【課題】高い表示品位を有する表示装置用の薄膜トランジスタ基板およびこれらを生産効率よく実現することができる製造方法を提供する。
【解決手段】基板１上の複数の部分に配設された半導体膜２と、半導体膜２上に、該半導体膜２と接し互いに離間して配設されたソース電極およびドレイン電極４と、半導体膜２、ソース電極３およびドレイン電極４を覆うゲート絶縁膜６と、ゲート絶縁膜６を介して、ソース電極３およびドレイン電極４の間に跨るように配設された、ゲート電極７とを有した薄膜トランジスタ２０１と、半導体膜２上に、該半導体膜と接して配設された補助容量電極１０と、下層に半導体膜２を有してソース電極から延在するソース配線３１と、ゲート電極７から延在するゲート配線７１と、ドレイン電極４に電気的に接続された画素電極９と、隣り合う画素の補助容量電極１０どうしを電気的に接続する、補助容量電極接続配線１２とを備えている。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、高信頼性化す
ることを目的の一とする。
【解決手段】酸化物半導体膜を有するボトムゲート構造のトランジスタの作製工程におい
て、熱処理による脱水化または脱水素化処理、及び酸素ドープ処理を行う。酸素ドープ処
理されたゲート絶縁膜、熱処理による脱水化または脱水素化処理された酸化物半導体膜を
有するトランジスタは、バイアス−熱ストレス試験（ＢＴ試験）前後においてもトランジ
スタのしきい値電圧の変化量が低減できており、信頼性の高いトランジスタとすることが
できる。 （もっと読む）

【課題】電子ペーパーに用いた際に、表示ムラを生じにくく、良好な情報表示特性を得ることが可能な電子ペーパー用背面電極基材、およびこれを用いた電子ペーパーを提供する。
【解決手段】表示電極用絶縁層１α、および上記表示電極用絶縁層上に表示電極１βを備え表示情報に対応するパターン形状を有する表示電極層１と、上記表示電極層の上記表示電極上に配置された配線電極用絶縁層２α、および上記配線電極用絶縁層上に形成された配線電極２βを備え、上記表示電極に電荷を付与することが可能なパターン形状を有する配線電極層２と、上記表示電極層の上記表示電極上の、上記配線電極層が配置されている配線電極層配置領域以外の領域に上記配線電極層の厚みと同等の厚みを有する平坦化層３と、上記配線電極層の上記配線電極および平坦化層上に配置された保護フィルム４とを有する電子ペーパ用背面電極基材１０からなる。 （もっと読む）

【課題】量産性の高い新たな半導体材料を用いた大電力向けの半導体装置を提供すること
を目的の一とする。
【解決手段】酸化物半導体膜中の水分または水素などの不純物を低減するために、酸化物
半導体膜を形成した後、酸化物半導体膜が露出した状態で第１の加熱処理を行う。次いで
、酸化物半導体膜中の水分、または水素などの不純物をさらに低減するために、イオン注
入法またはイオンドーピング法などを用いて、酸化物半導体膜に酸素を添加した後、再び
、酸化物半導体膜が露出した状態で第２の加熱処理を行う。 （もっと読む）

【課題】向上した発光効率を有する、低電力のディスプレイを提供する。
【解決手段】前部および後部反射面の両方を有する光キャビティを利用する、空間光変調のための改良された装置および方法が開示される。光を空間変調するために、前部反射面内に、光透過領域が形成される。意図される見る人に面した前面と、光源に面した後面とを有する基板と、基板の前面の上に配置された誘電体材料層と、複数のアパーチャを含む、誘電体材料層の上に配置された金属層と、金属層の上に配置された複数の光変調シャッタ組立体１０２とを備え、複数のアパーチャは、複数の光変調シャッタ組立体１０２による変調のために、金属層を光源からの光が通過するのを許可する、ディスプレイデバイス。 （もっと読む）

【課題】３層以上の配線を接続する際に、最も効率的にかつ最小面積で接続を行えるコンタクト構造を実現可能な半導体装置およびその製造方法、並びに表示装置を提供する。
【解決手段】基板２０１上に３層以上のｎ層の導電層２０２〜２０４が積層して形成され、ｎ層の導電層がコンタクトパターンを介して接続され、コンタクトパターンが形成される一つの主コンタクト領域には、（ｎ−１）個の導電層２０２，２０３を接続する（ｎ−１）個の接続領域２１１，２１２を有し、（ｎ−１）個の導電層のうち基板２０１に対する積層方向（基板２０１の主面に対する法線方向）において第１層より上層の導電層は、その終端部がコンタクトパターンＣＰＴＮの縁の一部に臨むように形成され、（ｎ−１）個の導電層は、第ｎ層の導電層により電気的に接続されている。第ｎ層の導電層は、コンタクトパターンＣＰＴＮであるコンタクト孔を埋めつくよう形成されている。 （もっと読む）

【課題】低温プロセスを実現する半導体装置の作製方法、及び半導体装置を提供する。
【解決手段】結晶構造を有する半導体層の一部にｐ型を付与する不純物元素及び水素を同時に添加することによって、一部の上層部分を非晶質化するとともに、一部の下層部分に結晶質を残存させ、加熱処理を行うことによって、一部の中の水素を拡散させる。 （もっと読む）

【課題】表示装置における発光層からの光を、平坦化膜、層間絶縁膜、トランジスタのゲート絶縁膜等の絶縁膜を介して取り出す際、光が各絶縁膜を通過する毎に、その絶縁膜の表面の微妙な凹凸により、乱反射が起こる。これにより、不要光が発生し、画素の輪郭が不明瞭となったり、トランジスタの特性が劣化する等の問題が生じていた。
【解決手段】本発明に係る表示装置は、基板上に設けられたトランジスタと、前記トランジスタ上に設けられた遮光性を有する絶縁膜と、前記遮光性を有する絶縁膜上に設けられた発光素子とを有し、前記遮光性を有する絶縁膜には、前記発光素子からの光を通過させる開口部が設けられていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】電気特性が良好で信頼性の高いトランジスタ及び当該トランジスタを用いた表示
装置を提供する。
【解決手段】チャネル領域に酸化物半導体を用いたボトムゲート型のトランジスタであっ
て、加熱処理により脱水化または脱水素化された酸化物半導体層を活性層に用い、該活性
層は、微結晶化した表層部の第１の領域と、その他の部分の第２の領域で形成されている
。この様な構成をした酸化物半導体層を用いることにより、表層部からの水分の再侵入や
酸素の脱離によるｎ型化や寄生チャネル発生の抑制、及びソース電極及びドレイン電極と
の接触抵抗を下げることができる。 （もっと読む）

【課題】層数を低減し、製造コストを抑え、かつ点灯異常を抑制して製造歩留まりの向上を図ることのできる液晶表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】画素部（ａ）と周辺部（ｃ）とを有する基板を用いた液晶表示装置の製造方法において、ゲート絶縁膜３上に半導体層４と画素電極５を形成した後、基板上に導電膜を平面ベタに形成し、ホトレジストパターンをマスクとして、画素部（ａ）の半導体層４と画素電極５とを電気的に接続するドレイン電極を形成すると共に、画素部（ａ）と周辺部（ｃ）における半導体層４を露出させ、周辺部の半導体層４をエッチング量の指標として用いて画素領域（ａ）の半導体層４をエッチングする。 （もっと読む）

【課題】高効率、高寿命かつ高精細な有機ＥＬ表示装置を得るための製造方法を提供する。
【解決手段】一対の電極間に配置され、少なくとも発光層を含む有機化合物層が２次元に配列されてなる発光領域を備える有機ＥＬ表示装置の製造方法において、前記発光領域全体に水に不溶である有機化合物層を形成する工程と、前記有機化合物層上に、水溶性材料を含む保護層を所定のパターン形状にて形成する工程と、前記保護層に覆われていない領域に形成されている有機化合物層を除去する工程と、前記保護層を除去する工程と、前記有機化合物層を乾燥する工程と、前記有機化合物層上に、少なくとも発光領域を含む領域に共通層を形成する工程と、を含み、前記有機化合物層を乾燥する工程から前記共通層を成膜する工程までの工程を真空中で行うことを特徴とする、有機ＥＬ表示素子の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 絶縁性基板上の接続端子に駆動ＩＣを直接実装する表示装置において、生産コストアップを生じることなく、金属配線の露出による絶縁性低下、腐食を発生させることもなく、高い接続信頼性を得る。
【解決手段】 絶縁性基板１上に形成された金属配線と、金属配線上に形成された無機絶縁膜１２と、無機絶縁膜上に形成された有機樹脂膜１３と、金属配線上の無機絶縁膜１２および有機樹脂膜１３を除去した部分に形成された透明導電膜１０と、絶縁性基板１上の表示領域外の駆動ＩＣ４実装領域に形成された接続端子７と、表示領域に信号を供給するために、異方性導電膜５によって接続端子７と接続される駆動ＩＣ４のバンプ９とを備えた表示装置であって、駆動ＩＣ４実装領域において、金属配線上以外の領域の無機絶縁膜１２と有機樹脂膜１３とを除去したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体膜を用いたトランジスタに安定した電気的特性を付与し、信頼性の高い半導体装置を作製する。
【解決手段】酸化物半導体膜を用いた半導体装置であるトランジスタにおいて、酸化物半導体膜から水素を捕縛する膜（水素捕縛膜）、および水素を拡散する膜（水素透過膜）を有し、加熱処理によって酸化物半導体膜から水素透過膜を介して水素捕縛膜へ水素を移動させる。具体的には、酸化物半導体膜を用いたトランジスタのゲート絶縁膜を、水素捕縛膜と水素透過膜との積層構造とする。このとき、水素透過膜を酸化物半導体膜と接する側に、水素捕縛膜をゲート電極と接する側に、それぞれ形成する。その後、加熱処理を行うことで酸化物半導体膜から脱離した水素を、水素透過膜を介して水素捕縛膜へ移動させることができる。 （もっと読む）

【課題】開口率を向上させると共に有機層および第２電極の断線を抑制することができる有機発光素子およびこの有機発光素子を備えた表示装置を提供することにある。
【解決手段】第１電極および第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との間の、発光層を含む有機層と、前記第１電極の周縁を表面から側面にかけて覆うと共に前記有機層に接する内壁面を有し、前記内壁面に、稜線が前記第１電極の表面に平行な少なくとも一つの角部を有する絶縁膜とを備えた有機発光素子。 （もっと読む）

【課題】表示装置等の接続端子部分における腐食による断線を防止する。
【解決手段】第１の配線（２）と第２の配線（６）とを透明導電薄膜（１０）により複数箇所で接続して接続端子を構成する。接続端子部分が第１の配線（２）と第２の配線（６）とによる並列接続となり、且つ、第１の配線（２）と第２の配線（６）とが複数箇所で接続されるため、断線のリスクが大幅に低減される。 （もっと読む）

【課題】所望の保持容量を有すると共に、画素電極の表面における凹凸に起因する表示ムラが低減された電気光学装置、これを備えた電子機器、電気光学装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】本適用例の電気光学装置としての液晶装置は、素子基板１０上に、トランジスターと、トランジスターに対応して設けられた画素電極１５と、素子基板１０と画素電極１５との間に、画素電極１５と一部が対向するように設けられ、画素電極１５と誘電体層１４を介して保持容量を構成する容量配線３ｂと、を備え、容量配線３ｂは、素子基板１０と画素電極１５との間に設けられた絶縁膜１３に埋め込まれるように形成されており、絶縁膜１３と共に画素電極１５側の面が平坦化されてなる。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、信頼性の高い半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】酸化物半導体層を含むトランジスタの作製工程において、ゲート電極を形成後、インライン装置にて、酸化アルミニウム膜と酸化シリコン膜と酸化物半導体膜を大気暴露することなく連続的に形成し、さらに同インライン装置にて加熱および酸素添加処理を行い、他の酸化アルミニウム膜でトランジスタを覆った後、熱処理を行うことで、水素原子を含む不純物が除去され、且つ、化学量論比を超える酸素を含む領域を有する酸化物半導体膜を形成する。該酸化物半導体膜を用いたトランジスタは、バイアス−熱ストレス試験（ＢＴ）試験前後においてもトランジスタのしきい値電圧の変化量が低減されており、信頼性の高いトランジスタとすることができる。 （もっと読む）

【課題】大掛かりな製造装置を必要とすることなく、簡素、簡易な方法にて薄膜素子能動部を製造することができる薄膜素子の製造方法を提供する。
【解決手段】薄膜素子の製造方法は、支持基板２０上に樹脂材料から成る第１基材２１を塗布法にて形成した後、第１基材２１上に、熱によって又はエネルギー線の照射によって硬化する樹脂から成る第２基材２２を形成し、次いで、第２基材上に薄膜素子能動部３０を形成し、その後、支持基板２０を第１基材２１から剥離する各工程を備えており、第１基材２１を構成する樹脂材料のガラス転移温度は１８０゜Ｃ以上である。 （もっと読む）

【課題】画質劣化を抑制することが可能な表示装置および電子機器を提供する。
【解決手段】有機ＥＬ表示装置１Ａは、駆動側基板１０上に、有機ＥＬ素子１０Ａと、トランジスタ１０Ｂと、映像信号に対応する電荷を保持する保持容量素子１０Ｃとを備えたものである。保持容量素子１０Ｃは、駆動側基板１０の側から順に、導電膜２７Ａ、酸化物半導体よりなる半導体層１１、絶縁膜１２Ｂおよび導電膜１３Ｂを積層してなる。保持容量素子１０Ｃでは、導電膜２７Ａ，１３Ｂ間において容量形成がなされ、印加電圧に依存する容量変動が抑制される。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、高信頼性化する。
【解決手段】酸化物半導体膜を含むトランジスタの作製工程において、少なくとも酸化物半導体膜中に希ガスイオンを注入する注入工程を行い、減圧下、窒素雰囲気下、又は希ガス雰囲気下において、希ガスイオンを注入した酸化物半導体膜に加熱工程を行って希ガスイオンを注入した酸化物半導体膜中に含まれる水素若しくは水を放出させ、酸化物半導体膜を高純度化する。 （もっと読む）