絶縁膜３４０部分を露出させる。
【００６８】
次に、図１４に示したように、露出した第２絶縁膜３４０と第１絶縁膜２２０をエッチングして、第１ドレイン電極Ｄ１及び第２ゲート電極Ｇ２を露出させる。この時、エッチング終了点を第１ドレイン電極Ｄ１及び第２ゲート電極Ｇ２が露出する時点にして、第１ドレイン電極Ｄ１の周縁付近の第１絶縁膜２２０が除去されないようにする。これは、第１ドレイン電極Ｄ１の周縁付近の第１絶縁膜２２０がエッチングされながら、第１ドレイン電極Ｄ１下部に位置した部分までエッチングされて、アンダーカットが発生することを防ぐためである。
【００６９】
一方、第２絶縁膜３４０、感光膜の薄い部分３４４及び第１絶縁膜２２０のエッチングは、連続的に行うことができる。感光膜３４２、３４４及び絶縁膜２２０、３４０をいずれもエッチングできるエッチング条件を選択してエッチングを施せば、これらが同時にエッチングされる。この場合、感光膜の厚い部分３４２の厚さＴ１が減少することがあるので、第１ドレイン電極Ｄ１及び第２ゲート電極Ｇ２が露出するまで厚い部分３４２が除去されないよう厚さを定めることが好ましい。感光膜３４２、３４４の厚さは、露光時間、露光量、若しくは感光膜と第１／第２絶縁膜のエッチング選択比によって調節される。
【００７０】
図１５及び図１６を参照すれば、ＩＴＯ、ＩＺＯ等の透明導電膜をスパッタリング法等で積層した後、フォトエッチングして、複数の画素電極３１０及び複数の接続部材３０５を形成する。画素電極３１０は、第２コンタクトホールＣＴ２を通じて第２ドレイン電極Ｄ２に接続され、接続部材３０５は、第１コンタクトホールＣＴ１の内部で第１ドレイン電極Ｄ１及び第２ゲート電極Ｇ２に接続されるが、この時、第１コンタクトホールＣＴ１で第１ドレイン電極Ｄ１の下にアンダーカットがある場合には、この部分で接続部材３０５が切れる可能性があるが、本実施形態の場合、第１ドレイン電極Ｄ１の下のゲート絶縁膜２２０を残し階段状の段差を形成するので、接続部材３０５が切れるおそれが無い。
【００７１】
図２及び図３を再び参照すれば、無機絶縁物質または有機絶縁物質を積層し、無機絶縁物質層または有機絶縁物質層をパターニングして、画素電極３１０を部分的に露出する隔壁３５０を形成する。
【００７２】
画素電極３１０の上面に赤色、緑色、及び青色の光を放出できる有機発光部材３２０を形成し、その上に対向電極３３０を形成する。本実施形態において画素電極３１０は、透明なＩＴＯ或いはＩＺＯを用いて有機発光部材に正孔を注入し、対向電極３５０は、Ａｌ、Ｃａ、Ｂａ、Ｍｇのうち少なくとも一つを含む金属薄膜で有機発光部材に電子を注入する。
【００７３】
対向電極３３０上面には、有機発光層３２０を酸素または水分から保護するための密封キャップや保護層等を更に形成することが好ましい。保護層（図示せず）としては、有機膜、無機膜、またはその積層膜を用いることができる。
【００７４】
以下、本発明の他の実施形態に係る有機発光表示装置について図１７乃至図２０を参照して詳細に説明する。
図１７は、本発明の他の実施形態による有機発光表示装置の配置図であり、図１８は、図１７に示す有機発光表示装置をＸＶＩＩＩ-ＸＶＩＩＩ線に沿って切断した断面図である。
【００７５】
図１７及び図１８に示した有機発光表示装置の構造は、図２及び図３に示した有機発光表示装置とほぼ同様である。
即ち、基板１０上に第１ゲート電極Ｇ１を有する複数のゲート線ＧＢＬと、複数の維持電極ＳＥを有する複数の第２ゲート電極Ｇ２が形成されており、その上に第１絶縁層２２０が形成されている。第１絶縁層２２０上には、複数の第１及び第２島状半導体２３０、２４０と複数の第１乃至第４島状オーミックコンタクト部材２４２、２４４、２４６、２４８が順に形成されており、その上には、第１ソース電極Ｓ１を有する複数のデータバス線ＤＢＬ、複数の第１ドレイン電極Ｄ１、複数の第２ソース電極Ｓ２、及び第２ドレイン電極Ｄ２を有する複数の電圧供給線ＰＳＬが形成されており、これらの上には、第２絶縁膜３４０が形成されている。第２絶縁膜３４０は、第２ソース電極Ｓ２の一部を露出させるコンタクトホールＣＴ２を有し、その上には、複数の画素電極３１０が形成されている。第２絶縁膜３４０、画素電極３１０の上には、隔壁３５０、複数の有機発光部材３２０及び対向電極３３０が形成されている。
【００７６】
しかし、図２及び図３に示した有機発光表示装置とは異なって、本実施形態の有機発光表示装置では、第１絶縁膜２２０が第２ゲート電極Ｇ２を露出させるコンタクトホールＣＴ３を有し、第１ドレイン電極Ｄ１がこのコンタクトホールＣＴ３を通じて第２ゲート電極Ｇ２と直接接続されている。また、接続部材が別に存在しない。
【００７７】
この他に図２及び図３に示した有機発光表示装置の特徴は、図１７及び図１８に示した有機発光表示装置にも適用される。
次に、図１７及び図１８に示した有機発光表示装置を本発明の一実施形態によって製造する方法について図１９及び図２０を参照して詳細に説明する。
【００７８】
図１９は、図１７及び図１８に示した有機発光表示装置を本発明の一実施形態によって製造する方法の中間段階における配置図であり、図２０は、図１９に示す有機発光表示装置をＸＸ-ＸＸ線に沿って切断した断面図である。
【００７９】
図１９及び図２０を参照すれば、基板１０上に複数の第１ゲート電極Ｇ１を有する複数のゲートバス線ＧＢＬと維持電極ＳＥを有する複数の第２ゲート電極Ｇ２を形成する。
次に、第１絶縁膜２２０、真性非晶質シリコン層、不純物非晶質シリコン層をスパッタリング法等で順次に積層する。図１２乃至図１４を参照して、前述したように、スリット等が備えられた光マスクを用いて厚さが異なる二つの部分からなる感光膜（図示せず）を形成した後、これらをエッチングして、複数のコンタクトホールＣＴ３と複数の真性半導体２３０、２４０、及び複数の不純物半導体２４３、２４７を形成する。この時、コンタクトホールＣＴ３が形成される部分の上には感光膜が無く、真性半導体２３０、２４０及び不純物半導体２４３、２４７に対応する領域には、感光膜の厚い部分が位置し、その他の部分には、感光膜の薄い部分が位置する。感光膜の厚さを適切に選択することによって、第１絶縁膜２２０、真性非晶質シリコン層、不純物非晶質シリコン層を選択的にエッチングすることができる。その結果、図２０に示すように、第１絶縁膜２２０を一部除去しコンタクトホールＣＴ３を形成しながらも、その他の領域の第１絶縁膜２２０部分が除去されないようにすることができる。
【００８０】
次に、図１７に示すように、複数の第１ソース電極Ｓ１を有する複数のデータ線ＤＢＬ、複数の第１ドレイン電極Ｄ１、複数の第２ソース電極Ｓ２、及び複数の第２ドレイン電極Ｄ２を有する複数の電圧供給線ＰＳＬを形成する。この時、第１ドレイン電極Ｄ１の一部がコンタクトホールＣＴ３を通じて第２ゲート電極Ｇ２と接続するようにする。
【００８１】
次に、コンタクトホールＣＴ２を有する第２絶縁膜３４０、画素電極３１０、隔壁３５０、有機発光部材３２０、及び共通電極３３０を既に説明した実施形態と同様の方法で順次に形成する。
【００８２】
以上、本発明の好ましい実施形態について詳細に説明したが、本発明の権利範囲はこれに限定されるものでなく、特許請求の範囲で定義している本発明の基本概念を利用した当業者の様々な変形及び改良形態も本発明の権利範囲に属するものである。
【図面の簡単な説明】
【００８３】
【図１】本発明による有機発光表示装置の等価回路図である。
【図２】図１に示す有機発光表示装置を示した配置図である。
【図３】図２に示す有機発光表示装置をＩＩＩ-ＩＩＩ線に沿って切断した断面図である。
【図４】図２及び図３に示す有機発光表示装置を本発明の一実施形態によって製造する方法の中間段階における有機発光表示装置の配置図である。
【図５】図４に示す有機発光表示装置をＶ-Ｖ線に沿って切断した断面図である。
【図６】図２及び図３に示す有機発光表示装置を本発明の一実施形態によって製造する方法の中間段階における有機発光表示装置の配置図である。
【図７】図６に示す有機発光表示装置をＶＩＩ-ＶＩＩ線に沿って切断した断面図である。
【図８】図２及び図３に示す有機発光表示装置を本発明の一実施形態によって製造する方法の中間段階における有機発光表示装置の配置図である。
【図９】図８に示す有機発光表示装置をＩＸ-ＩＸ線に沿って切断した断面図である。
【図１０】図２及び図３に示す有機発光表示装置を本発明の一実施形態によって製造する方法の中間段階における有機発光表示装置の配置図である。
【図１１】図１０に示す有機発光表示装置をＸＩ-ＸＩ線に沿って切断した断面図である。
【図１２】本発明の一実施形態によってコンタクトホールを形成する段階を工程順で示した断面図である。
【図１３】本発明の一実施形態によってコンタクトホールを形成する段階を工程順で示した断面図である。
【図１４】本発明の一実施形態によってコンタクトホールを形成する段階を工程順で示した断面図である。
【図１５】図２及び図３に示す有機発光表示装置を本発明の一実施形態によって製造する方法の中間段階における有機発光表示装置の配置図である。
【図１６】図１５に示す有機発光表示装置をＸＶＩ-ＸＶＩ線に沿って切断した断面図である。
【図１７】本発明の他の実施形態に係る有機発光表示装置の配置図である。
【図１８】図１７に示す有機発光表示装置をＸＶＩＩ-ＸＶＩＩ線に沿って切断した断面図である。
【図１９】図１７及び図１８に示す有機発光表示装置を本発明の一実施形態によって製造する方法の中間段階における配置図である。
【図２０】図１９に示す有機発光表示装置をＸＸ-ＸＸ線に沿って切断した断面図である。
【符号の説明】
【００８４】
１０ 基板
２００ 有機発光表示装置
２２０、３４０ 絶縁膜
２３０、２４０ 半導体
２４２、２４４、２４６、２４８ オーミックコンタクト部材
２４３、２４７ 不純物半導体
３０５ 接続部材
３１０ 画素電極
３２０ 有機発光部材
３３０ 対向電極
３４２、３４４ 感光膜
３５０ 隔壁
Ｃｓｔ ストレージキャパシタ
ＣＴ１、ＣＴ２、ＣＴ３ コンタクトホール（接触孔）
Ｄ、Ｅ 境界
Ｄ１、Ｄ２ ドレイン電極
ＤＢＬ データバス線
ＥＬ 有機発光素子
Ｇ１、Ｇ２ ゲート電極
ＧＢＬ ゲートバス線
ＰＳＬ 電圧供給線
Ｑ１ スイッチングトランジスタ
Ｑ２ 駆動トランジスタ
Ｓ１、Ｓ２ ソース電極
ＳＥ 維持電極
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機発光表示装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、表示装置の役割は益々重要になり、各種電子表示装置は、様々な産業分野で広く使われている。
一般に、表示装置は、電気的な信号形態を有する情報を光学イメージ形態でユーザに伝達する装置で、ユーザと電子機器を結びつけるインターフェースとしての役割を果たしている。
【０００３】
このような表示装置において、情報を発光現象によって表示するものを発光型表示装置（ｅｍｉｓｓｉｖｅ ｄｉｓｐｌａｙ ｄｅｖｉｃｅ）といい、反射、散乱、干渉現象等による光変調を用いるものを受光型表示装置（ｎｏｎ-ｅｍｉｓｓｉｖｅ ｄｉｓｐｌａｙ ｄｅｖｉｃｅ）という。発光型表示装置としては、陰極線管（ＣＲＴ）、プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）、発光ダイオード（ＬＥＤ）及び有機発光表示装置（ＯＬＥＤ）等がある。これに対し、液晶表示装置（ＬＣＤ）、電気化学表示装置（ＥＣＤ）及び電気泳動表示装置（ＥＰＩＤ）等は、受光型表示装置に属する。
【０００４】
有機発光表示装置は、発光型表示装置であって、有機発光物質を励起して発光するようにして画像を表示する。有機発光表示装置は、アノード（正孔注入電極）とカソード（電子注入電極）、及び二つの電極の間に位置した有機発光層を備え、二つの電極からそれぞれ電子（ｅｌｅｃｔｒｏｎ）及び正孔（ｈｏｌｅ）を有機発光層内に注入させて、電子と正孔の結合による励起子を生成し、この励起子が励起状態から基底状態になる時に光を発する原理を利用する。
【０００５】
アノード、カソード及び発光層をそれぞれ備える有機発光表示装置の画素は、マトリクス状に配列され、能動マトリクス型（または単純マトリクス型）で駆動するか、手動マトリクス型で駆動する。
【０００６】
能動マトリクス型有機発光表示装置は、アノード、カソード及び発光層の他にも、スイッチングトランジスタ、駆動トランジスタ及びストレージキャパシタを備える。駆動トランジスタは、スイッチングトランジスタからデータ電圧を受信して、電源電圧等の所定の電圧とデータ電圧との差によって大きさが決定される電流を生成する。駆動トランジスタからの電流が発光層に注入されると、電流の大きさに比例する強さの発光が起こり、駆動トランジスタは、発光状態を維持するために継続して電流を生成する。
【０００７】
しかし、駆動トランジスタに長時間制御電圧を印加すると、時間経過に伴い駆動トランジスタのしきい電圧が変化し、このため駆動トランジスタが駆動する電流量が発光層の輝度を変化させる場合がある。これを改善するために、一つの画素に複数の薄膜トランジスタを使用することもできるが、その場合、画素回路が複雑になり、開口率が低下するという問題点がある。特に、解像度が高くなる場合、この開口率の低下は大きな問題となり得る。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
このような従来問題点を解決するための本発明の目的は、制限された空間を効率的に活用して、必要な画素回路を設計できる薄膜トランジスタを備える有機発光表示装置を提供することである。
【０００９】
また、本発明の他の目的は、前記有機発光表示装置の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の一実施形態に係る有機発光表示装置は、有機発光素子、互いに分離されている第１乃至第３信号線、並びに前記第３信号線及び前記有機発光素子と接続されている第１薄膜トランジスタと前記第１及び第２信号線に接続されている第２薄膜トランジスタを有する複数の薄膜トランジスタを備え、前記各薄膜トランジスタはそれぞれ第１電極と第２電極を有し、前記第１電極と前記第２電極は前記第１絶縁層に備えられている第１コンタクトホール（接触孔）を通じて電気的に接続される。
【００１１】
前記第１及び第２電極は、各々前記第１絶縁層の下及び上に位置し、前記第２電極は、第２絶縁層で覆われており、前記第２絶縁層は、前記第２電極の少なくとも一部と前記第１コンタクトホールを露出させる第２コンタクトホールを有することができる。
【００１２】
前記第２コンタクトホールの内部で、前記第１電極と前記第２電極は重畳することができる。
前記第２コンタクトホールは、前記第１電極周縁の前記第１絶縁層部分を露出させることができる。
【００１３】
前記第１及び第２コンタクトホールを通じて、前記第１電極及び前記第２電極と接続されている接続部材を更に備える表示装置。
前記第２電極から前記第１電極まで階段状の傾斜が形成されていることができる。
【００１４】
前記有機発光素子は、前記第２薄膜トランジスタに電気的に接続されている画素電極、前記画素電極上に形成されている発光部材、及び前記発光部材に形成されている対向電極を備えることができる。
【００１５】
前記接続部材は、前記画素電極と同一層からなることができる。
前記発光部材は、有機物質からなることができる。
前記有機発光表示装置は、前記画素電極上に前記発光部材を閉じ込める隔壁を更に備えることができる。
【００１６】
前記第１及び第２薄膜トランジスタは、それぞれ前記第２電極と前記第１電極を備えることができる。
前記第１薄膜トランジスタは、前記第１及び第２信号線にそれぞれ接続されている第３及び第４電極を更に備えることができる。前記第１薄膜トランジスタは、前記第２信号線を通じて前記第４電極に印加されたデータ信号を前記第１信号線を通じて、前記第３電極に印加されたタイミング信号に従って前記第２電極に出力することができる。前記第２薄膜トランジスタは、前記第３信号線に接続されている第５電極と、前記有機発光素子に接続されている第６電極とを更に有することができる。前記第２薄膜トランジスタは、前記第１電極に印加された前記データ信号のレベルに対応して、駆動電流を前記第６電極に出力する。
【００１７】
前記有機発光素子は、前記第２薄膜トランジスタから前記駆動電流の提供を受ける第１表示電極、前記第１表示電極に接続されている有機発光部材、及び前記有機発光部材と接続されている第２表示電極を有することができ、前記第１表示電極及び前記第２表示電極は、前記有機発光部材に電荷を提供し、前記有機発光部材は、前記提供された電荷によって発光することができる。
【００１８】
前記第３信号線は、電圧信号を伝達することができる。
前記有機発光表示装置は、前記第５電極と前記第６電極に両端が接続され、前記データ信号及び前記第３信号線からの電圧信号の差を保存及び維持するストレージキャパシタを更に備えることができる。
【００１９】
前記第１電極と前記第２電極は、前記第１コンタクトホールを通じて直接接触することができる。
前記第１絶縁層は、前記第１電極と前記第２電極との間に介在していることができる。
【００２０】
本発明の一実施形態に係る薄膜トランジスタ表示板は、基板と、前記基板上に形成されている第１導電層と、前記第１導電層上に形成されている第１絶縁層と、前記第１導電層上に形成されている第２導電層と、前記第２導電層上に形成されている第２絶縁層と、前記第１及び第２絶縁層に形成されて前記第１導電層の少なくとも一部と前記第２導電層の少なくとも一部を露出させる接触部と、前記接触部に形成されて前記第１導電層と前記第２導電層を接続する第３導電層とを備えることができる。
【００２１】
前記薄膜トランジスタ表示板は、有機発光表示板であることができる。
本発明の一実施形態に係る有機発光表示装置は、基板上に第１ゲート電極及び第２ゲート電極を形成する段階、前記第１及び第２ゲート電極上に第１絶縁層を形成する段階、前記第１絶縁層上に前記第１及び第２ゲート電極とそれぞれ対応する第１及び第２半導体を形成する段階、前記第１半導体上に互いに分離されている第１ソース電極及び第１ドレイン電極を形成すると同時に、前記第２半導体上に互いに分離されている第２ソース電極及び第２ドレイン電極を形成する段階、第２絶縁層を積層する段階、前記第２及び第１絶縁層をエッチングして、前記第２ゲート電極の少なくとも一部と前記第１ドレイン電極の少なくとも一部を露出させるコンタクトホールを形成する段階、及び前記コンタクトホールを通じて露出した前記第２ゲート電極部分及び前記第１ドレイン電極部分と接触する接続部材を形成する段階を含む。
【００２２】
前記有機発光表示装置の製造方法は、前記第２絶縁層上に前記第２ソース電極に接続する有機発光素子を形成する段階をさらに含むことができる。
前記第１ドレイン電極と前記第２ゲート電極は、互いに重畳することができる。
【００２３】
前記コンタクトホールの形成段階は、前記コンタクトホールのうち前記ドレイン電極の周縁に対応する第１部分と、前記コンタクトホールのうち前記ドレイン電極の周縁を除いた領域に対応し、前記第１部分より厚い第２部分とを有する感光膜を用いたフォトエッチング工程を実施する段階を含むことができる。
【００２４】
前記感光膜は、一つのマスクを用いた露光で形成することができる。
本発明の他の実施形態に係る有機発光表示装置の製造方法は、基板上に第１ゲート電極及び第２ゲート電極を形成する段階、前記第１及び第２ゲート電極上に第１絶縁層を積層する段階、前記第１絶縁層上に前記第１及び第２ゲート電極とそれぞれ対応する第１及び第２半導体を形成する段階、前記第１絶縁層に前記第２ゲート電極の一部を露出させるコンタクトホールを形成する段階、前記第１半導体上に互いに分離されている第１ソース電極及び第１ドレイン電極を形成すると同時に、前記第２半導体上に互いに分離されている第２ソース電極及び第２ドレイン電極を形成する段階、第２絶縁層を形成する段階、並びに前記第２ソース電極に接続される有機発光素子を形成する段階を含み、前記第１ドレイン電極は、前記コンタクトホールを通じて前記第２ゲート電極と接続される。
【発明の効果】
【００２５】
本発明によれば、一つのコンタクトホールを通じてスイッチングトランジスタのドレイン電極と駆動トランジスタのゲート電極を接続することによって、二つの電極の接続に必要な面積を減少させ、開口率を増加させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
以下、添付した図面を参照して、本発明の実施形態を、本発明が属する技術分野における通常の知識を有する者が容易に実施することができるように詳細に説明する。しかし、本発明は、多様な形態で実現することができ、ここで説明する実施形態に限定されない。
【００２７】
図面は、各種層及び領域を明確に表現するために、厚さを拡大して示している。明細書全体を通じて類似した部分については同一の参照符号を付けている。層、膜、領域、板などの部分が、他の部分の“上に”あるとする時、これは他の部分の“すぐ上に”ある場合に限らず、その中間に更に他の部分がある場合も含む。逆に、ある部分が他の部分の“すぐ上に”あるとする時、これは中間に他の部分がない場合を意味する。
【００２８】
次に、添付した図面を参照して本発明の実施形態に係る有機発光表示装置及びその製造方法について詳細に説明する。
まず、図１を参照して本発明の一実施形態に係る有機発光表示装置について詳細に説明する。
【００２９】
図１は、本発明の一実施形態に係る有機発光表示装置の等価回路図である。同図に示すように、本実施形態に係る有機発光表示装置２００は、複数のゲートバス線ＧＢＬ、複数のデータバス線ＤＢＬ、複数の電圧供給線ＰＳＬ、及びこれらに接続されてほぼ行列状に配列された複数の画素を備えている。
【００３０】
ゲートバス線ＧＢＬは、ゲート信号（走査信号ともいう。）を伝達し、主に行方向に延びて互いにほぼ平行である。
データバス線ＤＢＬは、データ信号を伝達し、主に列方向に延びて互いにほぼ平行である。
【００３１】
各画素は、ゲートバス線ＧＢＬ及びデータバス線ＤＢＬに接続されている、第１薄膜トランジスタとしてのスイッチングトランジスタＱ１、電圧供給線ＰＳＬ及びスイッチングトランジスタに接続されている、、第２薄膜トランジスタとしての駆動トランジスタＱ２とストレージキャパシタＣｓｔ、並びに駆動トランジスタＱ２に接続されている有機発光素子ＥＬを備える。
【００３２】
スイッチングトランジスタＱ１は、ゲート線ＧＢＬに接続されているゲート端子Ｇ１、データ線ＤＢＬに接続されているソース端子Ｓ１及びドレイン端子Ｄ１を備え、駆動トランジスタＱ２は、スイッチングトランジスタＱ１に接続されているゲート端子Ｇ２、有機発光素子ＥＬに接続されているソース端子Ｓ２、及び電圧供給線ＰＳＬに接続されているドレイン端子Ｄ２を備えている。ストレージキャパシタＣｓｔは、スイッチングトランジスタＱ１のドレイン端子Ｄ１及び駆動トランジスタＱ２のゲート端子Ｇ２と電圧供給線ＰＳＬ（または、駆動トランジスタＱ２のドレイン端子Ｄ２）に接続されている。
【００３３】
次に、このような有機発光表示装置の構造について図１と共に図２及び図３を参照して詳細に説明する。
図２は、図１に示した有機発光表示装置の配置図であり、図３は、図２に示す有機発光表示装置をＩＩＩ-ＩＩＩ線に沿って切断した断面図である。
【００３４】
図２及び図３に示すように、基板１０上に第１ゲート電極Ｇ１を有する複数のゲートバス線ＧＢＬ、複数の第２ゲート電極Ｇ２を有する複数のゲート導電体が形成されている。
ゲートバス線ＧＢＬは、主に横方向（行方向）に延びており、第１ゲート電極Ｇ１は、各ゲートバス線ＦＢＬから上方（列方向上方）に延びている。ゲート線ＧＢＬは、延長されて基板１０上に集積された駆動回路（図示せず）と接続することもでき、基板１０上に付着される可撓性印刷回路膜（ｆｌｅｘｉｂｌｅ ｐｒｉｎｔｅｄ ｃｉｒｃｕｉｔ ｆｉｌｍ）（図示せず）上に装着されたり、基板１０上に直接装着される外部の駆動回路と接続したり、他の層と接続するために、幅の広い端部を有することもできる。
【００３５】
第２ゲート電極Ｇ２は、ゲートバス線ＧＢＬと分離され、隣接する二つのゲートバス線ＧＢＬの間に位置する。第２ゲート電極Ｇ２は、下方向（列方向下方）に延びて、右側へと方向を変えて少し延びた後、再び上方（列方向上方）に向けて長く延びて維持電極ＳＥを構成する。
【００３６】
ゲート導電体ＧＢＬ、Ｇ２は、銀（Ａｇ）や銀合金等の銀系金属、アルミニウム（Ａｌ）やアルミニウム合金等のアルミニウム系金属、及び銅（Ｃｕ）や銅合金等の銅系金属、クロム（Ｃｒ）、チタニウム（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、モリブデン（Ｍｏ）及びこれらの合金等からなる導電膜を含む。しかし、これらは物理的な性質が異なる二つの導電膜（図示せず）を有する多層膜構造であってもよい。この場合、一つの導電膜は、信号遅延や電圧降下を抑制できるように、低い比抵抗の金属、例えばＡｌ系金属、Ａｇ系金属またはＣｕ系金属からなる。これに対し、もう一つの導電膜は、他の物質、特にＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ）及びＩＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ）との物理的、化学的、電気的な接触特性が優れた物質、例えばＣｒ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｔａまたはこれらの合金等からなる。このような組み合わせの例としては、Ｃｒ下部膜とＡｌ（合金）上部膜、Ａｌ（合金）下部膜とＭｏ（合金）上部膜などがある。
【００３７】
ゲートバス線ＧＢＬ及び第２ゲート電極Ｇ２の側面は、基板１０表面に対して傾斜し、その傾斜角は約３０〜８０°の範囲である。
ゲートバス線ＧＢＬ及び第２ゲート電極Ｇ２の上には、ＳｉＮｘ、ＳｉＯｘ等の絶縁体や、ＨｆＯ２またはＡｌ２Ｏ３等の高誘電体からなる第１絶縁膜２２０が形成されている。
【００３８】
第１絶縁膜２２０上には、水素化非晶質シリコン（非晶質シリコンは、ａ-Ｓｉと略称する。）または多結晶シリコン等からなる複数の第１及び第２島状半導体２３０、２４０が形成されている。第１島状半導体２３０は、第１ゲート電極Ｇ１上に位置し、第２島状半導体２４０は、第２ゲート電極Ｇ２上に位置する。
【００３９】
第１及び第２島状半導体２３０、２４０の上には、それぞれ複数の第１及び第２オーミックコンタクト部材２４２、２４４と複数の第３及び第４オーミックコンタクト部材２４６、２４８が形成されている。オーミックコンタクト部材２４２、２４４、２４６、２４８は、互いに分離されており、シリサイドまたはｎ型不純物が高濃度にドーピングされているｎ＋水素化非晶質シリコン等の物質からなる。
【００４０】
第１及び第２島状半導体２３０、２４０及びオーミックコンタクト部材２４２、２４４、２４６、２４８の側面も基板１１０表面に対して傾斜し、その傾斜角は３０〜８０°である。
【００４１】
オーミックコンタクト部材２４２、２４４、２４６、２４８及び第１絶縁膜２２０の上には、第１ソース電極Ｓ１を有する複数のデータ線ＤＢＬ、複数の第１ドレイン電極Ｄ１、複数の第２ソース電極Ｓ２、及び第２ドレイン電極Ｄ２を有する複数の電圧供給線ＰＳＬを備える複数のデータ導電体が形成されている。
【００４２】
データ信号を伝達するデータバス線ＤＢＬは、主に縦方向（列方向）に延びてゲートバス線ＧＢＬと交差し、他の層または外部装置との接続のために、面積の広い端部（図示せず）を有することができる。データ信号を生成するデータ駆動回路が基板１１０に集積されている場合、データバス線ＤＢＬが直接データ駆動回路に接続される。各データバス線ＤＢＬから第１オーミックコンタクト部材２４２の上に延びた複数の分岐が第１ソース電極Ｓ１を構成し、第１ドレイン電極Ｄ１は、第２オーミックコンタクト部材２４４の上に位置して第１ソース電極Ｓ１と対向する。ここで、第１ドレイン電極Ｄ１は、第２ゲート電極Ｇ２と重畳しているが、そうでない場合もある。
【００４３】
電源電圧Ｖｄｄを伝達する電圧供給線ＰＳＬは、各データバス線ＤＢＬと隣接した所に位置し、データバス線ＤＢＬと同様に縦方向に延びている。各電圧供給線ＰＳＬから第４オーミックコンタクト部材２４８の上に延びた複数の分岐が、第２ドレイン電極Ｄ２を構成し、第２ソース電極Ｓ２は、第３オーミックコンタクト部材２４６上に位置して第２ドレイン電極Ｄ２と対向する。一方、電圧供給線ＰＳＬは、維持電極ＳＥと重畳してストレージキャパシタＣｓｔを構成する。
【００４４】
第１ゲート電極Ｇ１、第１ソース電極Ｓ１及び第１ドレイン電極Ｄ１は、第１島状半導体２３０及び第１及び第２オーミックコンタクト部材２４２、２４４と共にスイッチングトランジスタＱ１を構成し、スイッチングトランジスタのチャンネルは、第１ソース電極Ｓ１と第１ドレイン電極Ｄ１との間の第１島状半導体２３０に形成される。第２ゲート電極Ｇ２、第２ソース電極Ｓ２及び第２ドレイン電極Ｄ２は、第２島状半導体２４０と第３及び第４オーミックコンタクト部材２４６、２４８と共に駆動トランジスタＱ２を構成し、駆動トランジスタのチャンネルは、第２ソース電極Ｓ２と第２ドレイン電極Ｄ２との間の第２島状半導体２４０に形成される。
【００４５】
データバス線ＤＢＬ、電圧供給線ＰＳＬ、第２ソース電極Ｓ２、第２ドレイン電極Ｄ２は、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｍｏ等の耐火性金属またはこれらの合金からなることができるが、これらも低い抵抗値の導電膜と接触特性が良い導電膜を有する多層膜構造であってもよい。多層構造の例としては、Ｃｒ/Ｍｏ（合金）下部膜とＡｌ（合金）上部膜の二重膜構造と、Ｍｏ（合金）下部膜、Ａｌ（合金）中間膜、Ｍｏ（合金）上部膜の三重膜構造がある。
【００４６】
データバス線ＤＢＬ、電圧供給線ＰＳＬ、第２ソース電極Ｓ２、第２ドレイン電極Ｄ２の側面もゲートバス線ＧＢＬ、第２ゲート電極Ｇ２と同様に、基板１０表面に対して傾斜し、その傾斜角は約３０〜８０°の範囲である。
【００４７】
オーミックコンタクト部材２４２、２４４、２４６、２４８は、その下部の各島状半導体２３０、２４０とその上部のデータバス線ＤＢＬ、第２ソース電極Ｓ２、電圧供給線ＰＳＬ、第２ドレイン電極Ｄ２との間にのみ存在し、接触抵抗を低くする役割を果たす。第１の島状半導体２３０は、データバス線ＤＢＬ、電圧供給線ＰＳＬ、第１ドレイン電極Ｄ１、第２ドレイン電極Ｄ２に覆われず露出する部分を有する。
【００４８】
データバス線ＤＢＬ、電圧供給線ＰＳＬ、第１ドレイン電極Ｄ１、第２ドレイン電極Ｄ２及び露出した第１及び第２島状半導体２３０、２４０部分の上には、第２絶縁膜３４０が形成されている。第２絶縁膜３４０は、窒化ケイ素または酸化ケイ素等の無機物、感光性（ｐｈｏｔｏｓｅｎｓｉｔｉｖｉｔｙ）を有するか、有しない有機物や、低誘電率絶縁物からなる。低誘電率絶縁物は、誘電常数が約４．０以下であることが好ましく、プラズマ化学気相蒸着（ＰＥＣＶＤ）で形成されるａ-Ｓｉ:Ｃ:Ｏ、ａ-Ｓｉ:Ｏ:Ｆ等がその例である。第２絶縁膜１８０は、下部無機膜と上部有機膜の二重膜構造を有することもできる。
【００４９】
第２絶縁膜３４０は、第２ソース電極Ｓ２を露出させる複数のコンタクトホール（接触孔）ＣＴ２を有し、第２及び第１絶縁膜３４０、２２０は、第２ゲート電極Ｇ２と第１ドレイン電極Ｄ１の重畳部で第１ドレイン電極Ｇ１の周縁部と第２ゲート電極Ｇ２を同時に露出させるコンタクトホールＣＴ１を有している。
【００５０】
第２絶縁膜３４０上には、ＩＺＯ、ＩＴＯまたはａ-ＩＴＯ（非晶質ＩＴＯ）等の透明な導電体からなる複数の画素電極３１０と複数の接続部材３０５が形成されている。
画素電極３１０は、コンタクトホールＣＴ２を通じて露出された第２ソース電極Ｓ２と物理的・電気的に接続され、ゲートバス線ＧＢＬとデータバス線ＤＢＬで囲まれた領域の殆どを占める。
【００５１】
接続部材３０５は、コンタクトホールＣＴ１内に位置し、第１ドレイン電極Ｄ１と第２ゲート電極Ｇ２を物理的・電気的に接続する。このように接続すべき二つの導電体、つまり第１ドレイン電極Ｄ１と第２ゲート電極Ｇ２とを重畳し、重畳部に一つのコンタクトホールＣＴ１を形成して、二つの導電体を同時に露出するので、第１ドレイン電極Ｄ１と第２ゲート電極Ｇ２にそれぞれコンタクトホールを形成して接続する場合に比べて、二つの導電体の接続に必要な面積が減少する。特に、有機発光表示装置の特性改善のためにトランジスタの数を増やす場合、トランジスタが占める面積が増加し、トランジスタの接続のための接触面積も増えて開口率の減少が伴い、解像度を向上させる場合、画素電極３１０自体の面積が減少して開口率が低下するが、本実施形態のような接触構造を有すると開口率の減少を改善することができる。また、このような接触構造は、スイッチングトランジスタＱ１と駆動トランジスタＱ２を接続する場合のみならず、他のトランジスタを接続する場合にも適用される。
【００５２】
第２絶縁膜３４０、画素電極３１０及び接続部材３０５の上には、絶縁物質からなる隔壁３５０が形成されている。隔壁３５０は、画素電極３１０の一定部分を露出させる複数の開口部を有する。
【００５３】
隔壁３５０の開口部内には、複数の有機発光部材３２０が形成されている。各有機発光部材３２０は、赤色、緑色及び青色のいずれか一つの光を放つ有機発光層を有し、正孔注入層、正孔運送層、電子運送層、電子注入層のうち少なくとも一つを更に有することができる。
【００５４】
隔壁３５０及び有機発光部材３２０の上には、対向電極３３０が形成されている。対向電極３３０は、基板１０全面を覆い、アルミニウム（Ａｌ）、カルシウム（Ｃａ）、バリウム（Ｂａ）、マグネシウム（Ｍｇ）の少なくとも一つの金属からなる。
【００５５】
これに対し、画素電極３１０をアルミニウム（Ａｌ）、カルシウム（Ｃａ）、バリウム（Ｂａ）、マグネシウム（Ｍｇ）のうち少なくとも一つの金属で形成し、対向電極３３０を透明導電体で形成することもできる。
【００５６】
画素電極３１０、有機発光部材３２０及び対向電極３３０は、有機発光素子ＥＬを構成する。
このような有機発光表示装置において、データバス線ＤＢＬにデータ電圧が印加され、ゲートバス線ＧＢＬにスイッチングトランジスタＱ１を導通させるゲートオン電圧が印加されると、スイッチングトランジスタＱ１は、データバス線ＤＢＬのデータ電圧を駆動トランジスタＱ２のゲート端子（またはゲート電極）Ｇ２及びストレージキャパシタＣｓｔに伝達する。駆動トランジスタＱ２は、ゲート端子に印加された電圧とソース電極Ｓ２の電圧の差によって電圧供給線ＰＳＬからの電流を流し、ストレージキャパシタＣｓｔは、次のデータ電圧が入るまで電圧差を保存、維持して、駆動トランジスタＱ２が一定の電流を流すようにする。
【００５７】
駆動トランジスタＱ２が電流を流すと、画素電極３１０は、有機発光部材３２０に正孔を注入し、対向電極３３０は、有機発光部材３２０に電子を注入する。有機発光部材３２０に注入された電子と正孔は、互いに出会って励起子を生成し、この励起子が励起状態から基底状態になりながら光エネルギーを発生することによって有機発光部材３２０が発光する。
【００５８】
以下、本発明の一実施形態に係る図２及び図３に示した有機発光表示装置の製造方法について図４乃至図１６を参照して詳細に説明する。
図４、図６、図８、図１０及び図１５は、図２及び図３に示した有機発光表示装置を本発明の一実施形態によって製造する方法の中間段階における有機発光表示装置の配置図であり、図５、図７、図９、図１１及び図１６は、各々図４、図６、図８、図１０及び図１５の有機発光表示装置をＶ-Ｖ、ＶＩＩ-ＶＩＩ、ＩＸ-ＩＸ、ＸＩ-ＸＩ及びＸＶＩ-ＸＶＩ線に沿って切断した断面図である。
【００５９】
図４及び図５を参照すれば、透明なガラス等の基板１０上にゲート用金属薄膜（図示せず）を化学気相蒸着またはスパッタリング法等で蒸着し、フォトエッチングして、第１ゲート電極Ｇ１を有する複数のゲートバス線ＧＢＬ及び維持電極ＳＥを有する複数の第２ゲート電極Ｇ２を備える複数のゲート導電体を形成する。
【００６０】
図６及び図７を参照すれば、ＳｉＮｘ、ＳｉＯｘ、またはＨｆＯ２、Ａｌ２Ｏ３のような高誘電体膜からなる第１絶縁膜２２０、真性非晶質シリコン層及び不純物非晶質シリコン層を化学気相蒸着等で連続して積層した後、不純物非晶質シリコン層及び真性非晶質シリコン層をフォトエッチングして、複数の島状不純物半導体２４３、２４７と複数の島状真性半導体２３０、２４０を形成する。
【００６１】
その後、図８及び図９を参照すれば、化学気相蒸着またはスパッタリング法で金属薄膜を積層しフォトエッチングして、第１ソース電極Ｓ１を有する複数のデータバス線ＤＢＬ、複数の第１ドレイン電極Ｄ１、複数の第２ソース電極Ｓ２及び第２ドレイン電極Ｄ２を有する複数の電圧供給線ＰＳＬを備える複数のデータ導電体を形成する一方、第１ソース電極Ｓ１と第１ドレイン電極Ｄ１との間及び第２ソース電極Ｓ２と第２ドレイン電極Ｄ２との間の島状不純物半導体２４３、２４７部分を露出させる。
【００６２】
次に、データバス線ＤＢＬ、電圧供給線ＰＳＬ、第１ドレイン電極Ｄ１、第２ドレイン電極Ｄ２に覆われず露出した不純物半導体２４３、２４７の部分を除去して、複数のオーミックコンタクト部材２４２、２４４、２４６、２４８を完成する一方、真性半導体２３０、２４０の一部を露出する。次いで、露出した島状真性半導体２３０、２４０の表面を安定化するために酸素プラズマ処理を施すのが好ましい。
【００６３】
このようにして、スイッチングトランジスタＱ１及び駆動トランジスタＱ２が完成する。
図１０及び図１１を参照すれば、化学気相蒸着法等で第２絶縁膜３４０を積層し、第１絶縁膜２２０と共にフォトエッチングして、第１ドレイン電極Ｄ１と第２ゲート電極Ｇ２の一部を露出させる第１コンタクトホールＣＴ１及び第２ドレイン電極Ｄ２の一部を露出させる第２コンタクトホールＣＴ２を形成する。
【００６４】
この時、第１コンタクトホールＣＴ１は、第１ドレイン電極Ｄ１の周縁と、その周辺のゲート絶縁膜２２０及び第２ゲート電極Ｇ２を露出させるが、これについて図１２乃至図１４を参照して詳細に説明する。
【００６５】
図１２を参照すれば、基板１０上に領域によって厚さが異なる感光膜を形成する。感光膜は、第２絶縁膜３４０上に第１コンタクトホールＣＴ１に対応する領域を除いた残りの領域Ａに位置し、厚さＴ１を有する第１部分３４２と、第１コンタクトホールＣＴ１に対応する領域のうち第１ドレイン電極Ｄ１の周縁Ｄを含む一部領域Ｂに位置し、厚さＴ１より薄い厚さＴ２を有する第２部分３４４とを備える。第１コンタクトホールＣＴ１領域のうち残りの領域Ｃには、感光膜が存在しない。
【００６６】
このように、位置によって感光膜の厚さを異ならせる方法には様々な方法があり、露光マスクに透過領域と遮光領域のみならず半透過領域を設けることがその例である。半透過領域には、スリットパターン、格子パターン、または透過率が中間であるか、厚さが中間である薄膜が具備される。スリットパターンを用いる場合、スリットの幅やスリット間の間隔がフォト工程に用いる露光器の分解能より小さいのが好ましい。また、他の例として、リフロー（ｒｅｆｌｏｗ）が可能な感光膜を用いる方法である。即ち、透過領域と遮光領域のみを有する通常のマスクにリフロー可能な感光膜パターンを形成した後、リフローさせて感光膜が残留しない領域に流れるようにして薄い部分を形成する。
【００６７】
図１３を参照すれば、感光膜３４２、３４４をマスクとして下部の第２絶縁膜３４０を除去して第１絶縁膜２２０を露出させた後、感光膜の薄い部分３４４を除去し、その下の第２絶縁膜３４０部分を露出させる。
【００６８】
次に、図１４に示したように、露出した第２絶縁膜３４０と第１絶縁膜２２０をエッチングして、第１ドレイン電極Ｄ１及び第２ゲート電極Ｇ２を露出させる。この時、エッチング終了点を第１ドレイン電極Ｄ１及び第２ゲート電極Ｇ２が露出する時点にして、第１ドレイン電極Ｄ１の周縁付近の第１絶縁膜２２０が除去されないようにする。これは、第１ドレイン電極Ｄ１の周縁付近の第１絶縁膜２２０がエッチングされながら、第１ドレイン電極Ｄ１下部に位置した部分までエッチングされて、アンダーカットが発生することを防ぐためである。
【００６９】
一方、第２絶縁膜３４０、感光膜の薄い部分３４４及び第１絶縁膜２２０のエッチングは、連続的に行うことができる。感光膜３４２、３４４及び絶縁膜２２０、３４０をいずれもエッチングできるエッチング条件を選択してエッチングを施せば、これらが同時にエッチングされる。この場合、感光膜の厚い部分３４２の厚さＴ１が減少することがあるので、第１ドレイン電極Ｄ１及び第２ゲート電極Ｇ２が露出するまで厚い部分３４２が除去されないよう厚さを定めることが好ましい。感光膜３４２、３４４の厚さは、露光時間、露光量、若しくは感光膜と第１／第２絶縁膜のエッチング選択比によって調節される。
【００７０】
図１５及び図１６を参照すれば、ＩＴＯ、ＩＺＯ等の透明導電膜をスパッタリング法等で積層した後、フォトエッチングして、複数の画素電極３１０及び複数の接続部材３０５を形成する。画素電極３１０は、第２コンタクトホールＣＴ２を通じて第２ドレイン電極Ｄ２に接続され、接続部材３０５は、第１コンタクトホールＣＴ１の内部で第１ドレイン電極Ｄ１及び第２ゲート電極Ｇ２に接続されるが、この時、第１コンタクトホールＣＴ１で第１ドレイン電極Ｄ１の下にアンダーカットがある場合には、この部分で接続部材３０５が切れる可能性があるが、本実施形態の場合、第１ドレイン電極Ｄ１の下のゲート絶縁膜２２０を残し階段状の段差を形成するので、接続部材３０５が切れるおそれが無い。
【００７１】
図２及び図３を再び参照すれば、無機絶縁物質または有機絶縁物質を積層し、無機絶縁物質層または有機絶縁物質層をパターニングして、画素電極３１０を部分的に露出する隔壁３５０を形成する。
【００７２】
画素電極３１０の上面に赤色、緑色、及び青色の光を放出できる有機発光部材３２０を形成し、その上に対向電極３３０を形成する。本実施形態において画素電極３１０は、透明なＩＴＯ或いはＩＺＯを用いて有機発光部材に正孔を注入し、対向電極３５０は、Ａｌ、Ｃａ、Ｂａ、Ｍｇのうち少なくとも一つを含む金属薄膜で有機発光部材に電子を注入する。
【００７３】
対向電極３３０上面には、有機発光層３２０を酸素または水分から保護するための密封キャップや保護層等を更に形成することが好ましい。保護層（図示せず）としては、有機膜、無機膜、またはその積層膜を用いることができる。
【００７４】
以下、本発明の他の実施形態に係る有機発光表示装置について図１７乃至図２０を参照して詳細に説明する。
図１７は、本発明の他の実施形態による有機発光表示装置の配置図であり、図１８は、図１７に示す有機発光表示装置をＸＶＩＩＩ-ＸＶＩＩＩ線に沿って切断した断面図である。
【００７５】
図１７及び図１８に示した有機発光表示装置の構造は、図２及び図３に示した有機発光表示装置とほぼ同様である。
即ち、基板１０上に第１ゲート電極Ｇ１を有する複数のゲート線ＧＢＬと、複数の維持電極ＳＥを有する複数の第２ゲート電極Ｇ２が形成されており、その上に第１絶縁層２２０が形成されている。第１絶縁層２２０上には、複数の第１及び第２島状半導体２３０、２４０と複数の第１乃至第４島状オーミックコンタクト部材２４２、２４４、２４６、２４８が順に形成されており、その上には、第１ソース電極Ｓ１を有する複数のデータバス線ＤＢＬ、複数の第１ドレイン電極Ｄ１、複数の第２ソース電極Ｓ２、及び第２ドレイン電極Ｄ２を有する複数の電圧供給線ＰＳＬが形成されており、これらの上には、第２絶縁膜３４０が形成されている。第２絶縁膜３４０は、第２ソース電極Ｓ２の一部を露出させるコンタクトホールＣＴ２を有し、その上には、複数の画素電極３１０が形成されている。第２絶縁膜３４０、画素電極３１０の上には、隔壁３５０、複数の有機発光部材３２０及び対向電極３３０が形成されている。
【００７６】
しかし、図２及び図３に示した有機発光表示装置とは異なって、本実施形態の有機発光表示装置では、第１絶縁膜２２０が第２ゲート電極Ｇ２を露出させるコンタクトホールＣＴ３を有し、第１ドレイン電極Ｄ１がこのコンタクトホールＣＴ３を通じて第２ゲート電極Ｇ２と直接接続されている。また、接続部材が別に存在しない。
【００７７】
この他に図２及び図３に示した有機発光表示装置の特徴は、図１７及び図１８に示した有機発光表示装置にも適用される。
次に、図１７及び図１８に示した有機発光表示装置を本発明の一実施形態によって製造する方法について図１９及び図２０を参照して詳細に説明する。
【００７８】
図１９は、図１７及び図１８に示した有機発光表示装置を本発明の一実施形態によって製造する方法の中間段階における配置図であり、図２０は、図１９に示す有機発光表示装置をＸＸ-ＸＸ線に沿って切断した断面図である。
【００７９】
図１９及び図２０を参照すれば、基板１０上に複数の第１ゲート電極Ｇ１を有する複数のゲートバス線ＧＢＬと維持電極ＳＥを有する複数の第２ゲート電極Ｇ２を形成する。
次に、第１絶縁膜２２０、真性非晶質シリコン層、不純物非晶質シリコン層をスパッタリング法等で順次に積層する。図１２乃至図１４を参照して、前述したように、スリット等が備えられた光マスクを用いて厚さが異なる二つの部分からなる感光膜（図示せず）を形成した後、これらをエッチングして、複数のコンタクトホールＣＴ３と複数の真性半導体２３０、２４０、及び複数の不純物半導体２４３、２４７を形成する。この時、コンタクトホールＣＴ３が形成される部分の上には感光膜が無く、真性半導体２３０、２４０及び不純物半導体２４３、２４７に対応する領域には、感光膜の厚い部分が位置し、その他の部分には、感光膜の薄い部分が位置する。感光膜の厚さを適切に選択することによって、第１絶縁膜２２０、真性非晶質シリコン層、不純物非晶質シリコン層を選択的にエッチングすることができる。その結果、図２０に示すように、第１絶縁膜２２０を一部除去しコンタクトホールＣＴ３を形成しながらも、その他の領域の第１絶縁膜２２０部分が除去されないようにすることができる。
【００８０】
次に、図１７に示すように、複数の第１ソース電極Ｓ１を有する複数のデータ線ＤＢＬ、複数の第１ドレイン電極Ｄ１、複数の第２ソース電極Ｓ２、及び複数の第２ドレイン電極Ｄ２を有する複数の電圧供給線ＰＳＬを形成する。この時、第１ドレイン電極Ｄ１の一部がコンタクトホールＣＴ３を通じて第２ゲート電極Ｇ２と接続するようにする。
【００８１】
次に、コンタクトホールＣＴ２を有する第２絶縁膜３４０、画素電極３１０、隔壁３５０、有機発光部材３２０、及び共通電極３３０を既に説明した実施形態と同様の方法で順次に形成する。
【００８２】
以上、本発明の好ましい実施形態について詳細に説明したが、本発明の権利範囲はこれに限定されるものでなく、特許請求の範囲で定義している本発明の基本概念を利用した当業者の様々な変形及び改良形態も本発明の権利範囲に属するものである。
【図面の簡単な説明】
【００８３】
【図１】本発明による有機発光表示装置の等価回路図である。
【図２】図１に示す有機発光表示装置を示した配置図である。
【図３】図２に示す有機発光表示装置をＩＩＩ-ＩＩＩ線に沿って切断した断面図である。
【図４】図２及び図３に示す有機発光表示装置を本発明の一実施形態によって製造する方法の中間段階における有機発光表示装置の配置図である。
【図５】図４に示す有機発光表示装置をＶ-Ｖ線に沿って切断した断面図である。
【図６】図２及び図３に示す有機発光表示装置を本発明の一実施形態によって製造する方法の中間段階における有機発光表示装置の配置図である。
【図７】図６に示す有機発光表示装置をＶＩＩ-ＶＩＩ線に沿って切断した断面図である。
【図８】図２及び図３に示す有機発光表示装置を本発明の一実施形態によって製造する方法の中間段階における有機発光表示装置の配置図である。
【図９】図８に示す有機発光表示装置をＩＸ-ＩＸ線に沿って切断した断面図である。
【図１０】図２及び図３に示す有機発光表示装置を本発明の一実施形態によって製造する方法の中間段階における有機発光表示装置の配置図である。
【図１１】図１０に示す有機発光表示装置をＸＩ-ＸＩ線に沿って切断した断面図である。
【図１２】本発明の一実施形態によってコンタクトホールを形成する段階を工程順で示した断面図である。
【図１３】本発明の一実施形態によってコンタクトホールを形成する段階を工程順で示した断面図である。
【図１４】本発明の一実施形態によってコンタクトホールを形成する段階を工程順で示した断面図である。
【図１５】図２及び図３に示す有機発光表示装置を本発明の一実施形態によって製造する方法の中間段階における有機発光表示装置の配置図である。
【図１６】図１５に示す有機発光表示装置をＸＶＩ-ＸＶＩ線に沿って切断した断面図である。
【図１７】本発明の他の実施形態に係る有機発光表示装置の配置図である。
【図１８】図１７に示す有機発光表示装置をＸＶＩＩ-ＸＶＩＩ線に沿って切断した断面図である。
【図１９】図１７及び図１８に示す有機発光表示装置を本発明の一実施形態によって製造する方法の中間段階における配置図である。
【図２０】図１９に示す有機発光表示装置をＸＸ-ＸＸ線に沿って切断した断面図である。
【符号の説明】
【００８４】
１０ 基板
２００ 有機発光表示装置
２２０、３４０ 絶縁膜
２３０、２４０ 半導体
２４２、２４４、２４６、２４８ オーミックコンタクト部材
２４３、２４７ 不純物半導体
３０５ 接続部材
３１０ 画素電極
３２０ 有機発光部材
３３０ 対向電極
３４２、３４４ 感光膜
３５０ 隔壁
Ｃｓｔ ストレージキャパシタ
ＣＴ１、ＣＴ２、ＣＴ３ コンタクトホール（接触孔）
Ｄ、Ｅ 境界
Ｄ１、Ｄ２ ドレイン電極
ＤＢＬ データバス線
ＥＬ 有機発光素子
Ｇ１、Ｇ２ ゲート電極
ＧＢＬ ゲートバス線
ＰＳＬ 電圧供給線
Ｑ１ スイッチングトランジスタ
Ｑ２ 駆動トランジスタ
Ｓ１、Ｓ２ ソース電極
ＳＥ 維持電極
【特許請求の範囲】
【請求項１】
有機発光素子と、
互いに分離されている第１乃至第３信号線と、
前記第３信号線及び前記有機発光素子と接続されている第１薄膜トランジスタと、前記第１及び第２信号線に接続されている第２薄膜トランジスタを有する複数の薄膜トランジスタとを備え、
前記各薄膜トランジスタは、それぞれ第１電極及び第２電極を有し、
前記第１電極と前記第２電極は、前記第１絶縁層に備えられている第１コンタクトホールを通じて電気的に接続されている有機発光表示装置。
【請求項２】
前記第１及び第２電極は、それぞれ前記第１絶縁層の下及び上に位置し、前記第２電極は、第２絶縁層で覆われており、前記第２絶縁層は、前記第２電極の少なくとも一部と前記第１コンタクトホールを露出させる第２コンタクトホールを有している請求項１に記載の有機発光表示装置。
【請求項３】
前記第２コンタクトホールの内部で前記第１電極と前記第２電極が重畳している請求項２に記載の有機発光表示装置。
【請求項４】
前記第２コンタクトホールは、前記第１電極周縁の前記第１絶縁層部分を露出させる請求項３に記載の有機発光表示装置。
【請求項５】
前記第１及び第２コンタクトホールを通じて前記第１電極及び前記第２電極と接続されている接続部材を更に備える請求項２に記載の表示装置。
【請求項６】
前記第２電極から前記第１電極まで階段状の傾斜が形成されている請求項５に記載の有機発光表示装置。
【請求項７】
前記有機発光素子は、
前記第２薄膜トランジスタに電気的に接続されている画素電極と、
前記画素電極上に設けられている発光部材と、
前記発光部材に設けられている対向電極と、
を備える請求項５に記載の有機発光表示装置。
【請求項８】
前記接続部材は、前記画素電極と同一層からなる請求項７に記載の有機発光表示装置。
【請求項９】
前記発光部材は、有機物質からなることを特徴とする請求項７に記載の表示装置。
【請求項１０】
前記画素電極上に前記発光部材を閉じ込める隔壁を更に備える請求項７に記載の表示装置。
【請求項１１】
前記第１及び第２薄膜トランジスタが、それぞれ前記第２電極と前記第１電極を有する請求項１に記載の有機発光表示装置。
【請求項１２】
前記第１薄膜トランジスタは、前記第１及び第２信号線にそれぞれ接続されている第３及び第４電極を更に有し、前記第２信号線を通じて前記第４電極に印加されたデータ信号を前記第１信号線を通じて前記第３電極に印加されたタイミング信号に従って前記第２電極に出力し、
前記第２薄膜トランジスタは、前記第３信号線に接続されている第５電極と前記有機発光素子に接続されている第６電極を更に有し、前記第１電極に印加された前記データ信号のレベルに対応して駆動電流を前記第６電極に出力する請求項１１に記載の有機発光表示装置。
【請求項１３】
前記有機発光素子は、
前記第２薄膜トランジスタから前記駆動電流の供給を受ける第１表示電極と、
前記第１表示電極に接続されている有機発光部材と、
前記有機発光部材と接続されている第２表示電極と、
を備え、
前記第１表示電極及び前記第２表示電極は、前記有機発光部材に電荷を提供し、前記有機発光部材は、前記提供された電荷によって発光する請求項１２に記載の有機発光表示装置。
【請求項１４】
前記第３信号線は、電圧信号を伝達する請求項１３に記載の有機発光表示装置。
【請求項１５】
前記第５電極及び前記第６電極に両端が接続され、前記データ信号と前記第３信号線からの電圧信号の差を保存及び維持するストレージキャパシタを更に備える請求項１４に記載の有機発光表示装置。
【請求項１６】
前記第１電極と前記第２電極は、前記第１コンタクトホールを通じて直接接触する請求項１に記載の有機発光表示装置。
【請求項１７】
前記第１絶縁層は、前記第１電極と前記第２電極との間に介在している請求項１に記載の有機発光表示装置。
【請求項１８】
基板と、
前記基板上に形成されている第１導電層と、
前記第１導電層上に形成されている第１絶縁層と、
前記第１導電層上に形成されている第２導電層と、
前記第２導電層上に形成されている第２絶縁層と、
前記第１及び第２絶縁層に形成され、前記第１導電層の少なくとも一部と前記第２導電層の少なくとも一部を露出させる接触部と、
前記接触部に形成されて前記第１導電層と前記第２導電層を接続する第３導電層とを備える薄膜トランジスタ表示板。
【請求項１９】
前記薄膜トランジスタ表示板は有機発光表示板である請求項１８に記載の薄膜トランジスタ表示板。
【請求項２０】
基板上に第１ゲート電極及び第２ゲート電極を形成する段階と、
前記第１及び第２ゲート電極上に第１絶縁層を形成する段階と、
前記第１絶縁層上に前記第１及び第２ゲート電極とそれぞれ対応する第１及び第２半導体を形成する段階と、
前記第１半導体上に互いに分離されている第１ソース電極及び第１ドレイン電極を形成すると同時に、前記第２半導体上に互いに分離されている第２ソース電極及び第２ドレイン電極を形成する段階と、
第２絶縁層を積層する段階と、
前記第２及び第１絶縁層をエッチングして、前記第２ゲート電極の少なくとも一部と前記第１ドレイン電極の少なくとも一部を露出させるコンタクトホールを形成する段階と、
前記コンタクトホールを通じて露出した前記第２ゲート電極部分及び前記第１ドレイン電極部分と接触する接続部材を形成する段階と、
を含む有機発光表示装置の製造方法。
【請求項２１】
前記第２絶縁層上に前記第２ソース電極に接続する有機発光素子を形成する段階をさらに含む請求項２０に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項２２】
前記第１ドレイン電極と前記第２ゲート電極は互いに重畳する請求項２０に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項２３】
前記コンタクトホールの形成段階は、前記コンタクトホールのうち前記ドレイン電極の周縁に対応する第１部分と、前記コンタクトホールのうち前記ドレイン電極の周縁を除く領域に対応し、前記第１部分より厚い第２部分とを有する感光膜を用いたフォトエッチング工程を実施する段階を含む請求項２０に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項２４】
前記感光膜は、一つのマスクを用いた露光で形成する請求項２３に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項２５】
基板上に第１ゲート電極及び第２ゲート電極を形成する段階と、
前記第１及び第２ゲート電極上に第１絶縁層を積層する段階と、
前記第１絶縁層上に前記第１及び第２ゲート電極とそれぞれ対応する第１及び第２半導体を形成する段階と、
前記第１絶縁層に前記第２ゲート電極の一部を露出させるコンタクトホールを形成する段階と、
前記第１半導体上に互いに分離されている第１ソース電極及び第１ドレイン電極を形成すると同時に、前記第２半導体上に互いに分離されている第２ソース電極及び第２ドレイン電極を形成する段階と、
第２絶縁層を形成する段階と、
前記第２ソース電極に接続される有機発光素子を形成する段階と、
を含み、
前記第１ドレイン電極は、前記コンタクトホールを通じて前記第２ゲート電極と接続される有機発光表示装置の製造方法。
【請求項１】
有機発光素子と、
互いに分離されている第１乃至第３信号線と、
前記第３信号線及び前記有機発光素子と接続されている第１薄膜トランジスタと、前記第１及び第２信号線に接続されている第２薄膜トランジスタを有する複数の薄膜トランジスタとを備え、
前記各薄膜トランジスタは、それぞれ第１電極及び第２電極を有し、
前記第１電極と前記第２電極は、前記第１絶縁層に備えられている第１コンタクトホールを通じて電気的に接続されている有機発光表示装置。
【請求項２】
前記第１及び第２電極は、それぞれ前記第１絶縁層の下及び上に位置し、前記第２電極は、第２絶縁層で覆われており、前記第２絶縁層は、前記第２電極の少なくとも一部と前記第１コンタクトホールを露出させる第２コンタクトホールを有している請求項１に記載の有機発光表示装置。
【請求項３】
前記第２コンタクトホールの内部で前記第１電極と前記第２電極が重畳している請求項２に記載の有機発光表示装置。
【請求項４】
前記第２コンタクトホールは、前記第１電極周縁の前記第１絶縁層部分を露出させる請求項３に記載の有機発光表示装置。
【請求項５】
前記第１及び第２コンタクトホールを通じて前記第１電極及び前記第２電極と接続されている接続部材を更に備える請求項２に記載の表示装置。
【請求項６】
前記第２電極から前記第１電極まで階段状の傾斜が形成されている請求項５に記載の有機発光表示装置。
【請求項７】
前記有機発光素子は、
前記第２薄膜トランジスタに電気的に接続されている画素電極と、
前記画素電極上に設けられている発光部材と、
前記発光部材に設けられている対向電極と、
を備える請求項５に記載の有機発光表示装置。
【請求項８】
前記接続部材は、前記画素電極と同一層からなる請求項７に記載の有機発光表示装置。
【請求項９】
前記発光部材は、有機物質からなることを特徴とする請求項７に記載の表示装置。
【請求項１０】
前記画素電極上に前記発光部材を閉じ込める隔壁を更に備える請求項７に記載の表示装置。
【請求項１１】
前記第１及び第２薄膜トランジスタが、それぞれ前記第２電極と前記第１電極を有する請求項１に記載の有機発光表示装置。
【請求項１２】
前記第１薄膜トランジスタは、前記第１及び第２信号線にそれぞれ接続されている第３及び第４電極を更に有し、前記第２信号線を通じて前記第４電極に印加されたデータ信号を前記第１信号線を通じて前記第３電極に印加されたタイミング信号に従って前記第２電極に出力し、
前記第２薄膜トランジスタは、前記第３信号線に接続されている第５電極と前記有機発光素子に接続されている第６電極を更に有し、前記第１電極に印加された前記データ信号のレベルに対応して駆動電流を前記第６電極に出力する請求項１１に記載の有機発光表示装置。
【請求項１３】
前記有機発光素子は、
前記第２薄膜トランジスタから前記駆動電流の供給を受ける第１表示電極と、
前記第１表示電極に接続されている有機発光部材と、
前記有機発光部材と接続されている第２表示電極と、
を備え、
前記第１表示電極及び前記第２表示電極は、前記有機発光部材に電荷を提供し、前記有機発光部材は、前記提供された電荷によって発光する請求項１２に記載の有機発光表示装置。
【請求項１４】
前記第３信号線は、電圧信号を伝達する請求項１３に記載の有機発光表示装置。
【請求項１５】
前記第５電極及び前記第６電極に両端が接続され、前記データ信号と前記第３信号線からの電圧信号の差を保存及び維持するストレージキャパシタを更に備える請求項１４に記載の有機発光表示装置。
【請求項１６】
前記第１電極と前記第２電極は、前記第１コンタクトホールを通じて直接接触する請求項１に記載の有機発光表示装置。
【請求項１７】
前記第１絶縁層は、前記第１電極と前記第２電極との間に介在している請求項１に記載の有機発光表示装置。
【請求項１８】
基板と、
前記基板上に形成されている第１導電層と、
前記第１導電層上に形成されている第１絶縁層と、
前記第１導電層上に形成されている第２導電層と、
前記第２導電層上に形成されている第２絶縁層と、
前記第１及び第２絶縁層に形成され、前記第１導電層の少なくとも一部と前記第２導電層の少なくとも一部を露出させる接触部と、
前記接触部に形成されて前記第１導電層と前記第２導電層を接続する第３導電層とを備える薄膜トランジスタ表示板。
【請求項１９】
前記薄膜トランジスタ表示板は有機発光表示板である請求項１８に記載の薄膜トランジスタ表示板。
【請求項２０】
基板上に第１ゲート電極及び第２ゲート電極を形成する段階と、
前記第１及び第２ゲート電極上に第１絶縁層を形成する段階と、
前記第１絶縁層上に前記第１及び第２ゲート電極とそれぞれ対応する第１及び第２半導体を形成する段階と、
前記第１半導体上に互いに分離されている第１ソース電極及び第１ドレイン電極を形成すると同時に、前記第２半導体上に互いに分離されている第２ソース電極及び第２ドレイン電極を形成する段階と、
第２絶縁層を積層する段階と、
前記第２及び第１絶縁層をエッチングして、前記第２ゲート電極の少なくとも一部と前記第１ドレイン電極の少なくとも一部を露出させるコンタクトホールを形成する段階と、
前記コンタクトホールを通じて露出した前記第２ゲート電極部分及び前記第１ドレイン電極部分と接触する接続部材を形成する段階と、
を含む有機発光表示装置の製造方法。
【請求項２１】
前記第２絶縁層上に前記第２ソース電極に接続する有機発光素子を形成する段階をさらに含む請求項２０に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項２２】
前記第１ドレイン電極と前記第２ゲート電極は互いに重畳する請求項２０に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項２３】
前記コンタクトホールの形成段階は、前記コンタクトホールのうち前記ドレイン電極の周縁に対応する第１部分と、前記コンタクトホールのうち前記ドレイン電極の周縁を除く領域に対応し、前記第１部分より厚い第２部分とを有する感光膜を用いたフォトエッチング工程を実施する段階を含む請求項２０に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項２４】
前記感光膜は、一つのマスクを用いた露光で形成する請求項２３に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項２５】
基板上に第１ゲート電極及び第２ゲート電極を形成する段階と、
前記第１及び第２ゲート電極上に第１絶縁層を積層する段階と、
前記第１絶縁層上に前記第１及び第２ゲート電極とそれぞれ対応する第１及び第２半導体を形成する段階と、
前記第１絶縁層に前記第２ゲート電極の一部を露出させるコンタクトホールを形成する段階と、
前記第１半導体上に互いに分離されている第１ソース電極及び第１ドレイン電極を形成すると同時に、前記第２半導体上に互いに分離されている第２ソース電極及び第２ドレイン電極を形成する段階と、
第２絶縁層を形成する段階と、
前記第２ソース電極に接続される有機発光素子を形成する段階と、
を含み、
前記第１ドレイン電極は、前記コンタクトホールを通じて前記第２ゲート電極と接続される有機発光表示装置の製造方法。
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【公開番号】特開２００６−６６９１７（Ｐ２００６−６６９１７Ａ）
【公開日】平成１８年３月９日（２００６．３．９）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００５−２４６２７３（Ｐ２００５−２４６２７３）
【出願日】平成１７年８月２６日（２００５．８．２６）
【出願人】（５０３４４７０３６）サムスン エレクトロニクス カンパニー リミテッド (2,221)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１８年３月９日（２００６．３．９）
【国際特許分類】
【出願日】平成１７年８月２６日（２００５．８．２６）
【出願人】（５０３４４７０３６）サムスン エレクトロニクス カンパニー リミテッド (2,221)
【Ｆターム（参考）】
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